【解決手段】可動下側電極を有するプラズマ処理チャンバ内の検出回路装置が提供されている。その装置は、第１の可撓コネクタ端と、第２の可撓コネクタ端と、少なくとも１つのスリットとを有する可撓コネクタを備える。スリットの少なくとも一部は、２つの可撓コネクタ端の間に引かれた線に平行な方向に配置される。一端は、可動下側電極に接続され、他端は、プラズマ処理チャンバの構成要素に接続される。可撓導体は、可動下側電極とプラズマ処理チャンバの構成要素との間に低インピーダンス電極路を提供する。装置は、さらに、スリットの片側に配置されたコネクタ材料を通る電流フローを検出するための手段を備える。検出手段は、導体材料の周りに巻き付けられた少なくとも１つのコイルと、断裂による電流フローの遮断を検出するためにコイルに接続された検出回路と、を備える。 （もっと読む）

【課題】処理装置内を真空にしても載置台が傾くことのない処理装置を提供すること。
【解決手段】チャンバー内に処理ガスを導入するとともに高周波電力を印加してプラズマを形成し，被処理体にプラズマ処理などの所定の処理を行うプラズマ処理装置に，被処理体を載置する載置台と，載置台を保持する載置台固定部とを設け，載置台固定部は載置台固定部の上下にそれぞれベローズを配置し，載置台がチャンバーに対して水平に支持されるようにした。 （もっと読む）

【課題】効率的な製造工程を提供し、製造コストを低減することができる半導体装置の製造装置および半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体装置の製造装置１００は、ウェハカセット２，３，４と、ウェハの洗浄および表面改質を行う装置５と、ウェハの位置合わせを行う装置６と、ウェハ表面にパッシベーション膜となる材料を射出する装置７と、パッシベーション膜の外観検査を行う装置８と、パッシベーション膜に熱処理を行う装置９と、処理順にウェハを各装置に搬送する装置１０を備えている。製造装置１００では、インクジェット技術を用いて、洗浄後のウェハ表面に、選択的にパッシベーション膜のパターンを形成する。次いで、パッシベーション膜のパターンが、所望のパターン条件を有しているか否かを検査する。パッシベーション膜が所望のパターンで形成されている場合に、パッシベーション膜を硬化および焼成する熱処理を行う。 （もっと読む）

【課題】基板上の広い範囲において基板上の膜の除去がより確実に行なわれる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】主面Ｓ上に膜３０が形成された基板２が固定される。第１の焦点位置Ｆａを有する第１の光Ｌａが膜３０のうちの第１の部分ＴＡ１に照射され、かつ厚さ方向において第１の焦点位置Ｆａと異なる第２の焦点位置Ｆｂを有する第２の光Ｌｂが膜３０のうちの第２の部分ＴＢ１に照射される。第１および第２の部分ＴＡ１、ＴＢ１の各々は、互いに重複しない部分を有する。 （もっと読む）

【課題】装置構成の複雑化や処理負荷の増大等を招くことなく、被処理基板の表面に対する分子汚染を有効に抑制する。
【解決手段】被処理基板２１がセットされるテーブル部２０と、前記被処理基板２１の一面側を覆う板状部材３１を有するとともに当該被処理基板２１と接触せず当該被処理基板２１との間隔が当該被処理基板２１の二次元代表寸法の１／１０００以下の大きさとなる位置に前記板状部材３１を配するカバー部３０と、前記テーブル部２０および前記カバー部３０を内蔵する減圧チャンバ室１０と、を備えて基板処理装置を構成する。そして、前記被処理基板２１と前記板状部材３１との間隙と当該間隙を除く当該減圧チャンバ室１０の内部空間との間で差動排気を成立させつつ当該減圧チャンバ室１０内を減圧し、前記減圧チャンバ室１０内が所定圧まで減圧された後に、前記被処理基板２１と前記板状部材３１とを離間させるようにする。 （もっと読む）

【課題】半導体製造に用いるプラズマ処理装置の、被処理基板を用いず処理容器内をプラズマ洗浄する工程において、被処理基板載置用電極の消耗の少ないプラズマ洗浄を実現する。
【解決手段】プラズマ洗浄を行っている間、磁場発生装置１５１により処理容器１００外から発生させた磁場により、処理容器内の載置用電極１１２外周部に電子サイクロトロン共鳴を発生させ、載置用電極１１２上でのプラズマ密度を低下させる。 （もっと読む）

【課題】高い形状精度を要求される光学素子の加工において、形状修正加工と平滑化加工のための加工時間を短縮する。
【解決手段】複数の荷電粒子ビームを被加工物表面１００に対して同一の相対運動で同時に照射し、被加工物表面１００の加工を行う。同一の相対運動をする複数の荷電粒子ビームのうちの第１の荷電粒子ビームは、ラスター走査軌跡１０３に沿った走査速度を可変制御することで形状修正加工を行う形状修正加工用イオンビーム１０１である。第２の荷電粒子ビームは、前記走査速度の変化に応じてパルス幅や電流量を可変制御することで平滑化加工を行う平滑化加工用イオンビーム１０２である。被加工物表面１００における単位到達粒子数分布が異なる複数の加工を同時に行うことで加工時間を短縮する。 （もっと読む）

