表面処理装置
【課題】被処理物をローラコンベアで移動させて表面処理する装置において、被処理物の幅方向の端部及び移動方向の端部の処理の過不足が生じるのを防止し、処理の均一性を高める。
【解決手段】被処理物９をローラコンベア３０で移動方向Ｘに移動させる。ノズルヘッド２０の吹出し口２２から処理ガスを吹出し、被処理物９に吹き付け表面処理する。ローラコンベア３０の幅方向Ｙの両側部にそれぞれ遮蔽部材４０を設ける。遮蔽部材４０の遮蔽面４１が、被処理物９の移動領域Ｒの幅方向の縁を幅方向に跨ぐようにする。ローラ３１を、遮蔽面４１よりノズルヘッド２０の側へ僅かに突出させる。
【解決手段】被処理物９をローラコンベア３０で移動方向Ｘに移動させる。ノズルヘッド２０の吹出し口２２から処理ガスを吹出し、被処理物９に吹き付け表面処理する。ローラコンベア３０の幅方向Ｙの両側部にそれぞれ遮蔽部材４０を設ける。遮蔽部材４０の遮蔽面４１が、被処理物９の移動領域Ｒの幅方向の縁を幅方向に跨ぐようにする。ローラ３１を、遮蔽面４１よりノズルヘッド２０の側へ僅かに突出させる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、被処理物を表面処理する装置に関し、特にローラコンベアを被処理物の移動手段として有する表面処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
被処理物を移動させながら、ノズルヘッドの吹出し口から処理ガスを被処理物に吹き付け、表面処理を行なう表面処理装置は公知である（特許文献１等参照）。被処理物の移動手段として代表的なものにローラコンベアが挙げられる。周知の通り、ローラコンベアは、多数のローラを有し、これらローラの回転により被処理物を移動させるようになっている。隣り合うローラどうし間は隙間になっている。
特許文献２では、ローラコンベアをカバーで覆っている。これにより、ローラコンベアをプラズマガスから保護している。カバーには透孔が形成され、円盤状のローラの上端部が、透孔から処理ヘッド（ノズルヘッド）に向けて突出されている。
【特許文献１】特開２００３−１６６０６５号公報
【特許文献２】特開２００５−０３８７５２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
通常、ローラコンベアの幅は、被処理物の幅より大きい。したがって、被処理物の幅方向の外側にローラどうし間の隙間が露出する。そのため、ノズルヘッドから吹き出された処理ガスの一部が、幅方向の外側へ流れ、上記の隙間を通って漏出しやすい。このような処理ガスの幅方向の流れがあると、被処理物の幅方向の端部が過処理になったり処理不足になったりする。
特許文献２では、処理ガスがノズルヘッドとカバーとの間に未反応高濃度の状態で滞留しやすい。この未反応高濃度の処理ガスが被処理物の移動方向の端部に接触すると、ローディング効果によって被処理物の移動方向の端部が過処理になる。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、被処理物の幅方向の端部及び移動方向の端部の処理の過不足が生じるのを防止し、処理の均一性を高めることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
上記課題を解決するため、本発明は、被処理物に処理ガスを吹き付けて前記被処理物の表面を処理する装置であって、
前記被処理物を移動方向に移動させるローラコンベアと、
前記ローラコンベアを向く面を有し、この面に前記処理ガスを吹き出す吹出し口とガスを吸い込む吸込み口とが開口されたノズルヘッドと、
を備え、前記ローラコンベアの前記移動方向と直交する幅方向の両側部にはローラどうし間の隙間を覆う一対の遮蔽部材が設けられ、各遮蔽部材が、前記ノズルヘッドの側を向く遮蔽面を有し、この遮蔽面が、前記被処理物が移動される平面領域より前記ノズルヘッド側とは反対側に僅かに離れて前記平面領域と平行に配置され、かつ前記平面領域の前記幅方向の縁を前記幅方向に跨いでおり、前記一対の遮蔽部材どうしが前記幅方向に離れ、前記ローラコンベアの前記幅方向の中央部のローラどうし間の隙間は、何れの遮蔽部材にも覆われることなく開放されていることを特徴とする。
これによって、被処理物の幅方向の端部及び移動方向の端部の処理の過不足が生じるのを防止でき、処理の均一性を高めることができる。
【０００５】
前記ローラが、軸線を前記幅方向に向けた長い円筒状になっている場合、前記遮蔽部材に前記ローラの端部を回転可能に収容する収容穴が形成され、前記収容穴が、前記遮蔽面に達して開口し、この開口を介して前記ローラが前記遮蔽面より前記ノズルヘッド側へ僅かに突出されていることが好ましい。
【０００６】
前記ローラが、前記幅方向と直交する円盤状をなし、前記幅方向に延びるシャフトに前記ローラが前記遮蔽面より前記ノズルヘッド側へ僅かに突出されるように設けられている場合、前記遮蔽部材に前記シャフトを回転可能に挿通する挿通孔が形成されていることが好ましい。
【０００７】
前記表面処理は、例えば大気圧近傍下でのプラズマエッチングである。この場合、前記処理ガスは、大気圧近傍下でプラズマ化されて被処理物に対するエッチング能を付与された状態で前記ノズルヘッドから吹き出されることが好ましい。
ここで、大気圧近傍 とは、１．０１３×１０４〜５０．６６３×１０４Ｐａの範囲を言い、圧力調整の容易化や装置構成の簡便化を考慮すると、１．３３３×１０４〜１０．６６４×１０４Ｐａが好ましく、９．３３１×１０４〜１０．３９７×１０４Ｐａがより好ましい。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、被処理物の幅方向の端部及び移動方向の端部の処理の過不足が生じるのを防止でき、処理の均一性を高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明の実施形態を図面にしたがって説明する。
