【課題】プラズマ処理の単位時間当たりの処理量の安定化を図り、これによりワークに目的とする所定の処理量でプラズマ処理を施すことができるプラズマ処理方法およびプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】本発明のプラズマ処理方法は、対向配置された一対の電極間にワーク１０を位置させ、ワーク１０の被処理面１０１に処理ガスを供給するとともに、一対の電極間に電圧を印加し、それにより処理ガスを活性化させてプラズマを発生させ、被処理面１０１に対してプラズマ発生領域Ｓを走査することにより、被処理面１０１の内側に設定された有効領域１０１ａにエッチングを施す際に、プラズマ発生領域Ｓが、被処理面１０１の有効領域１０１ａの外側に設定された非有効領域１０１ｂに滞在するときのみ、プラズマ発生領域Ｓ近傍を排気することによって、エッチングレートの安定化を図る。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理の単位時間当たりの処理量の著しい低下を抑制し、これによりワークに対して効率よくプラズマ処理を施すことができるプラズマ処理方法およびプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】本発明のプラズマ処理方法は、対向配置された一対の電極間にワーク１０を位置させ、ワーク１０の被処理面１０１に処理ガスを供給するとともに、一対の電極間に電圧を印加し、それにより処理ガスを活性化させてプラズマを発生させ、被処理面１０１に対してプラズマ発生領域Ｓを走査することにより、被処理面１０１にエッチングを施す際に、一定時間ごとに排気を行うことによって、エッチングレートの安定化を図る。なお、排気の時間間隔は、エッチングレートが所定の許容下限値を下回らないように、適宜設定されるのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】一台で各種のプラズマを発生でき、基板に対して各種の表面処理を可能にし、生産効率を向上させることのできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】処理室内にモータにて回動する回転カプラ３２を配置し、その回転カプラ３２にスポット型ダイレクトプラズマ電極ユニットＵ１１、ライン型ダイレクトプラズマ電極ユニットＵ１２、スポット型リモートプラズマ電極ユニットＵ１３、ライン型リモートプラズマ電極ユニットＵ１４を固着した。そして、回転カプラ３２を回転させて、各電極ユニットＵ１１〜Ｕ１４のうち所望の１つを選択して基板の所定の表面位置に対向配置させるようにした。 （もっと読む）

【課題】被処理基板のエッチング処理に用いられるプラズマ処理装置において、被処理基板の所望の部分のみを選択的にエッチングして、残余の部分にエッチングの影響を及ぼすことのないプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】気密に構成された処理室内の被処理基板を載置する載置台２と対向して配置され、前記被処理基板に部分的にプラズマを作用させるための局所プラズマ発生器２３と、該局所プラズマ発生器を移動させる移動手段とを含むプラズマ処理装置において、前記局所プラズマ発生器は、その内部から流出するプラズマ化ガスの反応を相殺するガスを噴出する相殺ガス噴出機構を備える。 （もっと読む）

基板を装填するための装填チャンバ、基板を処理するためのプロセスチャンバ、プロセスチャンバを装填チャンバから分離する封止面、および基板を垂直に装填チャンバからプロセスチャンバに移動させるための手段を含む、基板を処理するためのプロセス装置、ならびに、基板を処理するための方法を提供する。装填チャンバはプロセス装置の下部および上部の一方に位置し、プロセスチャンバはプロセス装置の下部および上部の他方に位置する。この発明のプロセス装置および方法は、基板を装填するための移動数を低減することにより容易なメンテナンスおよびコストの低減を達成する。
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【課題】ワークにプラズマ処理を施す際に、そのワークの一部に処理痕を形成することにより、この処理痕を検出することによって、プラズマ処理の際の条件を推定可能にするプラズマ処理方法を提供すること。
【解決手段】本発明のプラズマ処理方法は、有効領域１０１ａの全面にエッチング加工を施す方法であって、［１］ワーク１０をプラズマ処理装置の載置部に載置する準備工程と、［２］ワーク１０の非有効領域１０１ｂに処理痕１１０を形成する第１の処理痕形成工程と、［３］有効領域１０１ａにプラズマ処理を施す本処理工程と、［４］非有効領域１０１ｂに処理痕１２０を形成する第２の処理痕形成工程とを有する。各処理痕１１０、１２０の凹部の深さから、各処理痕１１０、１２０を形成する際のエッチング条件を算出することができるので、これにより、本処理におけるエッチング条件を推定することができる。 （もっと読む）

【課題】ワークの被処理面に対して、均一でムラのないプラズマ処理することができるとともに、プラズマ発生領域とワークとの相対的な移動パターンを単純化し、プラズマ処理の効率を向上することのできるプラズマ処理方法およびプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】上部電極２１および下部電極２２間に、被処理面１０１の形状が略多角形のワーク１０を位置させ、上部電極２１および下部電極２２間にプラズマを発生させ、このプラズマが発生するプラズマ発生領域Ｓとワーク１０とを相対的に移動することにより、被処理面１０１の全域を連続的に処理するプラズマ処理方法であって、被処理面１０１の縁部に対するプラズマ処理は、被処理面１０１の少なくとも隣り合う２辺をそれぞれその辺に沿って直線状にかつ連続して行う。 （もっと読む）