【課題】加工点で発生した蒸発物やプラズマ、粉塵等の、基板内のデバイスを構成する部分に対する付着をより確実に防止し、デバイスとしての品質を低下させることなく薄膜積層ガラス基板の周辺部の不要な薄膜をレーザにより除去する。
【解決手段】薄膜除去装置(A)は、薄膜(51)を下側にして薄膜積層ガラス基板(5)を保持する受ピン(11)と、薄膜積層ガラス基板(5)のガラス板(50)側からガラス板(50)を通し加工部にレーザを当てて薄膜(51)の不要部分を除去するレーザ走査部(4)と、薄膜積層ガラス基板(5)の下方において非加工領域側から薄膜(51)の膜面と平行に気体を供給する気体供給部(2)と、気体供給部(2)で供給された気体と、加工部で生じた蒸発物やプラズマ、粉塵等を含む雰囲気を薄膜(51)の膜面と平行に各辺方向へ流れるように吸引する気体吸引部(3)を備えている。 （もっと読む）

【課題】良好に任意の形状に加工することが可能なエッチング装置、エッチング方法及びプログラムを提供する。
【解決手段】エッチング装置８０は、イオンガン１１と、ＸＹステージ１２と、制御部１３と、ＰＣ１５と、測定装置８１とを備える。測定装置８１は、基板３１上の所定の測定点の厚みを測定する。予めイオンガン１１のエッチングレートの分布と、基板３１の被エッチング量の分布とに基づいて、エッチング中心の位置に応じて測定点における基板３１の厚みの中間目標厚みが設定される。各領域でエッチングを施した際、測定点の厚みが当該中間目標厚みからの許容範囲に入る場合、ＸＹステージ１２を駆動し、エッチングを終了させる。 （もっと読む）

【解決手段】基板のプラズマ処理中にプラズマ処理チャンバ内でプラズマを閉じ込めつつ圧力を少なくとも部分的に調整するよう構成された複合型圧力制御／プラズマ閉じ込めアセンブリが提供されている。アセンブリは、複数の孔を有し、配備された時にプラズマを取り囲むよう構成された可動プラズマ閉じ込め構造を備える。アセンブリは、さらに、可動プラズマ閉じ込め構造の外側に配置された可動圧力制御構造を備えており、可動プラズマ閉じ込め構造は、プラズマ処理中にプラズマと可動圧力制御構造との間に配置され、可動圧力制御構造は、基板の取り扱いを容易にするために、可動プラズマ閉じ込め構造と共に配置および待避可能であり、可動圧力制御構造は、複数の孔の少なくとも一部を遮ることによって圧力を調整するために、可動プラズマ閉じ込め構造に対して独立的に移動可能である。 （もっと読む）

【課題】放電電極の面調整を短時間に、かつ、人的要因によるバラツキを抑制できる放電電極の面調整方法及び電極面位置計測装置を提供することを目的とする。
【解決手段】電極面１７に沿ったＺ方向の両端側の位置が電極面１７に交差する厚さ方向に移動可能に取り付けられた放電電極３における電極面１７のレベルを略一定となるように調整する放電電極３の面調整方法であって、複数の変位計６１が直線状に配置された計測部材４２を、変位計６１が電極面１７に対向するとともにＺ方向と直交するＹ方向に沿った位置に配置されるように設置する設置工程と、各変位計６１によって電極面１７のレベルを計測する計測工程と、計測工程で計測された結果に基づいて放電電極３の両端側の位置を調整する位置調整工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】基板を処理するように構成されるプラズマ処理チャンバを備えるプラズマ処理システムを提供する。プラズマ処理システムは、基板を処理するための上部電極と下部電極とを少なくとも備える。プラズマ処理の際に基板は下部電極上に載置され、上部電極と基板とにより第１のギャップが形成される。プラズマ処理システムは、また、上部電極周縁外延部(upper electrode peripheral extension:UE-PE)を備える。UE-PEは、上部電極の周囲に機械的に連結され、かつ、上部電極と同一平面上にならないように構成される。プラズマ処理システムは、さらに、カバーリングを備える。カバーリングは、下部電極を同心円状に囲むように構成され、UE-PEとカバーリングとにより第２のギャップが形成される。 （もっと読む）