図１〜図３は、第１実施形態に係る表面処理装置１を示したものである。被処理物９は、例えば液晶ディスプレイ用のガラス基板で構成され、四角形の薄い平板形状になっている。被処理物９は、長手方向をＸ方向へ向け、幅方向をＹ方向へ向けた状態で表面処理装置１に通され、表面処理される。被処理物９の幅（Ｙ方向の寸法）は、例えば約２ｍである。処理内容は、例えば大気圧近傍下でのプラズマエッチングである。図示は省略するが、被処理物９の表面（上面）にはエッチングされるべき酸化シリコンの膜が形成されている。
【００１０】
表面処理装置１は、チャンバー１０と、ノズルヘッド２０（処理ヘッド）と、ローラコンベア３０を備えている。図１に示すように、チャンバー１０は、被処理物９の全体を収容可能な大きさになっている。チャンバー１０の内部は、略大気圧になっている。チャンバー１０の内部空間のＹ方向の寸法は、被処理物９の幅より若干（例えば２０ｍｍ程度）大きい。図２に示すように、チャンバー１０のＸ方向の一端部（図１及び図２において左）には搬入口１１が形成されている。チャンバー１０のＸ方向の他端部（図１及び図２において右）には搬出口１２が形成されている。チャンバー１０の底部は、中央に向かうにしたがって下に傾斜している。チャンバー１０の底部の中央部に排気ライン８ａを介し排気ポンプ８が連なっている。排気ポンプ８は、後述する吸引手段３の吸引ポンプと共通の真空ポンプで構成してもよい。
【００１１】
チャンバー１０の上部にノズルヘッド２０が取り付けられている。図１の二点鎖線及び図３に示すように、ノズルヘッド２０は、Ｙ方向に長い大略直方体形状になっている。図２に示すように、ノズルヘッド２０の下面２１（ローラコンベア３０を向く面）は、チャンバー１０の天井面と面一になっているが、これに限定されるものではなく、ヘッド下面２１がチャンバー１０の天井面より下に突出していてもよく、上に引っ込んでいてもよい。
【００１２】
図１の二点鎖線及び図２に示すように、ノズルヘッド２０には、吹出し口２２と吸込み口２３がヘッド下面２１に開口するように形成されている。吹出し口２２及び吸込み口２３は、Ｙ方向に延びるスリット状になっている。吹出し口２２及び吸込み口２３のＹ方向に沿う長さは、被処理物９の幅寸法と略同じか、それより若干大きい。吹出し口２２と吸込み口２３は、互いにＸ方向に離間している。
【００１３】
図２に示すように、吹出し口２２は処理ガス供給ライン２ａを介し処理ガス源２に連なっている。処理ガス源２は、処理内容に応じた処理ガスをノズルヘッド２０に供給する。ここでは、処理ガスの主成分として例えばＣＦ４（ハロゲン系ガス）が用いられている。ＣＦ４は、窒素はアルゴン等で希釈してもよい。処理ガスの主成分として、ＣＦ４に代えて、ＣＨＦ３、Ｃ２Ｆ６、Ｃ３Ｆ８、ＳＦ６、ＮＦ３、ＸｅＦ２などを用いてもよい。供給ライン２ａ上で処理ガスに水（Ｈ２Ｏ）が添加される。水添加後の処理ガスがノズルヘッド２０に導入される。図示は省略するが、ノズルヘッド２０内には、一対の電極が設けられており、これら電極間に大気圧近傍のプラズマ空間が形成されるようになっている。このプラズマ空間内で処理ガスがプラズマ化（分解、励起、活性化、イオン化を含む）され、ＨＦ等の反応成分が生成される。ＨＦは、酸化シリコンに対しエッチング能を有している。このプラズマ化された処理ガスｇが、吹出し口２２から下方へ吹き出される。
【００１４】
吸込み口２３は、吸引ライン３ａを介して吸引ポンプ等の吸引手段３に連なっている。
【００１５】
図１〜図３に示すように、ローラコンベア３０は、複数のローラ３１，３１…と、一対のサイドフレーム３２，３２を有している。図１及び図３に示すように、サイドフレーム３２は、チャンバー１０のＹ方向の両側部に配置され、それぞれＸ方向へ延びている。
【００１６】
ローラ３１，３１…は、ノズルヘッド２０より下側に配置され、チャンバー１０の内部に収容されている。各ローラ３１は、軸線をＹ方向に向けた長い円筒状をなし、一対のサイドフレーム３２，３２間に架け渡されている。図１及び図２に示すように、複数のローラ３１，３１…は、Ｘ方向に間隔を置いて平行に並べられている。Ｘ方向に隣り合うローラ３１，３１どうし間には隙間３３が形成されている。隙間３３はＹ方向に延びている。
【００１７】
ローラ３１の軸長（Ｙ方向の寸法）は、被処理物９の幅より若干（例えば２０ｍｍ程度）大きい。ローラ３１の外直径は、例えば６０ｍｍ程度である。ローラ３１のＸ方向の配置ピッチは、例えば１２０ｍｍ程度である。
【００１８】
図示は省略するが、ローラコンベア３０には、複数のローラ３１を同期して回転させる回転駆動部が設けられている。図２に示すように、これらローラ３１の上に被処理物９が水平に配置される。被処理物９は、ローラ３１の回転によってＸ方向に移動され、ノズルヘッド２０の下方に通されるようになっている。被処理物９がノズルヘッド２０の真下に位置するとき、ヘッド下面２１と被処理物９の上面との間の距離は、例えば３ｍｍ程度である。
【００１９】
この被処理物９の移動軌跡が、被処理物９が移動される平面領域Ｒになる。図２に示すように、平面領域Ｒは、ローラ３１の上端部の高さの水平な面内に位置している。図１に示すように、平面領域ＲのＹ方向の両縁は、チャンバー１０の内壁から若干（例えば１０ｍｍ程度）内側に離れている。ローラ３１の両端部が、平面領域ＲよりＹ方向の外側に延び出ている。
【００２０】
図１〜図３に示すように、ローラコンベア３０の幅方向（Ｙ方向）の両側には、それぞれ遮蔽部材４０，４０が設けられている。各遮蔽部材４０は、幅方向をＹ方向に向けてＸ方向（被処理物９の移動方向）に延びるビーム状になっている。遮蔽部材４０は、ローラ３１の端部と交差している。遮蔽部材４０によって、ローラ３１，３１間の隙間３３のＹ方向の端部が塞がれている。遮蔽部材４０は、処理ガスに対する耐性が高い材質で構成されていることが好ましい。
【００２１】
