【課題】ノズル部の退避時でも噴出口から噴き出された反応性ガスを確実に吸引して排出できる表面処理装置を提供する。
【解決手段】被処理物Ｗを支持部２１で支持する。移動機構５によって支持部２１をノズル部１０に対し相対移動させるとともに、ノズル部１０の噴出口１１から反応性ガスを噴出し、吸引口１２から吸引する。ノズル部１０が支持部２１より外側に位置する退避位置の時、吸引口１２からの吸引流量を処理位置の時より大きくする。 （もっと読む）

【課題】熱光線の波長にかかわらず、確実に吸光して局所加熱可能な表面処理方法を提供する。
【解決手段】黒系色の吸光膜９３を被処理物９０の外周部（処理すべき部位）に被膜する。照射手段３３からの熱光線３５を被処理物９０の吸光膜被膜部位の一箇所Ｐ１に局所照射するとともに、噴出部４３からオゾン（処理ガス）を局所照射箇所Ｐ１に噴き付け、吸引部５４にて局所照射箇所Ｐ１の近傍のガスを局所的に吸引する。 （もっと読む）

【課題】被処理基板にパーティクルを付着させない可動機構によりプラズマ密度分布の容易かつ自在な制御を可能とし、プラズマプロセスの均一性や歩留まりを向上させる。
【解決手段】チャンバ１０の天井には、サセプタ１２と平行に向かい合って、石英隔壁板３４が水平に取り付けられ、この石英隔壁板３４の裏側（上方）に上部電極３６が配置されている。電極位置可変機構３８は、鉛直方向に延びるネジ軸４０の上端に結合されているステップモータ４２と、上部電極３６に一体結合され、かつネジ軸４０と螺合する可動ナット部４４とを有している。ステップモータ４２の回転方向および回転量により、上部電極３６の移動方向および移動量を制御し、上部電極３６の高さ位置ひいては上部電極３６とサセプタ１２との電極間距離を一定範囲内で連続的に可変できる。 （もっと読む）

【課題】部品の組立及び取り外しの簡便性に優れたものとすることができ、量産性を向上させるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】電極はセラミック層により包囲され、ベース部の下層に設けられた第１と第２の導電性部材によって、突き上げ機構の基板を昇降させる突き上げピンの昇降空間と、伝熱ガスを基板保持台に設けられた複数の穴に供給するガス溜まり空間とを包囲し、かつ、第１と第２の導電性部材を接地することで解決できる。 （もっと読む）

【課題】噴出口と吸引口の端部どうし間の流体の流れ制御を容易化する。
【解決手段】被処理物Ｗの配置部１０上に第１方向へ相対移動可能なノズル部２０を配置する。ノズル部２０には、第１方向と交差する第２方向に延在する噴出口２４と吸引口２５を互いに第１方向に離して形成する。噴出口２４から処理流体を噴き出し、吸引口１５から吸引する。ノズル部２０の第２方向の端部には、吸引口２５の端部を噴出口２４の端部に対し第２方向に相対位置調節する口端位置調節手段３０を設ける。口端位置調節手段３０の口端画成部３１によって、吸引口２５の第２方向の端部を画成する。 （もっと読む）

【課題】シリコンのエッチングレートを大きくし、選択比を高める。
【解決手段】供給源１３からのＣＦ_４（ハロゲン系ガス）に加湿器１５で水分を含ませ、大気圧プラズマ生成部１０の一対の電極１１間に導入してプラズマ化する。オゾン生成部２０でオゾンを生成する。ノズル３０には、プラズマ生成部に連なるプラズマガス路３１と、オゾン生成部２０に連なるオゾンガス路３２とを形成する。これらガス路３１，３２の合流部３３に吹出し路３４を連ね、その先端開口３４ａを被処理物９０と対向させる。合流部３３から被処理物９０までの距離を、１５ｍｍ以下に設定する。 （もっと読む）

【課題】エッチングなどの表面処理における膜厚測定において、照明光などの外乱によって受光部の検出精度が損なわれるのを防止する。
【解決手段】表面処理装置１０に膜厚測定設備２０Ｘを付設する。その発光部２１は、所定波長の測定光Ｌ１を被処理物９０に出射し、受光部２２は、被処理物９０からの光を検出し、膜９２の厚さの測定に供する。さらに照明部２３を設け、処理チャンバー１２内を前記所定波長の光を含まない照明光Ｌ３で照明する。受光部２２は、前記所定波長の光に感応する一方、前記照明光Ｌ３の波長の光に感応しない。処理チャンバー１２を画成する仕切りには、前記所定波長の光をカットする入射フィルタ１１ｆを設ける。 （もっと読む）

