【課題】単結晶ＡｌＮ基板を表面にダメージを与えることなく高速かつ均一に加工可能なプラズマ加工方法を提供する。
【解決手段】このプラズマ加工方法では、ガス導入ライン８から反応容器１の中にヘリウム、塩素、窒素、アルゴンを含む塩素含有ガスが導入され反応容器１の内部の圧力は大気圧または大気圧近傍の圧力とされる。また、高周波電源７からの高周波電力により回転電極２と基板ステージ４との間に電場を形成して回転電極２と単結晶ＡｌＮ基板６の表面との間に供給された塩素含有ガスを分解,励起しプラズマ１０を形成する。大気圧プラズマ中には多数の原子や分子などが存在することから、大気圧プラズマ中のイオンは単結晶ＡｌＮ基板６の表面６Ａに衝突する前に何らかの原子や分子と衝突し、直接単結晶ＡｌＮ基板６の表面６Ａに衝突しないので、表面６Ａにダメージを与えない。 （もっと読む）

プラズマプロセスの処理均一性を改善する装置及び方法。プラズマ加工中に加工物３０の外周縁３１の周りに延在する犠牲体１０４は、プラズマによって除去可能な材料から構成される。犠牲体１０４は、円形の幾何学的形状を画定するように配置される複数のセクション１６８、１７０を含むことができる。犠牲体１０４は、加工物３０の有効外径を増大させるように働き、加工物３０の外周縁３１付近のエッチング速度を効果的に低減することによって、プラズマ加工に特有の有害なエッジ効果を緩和するように動作する。
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【課題】プラズマ発生部のメンテナンス作業を容易に行うことが可能なワーク処理装置を提供する。
【解決手段】このワーク処理装置Ｓは、供給される所定のガスをプラズマ化するプラズマ発生部１８を有し、このプラズマ発生部１８からプラズマ化したガスを放出するプラズマ発生装置６と、プラズマ発生部１８の下方で処理対象であるワークＷを支持する搬送装置２とを備え、ワークＷに対してプラズマ化したガスを照射することにより所定の処理を施与するものであって、プラズマ発生部１８がワークＷ上に位置するようにプラズマ発生装置６を据え付けるための据付枠４を備えている。そして、プラズマ発生装置６は、プラズマ発生部１８がワークＷ上に配置される据付位置から水平方向に引き出し可能に据付枠４に対して取り付けられている。 （もっと読む）

【課題】表面処理装置の処理ヘッドと被処理物配置部の相対移動方向と直交する方向の流体の出入りを遮断する。
【解決手段】処理ヘッド１０に対しｘ方向に相対移動される被処理物配置部２０における移動方向と直交するｙ方向の端部に、移動方向に延びる溝状の受け部７２を設け、その内部に遮蔽液７４を溜める。処理ヘッド１０には、遮蔽部７１を対向空間８０の端部に被さるように設ける。遮蔽部７１の先端の挿入部７３を受け部７１に非接触で挿入し、遮蔽液７４に漬ける。 （もっと読む）

【課題】 電極上誘電体膜の局所的な絶縁破壊の低減による信頼性の高いウエハ載置用電極を提供すること。
【解決手段】 電極本体１０２の上に電極上誘電体膜１０２を備え、ここに載置したウエハ１０３にプラズマエッチング処理を施すためのウエハ載置用電極において、ガス導入管１０５とリフトピン１０７が電極上誘電体膜１０２に接している部分に中間層１０８を設け、この部分に低抵抗誘電体膜である電極上誘電体膜１０２と、高抵抗誘電体膜である中間層１０８による積層部分を形成させたもの。積層構造とすることでウエハ載置用電極の誘電体膜の絶縁破壊電圧を向上させた。 （もっと読む）