図１、図２、図４に示すように、遮蔽部材４０には、長手方向（Ｘ方向）に間隔を置いて複数のローラ収容穴４２が形成されている。収容穴４２は、遮蔽部材４０を幅方向（Ｙ方向）に貫通している。収容穴４２の上側部分は、遮蔽部材上面４１に達して開口されている。収容穴４２の遮蔽部材上面４１への開口４２ａは、Ｙ方向に延びるスリット状になっている。
【００２２】
図４の二点鎖線に示すように、各収容穴４２にローラ３１の端部が回転可能に収容されている。ローラ３１の一部が、開口４２ａを介して遮蔽部材上面４１より上（ヘッド下面２１の側）へ僅かに突出されている。ローラ３１の遮蔽部材上面４１からの突出量は、例えば０．５ｍｍ程度である。
【００２３】
図２及び図３に示すように、遮蔽部材４０の上面４１（遮蔽面）は、ノズルヘッド２０の下面２１と対向している。遮蔽部材上面４１は、平面領域Ｒ（被処理物９の移動軌跡）より下側（ノズルヘッド２０側とは反対側）に僅かに離れて平面領域Ｒと平行に配置されている。平面領域Ｒと遮蔽部材上面４１との間の上下方向の離間距離は、例えば０．５ｍｍ程度である。
【００２４】
図１〜図３に示すように、遮蔽部材４０の幅方向の外側面は、平面領域ＲよりＹ方向の外側に位置し、チャンバー１０の内壁又はサイドフレーム３２に接している。遮蔽部材４０の幅方向の内側面は、平面領域Ｒの幅方向の縁より内側に位置している。遮蔽部材上面４１は、平面領域Ｒの幅方向（Ｙ方向）の縁を幅方向に跨ぐように配置されている。言い換えると、平面領域Ｒの幅方向の縁が、平面視で遮蔽部材４０の幅方向の中間に位置されている。遮蔽部材４０の幅（Ｙ方向の寸法）は、例えば１００ｍｍ程度である。遮蔽部材上面４１の幅方向の外側の縁と平面領域Ｒの幅方向の縁とのＹ方向の距離は、例えば１０ｍｍ程度である。遮蔽部材上面４１の幅方向の内側の縁と平面領域Ｒの幅方向の縁とのＹ方向の距離は、例えば９０ｍｍ程度である。
【００２５】
各遮蔽部材３０の幅（Ｙ方向の寸法）は、チャンバー１０及びローラコンベア３０の同方向寸法に比べると十分に小さい。したがって、一対の遮蔽部材４０，４０は、Ｙ方向に大きく離間されている。ローラ３１，３１間の隙間３３の両端部を除く中間部は、何れの遮蔽部材４０にも覆われることなく開放されている。
【００２６】
上記構成の表面処理装置１によれば、被処理物９が、搬入口１１からチャンバー１０内に搬入され、ローラ３１上に載せられ、Ｘ方向に移動され、ノズルヘッド２０の下方を通過する。併行して、処理ガス源２からの処理ガスが、ノズルヘッド２０に供給されてプラズマ化されてエッチング能を付与され、吹出し口２２から吹き出される。この処理ガスｇが、被処理物９に接触し、これにより、被処理物９の表面の酸化シリコン膜がエッチングされる。処理済みのガスは、吸込み口２３から吸い込まれ、吸引手段３から排気される。
【００２７】
ローラコンベア３０で搬送中の被処理物９の幅方向（Ｙ方向）の両端部の下側には遮蔽部材４０が近接して位置する。遮蔽部材４０は、被処理物９の幅方向の外側のローラ間隙間３３を塞いでいる。さらに、被処理物９の下面と遮蔽部材上面４１との間には、間隙４０ａが形成される。間隙４０ａの上下方向の厚さは、極めて小さく（例えば０．５ｍｍ程度）、この厚さに比べ間隙４０ａの幅（Ｙ方向の寸法）は十分に大きい（例えば９０ｍｍ程度）。したがって、間隙４０ａのガスコンダクタンスは極めて小さい。よって、処理ガスｇが、被処理物９の幅方向の外側から間隙４０ａを通ってローラコンベア３０の下方へ漏出するのを十分に防止できる。これにより、被処理物９の幅方向の両端部が処理不足になったり過処理になったりするのを防止することができる。
遮蔽部材４０は、間隙４０ａを介して被処理物９より下方に離れているため、被処理物９と干渉することはない。
【００２８】
遮蔽部材４０は、被処理物９の幅方向の両端部に対応する位置に配置されているだけであり、被処理物９の幅方向の中間部に対応する位置には配置されていない。したがって、図５に示すように、被処理物９の移動方向（Ｘ方向）の後端部が吹出し口２２と吸込み口２３の間に位置しているとき、吹出し口２２から吹き出された処理ガスｇは、ローラ間隙間３３を通ってローラコンベア３０の下方へ流れる。これにより、処理ガスが未反応高濃度のまま被処理物９の移動方向の後端部に接触するのを防止でき、ローディング効果が起きるのを防止できる。
この結果、被処理物９の表面の全体を均一にエッチング処理でき、処理の均一性を十分に高めることができる。
ローラコンベア３０の下方へ流れた処理ガスｇは、チャンバー１０の底部から排気ライン８ａを経て排出される。
【００２９】
次に、本発明の他の実施形態を説明する。以下の実施形態において既述の形態と重複する構成に関しては図面に同一符号を付して説明を省略する。
図６〜図９は、第２実施形態を示したものである。第２実施形態のローラコンベア３０は、長い円筒状のローラ３１に代えて、円盤状のローラ３４と、ローラシャフト３５を有している。シャフト３５は、Ｙ方向に直線状に延び、ローラコンベア３０の両サイドフレーム３２，３２どうしの間に架け渡されている。シャフト３５は、Ｘ方向（被処理物９の移動方向）に間隔を置いて複数並設されている。シャフト３５の並設ピッチは、例えば１２０ｍｍ程度である。
【００３０】
各シャフト３５に複数の円盤状ローラ３４が間隔を置いて取り付けられている。ローラ３４の外直径は、例えば６０ｍｍ程度である。ローラ３４は、遮蔽部材４０の遮蔽部材上面４１より上に僅かに（例えば０．５ｍｍ程度）突出されている。シャフト３５どうし間及び円盤状ローラ３４どうし間に隙間３３が形成されている。
【００３１】
第２実施形態の遮蔽部材４０には、第１実施形態の収容穴４２より小径のシャフト挿通穴４３が複数形成されている。各挿通穴４３は、遮蔽部材４０を幅方向（Ｙ方向）に貫通している。複数の挿通穴４３は、遮蔽部材４０の長手方向（Ｘ方向）に間隔を置いて配置されている。挿通穴４３にシャフト３５の端部が回転可能に挿通されている。
【００３２】
