【課題】基板表面に薄膜を形成する基板処理で、処理の進行具合をリアルタイムで把握して処理の終了時点を精度よく検出できる方法を提供すること。
【解決手段】基板１上に絶縁膜２を形成する基板処理装置１０であって、絶縁膜２を波長可変単色光ｓで照射し、絶縁膜２および基板１からの各反射光を干渉させる干渉光発生手段１２と、所望膜厚での干渉光強度Ｉが極小になるように単色光ｓの基準波長λ_０を設定する基準波長設定部２８と、基準波長を挟む２波長（λ_１、λ_２）間で単色光ｓを波長変調する変調部２６と、これに応じた干渉光強度Ｉを検出する干渉光検出器１８と、絶縁膜２が所望膜厚に達する直前から所望膜厚に達するまでの干渉光強度Ｉの変化に基づいて、最大波長（λ_２）時と最小波長（λ_１）時の干渉光強度の差分ΔＩが零または所定値になる時点を基板処理の終了時点として検出する終了時点検出手段２０とを備える。 （もっと読む）

【課題】測定対象物上に薄膜が形成されている場合でも、測定対象物の温度を従来に比べて正確に測定できる温度測定方法を提供する。
【解決手段】光源からの光を、基板上に薄膜が形成された測定対象物の測定ポイントまで伝送する工程と、基板の表面での反射光による第１の干渉波と、基板と薄膜との界面及び薄膜の裏面での反射光による第２の干渉波を測定する工程と、第１の干渉波から第２の干渉波までの光路長を算出する工程と、第２の干渉波の強度に基づいて、薄膜の膜厚を算出する工程と、算出した薄膜の膜厚に基づいて、基板の光路長と算出した光路長との光路差を算出する工程と、算出した光路差に基づいて算出した第１の干渉波から第２の干渉波までの光路長を補正する工程と、補正された光路長から測定ポイントにおける測定対象物の温度を算出する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】光の波長以下の微細加工における深さ制御を高い精度で行うことが可能なエッチング方法と、これを利用したナノインプリント用モールドの製造方法と検査方法およびエッチング装置を提供する。
【解決手段】 開口部（３）を有するエッチングマスク（２）を介して基材（１）をエッチングする際に、予めエッチングによるエッチングマスク（２）の減少量（ａ−ｂ）と基材１のエッチング深さｄとの関係式を設定し、エッチングマスク（２）の減少量（ａ−ｂ）を測定することにより上記関係式から対応するエッチング深さｄを算出して、エッチングの制御を行うこととする。 （もっと読む）

【課題】被加工物に対する加工後に得られる平坦度を所望の平坦度に制御でき、加工量を抑制することができる平坦化加工方法を提供する。
【解決手段】被加工物の表面の凹凸に関する凹凸情報を取得する凹凸情報取得ステップと、凹凸情報に基づいてシミュレーションを行い、被加工物の表面が所定の平坦度を満たすための加工量を求めるシミュレーションステップと、加工量に基づいて被加工物の表面の局所加工を行う加工ステップとを備え、シミュレーションステップでは、複数のセルに分割された被加工物表面を多平面最適化し、各平面が目標とする平坦度を満たすまでシミュレーションを繰り返すことにより加工量を求める。 （もっと読む）

