【課題】複雑化、大幅なコスト上昇なく、かつプラズマおよび加工の均一性、反応生成物の付着防止を損なわずに、耐圧誘電体部材の削れによる問題を回避できるようにする。
【解決手段】減圧可能なチャンバー１、チャンバー１内で被処理物２を支持する対向電極３、チャンバー１の隔壁をなす耐圧誘電体部材５の外に設けられチャンバー１内にプラズマ６を発生させて対向電極３に支持する被処理物２をエッチングする第１の電極４、第１の電極４のチャンバー１側に設けられてチャンバー１の第１の電極４側の内表面に反応生成物が付着するのを防止する第２の電極７を備え、第２の電極７を前記耐圧誘電体部材５の内側に配して誘電体であるカバー２１で覆うことにより、上記の目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、平坦化と伴に欠陥部を形成させ、その欠陥部に重金属などの不純物を捕捉、固定させることができる半導体ウェーハの平坦化方法、平坦化装置及び半導体ウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】エッチングガスをプラズマにより励起して、中性活性種及びイオンを生成し、前記中性活性種及び前記イオンを開口窓を介して前記開口窓よりも面積の大きな半導体ウェーハの裏面に局所的に供給して、局部的なエッチングと欠陥部の形成を行うこと、を特徴とする半導体ウェーハの平坦化方法が提供される。また、プラズマによりエッチングガスを励起するプラズマ発生手段を備えた半導体ウェーハの平坦化装置であって、半導体ウェーハのま裏面に対向するように設けられた前記プラズマ発生手段と、前記プラズマ発生手段と前記半導体ウェーハの裏面との間に設けられ前記半導体ウェーハよりも開口面積が小さい開口窓と、を備えることを特徴とする半導体ウェーハの平坦化装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】ワークの被処理面を短時間に効率よく処理することができる簡易な構造のプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、間隙４０を介して略平行に対向して配置された１対の平板状の第１の電極２と、ワーク１０を設置するワーク設置部１００と、ワーク設置部１００を介して第１の電極２の下端部と対向配置された第２の電極３と、第１の電極２と第２の電極３との間に電圧を印加する電源７２を備えた電源回路７と、間隙４０にプラズマ生成のための処理ガスを供給するガス供給手段８とを備え、間隙４０に処理ガスを供給しつつ、第１の電極２と第２の電極３との間に電圧を印加することにより、処理ガスを活性化してプラズマを生成させ、間隙４０の下端部に形成されたプラズマ噴出部５より該プラズマを噴出して、ワーク１０の被処理面１０１を処理するよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】 導電体でない基板でも効率よくバイアスを印加し、かつ、基板の表裏両面に形成されたパターンに損傷を与えずに両面処理ができるプラズマエッチング装置を実現する。
【解決手段】 基板支持部材が被エッチング基板面鉛直方向に可動する可動式基板支持部材を備える。
【効果】 被エッチング基板を保持した可動式基板支持部材を、バイアス電圧を出力する電極側に密着させることで、バイアス電圧が印加される電極と基板の間の距離を縮め、基板に効率よくバイアスを印加できる。 （もっと読む）