【課題】シリコンとシリコン窒化物とを有する被処理物においてシリコンを選択的にエッチングする。
【解決手段】酸化性エッチャント生成部２０でオゾン等の酸化性反応ガスを生成する。フッ素含有ガスのＣＨ_４と水分とアンモニア含有ガス又は窒素ガスとを混合し、フッ素系エッチャント生成部３０の電極間３１ａにおいて大気圧近傍下でプラズマ化し、ＨＦ等のフッ素系反応ガスとフッ化アンモニウムを含むフッ素系エッチャントを生成する。酸化性エッチャントとフッ化系エッチャントとを混合し、被処理物９０に供給する。 （もっと読む）

【課題】処理空間にガスが滞留し難く、被処理基板に常に新鮮な処理ガスを供給することが可能なプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】内部空間１５を形成する処理容器２と、内部空間１５内に設けられた、被処理基板Ｗが載置される基板載置台３と、内部空間１５内に設けられ、この内部空間１５の内径ａ１５よりも小さい内径ａ１を有する、基板載置台３の上方にプラズマ処理を行う処理空間１を区画する処理空間形成部材１６と、処理空間形成部材１６の上端部１６ａと内部空間１５の内壁１５ａとの間に設けられた、処理空間１からガスを排気する排気口６と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】 基板洗浄方法及び装置が開示される。
【解決手段】 レーザービームを利用する基板洗浄方法及び装置において、工程チャンバー内にはレーザー誘起衝撃波が発生する空間を限定する内部チャンバーが配置される。前記レーザービームは前記内部チャンバー内に位置した焦点に集中され、これによってレーザー誘起プラズマ衝撃波が前記レーザー焦点の周囲に発生する。前記プラズマ衝撃波は内部チャンバーの内側表面によって反射され、前記内部チャンバーの下部を通じて基板上に照射される。結果的に基板上に照射されるプラズマ衝撃波の強度が増加し、これによって、基板上の汚染物質の除去効率が向上する。 （もっと読む）

【課題】プラズマの寸法より微細なパターン処理を行なうためのプラズマ処理方法およびプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置は、プラズマ１を生成するための上部電極２、プラズマ処理の対象となる基材６を配置するステージ３、上部電極２に電圧を印加する電源４、上部電極２に設置された移動機構５、制御部１２０を含む。制御部１２０は、電源４、移動機構５の動作を制御し、プラズマ１の生成と、移動機構５による上部電極２の移動を繰り返す。移動機構５は、移動後のプラズマ１の基材６への照射領域が移動前の照射領域と重複するように上部電極２を移動する。 （もっと読む）

【課題】拡散装置が、高い処理温度、重力、及びその他の力に曝されることにより、下垂、クリープ発生、運動、及び／又は亀裂を発生することを防ぐ拡散装置支持体を提供する。
【解決手段】１つ以上の拡散装置支持部材１６０がバッキングプレート１１２の各開口部１６５内を動くように配置され、かつ拡散装置１１０に連結されている。拡散装置支持部材１６０はフレーム構造体１７５に連結されている。拡散装置支持部材１６０の素材は、拡散装置１１０を支持するに十分な強度を有する。 （もっと読む）

【課題】被加工物の切断方向においてカーフロス幅を均一に近づける。
【解決手段】プラズマ加工装置は、所定方向に間隔をおいて配置され、被加工物としてのシリコンインゴット１００を切断するための複数のスライス電極２と、複数のスライス電極２がシリコンインゴット１００に対して前記所定方向と直交する方向に対向するように配置されたときに各スライス電極２とシリコンインゴット１００との間にプラズマが発生するようにこの各スライス電極２とシリコンインゴット１００との間に電位差を生じさせる電圧印加部６と、シリコンインゴット１００の切断過程において各スライス電極２とシリコンインゴット１００との間の電位差の平均値の時間平均値が一定となるように複数のスライス電極２とシリコンインゴット１００との間の距離を調節するための距離調節機構１０とを備える。 （もっと読む）

【課題】被加工物の切断時の温度の上昇を抑制する。
【解決手段】プラズマ加工装置は、被加工物としてのシリコンインゴット１００を切断するための第１スライス電極４と、第１スライス電極４に対して水平方向に間隔をおいて配置され、シリコンインゴット１００を切断するための第２スライス電極６と、第１スライス電極４と第２スライス電極６がシリコンインゴット１００に対してそのシリコンインゴット１００の切断方向に対向するように配置されたときに当該シリコンインゴット１００を切断するためのプラズマが発生するように第１スライス電極４と第２スライス電極６との間に所定の電位差を生じさせる電圧印加部８とを備える。 （もっと読む）