【課題】プロセス条件やマスク条件を変えることなく、容易にエッチング形状を制御することができるエッチング装置及び半導体装置の製造方法を得る。
【解決手段】真空チャンバ１０内に、被処理物２０を載置するステージ２２が設けられている。真空チャンバ１０内のステージ２２の上方に、ＩＣＰ電極２４（第１の電極）が設けられている。ＩＣＰ電極２４と真空チャンバ１０の天井１２の間に、平面状電極２６（第２の電極）が設けられている。真空チャンバ１０内に処理ガスを導入するガス供給手段１６が設けられている。高周波電源３２が、ＩＣＰ電極２４に接続され、かつ可変コンデンサ３６（可変容量素子）を介して平面状電極２６にも接続されている。高周波電源３２がＩＣＰ電極２４及び平面状電極２６に高周波電力を供給することで、真空チャンバ１０内に処理ガスの誘導結合プラズマが発生する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、エッチング後の残膜を一定の膜厚とできる残膜制御性のよい薄膜形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】第１膜厚の第１部分と、該第１膜厚より薄い第２膜厚の第２部分とを有する薄膜を形成する方法であって、基板上に該第１膜厚の該薄膜を成膜する工程と、成膜時の該薄膜にレーザ照射を行って反射波の干渉波形である成膜時干渉波形を取得する工程と、該薄膜の該第２部分をエッチングする工程と、該エッチング時の該第２部分にレーザ照射を行ってエッチング時干渉波形を取得する工程と、該成膜時干渉波形に基づいて、該第２部分が該第２膜厚になった状態の該エッチング時干渉波形である目標エッチング時干渉波形を演算する工程とを備え、該エッチング時干渉波形が該目標エッチング時干渉波形となった時点でエッチングをストップすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチング途中の半導体基板のエッチング状態を時間をかけずに観測する手段を提供し、かつその観測結果を後のエッチング条件に反映する方法を提供すること。
【解決手段】平行平板型のドライエッチング装置において、半導体基板を載置する電極とは反対の電極の内部に顕微鏡機能および膜厚測定機能を有するカメラを設置し、このカメラを用いて半導体基板のエッチング状態を観測できるようにした。カメラには上下移動機構、カメラ設置側の電極にはシャッター機構がついている。エッチング中はこのシャッターが閉じていて、エッチングガスやプラズマがカメラに接触しないようになっている。また、エッチング途中でシャッターを開き電極内部へ設置したカメラを用いて半導体基板を観測できる。さらに、シャッターは電極と同一または類似の材料から形成され、電極の一部となっていて、シャッター部がエッチング中のプラズマ状態を乱さない。 （もっと読む）

【課題】外乱が加わってもエッチング量の算出を安定して正確に行うことができるエッチング量算出方法を提供する。
【解決手段】マスク膜１３１を用いてトレンチ１３２を形成するウエハＷのエッチングにおいて、ウエハＷにレーザ光Ｌ１を照射し、マスク膜干渉光及びトレンチ干渉光が重畳された重畳干渉光を受光して重畳干渉波を算出し、現タイミングＴを終点とする窓の波形を抽出し、該窓の波形に最大エントロピー法を用いて周波数解析を施して得られた周波数分布からトレンチ干渉光を検出し、窓の終点をΔｔだけずらしつつ重畳干渉波の算出、窓の波形の抽出、窓の波形の周波数解析及びトレンチ干渉周期の検出を繰り返し、繰り返しの度に検出されたトレンチ干渉周期を積算平均し、該積算平均されたトレンチ干渉周期に基づいてトレンチ１３２のエッチング量を算出する。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ基板のエッチング処理を行いながら、そのエッチング量をモニタリングすることにより、所望のエッチング量で再現性よくエッチングを行うことを目的とする。
【解決手段】本発明に係るエッチング処理方法は、（ａ）表裏両面を鏡面研磨されたＳｉＣ素基板２の表面を反応性プラズマによりエッチング処理するとともに、ＳｉＣ基板２の表面または裏面にレーザ光１４を入射する工程を備える。そして、（ｂ）ＳｉＣ基板２の表裏両面それぞれから反射したレーザ光１４の光強度を検出し、当該検出した光強度が示す干渉波形に基づいてエッチング量を算出し、当該エッチング量が所望のエッチング量となった場合に、工程（ａ）のエッチング処理を停止する工程を備える。 （もっと読む）

【課題】 エッチング深さを短時間で計算することができる時間応答性に優れたエッチング深さの検出方法を提供する。
【解決手段】 本発明のエッチング深さの検出方法は、半導体ウエハに光Ｌを照射する工程と、被エッチング層Ｅの上面及び被エッチング部Ｅ’の表面からの反射光Ｌ_０による周期変動する干渉光Ｌ_１を検出する工程と、干渉光強度から近似式(6)の定数Ｉ_ｄｃ、Ｉ_ｐｐ、γを決定する近似式定数決定工程と、定数Ｉ_ｄｃ、Ｉ_ｐｐ、γの決定した近似式(6)と干渉光強度の極値Ｉ_１、Ｉ_２、Ｉ_３とに基づきエッチング深さδ(ｔ)を算出するエッチング深さ算出工程とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 高効率で異物粒子を検出できるパーティクルカウンターを搭載したプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】 処理室にガスを供給する手段と、処理室を減圧する排気手段と、被処理体を戴置するステージと、バタフライバルブとを備えたプラズマ処理装置において、該バタフライバルブがおおむね閉じた状態において、該バタフライバルブのブレード間に生じる間隙にパーティクルカウンターのレーザー光を通したことを特徴とするプラズマ処理装置
【効果】 パーティクルカウンターによる異物粒子の検出効率が高まるため、プラズマ処理装置の異物粒子による汚染度合いをより正確に把握できる。 （もっと読む）

