【課題】パーティクル発生の可能性を極限まで低減できるとともに、配置の自由度を確保することができる可動ガス導入構造物を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０において、上下方向のみに移動可能なシャワーヘッド２２は、ウエハＷにドライエッチング処理が施されるチャンバ１１内部に処理ガスを導入する処理ガス導入系（処理ガス受入部２７を含む）と、処理ガス受入部２７及び該処理ガス受入部２７との相対位置が変化する外部の処理ガス供給元３４を接続して処理ガス供給元３４から処理ガス導入系へ処理ガスを供給する処理ガス供給管３５とを備え、処理ガス供給管３５は、処理ガス供給元３４に接続された第１のベローズ３５ａと、処理ガス受入部２７に接続された第２のベローズ３５ｃと、第１のベローズ３５ａ及び第２のベローズ３５ｃの間に介在する金属管３５ｂとを有する。 （もっと読む）

【課題】ウエハ面内の膜厚均一性を高める装置と方法を提供する。
【解決手段】処理ガスをウエハ１に供給してウエハ１の上に膜をＣＶＤ法によって形成する成膜装置は、複数のウエハ１を互いに上下方向に離間して保持するボート２と、ウエハ１およびボート２を収容する処理室１２と、ウエハ１を加熱するホットウオール形構造のヒータ１４と、処理室１２内に処理ガスを供給するガス供給管２１と、処理室１２内の雰囲気を排気する排気管１６と、ウエハ１の処理中にウエハを回転させるためにボート２を回転させる回転軸１９とを有する。 （もっと読む）

基板の表面をパターニングするためにプラズマ放電を起こすデバイスは、第１の放電部分を含む第１の電極および第２の放電部分を含む第２の電極と、第１および第２の電極間に高電圧差を発生させる高電圧源と、第１の電極を基板に対して位置決めする位置決め手段とを含み、位置決め手段は、第１の放電部分と第２の放電部分との間の距離が高電圧差のプラズマ放電を助長するのに十分に小さい第１の位置、および第１の放電部分と第２の放電部分との間の距離が高電圧差のプラズマ放電を防止するのに十分に大きい第２の位置に、第１の電極を第２の電極に対して選択的に位置決めするように構成される。
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本発明の実施形態は、静電チャックアセンブリ内の熱−機械的応力を最小限にしながら超高真空環境中で広い温度範囲にわたって作動する能力があるコスト効率のよい静電チャックアセンブリを提供する。一実施形態では、静電チャックアセンブリは、誘電体の熱膨張係数（ＣＴＥ）に一致するＣＴＥを持つ金属マトリックス複合材料を含むチャッキング電極を有する誘電体を含む。
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【課題】ステージに対する電力供給や熱媒の循環を容易に行うことができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】処理ガスをプラズマ化して、基板Ｇを処理するプラズマ処理装置１において、温度調節機構２０，２１を備えたステージ本体１３と、ステージ本体１３の上面に配置された回転部材３１と、回転部材３１を介してステージ本体１３の上面と一定間隔に保持するように配置された、基板Ｇを載置する均熱板１４と、均熱板１４を回転させる回転機構３６とを備える。ステージ本体１３の上方において均熱板１４のみが回転し、基板Ｇに対する均一なプラズマ処理が行われる。固定されたステージ本体１３に対して、電力供給や熱媒の循環を容易に行うことができる。 （もっと読む）

【課題】３次元構造をもつ加工対象物の各面にガスクラスターイオンビームを照射することができ、かつ各加工対象面の照射位置におけるビーム電流値やビーム電流分布をプロセス中にも計測可能なコンパクトなステージ構造を有する加工装置を提供する。
【解決手段】ガスクラスターイオンビームに対する加工対象物の位置・角度を並進方向３自由度、回転方向３自由度の計６自由度で制御可能なパラレルリンク２０を具備し、パラレルリンク２０の可動テーブルの、加工対象物が搭載される上面側と反対の下面にビーム検出器を設置し、可動テーブルを上下反転可能とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、プラズマの着火率を向上させることができるプラズマ処理装置、プラズマ処理方法、および電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】大気よりも減圧された雰囲気を維持可能な処理容器と、前記処理容器の内部を所定の圧力まで減圧する排気手段と、前記処理容器の内部にプロセスガスを導入するガス導入手段と、前記処理容器の内部にマイクロ波を導入するマイクロ波導入手段と、前記処理容器の内部に設けられた載置台に昇降自在に挿通され、端面において被処理物を支持するリフタピンと、を備え、前記マイクロ波を導入してプラズマの着火を行う際には、前記リフタピンにより前記被処理物を前記載置台の上面近傍の第１の位置に支持し、前記プラズマの着火後においては、前記リフタピンにより前記被処理物を前記第１の位置よりも前記載置台から遠ざかった第２の位置に支持すること、を特徴とするプラズマ処理装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】プラズマエッチング処理時において形状制御を容易に、かつ、適切に行うことができるプラズマエッチング処理方法を提供する。
【解決手段】プラズマエッチング処理方法は、処理容器１２内に設けられた保持台１４上に半導体基板Ｗを保持させる工程と、プラズマ励起用のマイクロ波を発生させる工程と、誘電板１６と保持台１４との間隔を１００ｍｍ以上とし、処理容器１２内の圧力を５０ｍＴｏｒｒ以上として、誘電板１６を介して処理容器１２内にマイクロ波を導入し、処理容器１２内にプラズマを発生させるプラズマ発生工程と、処理容器１２内にプラズマエッチング処理用の反応ガスを供給して、発生させたプラズマで半導体基板Ｗのプラズマエッチング処理を行う処理工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】被処理物をローラコンベアで移動させて表面処理する装置において、被処理物の幅方向の端部及び移動方向の端部の処理の過不足が生じるのを防止し、処理の均一性を高める。
【解決手段】被処理物９をローラコンベア３０で移動方向Ｘに移動させる。ノズルヘッド２０の吹出し口２２から処理ガスを吹出し、被処理物９に吹き付け表面処理する。ローラコンベア３０の幅方向Ｙの両側部にそれぞれ遮蔽部材４０を設ける。遮蔽部材４０の遮蔽面４１が、被処理物９の移動領域Ｒの幅方向の縁を幅方向に跨ぐようにする。ローラ３１を、遮蔽面４１よりノズルヘッド２０の側へ僅かに突出させる。 （もっと読む）