マイクロ波源の可動位置及びマイクロ波源へのパルス状電力などの付加的な処理パラメータを導入して、マイクロ波源の支援により作動範囲及び処理ウィンドウを拡大することにより、向上した膜特性を実現するためのシステムを開示する。同軸マイクロ波アンテナを用いてマイクロ波を放射して、物理的気相成長（ＰＶＤ）又は化学的気相成長（ＣＶＤ）システムを支援する。システムは同軸マイクロ波アンテナを処理チャンバの内部で使用してもよく、この同軸マイクロ波アンテナは、基板と、スパッタリングターゲット、平面状容量生成プラズマ源、又は誘導結合源のようなプラズマ源との間で移動できるようになっている。マイクロ波プラズマ源だけが存在している特別な場合では、マイクロ波アンテナの位置は基板に対して移動できる。プラズマ源に隣接した同軸マイクロ波アンテナは、より均一にイオン化を促進することができるとともに、大面積全体を覆って実質的に均一な堆積を可能にする。
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【課題】プラズマ着火性の悪化を伴わずにエッチングレートの均一性と汚染や異物の低減が得られるようにしたプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】処理室内のアンテナプレート１２２の周囲にチョークアンテナ１２４とチョークスペーサ１２５からなる定在波制御部を備えた電子サイクロトロン共鳴方式のプラズマ処理装置において、駆動部２０１とロッド部材２０２を設け、ロッド部材２０２の下端をチョークアンテナ１２４に連結し、制御装置２０３により駆動部２０１を制御することによりチョークアンテナ１２４を矢印Ａ方向に移動させ、プラズマ着火時とプラズマ処理時でチョークアンテナ１２４の位置が変更できるようしたもの。 （もっと読む）

【課題】本発明は、開口部内の残渣を検出すると同時に除去することにより、高いスループットで半導体装置の歩留り、信頼性の向上を図ることが可能な半導体製造方法および半導体製造装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体製造装置は、複数の開口部が形成されたウェーハｗが搬入され、検査、処理されるチャンバ１１と、ウェーハｗの所定位置に電子ビーム１４を照射する機構１５、１６と、電子ビーム１４の照射により、複数の開口部より残渣を有する開口部を検出する機構１７と、活性化されることにより残渣の除去が可能なプロセスガスを、チャンバ１１内に供給するガス供給機構１８と、チャンバ１１内の圧力を制御して排気するガス排出機構１９を備える。 （もっと読む）

【課題】簡易かつ安価な手段でエッチングの終点や良否を判定する。
【解決手段】被処理物９の透光性の基材９ａに被膜された有色の膜９ｂをエッチングする際、可視域の複数又は連続したスペクトル分布を有する第１検査光Ｌ１を照射手段１４の照射部１２ａから被処理物９に照射し、その透過光のスペクトル分布の変動量を検出手段１５で検出する。スペクトル分布の変動量は、例えば、検査光Ｌ１の赤、緑、青の三色のスペクトル成分の透過率どうしの差である。判定手段３３によって、上記検出結果にエッチング状態を判定する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ着火性を向上させると共に、適切にプラズマ処理を行うことができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１１は、処理容器１２内に配置され、その上に半導体基板Ｗを保持する保持台１４と、保持台１４と対向する位置に配置され、マイクロ波を処理容器１２内に導入する誘電板１６と、導入されたマイクロ波により処理容器１２内に電界を生じさせた状態でプラズマ着火し、処理容器１２内にプラズマを発生させるプラズマ着火手段と、保持台１４と誘電板１６との間隔を第１の間隔に変更して、プラズマ着火手段を作動させ、保持台１４と誘電板１６との間隔を第１の間隔とは異なる第２の間隔に変更して、半導体基板Ｗへのプラズマ処理を行うよう制御する昇降機構１８を含む制御部２０とを備える。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板を製造する装置に関することで、さらに詳しくは半導体基板を加工するための基板製造方法に関する。
【解決手段】基板製造方法は、まず、フォトレジストが形成される基板を加熱させた後に、１次プラズマアッシング処理する。 続き、基板の温度を大気圧状態で降下させた後、もう一度基板を２次プラズマアッシング処理する。このように、プラズマアッシング処理過程で、基板の温度を大気圧状態でしばらく降下させるので、フォトレジストの化学結合変化を減少させ、ポッピング及び残留物の発生を減少させ、製品の収率を向上させる。 （もっと読む）