【課題】 プラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】 チャンバーと、チャンバー内の上部に配設された絶縁部材と、チャンバーの側壁に配設されるとともに、接地電位が印加される接地電極と、チャンバー内の下部に配設されるとともに、基板が載置される下部電極とを備え、下部電極は、複数の電極に分割形成されているプラズマ処理装置。これにより、基板の上縁部と、側部と、下縁部及び下部中心領域に堆積したパーチクルを効率よく除去することが可能になる。
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【課題】比較的簡単な構成で、ワークの処理面の形状に拘わらず、その形状に対応してプラズマ処理を施すことができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、ワークを設置するワーク設置部２１と、第１の電極２と、ワーク設置部２１の第１の電極２の対向側に位置し、外周面が前記ワーク設置部２１に設置されたワーク１０の処理面１１に対面するように設置され、中心軸を回動軸として回転可能な円筒状の第２の電極３とを有し、発生したプラズマにより処理面１１を処理するものであり、第２の電極３は、その外周面に、周方向に沿って、有効電極領域３１ａの幅が変化している部分を有し、この第２の電極３を、その中心軸を回動軸として回転させることにより、処理面１１と対面する有効電極領域３１ａの幅が変化するよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】比較的簡単な構成で、ワークの処理面の形状に拘わらず、その形状に対応してプラズマ処理を施すことができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、第１の電極２と、ワーク設置部２１の第１の電極２の対向側に位置し、外周面が前記ワーク設置部２１に設置されたワーク１０の処理面１１に対面するように設置され、中心軸を回動軸として回転可能な円筒状の第２の電極３とを有し、発生したプラズマにより処理面１１を処理するものであり、第２の電極３は、その外周面に、周方向に沿って、有効電極領域３１ａの幅が変化している部分を有し、この第２の電極３を、その中心軸を回動軸として回転させることにより、処理面１１と対面する有効電極領域３１ａの幅が変化するよう構成され、ガス供給手段５により、有効電極領域３１ａの幅の大きさに応じて、処理ガスを供給する幅も変化するよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】被処理物の搬入出機構との干渉を回避しつつ、正規の放電処理開始地点での処理の良好性確保できるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置Ｍの第１ステージ部３１の第１金属表面３１ａには固体誘電体層を設けず、第１ステージ部３１の第２方向の側部に第２ステージ部３２を設け、第２ステージ部３２の金属表面に固体誘電体層３４を設ける。誘電体を主成分とする被処理物Ｗを搬入出機構２０にて第１方向に沿って第１ステージ部３１上に搬入し、第１金属表面３１ａを覆う。電極１１は、第２ステージ部３２上で助走放電を形成したうえで、第１ステージ部３１上へ移動し、正規のプラズマ放電を形成する。 （もっと読む）

【課題】装置を特に複雑化することなく、被処理物上でのプラズマの均一性を損なわずに、耐圧誘電体部材の内表面における不均一な反応生成物の付着防止と削れ防止とがバランスよくほぼ均一に達成できるようにする。
【解決手段】耐圧誘電体部材５を介し減圧可能なチャンバ１内に反応ガスからのプラズマ６を発生させて対向電極３上の被処理物２に働かせエッチングなどのプラズマ処理を行わせる第１の電極４と、第１の電極４と前記耐圧誘電体部材５との間に設けられて耐圧誘電体部材５の内表面５ａの反応生成物が付着するのを防止する第２の電極７とを備え、第２の電極７の耐圧誘電体部材５の内表面５ａからの電極距離Ｌ２を、それらの各対向域における耐圧誘電体部材５の内表面５ａでの反応生成物の付着度と耐圧誘電体部材５の削れ量との部分的な違いに応じて設定することにより、上記の目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ発生領域で短時間にワークの被処理面を均一化する処理が可能なプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、第１の電極２と、第１の電極２と対向配置される第２の電極３と、第１の電極２と第２の電極３との間に電圧を印加する電源７２を備えた電源回路７と、第１の電極２と第２の電極３との間にプラズマ生成のための処理ガスを供給するガス供給手段８と、第１の電極２に向けて処理ガスを噴出するノズル５とを備え、第１の電極２と第２の電極３との間に電圧を印加することにより、ノズル５から噴出された処理ガスを活性化してプラズマを生成し、該プラズマによりワーク１０の被処理面１０１をプラズマ処理するよう構成されているプラズマ処理装置１であって、第２の電極３の第１の電極２と対向する面側に、ノズル５の外周側に周方向に沿って凸部３１と凹部３２とが形成されてなり、凸部３１と第１の電極２との距離が凹部３２と第１の電極２との距離よりも狭く配置されている。 （もっと読む）