【課題】反りが生じた基板に割れ又はクラックを生じさせることなくエッチングを行う。
【解決手段】基板Ｗの反り量はエッチング対象膜の膜厚に大きく関係し、その膜厚が大きいほど膜応力も大きくなる結果、基板の反り量は大きくなる。一方、エッチングが進行するとエッチング対象膜の膜厚は減少し、膜応力も徐々に緩和されることから、基板の反り量は小さくなる。そこで本発明では、エッチングの開始から終了にかけて、基板に印加するバイアス電圧を段階的に大きくする。これによって、基板の反り量が比較的大きく冷却効率が低いエッチング開始直後において、イオンアシスト作用による加熱で基板に割れ又はクラックが生じることを回避する。そして、エッチングが進行し、基板の反り量が小さくなると、冷却用ガスによる基板裏面の冷却効率が高まるため、バイアス電圧を大きくしても基板の所定以上の温度上昇が防止される。 （もっと読む）

【課題】シースが歪むのを防止できると共に、構成を簡素にすることができ、さらに、基板へのパーティクルの付着を防止することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１０は、ウエハＷを収容するチャンバ１１と、該チャンバ１１内に配されてウエハＷを載置する静電チャック１２と、該静電チャック１２において載置されたウエハＷの周縁を囲むように配されるフォーカスリング２１と、静電チャック１２に高周波電力を供給する下部高周波電源１６と、チャンバ１１内のシースの厚さ分布（プラズマの分布）を光学的に観測するＣＣＤカメラ３７と、フォーカスリング２１にローパスフィルタ３４、給電棒１８及び静電チャック１２を介して負の直流電圧を印加するフォーカスリング用直流電源３３と、観測されたプラズマの分布に基づいて印加する直流電圧の値を設定するコントローラ３８とを備える。 （もっと読む）

【課題】処理対象層の残存膜厚が所定値よりも小さくなった場合に正確にエッチレートを変更することができる処理終点検出方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、ウエハＷにおいて貫通穴Ｈを単結晶シリコン層Ｐに形成するための第１のエッチングを開始し、終点検出装置２５が、赤色光乃至近赤外光のいずれかのレーザ光ＬをウエハＷへ照射し、ウエハＷからの反射光を受光し、受信した電気信号に基づいて反射光の波形を周波数分析し、コントローラ２９は周波数分析の結果において残層干渉光に対応する周波数帯（所定の周波数）における強度が予め設定された閾値を越えるか否かを判定し、残層干渉光に対応する周波数帯における強度が予め設定された閾値を越える場合には、貫通穴Ｈにおける単結晶シリコン層Ｐを除去してシリコン酸化層Ｏを露出させるための第２のエッチングを開始する。 （もっと読む）