【解決手段】上側電極および下側電極を有するプラズマ処理システムが開示されている。上側電極および下側電極は、異なるギャップを有する２つの領域を形成する。上側電極および下側電極の一方または両方を移動させることによって、第１の領域と、第１の領域および第２の領域の両方とのいずれでプラズマを維持することを許容するかに応じて、ＲＦ結合の面積比を変化させることができる。 （もっと読む）

【課題】被加工物を所定の厚さにエッチングすることができるプラズマエッチング装置を提供する。
【解決手段】エッチング室を備えたハウジングと、エッチング室に配設され上面に被加工物を保持する保持面を有する被加工物保持部を備えた下部電極と、下部電極の被加工物保持部の保持面と対向して配設され保持面に向けてプラズマ発生用ガスを噴出する複数の噴出口を備えた上部電極と、上部電極に設けられた複数の噴出口にプラズマ発生用ガスを供給するプラズマ発生用ガス供給手段とを具備するプラズマエッチング装置であって、被加工物保持部に保持された被加工物の厚みを検出する厚み検出手段を具備している。 （もっと読む）

本発明は、基板背面のエッチング均一度と工程効率を高めるための基板ホルダ、基板支持装置、基板処理処置、及びこれを利用する基板処理方法に関する。本発明の基板ホルダは、基板の端が配置されるリング状の配置部と、前記配置部の下部面に連結されて前記配置部の下部面を支持する側壁部と、前記側壁部に形成された排気孔とを含む。本発明の基板支持装置は、電極部と、前記電極部の外縁部に設けられる緩衝部材と、前記緩衝部材上に位置され、基板の端を支持して基板を前記電極部から離隔させる基板ホルダと、前記電極部と前記基板ホルダを昇降させる昇降部材とを含む。本発明の基板処理処置は、チャンバと、前記チャンバ内に設けられる遮蔽部材と、前記遮蔽部材と対向して設けられる電極と、前記遮蔽部材と前記電極の間に設けられる基板ホルダとを含み、前記基板ホルダは基板の端が配置されるリング状の配置部と、前記配置部の下部面に連結されて前記配置部の下部面を支持する側壁部と、前記側壁部に形成された排気孔とを含む。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置において、ウェハを載せる下部電極裏面に進入する高周波電力・電界を減少させ、対向電極間で発生するプラズマ以外で起こる不要な放電を除去する。
【解決手段】真空処理室と、前記真空処理室内に設けられた上部電極と、前記上部電極に対向して設けられ被処理基板１０６を載置する下部電極１０７と、前記上部電極または前記下部電極に接続された高周波電源１０３とを有するプラズマ処理装置において、下部電極１０７は上下動可能に構成され、外周は円筒状の下部電極上カバー１０９及び下部電極下カバー１１０で覆われており、前記上カバー１０９と前記下カバー１１０の隙間に電磁波反射部材からなるリング２０１を備えた。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウェーハ、フラットパネル基板、ソーラーパネル等の基板を処理するための、ｉｎ‐ｓｉｔｕプラズマ洗浄機構を含む基板処理チャンバを提供する。
【解決手段】 前記チャンバ本体は、それ自体の側壁上に設けられた少なくとも１つのプラズマ源開口を有する。前記チャンバ本体内には、前記基板が前記プラズマ源開口の下方に配置されるときに、前記チャンバのｉｎ‐ｓｉｔｕプラズマ洗浄用の第１の位置をとり、前記基板が前記プラズマ源開口の上方に配置されるときに、基板処理用の第２の位置をとる可動基板ホルダが設置される。前記プラズマ源開口には、プラズマ源が結合される。 （もっと読む）

【課題】ウエハ等の試料の処理のスループットを向上して処理の効率を向上させることのできる真空処理技術を提供する。
【解決手段】真空容器と、該真空容器内に試料を載置して保持する試料台２５０と、前記試料と試料台の間に伝熱ガスを供給する伝熱ガス供給手段と、前記真空容器内に処理ガスを供給するガス供給手段と、前記真空容器内に高周波エネルギを供給してプラズマを生成するプラズマ生成手段と、前記真空容器内のガスを排気する排気手段とを備え、前記試料にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記試料台２５０は、試料載置面に配置された誘電体膜および該誘電体膜により絶縁された静電吸着用電極、前記試料載置面上に配置された試料外周縁を上方に押し上げる押し上げピン３０１、並びに該押し上げピンを駆動する駆動機構を備え、前記プラズマ生成手段によりプラズマを生成した状態で前記押し上げピン３０１を上方に駆動して試料をその外周縁側から引き剥がす。 （もっと読む）

リアクタ内の支持台座部上に保持されたウェハの背面から、弓状側方ガス注入ノズルを利用してポリマーを除去する。弓状側方ガス注入ノズルは、ウェハ縁部に適合した曲率でリアクタ側壁部を貫通して延び、また遠隔プラズマ源からプラズマ副生成物を供給される。
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