【課題】広く均一な加工面を得ることができるプラズマプロセス装置およびプラズマプロセス方法を提供する。
【解決手段】このプラズマプロセス装置によれば、電極２０に形成された吸引口２８から、プロセスガスを吸い込むので、ラジカルと基板１６の表面との反応で生成した反応生成物が基板１６の表面に付着することを抑制できる。また、電極２０の吸引口２８は回転軸Ｊ１上にないので、電極２０が中心軸Ｊ１を回転軸Ｊ１として回転すると、電極２０の吸引口２８は中心軸Ｊ１の周りの円周軌道に沿って周回運動する。したがって、加工中に、吸引口２８に起因して電界強度が低下する箇所およびガス吸入量が低下する箇所が軸周りの円周軌道を常時移動する。 （もっと読む）

【課題】フォトマスクをエッチングするための方法及び装置を提供する。
【解決手段】本装置は基板支持体上方にシールドを備えた処理チャンバを含む。シールドは開口部を有するプレートを備え、プレートは材料又は電位バイアス等の少なくとも１つの特性を有し、その特性が互いに異なる２つのゾーンを有する。本方法により、シールドを通過するイオンと中性種を分散させてフォトマスク基板をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】マスク表面に亘るエッチング速度の極めて均一な分布を実現するプラズマリアクタを提供する。
【解決手段】プラズマリアクタは、円筒形側壁と、側壁の上にある天井と、側壁の上端上に支持され、天井を支持し、外面と内面とを備えたリングとを備えた真空チャンバを含む。複数の通路が外面から内面へとリング内を半径方向に延び、リングの円周に沿って間隔をあけて配置されている。チャンバ外部に在る外部ガス流導管装置はチャンバの円周に沿って延び、処理ガス供給源に結合されている。チャンバ外部に在る複数のガス流バルブは導管に沿って間隔をあけて配置された各々の位置でもって外部導管に結合され、その各々は（ａ）リングの外面の複数の通路の各々に結合された制御されたガス出口ポートと、（ｂ）バルブ制御入口とを有する。ガスバルブ構成コントローラは各バルブのバルブ制御入口を制御する。 （もっと読む）

【課題】被処理物の端部やマスクの端部近傍での過剰処理（ローディング効果）を防止できる表面処理方法を提供する。
【解決手段】被処理物Ｗを処理ヘッド１０に対し一方向へ相対移動させながら、処理ガスを、処理ヘッド１０の噴き出し口５０ａから噴き出して処理通路画成面４１ａと被処理物Ｗとの間の処理通路５０ｃに沿って前記一方向に案内し、吸い込み口５０ｅから吸い込む。設定手段６０にて処理通路画成面４１ａと被処理物Ｗとの間隔を調節し、処理通路５０ｃ内の処理ガスの流れと被処理物Ｗとの相対速度が略ゼロになるようにする。 （もっと読む）

【課題】プラズマ放出部の構造を複雑化することなく、また、着火に伴うワークへの悪影響を及ぼすことなく、確実に着火することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、ガス供給手段８と、ノズル５および第１電極２を備えたプラズマ放出部８０と、ワーク１０を介して第１電極２と対向して配置された第２電極３１と、第１電極２および第２電極３１間に電圧を印加する電源回路７とを有し、第１電極２および第２電極３１間に電圧を印加することにより、ノズル５から噴出されたガスを活性化してプラズマを生成し、該プラズマによりワーク処理部５１に設置されたワーク１０の被処理面１０１をプラズマ処理するよう構成され、ワーク処理部５１とは別の位置に、ノズル５から噴出するガスに着火する着火部５２を有するとともに、プラズマ放出部８０をワーク処理部５１と着火部５２との間で移送する移送手段２０を有する。 （もっと読む）