第２実施形態においも、遮蔽部材４０によって、処理ガスｇが被処理物９の幅方向（Ｙ方向）の外側からローラコンベア３０の下方へ漏出するのを防止でき、被処理物９の幅方向の両端部が処理不足になったり過処理になったりするのを防止できる。しかも、処理ガスｇが未反応高濃度のまま被処理物９の移動方向（Ｘ方向）の端部に接触するのを防止でき、ローディング効果が起きるのを防止できる。この結果、被処理物９の表面の全体を均一にエッチング処理でき、処理の均一性を十分に高めることができる。
【００３３】
この発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、種々の改変をなすことができる。
例えば、遮蔽部材４０は、少なくとも遮蔽面４１（平面領域Ｒよりノズルヘッド２０側とは反対側に僅かに離れて平面領域Ｒと平行に配置され、かつ前面領域Ｒの幅方向の縁を幅方向に跨ぐ面）を有し、ローラ間隙間３３の両端部を塞ぐものであればよく、その断面形状は実施形態のものに限定されない。
一対の遮蔽部材４０，４０どうしは、互いに離間していればよく、各遮蔽部材４０の幅が被処理物９の幅の２分の１近くあってもよい。
実施形態に示した寸法は例示であって、本発明が上記寸法に限定されるものではない。
第２実施形態では、すべての円盤状ローラ３４が遮蔽部材４０よりＹ方向の内側に配置されていたが、一部の円盤状ローラ３４が遮蔽部材４０の内部に配置されていてもよく、その場合、遮蔽部材４０には、当該一部の円盤状ローラ３４を収容する収容穴が形成されているのが好ましく、この収容穴が遮蔽面４１に達して開口し、この開口から当該一部の円盤状ローラ３４がノズルヘッド２０の側に僅かに突出されていることが好ましい。
エッチングすべき膜は、酸化シリコンに限られず、アモルファスシリコンやポリシリコン等のシリコンでもよい。その場合、処理ガスにオゾン等の酸化性成分を混合するとよい。
さらに、本発明の処理内容は、エッチングに限定されず、成膜、洗浄、表面改質等の種々の表面処理に適用できる。
【産業上の利用可能性】
【００３４】
本発明は、例えば半導体装置の製造分野においてシリコンや酸化シリコンのエッチング等に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本発明の第１実施形態に係る表面処理装置を示し、図２のＩ−Ｉ線に沿う平面図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線に沿う、上記表面処理装置の側面断面図である。
【図３】図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う、上記表面処理装置の正面断面図である。
【図４】上記表面処理装置の遮蔽部材の斜視図である。
【図５】上記表面処理装置において、被処理物の移動方向の後端部がノズルヘッドの吹出し口より移動方向の前方に位置している状態の側面断面図である。
【図６】本発明の第２実施形態に係る表面処理装置を示し、図７のＶＩ−ＶＩ線に沿う平面図である。
【図７】図６のＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿う、上記第２実施形態に係る表面処理装置の側面断面図である。
【図８】図７のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線に沿う、上記第２実施形態に係る表面処理装置の正面断面図である。
【図９】上記第２実施形態に係る表面処理装置の遮蔽部材の斜視図である。
【符号の説明】
【００３６】
Ｒ 被処理物が移動される平面領域
１ 表面処理装置
２ 処理ガス源
３ 吸引手段
９ 被処理物
８ 排気ポンプ
１０ チャンバー
１１ 搬入口
１２ 搬出口
２０ ノズルヘッド
２１ ノズルヘッド下面（ローラコンベアを向く面）
２２ 吹出し口
２３ 吸込み口
３０ ローラコンベア
３１ ローラ
３２ サイドフレーム
３３ 隙間
３４ 円盤状ローラ
３５ シャフト
４０ 遮蔽部材
４０ａ 間隙
４１ 遮蔽部材上面（遮蔽面）
４２ ローラ収容穴
４２ａ 開口
４３ シャフト挿通穴
【技術分野】
【０００１】
この発明は、被処理物を表面処理する装置に関し、特にローラコンベアを被処理物の移動手段として有する表面処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
被処理物を移動させながら、ノズルヘッドの吹出し口から処理ガスを被処理物に吹き付け、表面処理を行なう表面処理装置は公知である（特許文献１等参照）。被処理物の移動手段として代表的なものにローラコンベアが挙げられる。周知の通り、ローラコンベアは、多数のローラを有し、これらローラの回転により被処理物を移動させるようになっている。隣り合うローラどうし間は隙間になっている。
特許文献２では、ローラコンベアをカバーで覆っている。これにより、ローラコンベアをプラズマガスから保護している。カバーには透孔が形成され、円盤状のローラの上端部が、透孔から処理ヘッド（ノズルヘッド）に向けて突出されている。
【特許文献１】特開２００３−１６６０６５号公報
【特許文献２】特開２００５−０３８７５２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
通常、ローラコンベアの幅は、被処理物の幅より大きい。したがって、被処理物の幅方向の外側にローラどうし間の隙間が露出する。そのため、ノズルヘッドから吹き出された処理ガスの一部が、幅方向の外側へ流れ、上記の隙間を通って漏出しやすい。このような処理ガスの幅方向の流れがあると、被処理物の幅方向の端部が過処理になったり処理不足になったりする。
特許文献２では、処理ガスがノズルヘッドとカバーとの間に未反応高濃度の状態で滞留しやすい。この未反応高濃度の処理ガスが被処理物の移動方向の端部に接触すると、ローディング効果によって被処理物の移動方向の端部が過処理になる。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、被処理物の幅方向の端部及び移動方向の端部の処理の過不足が生じるのを防止し、処理の均一性を高めることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