【課題】筒状の放電空間を有するプラズマ処理装置において、処理空間の圧力に関わらず、放電空間より基端側の部分で異常放電が生じるのを防止する。
【解決手段】筒状の隔壁２１の先端部に放電生成部３０を設け、基端側空間２１ａと処理空間１０ａを隔壁２１で仕切る。第１電極３１を収容する筒状の誘電部材３３の基端部３３ｂの外周に環状閉塞部３６を一体に接合する。第２電極３２の基端部に設けた環状の連結部３５を隔壁２１の取り付け穴２４ａの周辺に連結する。環状閉塞部３６と環状連結部３５の間に第１シール部材９１を挟み、これら環状閉塞部３６及び環状連結部３５を第１ボルト８１で連結する。 （もっと読む）

【課題】高速なレーザの繰り返しオン−オフ動作を必要とせず、テクスチャ構造形成の際のレーザ照射時に、光入射側電極との接合部分にテクスチャ構造を形成しないというパターニングを行うことができる光起電力装置の製造方法を得ること。
【解決手段】テクスチャ構造を形成するための開口１０４を耐エッチング膜１０３上の凹部形成領域１０５ａにレーザ照射によって形成する際に、レーザ光の１パルス分の周期の間に、レーザ光の照射位置を、パターンの第１の辺の長さだけｘ軸方向に移動させ、ｘ軸方向の走査が終了すると、凹部形成領域１０５ａと電極形成領域１０５ｂのｙ軸方向の長さだけ、ｙ軸方向にレーザ光とシリコン基板１０１との間の位置をずらして、ｘ軸方向に沿って前記レーザ光の走査を行う。 （もっと読む）

【課題】簡素な構造でありながら高精度に電極間距離を調整することができるプラズマ処理装置およびそれを用いたプラズマ処理方法を提供すること。
【解決手段】反応室Ｒと、反応室Ｒに反応ガスＧ１を導入するガス導入部１ａと、反応室Ｒから反応ガスＧ１を排気する排気部６と、反応室Ｒ内に対向状に配置されかつ反応ガスＧ１を介してプラズマ放電させる平板状の第１電極１および第２電極２と、第１電極１または第２電極２を支持または固定して対向方向に移動可能とする移動手段５と、第１電極と第２電極の少なくとも一方を支持または固定する固定片７ａ、７ｂとを備え、第１電極１または第２電極２が移動手段５により移動され、かつ第１電極１および第２電極２の周縁部が固定片７ａ、７ｂと当接することにより、第１電極１と第２電極２との最小電極間距離が決定されることを特徴とするプラズマ処理装置。 （もっと読む）

【課題】シリコンのエッチングレートを高くでき、かつエッチングの質を良好にできるエッチング装置を提供する。
【解決手段】ノズルヘッド５１を移動方向ｂにＮ個並べる。被処理物９を移動方向ｂに相対移動させる。ノズルヘッド５１の対向面５２を被処理物９から距離Ｚ［ｍ］だけ隔てて対向させ、吹出し口５３からフッ化水素及びオゾンを含むエッチングガスを吹き出し、吸込み口５４から吸い込む。エッチングガスの流量は、被処理物９が前記移動方向に相対的に片道移動される間にエッチングされるシリコンの厚さが約ｔ［ｍ］となる量とする。ノズルヘッド５１の数Ｎは、Ｎ１≦Ｎ≦Ｎ２とする。
Ｎ１＝ｔ／（１×１０^−７）
Ｎ２＝５０００×ｔ／Ｚ^２ （ただし、Ｎ１の小数点以下は切り上げ、Ｎ２の小数点以下は切り捨てる。） （もっと読む）