【課題】加工痕の形状を加味することで、容易かつ確実に、ワークの被処理面を目標形状に加工し得るプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、プラズマ放出部８０とワーク１０とを相対的に移動させつつ、プラズマ放出部８０より放出されたプラズマにより被処理面１０１をプラズマ処理してエッチングするプラズマ処理装置であって、前記プラズマ処理の際の処理時間またはプラズマ放出部８０とワーク１０との相対的な移動速度と、被処理面１０１に形成される加工痕の形状との関係を示す既知の情報を記憶する記憶手段６０と、前記情報と、目標形状データとに基づいて、前記処理時間または前記移動速度の条件を含む、前記加工痕の形状を加味した加工計画データを作成する加工計画データ作成手段とを有し、前記加工計画データに基づいて、被処理面１０１に対してプラズマ処理によるエッチング加工を行うよう構成されている。 （もっと読む）

基板の画像を捕捉するベベル検査モジュールが提供される。該モジュールは、回転モータを含み、該回転モータは、基板チャックに対して取付けられると共に、該基板チャックを回転させることで上記基板が回転することを許容すべく構成される。上記モジュールは、カメラおよび光学機器用包囲体を更に含み、該光学機器用包囲体は、上記カメラに対して取付けられて回転すべく構成されることで、上記基板に向けて光が導向されることを可能とする。上記カメラは、カメラ取付け部材に対して取付けられ、該カメラ取付け部材は、上記カメラが１８０°平面上で回転するのを可能とすることで、上記基板の平面概観、底部概観および側面概観の内の少なくともひとつの画像を上記カメラが捕捉することを許容すべく構成される。上記モジュールは、背面ライト機構を更に含み、該背面ライト機構は、上記基板に対する照明を提供することで上記カメラが上記画像を捕捉することを可能とすべく構成され、上記画像は、上記基板と背景との間のコントラストを示す。 （もっと読む）

【課題】装置の複雑化を伴うことなく、ワークの被処理面の各部に応じた処理を行い得るプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、プラズマを用いて、ワーク１００の被処理面１０１を処理する装置であり、第１の電極２と、複数の単位電極４１で構成され、各単位電極４１がそれぞれ第１の電極２に対して接近および離間可能なように、ワーク１００を介して第１の電極２に対向して設置された第２の電極４と、第１の電極２と第２の電極４との間に電圧を印加する電源回路（通電手段）８と、第１の電極２と第２の電極４との間に、ワーク１００の被処理面１０１を処理する処理ガスを供給するガス供給手段１１と、複数の単位電極４１と第１の電極２との離間距離を規定する離間距離規定手段５とを有する。 （もっと読む）

【課題】装置の複雑化を伴うことなく、ワークの被処理面の目的とする微細な領域を選択的に処理し得るプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、ワーク１００の被処理面１０１を処理する装置であり、第１の電極２と、ワーク１００を介して第１の電極２と反対側に設けられ、平面視におけるワーク１００の被処理面１０１の面積より、ワーク１００に対向する面の面積が小さい第２の電極４と、第１の電極２と第２の電極４との間に電圧を印加する電源回路８と、ワーク１００の被処理面１０１との間に、プラズマを生成するための処理ガスを供給するガス供給手段１１とを有し、第１の電極２と被処理面１０１との間に、処理ガスを供給しつつ、第１の電極２と第２の電極４との間に電圧を印加することにより、処理ガスを活性化してプラズマを生成させ、このプラズマにより被処理面１０１が処理されるよう構成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製可能な表示装置及びその作製技術を提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁表面上に選択的に光吸収層を形成し、絶縁表面上及び光吸収層上に絶縁層を形成し、絶縁表面、光吸収層及び絶縁層にレーザ光を照射し、絶縁層のレーザ光照射領域において光吸収層上の絶縁層のみを選択的に除去し絶縁層に光吸収層に達する開口を形成し、開口に光吸収層と接するように導電膜を形成する。露出した光吸収層と接するように開口に導電膜を形成することによって、光吸収層及び導電膜は絶縁層を介して電気的に接続することができる。 （もっと読む）