上記課題を解決するため、本発明は、被処理物に処理ガスを吹き付けて前記被処理物の表面を処理する装置であって、
前記被処理物を移動方向に移動させるローラコンベアと、
前記ローラコンベアを向く面を有し、この面に前記処理ガスを吹き出す吹出し口とガスを吸い込む吸込み口とが開口されたノズルヘッドと、
を備え、前記ローラコンベアの前記移動方向と直交する幅方向の両側部にはローラどうし間の隙間を覆う一対の遮蔽部材が設けられ、各遮蔽部材が、前記ノズルヘッドの側を向く遮蔽面を有し、この遮蔽面が、前記被処理物が移動される平面領域より前記ノズルヘッド側とは反対側に僅かに離れて前記平面領域と平行に配置され、かつ前記平面領域の前記幅方向の縁を前記幅方向に跨いでおり、前記一対の遮蔽部材どうしが前記幅方向に離れ、前記ローラコンベアの前記幅方向の中央部のローラどうし間の隙間は、何れの遮蔽部材にも覆われることなく開放されていることを特徴とする。
これによって、被処理物の幅方向の端部及び移動方向の端部の処理の過不足が生じるのを防止でき、処理の均一性を高めることができる。
【０００５】
前記ローラが、軸線を前記幅方向に向けた長い円筒状になっている場合、前記遮蔽部材に前記ローラの端部を回転可能に収容する収容穴が形成され、前記収容穴が、前記遮蔽面に達して開口し、この開口を介して前記ローラが前記遮蔽面より前記ノズルヘッド側へ僅かに突出されていることが好ましい。
【０００６】
前記ローラが、前記幅方向と直交する円盤状をなし、前記幅方向に延びるシャフトに前記ローラが前記遮蔽面より前記ノズルヘッド側へ僅かに突出されるように設けられている場合、前記遮蔽部材に前記シャフトを回転可能に挿通する挿通孔が形成されていることが好ましい。
【０００７】
前記表面処理は、例えば大気圧近傍下でのプラズマエッチングである。この場合、前記処理ガスは、大気圧近傍下でプラズマ化されて被処理物に対するエッチング能を付与された状態で前記ノズルヘッドから吹き出されることが好ましい。
ここで、大気圧近傍 とは、１．０１３×１０４〜５０．６６３×１０４Ｐａの範囲を言い、圧力調整の容易化や装置構成の簡便化を考慮すると、１．３３３×１０４〜１０．６６４×１０４Ｐａが好ましく、９．３３１×１０４〜１０．３９７×１０４Ｐａがより好ましい。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、被処理物の幅方向の端部及び移動方向の端部の処理の過不足が生じるのを防止でき、処理の均一性を高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明の実施形態を図面にしたがって説明する。
図１〜図３は、第１実施形態に係る表面処理装置１を示したものである。被処理物９は、例えば液晶ディスプレイ用のガラス基板で構成され、四角形の薄い平板形状になっている。被処理物９は、長手方向をＸ方向へ向け、幅方向をＹ方向へ向けた状態で表面処理装置１に通され、表面処理される。被処理物９の幅（Ｙ方向の寸法）は、例えば約２ｍである。処理内容は、例えば大気圧近傍下でのプラズマエッチングである。図示は省略するが、被処理物９の表面（上面）にはエッチングされるべき酸化シリコンの膜が形成されている。
【００１０】
表面処理装置１は、チャンバー１０と、ノズルヘッド２０（処理ヘッド）と、ローラコンベア３０を備えている。図１に示すように、チャンバー１０は、被処理物９の全体を収容可能な大きさになっている。チャンバー１０の内部は、略大気圧になっている。チャンバー１０の内部空間のＹ方向の寸法は、被処理物９の幅より若干（例えば２０ｍｍ程度）大きい。図２に示すように、チャンバー１０のＸ方向の一端部（図１及び図２において左）には搬入口１１が形成されている。チャンバー１０のＸ方向の他端部（図１及び図２において右）には搬出口１２が形成されている。チャンバー１０の底部は、中央に向かうにしたがって下に傾斜している。チャンバー１０の底部の中央部に排気ライン８ａを介し排気ポンプ８が連なっている。排気ポンプ８は、後述する吸引手段３の吸引ポンプと共通の真空ポンプで構成してもよい。
【００１１】
チャンバー１０の上部にノズルヘッド２０が取り付けられている。図１の二点鎖線及び図３に示すように、ノズルヘッド２０は、Ｙ方向に長い大略直方体形状になっている。図２に示すように、ノズルヘッド２０の下面２１（ローラコンベア３０を向く面）は、チャンバー１０の天井面と面一になっているが、これに限定されるものではなく、ヘッド下面２１がチャンバー１０の天井面より下に突出していてもよく、上に引っ込んでいてもよい。
【００１２】
図１の二点鎖線及び図２に示すように、ノズルヘッド２０には、吹出し口２２と吸込み口２３がヘッド下面２１に開口するように形成されている。吹出し口２２及び吸込み口２３は、Ｙ方向に延びるスリット状になっている。吹出し口２２及び吸込み口２３のＹ方向に沿う長さは、被処理物９の幅寸法と略同じか、それより若干大きい。吹出し口２２と吸込み口２３は、互いにＸ方向に離間している。
【００１３】
図２に示すように、吹出し口２２は処理ガス供給ライン２ａを介し処理ガス源２に連なっている。処理ガス源２は、処理内容に応じた処理ガスをノズルヘッド２０に供給する。ここでは、処理ガスの主成分として例えばＣＦ４（ハロゲン系ガス）が用いられている。ＣＦ４は、窒素はアルゴン等で希釈してもよい。処理ガスの主成分として、ＣＦ４に代えて、ＣＨＦ３、Ｃ２Ｆ６、Ｃ３Ｆ８、ＳＦ６、ＮＦ３、ＸｅＦ２などを用いてもよい。供給ライン２ａ上で処理ガスに水（Ｈ２Ｏ）が添加される。水添加後の処理ガスがノズルヘッド２０に導入される。図示は省略するが、ノズルヘッド２０内には、一対の電極が設けられており、これら電極間に大気圧近傍のプラズマ空間が形成されるようになっている。このプラズマ空間内で処理ガスがプラズマ化（分解、励起、活性化、イオン化を含む）され、ＨＦ等の反応成分が生成される。ＨＦは、酸化シリコンに対しエッチング能を有している。このプラズマ化された処理ガスｇが、吹出し口２２から下方へ吹き出される。