【課題】高スループット化と証フットプリント化の相反する条件の両立を実現することのできる基板処理装置を提供する。
【解決手段】搬送室１２を中心としてロードロック室１４ａと少なくとも二つの処理室１６ａが配置されている基板処理装置であって、搬送室はロードロック室と処理室間で基板を搬送する基板搬送部を有し、基板搬送部は、第一のフィンガ及び第二のフィンガが設けられた第一のアームを有し、それぞれのフィンガの先端は水平方向であって同じ方向に延伸されるよう構成され、処理室は、第一の処理部３６と第二の処理部３８とを有し、第二の処理部は、搬送室から第一の処理部を挟んで遠方に配置される。 （もっと読む）

【課題】ワークの加工精度を向上させることが可能なプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】ワークを保持して移動可能なステージ装置と、前記ワークに光を照射し、前記ワークからの反射光を用いて前記ワークの形状に関する情報を取得する取得装置と、前記ワークにプラズマを照射し、前記情報を用いて前記ワークを加工する加工装置と、前記取得装置及び前記加工装置のそれぞれに前記ステージ装置をアクセスさせる制御装置とを備える。 （もっと読む）

【課題】被処理面の加工精度を向上させることが可能なプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供すること。
【解決手段】放電用ガスに励起電圧を印加してプラズマを発生させる電極と、被処理面との間で相対的に移動可能に設けられ、前記プラズマを前記被処理面に噴射する噴射機構と、前記プラズマの噴射方向を回転軸方向として前記電極を回転移動させる回転機構とを備える。 （もっと読む）

【課題】極紫外線フォトマスク、フォトマスクの製造方法、及びプラズマエッチングチャンバシステムを提供する。
【解決手段】極紫外線フォトマスク、フォトマスクの製造方法、及びプラズマエッチングチャンバシステム装置が提供される。極紫外線フォトマスクの製造方法は、フォトマスク基板１０上に上部膜を形成した後、上部膜をパターニングして傾いた側壁を有する上部パターン４５を形成する段階を含む。上部膜をパターニングする段階は、上部膜の上部面に傾いた第１方向に平行に運動する荷電された粒子を使用して、上部膜を異方性エッチングする段階を含む。 （もっと読む）

【課題】顕微鏡付吸引型局所マイクロプラズマエッチング装置および局所マイクロプラズマエッチング方法を提供する。
【構成】試料台と、ガス導入部が設けられている真空容器と、キャピラリー管とＲＦマイクロ波発振用電極を具備したプラズマガンと、顕微鏡と、試料台を具備する試料ステージとを有する吸引型局所マイクロプラズマエッチング装置であって、前記試料ステージは真空容器内にあり、前記キャピラリー管の先端部は真空容器内に凸設され、後部端部は真空容器外に存在して排気装置が連結されており、前記顕微鏡鏡頭は真空容器内に凸設され、前記ガス導入部から真空容器内に導入されたプラズマ用反応性原料ガスをキャピラリー管の先端部から吸引するようにしたことを特徴とする顕微鏡付吸引型局所マイクロプラズマエッチング装置である。 （もっと読む）

【課題】デュアルダマシン法による解像限界以下の溝（トレンチ）及び凹部（孔又はビア）のパターンをＣＤ値を高精度に形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】被エッチング層上に、第１のハードマスク膜と、第２のハードマスク膜とを成膜する成膜工程Ｓ１１と、第１のピッチを有し、第２のハードマスク膜よりなるパターンであって、溝のパターンを形成する際のエッチングマスクとなる溝形成用マスクパターンを形成するための第１の溝形成用マスクパターン形成工程Ｓ１２〜Ｓ１４と、第４のピッチで設けられた開口部を有する第２のレジスト膜と、第２のレジスト膜の開口部と連通し、第２のレジスト膜の開口部の寸法より小さい寸法の開口部を有する第１の有機膜とよりなる第２レジストパターンを用いて、第１のハードマスク膜をエッチングする第１の凹部形成用マスクパターン形成工程Ｓ１５〜Ｓ１８とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】昇降ピンを用いてサセプタに基板を載置することにより生じ得る問題を回避できる半導体製造装置、成膜装置、これらに用いられるサセプタ、プログラム、およびコンピュータ可読記憶媒体を提供する。
【解決手段】開示する半導体製造装置は、基板Ｗに対して所定の処理を行う容器１２；基板Ｗの裏面周縁部を支持する爪部１０ａを含み、容器内に進退可能な基板搬送アーム１０；および、基板が載置される載置領域２４と、爪部１０ａが載置領域の上面よりも低い位置まで移動できるように設けられた段差部２４ａとを含むサセプタ２；を備える。 （もっと読む）

【課題】エッチングチャンバー内の基板ホルダ上に載置された基板の酸化膜を蝕刻するエッチング方法において、酸化膜のエッチングレートや分布の改善を可能にする。
【解決手段】基板ホルダ上への前記基板の搬送経路を構成する開口部を有し、前記基板ホルダの周囲に設置される固定シールド部、及び前記搬送経路を開閉する位置に設けられる可動シールド部が、いずれもアースに落とされた状態で前記酸化膜のエッチングを行なう。 （もっと読む）