【課題】同一処理室内において、基板を急速に加熱、冷却できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗ表面の酸化膜を化学処理および熱処理によって除去する基板処理装置２２ａであって、処理室４１内に、ハロゲン元素を含むガスと塩基性ガスを供給するガス供給機構１００と、処理室４１内において、基板Ｗを温度調節する第１温度調節部材８０および第２温度調節部材７５とを有し、第２温度調節部材７５は、基板Ｗを、第１温度調節部材８０よりも高温に温度調節する。同一の処理室４１内において基板Ｗ表面の酸化膜を化学処理および熱処理によって除去することにより、基板処理装置２２ａが小型となり、複雑な搬送のための複雑な搬送シーケンスも不要となる。また、基板Ｗを急速に加熱、冷却することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】同一処理室内において、基板を急速に加熱、冷却できる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】処理室４１内において基板Ｗを処理する装置２２であって、処理室４１内において基板Ｗを支持する支持部材４７と、支持部材４７に熱的に接触する第１温度調節部材７５と、支持部材４７に対して熱的に接触および隔離可能な第２温度調節部材８０とを有し、第１温度調節部材７５と第２温度調節部材８０は、互いに異なる温度に温度調節される。第２温度調節部材８０を支持部材４７に対して熱的に接触および隔離させることにより、支持部材４７に支持された基板Ｗを急速に加熱、冷却することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】同一処理室内において、基板を急速に加熱、冷却できる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】処理室４１内において基板Ｗを処理する装置であって、処理室４１内において基板Ｗを載置させる載置台４５と、載置台４５に載置された基板を温度調節する第１温度調節機構５０と、処理室４１内において載置台４５から上方に基板Ｗを持ち上げる昇降機構６０と、昇降機構６０によって載置台４５から上方に持ち上げられた基板Ｗを温度調節する第２温度調節機構７２とを有し、第１温度調節機構５０と第２温度調節機構７２により、基板Ｗが互いに異なる温度に温度調節される。 （もっと読む）

【課題】処理領域が不連続に設定されたワークに対してプラズマ処理を施す際に、プラズマの発生を安定的に維持して、活性種の生成を速やかに行うことができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、１対の電極２、３と、電源回路７と、ガス供給手段８と、プラズマ噴出口５と、制御手段１７０とを備え、制御手段１７０により、ガス供給手段８を、プラズマ生成空間３０にキャリアガスを供給した状態で、処理ガスの供給を停止することにより、プラズマを生成し、このプラズマを維持する非処理モードと、プラズマ生成空間３０にキャリアガスと処理ガスとの混合ガスを供給することにより、処理ガスを活性化して活性種を生成し、この活性種をプラズマ噴射口５から噴出してワーク１０の被処理面１０１をプラズマ処理する処理モードとに切り替え可能なように構成されている。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置の構成の簡素化を図る。
【解決手段】電極ユニット１０の電極１１の放電生成面１１ａにホルダ３０の放電側板部３１ａが被さり、電極１１の処理側面１１ｃに処理側板部３１ｃが被さる。放電側板部３１ａと処理側板部３１ｃとは、略同じ厚さになっている。処理側板部３１ｃに被処理物対向板２０が被さっている。被処理物対向板２０は、処理側板部３１ｃより厚肉になっている。 （もっと読む）

所定の薄膜パターンを持つ素子が形成されるウェーハのような基板を、安定的に支持して基板背面に形成された各種異物を取り除くための基板支持台と、これを備えるプラズマ処理装置が開示される。このプラズマ処理装置は、少なくとも一つのアームと、アームから基板の搭載位置方向に延設される支持部と、を備える。このようなプラズマ処理装置は、乾式蝕刻と比べて、アーク放電発生の可能性を低減させ、工程収率及び製品安全性を上昇させ、基板の安定した搭載を保障する。
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【課題】被処理体裏面外周部に付着した堆積物を除去するための機能を備え、かつ、スループットが高く装置コストの安いプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】パルスレーザー照射によって被処理体裏面外周の堆積物を除去する方式の堆積物除去ユニットを、プラズマ処理装置の大気側搬送室に接続した。 （もっと読む）

予測的パルストリガー(ＰＰＴ)法によって、リンク加工システムにおいてレーザビーム(100)の正確なトリガーが可能になる。ＰＰＴ法では、ターゲット(106)とレーザビーム軸(108)について推定される相対運動パラメータに基づいてレーザビームをトリガーすることが必要になる。ＰＰＴ法では、レーザ位置決め精度において、従来の全面的な測定ベースの方法に対して、６倍の向上が可能になる。 （もっと読む）