【課題】１回の作業工程で精度の高い平坦化を実現し作業効率の向上を図ることのできる放電プラズマ処理装置の表面加工方法、印加電極及び放電プラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】放電プラズマＰはホロー放電プラズマＰｈとグロー放電プラズマＰｇを形成する。放電プラズマＰの中心部に形成されたホロー放電プラズマＰｈにて、基板１４の処理面１４ａを深堀加工する。このとき、ホロー放電プラズマＰｈによる深堀加工によって形成される基板１４の処理面１４ａの凹凸を、ホロー放電プラズマＰｈの外周部に形成されたグロー放電プラズマＰｇによってその凸部をエッチングすることから、高精度の基板を平坦化することができる。しかも、放電プラズマＰはホロー放電プラズマＰｈとグロー放電プラズマＰｇを同時に形成し、同時進行で基板１４をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】モノマーイオンの影響を最小にして表面粗さを低減し、かつ照射エリア内を均一に平坦化する。
【解決手段】ガスクラスターイオンビームを用い、固体表面を平坦に加工する方法において、ガスクラスターイオンビームの照射過程の少なくとも一部の期間において固体表面の法線とガスクラスターイオンビームとがなす照射角度を７０度より大きくし、かつモノマーイオンを分離せずにガスクラスターイオンビームをレンズ機構によってフォーカスさせて照射する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、処理時間を抑制することができる半導体ウェーハの平坦化方法、局所プラズマ処理装置及び半導体ウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】エッチングガスをプラズマにより励起して、中性活性種を含むガスを生成し、前記ガスを半導体ウェーハの主面に局所的に供給して、局部的なエッチングを行う半導体ウェーハの平坦化方法であって、半導体ウェーハの面内を、エッチングレートのプロファイルが互いに異なる複数の領域に分割し、前記複数の領域のあいだの前記エッチングレートのプロファイルの差異が抑制されるように、前記複数の領域のそれぞれにおいて前記局部的なエッチングを行う位置を決定すること、を特徴とする半導体ウェーハの平坦化方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】チャンバー内部の上部電極の妨げなしに基板の位置を正確に知ることができ、また、基板の上下エッジ及び側面だけではなく基板の背面の全体に存在するパーチクルと堆積物を効率よく除去することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】反応空間を提供するチャンバー１００と、基板が載置される分割形成された下部電極２１０と、前記下部電極に対向する上部電極３００と、前記基板を感知するために前記チャンバーの上側に設置された基板センサー７１０とを備え、前記上部電極は、電極板３１０と、前記電極板の下部に取り付けられた絶縁板３２０とを備え、前記上部電極には前記基板センサーからの光を前記基板に向かってガイドするための少なくとも１本のガイド孔３１２が穿設されている。前記ガイド孔が設けられているので、前記上部電極と前記下部電極との間の間隔をより精度よく制御できる。 （もっと読む）

【課題】比較的簡単な装置構成で、ワークの被処理面に対して、均一でムラのないプラズマ処理することができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】本発明のプラズマ処理装置１は、処理ガス供給手段３によりワーク１０の被処理面１０１に処理ガスを供給するとともに、通電手段４により上部電極２１および下部電極２２間へ通電し、処理ガスを活性化させてプラズマを発生させ、第１移動手段５１により下部電極２２とワーク１０とを相対的に移動させることにより、被処理面１０１を局所的かつ連続的に処理するものであって、被処理面１０１のプラズマ処理済みの部位の処理状態を検出する検出手段６と、検出手段６の検出結果に基づいて、被処理面１０１のプラズマ処理条件を制御する制御手段７とを有している。 （もっと読む）

【課題】電極間における異常放電を抑制することによって、プラズマ処理の処理効率を向上させたプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】ステージ電極２の各外周面２ｂから距離ｄだけ基板Ｗが突出するように、ステージ電極２を形成し、基板Ｗが位置決めされたステージ電極２を対向電極３側から見たときに、ステージ電極２の電極面２ａが基板Ｗによって覆われるようにする。また、ステージ電極２の外周面２ｂに誘電体膜９を設ける。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理の単位時間当たりの処理量の著しい低下を抑制し、これによりワークに対して効率よくプラズマ処理を施すことができるプラズマ処理方法およびプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】本発明のプラズマ処理方法は、対向配置された一対の電極間にワーク１０を位置させ、ワーク１０の被処理面１０１に処理ガスを供給するとともに、一対の電極間に電圧を印加し、それにより処理ガスを活性化させてプラズマを発生させ、被処理面１０１に対してプラズマ発生領域Ｓを走査することにより、被処理面１０１にエッチングを施す際に、一定時間ごとに排気を行うことによって、エッチングレートの安定化を図る。なお、排気の時間間隔は、エッチングレートが所定の許容下限値を下回らないように、適宜設定されるのが好ましい。 （もっと読む）