【００１４】
吸込み口２３は、吸引ライン３ａを介して吸引ポンプ等の吸引手段３に連なっている。
【００１５】
図１〜図３に示すように、ローラコンベア３０は、複数のローラ３１，３１…と、一対のサイドフレーム３２，３２を有している。図１及び図３に示すように、サイドフレーム３２は、チャンバー１０のＹ方向の両側部に配置され、それぞれＸ方向へ延びている。
【００１６】
ローラ３１，３１…は、ノズルヘッド２０より下側に配置され、チャンバー１０の内部に収容されている。各ローラ３１は、軸線をＹ方向に向けた長い円筒状をなし、一対のサイドフレーム３２，３２間に架け渡されている。図１及び図２に示すように、複数のローラ３１，３１…は、Ｘ方向に間隔を置いて平行に並べられている。Ｘ方向に隣り合うローラ３１，３１どうし間には隙間３３が形成されている。隙間３３はＹ方向に延びている。
【００１７】
ローラ３１の軸長（Ｙ方向の寸法）は、被処理物９の幅より若干（例えば２０ｍｍ程度）大きい。ローラ３１の外直径は、例えば６０ｍｍ程度である。ローラ３１のＸ方向の配置ピッチは、例えば１２０ｍｍ程度である。
【００１８】
図示は省略するが、ローラコンベア３０には、複数のローラ３１を同期して回転させる回転駆動部が設けられている。図２に示すように、これらローラ３１の上に被処理物９が水平に配置される。被処理物９は、ローラ３１の回転によってＸ方向に移動され、ノズルヘッド２０の下方に通されるようになっている。被処理物９がノズルヘッド２０の真下に位置するとき、ヘッド下面２１と被処理物９の上面との間の距離は、例えば３ｍｍ程度である。
【００１９】
この被処理物９の移動軌跡が、被処理物９が移動される平面領域Ｒになる。図２に示すように、平面領域Ｒは、ローラ３１の上端部の高さの水平な面内に位置している。図１に示すように、平面領域ＲのＹ方向の両縁は、チャンバー１０の内壁から若干（例えば１０ｍｍ程度）内側に離れている。ローラ３１の両端部が、平面領域ＲよりＹ方向の外側に延び出ている。
【００２０】
図１〜図３に示すように、ローラコンベア３０の幅方向（Ｙ方向）の両側には、それぞれ遮蔽部材４０，４０が設けられている。各遮蔽部材４０は、幅方向をＹ方向に向けてＸ方向（被処理物９の移動方向）に延びるビーム状になっている。遮蔽部材４０は、ローラ３１の端部と交差している。遮蔽部材４０によって、ローラ３１，３１間の隙間３３のＹ方向の端部が塞がれている。遮蔽部材４０は、処理ガスに対する耐性が高い材質で構成されていることが好ましい。
【００２１】
図１、図２、図４に示すように、遮蔽部材４０には、長手方向（Ｘ方向）に間隔を置いて複数のローラ収容穴４２が形成されている。収容穴４２は、遮蔽部材４０を幅方向（Ｙ方向）に貫通している。収容穴４２の上側部分は、遮蔽部材上面４１に達して開口されている。収容穴４２の遮蔽部材上面４１への開口４２ａは、Ｙ方向に延びるスリット状になっている。
【００２２】
図４の二点鎖線に示すように、各収容穴４２にローラ３１の端部が回転可能に収容されている。ローラ３１の一部が、開口４２ａを介して遮蔽部材上面４１より上（ヘッド下面２１の側）へ僅かに突出されている。ローラ３１の遮蔽部材上面４１からの突出量は、例えば０．５ｍｍ程度である。
【００２３】
図２及び図３に示すように、遮蔽部材４０の上面４１（遮蔽面）は、ノズルヘッド２０の下面２１と対向している。遮蔽部材上面４１は、平面領域Ｒ（被処理物９の移動軌跡）より下側（ノズルヘッド２０側とは反対側）に僅かに離れて平面領域Ｒと平行に配置されている。平面領域Ｒと遮蔽部材上面４１との間の上下方向の離間距離は、例えば０．５ｍｍ程度である。
【００２４】
図１〜図３に示すように、遮蔽部材４０の幅方向の外側面は、平面領域ＲよりＹ方向の外側に位置し、チャンバー１０の内壁又はサイドフレーム３２に接している。遮蔽部材４０の幅方向の内側面は、平面領域Ｒの幅方向の縁より内側に位置している。遮蔽部材上面４１は、平面領域Ｒの幅方向（Ｙ方向）の縁を幅方向に跨ぐように配置されている。言い換えると、平面領域Ｒの幅方向の縁が、平面視で遮蔽部材４０の幅方向の中間に位置されている。遮蔽部材４０の幅（Ｙ方向の寸法）は、例えば１００ｍｍ程度である。遮蔽部材上面４１の幅方向の外側の縁と平面領域Ｒの幅方向の縁とのＹ方向の距離は、例えば１０ｍｍ程度である。遮蔽部材上面４１の幅方向の内側の縁と平面領域Ｒの幅方向の縁とのＹ方向の距離は、例えば９０ｍｍ程度である。
【００２５】
各遮蔽部材３０の幅（Ｙ方向の寸法）は、チャンバー１０及びローラコンベア３０の同方向寸法に比べると十分に小さい。したがって、一対の遮蔽部材４０，４０は、Ｙ方向に大きく離間されている。ローラ３１，３１間の隙間３３の両端部を除く中間部は、何れの遮蔽部材４０にも覆われることなく開放されている。
【００２６】
上記構成の表面処理装置１によれば、被処理物９が、搬入口１１からチャンバー１０内に搬入され、ローラ３１上に載せられ、Ｘ方向に移動され、ノズルヘッド２０の下方を通過する。併行して、処理ガス源２からの処理ガスが、ノズルヘッド２０に供給されてプラズマ化されてエッチング能を付与され、吹出し口２２から吹き出される。この処理ガスｇが、被処理物９に接触し、これにより、被処理物９の表面の酸化シリコン膜がエッチングされる。処理済みのガスは、吸込み口２３から吸い込まれ、吸引手段３から排気される。
【００２７】