【課題】成膜中の膜厚またはエッチング中のエッチング深さを測定する。
【解決手段】半導体ウエハ１の第１表面およびリファレンスミラー１３からのそれぞれの反射波１７ｃ、１７ｄによって第１干渉波を検出する。次いで、半導体ウエハ１の第１表面をエッチングすることによって、第１表面から第２表面へ変形する。次いで、半導体ウエハ１の第２表面およびリファレンスミラー１３からのそれぞれの反射波１７ｃ、１７ｄによって第２干渉波を検出する。次いで、第１干渉波と第２干渉波との位相差を電圧値に変換して、リファレンスミラー１３が固定された圧電素子１５にその電圧値を印加して、圧電素子１５を変位させると共にリファレンスミラー１３を移動する。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、高アスペクト比の特徴部をエッチングするのに適した処理チャンバのような装置を提供する。他の実施形態では、高アスペクト比のエッチング中に良好な処理結果を得ることのできる種々のチャンバコンポーネントが開示される。例えば、一実施形態では、シャワーヘッドアセンブリ及び基板支持アセンブリが配置されたチャンバ本体を備えた処理チャンバが提供される。シャワーヘッドアセンブリは、少なくとも２つの流体分離されたプレナムと、光学的計測信号を透過する領域と、シャワーヘッドアセンブリを通して形成されて前記プレナムをチャンバ本体の内部容積部へ流体結合する複数のガス通路とを備えている。他の実施形態では、新規なカソードライナー、上部外側ライナー、下部外側ライナー、基板支持アセンブリ、蓋アセンブリ、シャワーヘッドアセンブリ、及び石英リングの少なくとも１つが設けられ、これらは、高アスペクト比の特徴部をプラズマエッチングするのに有益である。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体層を精度良くパターン加工できるドライエッチング方法を提供すること。
【解決手段】チャンバ内にプラズマを発生させて、基板上の複数の化合物半導体層を上層から下層へ向かってエッチングする（Ｓ１）。チャンバ内のプラズマの発光スペクトルを観測して、発光スペクトルの変化に基づいて特定の化合物半導体層のエッチング開始タイミングを検出する（Ｓ４）。プラズマによるその特定の化合物半導体層のエッチングを継続しながら、レーザ干渉法によってその特定の化合物半導体層のエッチングレートを算出する（Ｓ５）。それらのエッチング開始タイミングとエッチングレートとに基づいて、その特定の化合物半導体層が所定の深さまでエッチングされるようにエッチング終了タイミングを設定して（Ｓ６）、エッチングを停止する（Ｓ７）。 （もっと読む）

【課題】マイクロ波の伝播に関する基本的な性能を維持しつつ同軸導波管の中心導体内に内径が大きな中空路を形成することが可能なマイクロ波導入装置を提供する。
【解決手段】所定の周波数のマイクロ波を発生するためのマイクロ波発生器７９と、発生したマイクロ波を所定の振動モードに変換するためのモード変換器７２と、所定の空間に向けて設けられた平面アンテナ部材５６と、モード変換器と平面アンテナ部材とを連結してマイクロ波を伝播する同軸導波管６４とを有するマイクロ波導入装置５４において、同軸導波管の中心導体を中空にして内径Ｄ１が第１の所定値以上の中空路８４を形成し、同軸導波管の筒状の外側導体の内径の半径ｒ１と前記中心導体の外径の半径ｒ２との比”ｒ１／ｒ２”を第２の所定値に維持しつつ外側導体の内径Ｄ２を第３の所定値以下となるように設定する。 （もっと読む）

【課題】 マスクの有無に依存せず、被エッチング層の層厚が結晶成長時のばらつきなどによって変動しても、エッチング深さを計測することができるエッチング方法を提供する。
【解決手段】 光源ディテクタＡ部１０に含まれる光源から出射された２つの異なる波長の光は、被エッチング基板３０に照射され、被エッチング基板３０で反射される。被エッチング基板３０で反射された２つの反射光は、被エッチング層の表面および被エッチング層間の境界面で反射された反射光によって生じる干渉光を含む。光源ディテクタＡ部１０に含まれるディテクタは、受光した２つの干渉光の強度をそれぞれ電気信号に変換して、制御部に出力する。制御部は、２つの干渉光のうち振幅の大きいほうの干渉光の周波数から、エッチング速度を求め、求めたエッチング速度とエッチングを行った時間とから、エッチング深さを算出する。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】半導体ウエハのプラズマ処理の終点を決定するための方法は、光源を準備する工程と、光源からの光をコリメートして、半導体ウエハの活性面に整列させるためのレンズシステムを準備する工程とを備える。光源からレンズシステムに光を伝達する光源ファイバの間に、複数の光検出器ファイバが介在する。半導体ウエハの活性面からの反射光は、複数の光検出器ファイバによって受信され、画像化分光計に供給される。受信された反射光は、画像化分光計によって解析され、モデル光信号と照合される。照合した光信号は、プラズマ処理の終点またはその他の状態を決定するために選択される。 （もっと読む）