【課題】処理領域が不連続に設定されたワークに対してプラズマ処理を施す際に、速やかに安定な活性種をワークの処理領域に供給することができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、１対の電極２、３と、電源回路７と、ガス供給手段８と、プラズマ噴出口５と、第１の状態と第２の状態とにプラズマ遮蔽部材５１を変位可能な遮蔽手段と、制御手段とを備え、制御手段により、遮蔽手段の作動を制御して、プラズマ遮蔽部材５１を第１の状態とすることにより、ワーク１０の被処理面１０１へのプラズマ処理を停止する非処理モードと、プラズマ遮蔽部材５１を第２の状態とすることにより、ワーク１０の被処理面１０１に活性種を接触させてプラズマ処理する処理モードとに切り替え可能なように構成されている。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理を効率よく行うことができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、印加電極２と、ワーク１００を載置するとともに印加電極２の対向電極としての機能を併有するパレット（第１の電極）４と、プラズマ処理用のガスを供給するガス供給手段１１と、印加電極２とパレット４との間に電圧を印加する第１の回路（電源部）８を備え、パレット４を載置するテーブル６の下面６３には、振動子９が配設され、ワーク１００の被処理面１１０と対向面３０との間の離間距離Ｌを検出する距離検出手段５３と、離間距離Ｌを規定する移動手段５と、移動手段５の作動を制御する制御手段７０とを有しており、この振動子９によりパレット４とワーク１００とを一体的に振動させながら被処理面１１０を処理するに際し、制御手段７０により、移動手段５が作動するよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理を効率よく行うことができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、印加電極２と、ワーク１００を載置するとともに印加電極２の対向電極としての機能を併有するパレット（第１の電極）４と、プラズマ処理用のガスを供給するガス供給手段１１と、印加電極２とパレット４との間に電圧を印加する第１の回路（電源部）８を備え、パレット４を載置するテーブル６の下面６３には、振動子９が配設され、振動子９の振動数を調整する周波数調整手段７４と、周波数調整手段７４の作動を制御する制御手段７０とを有しており、この振動子９によりパレット４とワーク１００とを一体的に振動させながらワーク１００の被処理面１１０を処理するに際し、制御手段７０により、周波数調整手段７４が作動するよう構成されている。 （もっと読む）

半導体基板のベベル端部を洗浄するために、および半導体基板の曲げ曲率を低減させるために使用される真空チャックを組み込んだベベルエッチャ。このベベルエッチャは、真空チャックと、プロセスガスにエネルギーを与えてプラズマ状態にするプラズマ生成ユニットとを備える。真空チャックは、チャック本体およびサポートリングを備える。チャック本体の上面およびサポートリングの内縁部が、サポートリング上に設置された基板の下面によって密閉された真空領域を形成する。真空ポンプが、作動の際に真空領域を真空排気する。真空チャックは、基板の上面と下面との間の差圧により基板を定位置に保持するように作動する。また、この差圧は、基板の曲げ曲率を低減させるための曲げ力を生成する。
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プラズマチャンバは、大気負荷を中立化するように構成されたカンチレバー組立体を含む。前記チャンバは壁を含み、前記壁は、内部領域を囲み、かつ、該壁に形成された開口部を有する。前記カンチレバー組立体は、前記チャンバ内で基板を支持する基板体を含む。前記カンチレバー組立体は、一部分が前記チャンバの外に配置されるように開口部を通って伸びている。前記チャンバは、前記壁に対して相対的に前記カンチレバー組立体を動かすように動作する駆動機構を含む。
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【課題】コンタクト抵抗の低抵抗化と、コンタクト抵抗の面内ばらつきの低減とを両立することができる半導体装置の製造方法およびプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】コンタクトホール底部に対して、堆積物および半導体基板中のダメージ層の除去を目的として実施されるライトエッチング処理を、放電管２の周囲に配置されたリング状の電極１と半導体基板３との距離を調整した状況下で行う。当該距離は予め取得された、電極１と半導体基板３との間の距離と、コンタクト抵抗およびコンタクト抵抗のばらつきとの関係に基づいて設定することができる。 （もっと読む）

【課題】 微細な接続孔内等に発生した酸化膜をドライエッチングにより効率良く除去できる表面処理方法及びその装置を提供する。
【解決手段】 表面に酸化膜が発生している被処理体Ｗは、処理容器１０内に搬入され、該処理容器内は真空に維持され、Ｎ₂ とＨ₂ との混合ガスがプラズマ発生部３０に導入され、プラズマ化され、それぞれの活性ガス種が形成される。活性化ガス種は被処理体に向けてフローされ、これにＮＦ₃ ガスが添加され、活性化されたガスが形成される。被処理体は所定温度以下に冷却手段２２により冷却され、活性化されたＮＦ₃ ガスに曝され、該ガスと反応し、酸化膜は変質して反応膜が被処理体Ｗの表面に形成される。Ｎ₂ 、Ｈ₂ 及びＮＦ₃ ガスの供給が停止され、加熱手段１９で被処理体は所定の温度に加熱され、反応膜が昇華して除去される。 （もっと読む）