ローラコンベア３０で搬送中の被処理物９の幅方向（Ｙ方向）の両端部の下側には遮蔽部材４０が近接して位置する。遮蔽部材４０は、被処理物９の幅方向の外側のローラ間隙間３３を塞いでいる。さらに、被処理物９の下面と遮蔽部材上面４１との間には、間隙４０ａが形成される。間隙４０ａの上下方向の厚さは、極めて小さく（例えば０．５ｍｍ程度）、この厚さに比べ間隙４０ａの幅（Ｙ方向の寸法）は十分に大きい（例えば９０ｍｍ程度）。したがって、間隙４０ａのガスコンダクタンスは極めて小さい。よって、処理ガスｇが、被処理物９の幅方向の外側から間隙４０ａを通ってローラコンベア３０の下方へ漏出するのを十分に防止できる。これにより、被処理物９の幅方向の両端部が処理不足になったり過処理になったりするのを防止することができる。
遮蔽部材４０は、間隙４０ａを介して被処理物９より下方に離れているため、被処理物９と干渉することはない。
【００２８】
遮蔽部材４０は、被処理物９の幅方向の両端部に対応する位置に配置されているだけであり、被処理物９の幅方向の中間部に対応する位置には配置されていない。したがって、図５に示すように、被処理物９の移動方向（Ｘ方向）の後端部が吹出し口２２と吸込み口２３の間に位置しているとき、吹出し口２２から吹き出された処理ガスｇは、ローラ間隙間３３を通ってローラコンベア３０の下方へ流れる。これにより、処理ガスが未反応高濃度のまま被処理物９の移動方向の後端部に接触するのを防止でき、ローディング効果が起きるのを防止できる。
この結果、被処理物９の表面の全体を均一にエッチング処理でき、処理の均一性を十分に高めることができる。
ローラコンベア３０の下方へ流れた処理ガスｇは、チャンバー１０の底部から排気ライン８ａを経て排出される。
【００２９】
次に、本発明の他の実施形態を説明する。以下の実施形態において既述の形態と重複する構成に関しては図面に同一符号を付して説明を省略する。
図６〜図９は、第２実施形態を示したものである。第２実施形態のローラコンベア３０は、長い円筒状のローラ３１に代えて、円盤状のローラ３４と、ローラシャフト３５を有している。シャフト３５は、Ｙ方向に直線状に延び、ローラコンベア３０の両サイドフレーム３２，３２どうしの間に架け渡されている。シャフト３５は、Ｘ方向（被処理物９の移動方向）に間隔を置いて複数並設されている。シャフト３５の並設ピッチは、例えば１２０ｍｍ程度である。
【００３０】
各シャフト３５に複数の円盤状ローラ３４が間隔を置いて取り付けられている。ローラ３４の外直径は、例えば６０ｍｍ程度である。ローラ３４は、遮蔽部材４０の遮蔽部材上面４１より上に僅かに（例えば０．５ｍｍ程度）突出されている。シャフト３５どうし間及び円盤状ローラ３４どうし間に隙間３３が形成されている。
【００３１】
第２実施形態の遮蔽部材４０には、第１実施形態の収容穴４２より小径のシャフト挿通穴４３が複数形成されている。各挿通穴４３は、遮蔽部材４０を幅方向（Ｙ方向）に貫通している。複数の挿通穴４３は、遮蔽部材４０の長手方向（Ｘ方向）に間隔を置いて配置されている。挿通穴４３にシャフト３５の端部が回転可能に挿通されている。
【００３２】
第２実施形態においも、遮蔽部材４０によって、処理ガスｇが被処理物９の幅方向（Ｙ方向）の外側からローラコンベア３０の下方へ漏出するのを防止でき、被処理物９の幅方向の両端部が処理不足になったり過処理になったりするのを防止できる。しかも、処理ガスｇが未反応高濃度のまま被処理物９の移動方向（Ｘ方向）の端部に接触するのを防止でき、ローディング効果が起きるのを防止できる。この結果、被処理物９の表面の全体を均一にエッチング処理でき、処理の均一性を十分に高めることができる。
【００３３】
この発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、種々の改変をなすことができる。
例えば、遮蔽部材４０は、少なくとも遮蔽面４１（平面領域Ｒよりノズルヘッド２０側とは反対側に僅かに離れて平面領域Ｒと平行に配置され、かつ前面領域Ｒの幅方向の縁を幅方向に跨ぐ面）を有し、ローラ間隙間３３の両端部を塞ぐものであればよく、その断面形状は実施形態のものに限定されない。
一対の遮蔽部材４０，４０どうしは、互いに離間していればよく、各遮蔽部材４０の幅が被処理物９の幅の２分の１近くあってもよい。
実施形態に示した寸法は例示であって、本発明が上記寸法に限定されるものではない。
第２実施形態では、すべての円盤状ローラ３４が遮蔽部材４０よりＹ方向の内側に配置されていたが、一部の円盤状ローラ３４が遮蔽部材４０の内部に配置されていてもよく、その場合、遮蔽部材４０には、当該一部の円盤状ローラ３４を収容する収容穴が形成されているのが好ましく、この収容穴が遮蔽面４１に達して開口し、この開口から当該一部の円盤状ローラ３４がノズルヘッド２０の側に僅かに突出されていることが好ましい。
エッチングすべき膜は、酸化シリコンに限られず、アモルファスシリコンやポリシリコン等のシリコンでもよい。その場合、処理ガスにオゾン等の酸化性成分を混合するとよい。
さらに、本発明の処理内容は、エッチングに限定されず、成膜、洗浄、表面改質等の種々の表面処理に適用できる。
【産業上の利用可能性】
【００３４】
本発明は、例えば半導体装置の製造分野においてシリコンや酸化シリコンのエッチング等に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本発明の第１実施形態に係る表面処理装置を示し、図２のＩ−Ｉ線に沿う平面図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線に沿う、上記表面処理装置の側面断面図である。
【図３】図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う、上記表面処理装置の正面断面図である。
【図４】上記表面処理装置の遮蔽部材の斜視図である。
【図５】上記表面処理装置において、被処理物の移動方向の後端部がノズルヘッドの吹出し口より移動方向の前方に位置している状態の側面断面図である。
【図６】本発明の第２実施形態に係る表面処理装置を示し、図７のＶＩ−ＶＩ線に沿う平面図である。
【図７】図６のＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿う、上記第２実施形態に係る表面処理装置の側面断面図である。