【課題】簡素な構成で各スライス電極における被加工物のスライス速度を均等化する。
【解決手段】プラズマ加工装置は、所定方向に間隔をおいて配置され、被加工物としてのシリコンインゴット１００を切断するための複数のスライス電極４と、複数のスライス電極４がシリコンインゴット１００に対して前記所定方向と直交する方向に対向するように配置されたときに各スライス電極４とシリコンインゴット１００との間にプラズマが発生するようにこの各スライス電極４とシリコンインゴット１００との間に電位差を生じさせる電圧印加部８と、電圧印加部８と各スライス電極４との間にそれぞれ介在し、各スライス電極４に対応する箇所でのシリコンインゴット１００のスライス速度が均等化するように各スライス電極４に掛かる電圧及び各スライス電極４に流れる電流を調整可能な複数の可変抵抗器１０とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の処理装置において、基板又はその載置台を振動をほとんど与えずに昇降させるとともに、昇降の上下停止位置を自在に変えることのできる手段を提供する。
【解決手段】ピストンとシャフトを有し流体圧で駆動するシリンダに対して、シャフトに貫通係止されたストッパと、該ストッパと当接し前記ピストンの進退を停止させる一対のリミッタと、このリミッタ位置を可変せしめるリミッタ移動機構とを備えたシリンダ停止位置可変機構。また、このリミッタ移動機構をモータで制御し、前記一対のリミッタ毎に移動機構を設けて、各々独立に位置制御できるようにする。 （もっと読む）

【課題】
ＳｉＣやＧａＮ等の半導体ウエハの外周部のベベリング加工を、プラズマＣＶＭを用いて高能率で行うことができ、しかも半導体ウエハに微小クラックや残留応力等の加工変質層を発生させることがない結晶学的にも優れた半導体ウエハ外周部の加工方法及びその装置を提供する。
【解決手段】
半導体ウエハ１の外周部に対して所定のギャップ３を設けてリング電極２を配し、不活性ガスに反応ガスを混合した大気圧近傍のプロセスガスをギャップに供給するとともに、半導体ウエハとリング電極間に高周波電圧を印加して、半導体ウエハの外周部近傍に局在し且つその全周にわたって略均一にプラズマを発生させ、プラズマ中で生成した反応ガスに基づく中性ラジカルと半導体ウエハ外周部を構成する原子とのラジカル反応によって生成した揮発性物質を気化させて除去し、ベベリング加工を行う。 （もっと読む）

【課題】高い制御性を有するプラズマ処理装置およびプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】第１下部電極１３と、第１下部電極１３を取り囲んで接触し、且つ上下に摺動可能に配置された第２下部電極１４と、第２下部電極１４を取り囲んで接触する第３下部電極１５と、第２下部電極１４を跨ぐように第１下部電極１３上と第３下部電極１５上とに載置され、第２下部電極１４に対向して第２下部電極１４より幅の広い凹部１６を有するフォーカスリング１７とが容器１１内に設けられる。第２下部電極１４を上下に駆動し、第２下部電極１４をフォーカスリング１７の凹部１６に挿抜する駆動部１８が、予め求めたエッチング処理特性に応じて第２下部電極１４の位置を変更した後に、半導体基板１２をプラズマエッチング処理する。 （もっと読む）

【課題】、被加工物を均一な厚さでエッチングすることができるプラズマエッチング装置を提供する。
【解決手段】エッチング室に配設され上面に被加工物を保持する保持面を有する被加工物保持部を備えた下部電極ユニットと、下部電極ユニットの被加工物保持部の保持面と対向して配設され保持面に向けてプラズマ発生用ガスを噴出する複数の噴出口を備えた上部電極ユニットと、上部電極ユニットに設けられた複数の噴出口にプラズマ発生用ガスを供給するプラズマ発生用ガス供給手段とを具備するプラズマエッチング装置であって被加工物保持部を回転するチャックテーブル回転手段を備えており、プラズマ発生用ガス供給手段は上部電極ユニットに設けられた複数の噴出口から噴出されるプラズマ発生用ガスの流量が被加工物保持部の該保持面の中央から外周に向けて漸次増大するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】微粒子は、チャンバ内のウェーハ移送区域から離して捕獲される。第１の電極は、区域の一方の側に存在する。第２の電極は、区域の反対側に存在する。電極に渡って接続された電源は、電極間に静電場を発生させる。電場は、電極において、区域から離して微粒子を捕獲する。チャンバからウェーハを移送するために、第２の電極は、処理のためウェーハを装着し、第１の電極は、第２の電極の反対側に存在し、処理空間を画成する。区域は、空間内において、各電極から区域を分離する空間の分離部と共に存在する。微粒子は、ウェーハのプラズマ処理の終了と、第２の電極の接地への接続と、正の直流電位の第１の電極への印加と、第２の電極から区域内へのウェーハのデチャックとを同時に行うことにより、ウェーハから離れる方向へ付勢される。 （もっと読む）