【図８】図７のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線に沿う、上記第２実施形態に係る表面処理装置の正面断面図である。
【図９】上記第２実施形態に係る表面処理装置の遮蔽部材の斜視図である。
【符号の説明】
【００３６】
Ｒ 被処理物が移動される平面領域
１ 表面処理装置
２ 処理ガス源
３ 吸引手段
９ 被処理物
８ 排気ポンプ
１０ チャンバー
１１ 搬入口
１２ 搬出口
２０ ノズルヘッド
２１ ノズルヘッド下面（ローラコンベアを向く面）
２２ 吹出し口
２３ 吸込み口
３０ ローラコンベア
３１ ローラ
３２ サイドフレーム
３３ 隙間
３４ 円盤状ローラ
３５ シャフト
４０ 遮蔽部材
４０ａ 間隙
４１ 遮蔽部材上面（遮蔽面）
４２ ローラ収容穴
４２ａ 開口
４３ シャフト挿通穴
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理物に処理ガスを吹き付けて前記被処理物の表面を処理する装置であって、
前記被処理物を移動方向に移動させるローラコンベアと、
前記ローラコンベアを向く面を有し、この面に前記処理ガスを吹き出す吹出し口とガスを吸い込む吸込み口とが開口されたノズルヘッドと、
を備え、前記ローラコンベアの前記移動方向と直交する幅方向の両側部にはローラどうし間の隙間を覆う一対の遮蔽部材が設けられ、各遮蔽部材が、前記ノズルヘッドの側を向く遮蔽面を有し、この遮蔽面が、前記被処理物が移動される平面領域より前記ノズルヘッド側とは反対側に僅かに離れて前記平面領域と平行に配置され、かつ前記平面領域の前記幅方向の縁を前記幅方向に跨いでおり、前記一対の遮蔽部材どうしが前記幅方向に離れ、前記ローラコンベアの前記幅方向の中央部のローラどうし間の隙間は、何れの遮蔽部材にも覆われることなく開放されていることを特徴とする表面処理装置。
【請求項２】
前記ローラが、軸線を前記幅方向に向けた長い円筒状になっており、前記遮蔽部材に前記ローラの端部を回転可能に収容する収容穴が形成され、前記収容穴が、前記遮蔽面に達して開口し、この開口を介して前記ローラが前記遮蔽面より前記ノズルヘッド側へ僅かに突出されていることを特徴とする請求項１に記載の表面処理装置。
【請求項３】
前記ローラが、前記幅方向と直交する円盤状をなし、前記幅方向に延びるシャフトに前記ローラが前記遮蔽面より前記ノズルヘッド側へ僅かに突出されるように設けられており、前記遮蔽部材に前記シャフトを回転可能に挿通する挿通孔が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の表面処理装置。
【請求項４】
前記表面処理が、大気圧近傍下でのプラズマエッチングであることを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の表面処理装置。
【請求項１】
被処理物に処理ガスを吹き付けて前記被処理物の表面を処理する装置であって、
前記被処理物を移動方向に移動させるローラコンベアと、
前記ローラコンベアを向く面を有し、この面に前記処理ガスを吹き出す吹出し口とガスを吸い込む吸込み口とが開口されたノズルヘッドと、
を備え、前記ローラコンベアの前記移動方向と直交する幅方向の両側部にはローラどうし間の隙間を覆う一対の遮蔽部材が設けられ、各遮蔽部材が、前記ノズルヘッドの側を向く遮蔽面を有し、この遮蔽面が、前記被処理物が移動される平面領域より前記ノズルヘッド側とは反対側に僅かに離れて前記平面領域と平行に配置され、かつ前記平面領域の前記幅方向の縁を前記幅方向に跨いでおり、前記一対の遮蔽部材どうしが前記幅方向に離れ、前記ローラコンベアの前記幅方向の中央部のローラどうし間の隙間は、何れの遮蔽部材にも覆われることなく開放されていることを特徴とする表面処理装置。
【請求項２】
前記ローラが、軸線を前記幅方向に向けた長い円筒状になっており、前記遮蔽部材に前記ローラの端部を回転可能に収容する収容穴が形成され、前記収容穴が、前記遮蔽面に達して開口し、この開口を介して前記ローラが前記遮蔽面より前記ノズルヘッド側へ僅かに突出されていることを特徴とする請求項１に記載の表面処理装置。
【請求項３】
前記ローラが、前記幅方向と直交する円盤状をなし、前記幅方向に延びるシャフトに前記ローラが前記遮蔽面より前記ノズルヘッド側へ僅かに突出されるように設けられており、前記遮蔽部材に前記シャフトを回転可能に挿通する挿通孔が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の表面処理装置。
【請求項４】
前記表面処理が、大気圧近傍下でのプラズマエッチングであることを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の表面処理装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【公開番号】特開２００９−２９５８０６（Ｐ２００９−２９５８０６Ａ）
【公開日】平成２１年１２月１７日（２００９．１２．１７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−１４８１８５（Ｐ２００８−１４８１８５）
【出願日】平成２０年６月５日（２００８．６．５）
【出願人】（０００００２１７４）積水化学工業株式会社 (5,781)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年１２月１７日（２００９．１２．１７）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年６月５日（２００８．６．５）
【出願人】（０００００２１７４）積水化学工業株式会社 (5,781)
【Ｆターム（参考）】
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