【課題】大掛かりな装置を必要とせず、被処理物のそれぞれについて水蒸気プラズマ処理の完了を個別検知することが可能なインキ組成物及びそれを用いたインジケーターを提供する。
【解決手段】１）アントラキノン系色素、アゾ系色素及びメチン系色素の少なくとも１種並びに２）バインダー樹脂、カチオン系界面活性剤及び増量剤の少なくとも１種を含有する水蒸気プラズマ処理検知用インキ組成物。 （もっと読む）

【課題】ウェーハの温度を調整する方法および装置を提供すること。
【解決手段】ウェーハの材質をエッチングするエッチング・システム１００は、測定装置１１４、エッチングチャンバ１０２、および制御装置１１２を有する。測定装置１１４は、複数の設定位置でのウェーハのプロファイルに沿って微細寸法テストフィーチャ（ＣＤ）を測定する。エッチングチャンバ１０２は、ウェーハを保持するチャック１０８と、該チャック１０８内の各設定位置に隣接して配置される複数の発熱体１１０と、を有し、測定装置１１４からウェーハを受け取る。制御装置１１２は、ＣＤを受け取る測定装置１１４および発熱体１１０に接続される。この制御装置１１２は、エッチング処理前のリソグラフィ処理で生じるＣＤばらつきを補正するために、エッチング処理の温度依存であるエッチング特性を用いて、各設定位置の間の微細寸法のばらつきを減らす処理において、各発熱体の温度を調整する。 （もっと読む）

【課題】 全てのウエーハのエッチング量を容易に測定可能なエッチング量検出方法を提供することである。
【解決手段】 ウエーハの被エッチング面にエッチング不要領域を有するウエーハをエッチングした際のエッチング量を検出するエッチング量検出方法であって、ウエーハをエッチングする前にウエーハの該エッチング不要領域上に耐エッチング部材を配設する耐エッチング部材配設ステップと、該耐エッチング部材が配設されたウエーハの被エッチング面をエッチングするエッチングステップと、該エッチングステップを実施した後、該耐エッチング部材の厚みを除いた未エッチング領域の厚みとエッチングされた領域の厚みを測定し、エッチングで除去された厚みを検出するエッチング量検出ステップと、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】エッチングの終点を適切に判断することが可能な半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の半導体領域をエッチングするとともに、第１の半導体領域のエッチング量および第１のマスク層のエッチング量を測定する。第１の半導体領域のエッチング量および第１のマスク層のエッチング量から選択比Ｋを得る。第２の半導体領域２４をエッチングするとともに、該エッチング期間中に第２のマスク層２５ａの厚さＦを分光エリプソメトリにより測定して、該測定の測定値と選択比Ｋとを用いてエッチングの停止を判断する。第２の半導体領域２４の材料は、第２のマスク層２５ａの材料と異なる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理チャンバの使用のために故障を検出する方法及び装置を提供する。
【解決手段】プラズマチャンバ内でプラズマ処理が開始され、前記プラズマ処理に関するプラズマパラメータデータが、平面イオン流束（ＰＩＦ）タイプのプローブ１１０の使用により得られ、プローブ１１０の感知表面１１７は、プラズマに曝され、かつ前記プラズマチャンバ内のシャワーヘッド電極１１８の表面と同じ平面にあり、故障状態を示すために前記プラズマパラメータデータが評価される。 （もっと読む）

【課題】良好なエッチングの制御性を提供できる化合物半導体光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】III−Ｖ族化合物半導体からなる半導体基板上１０１にＧａを構成原子として含むコンタクト層１０５を形成し、コンタクト層１０５上にＧａを構成原子として含まないエッチングモニタ層１０６を形成し、エッチングモニタ層上にＧａを構成原子として含むカバー層１０７を形成する半導体層形成工程と、塩素系ガスを用いたドライエッチングにより、カバー層１０７及びエッチングモニタ層１０６を連続してエッチングするエッチング工程と、を含み、エッチング工程では、Ｇａの発光プラズマの波長成分の有無を観察することにより、ドライエッチングを停止するタイミングを制御することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板上の犠牲膜又は被処理膜のパターンの寸法を正確に測定し、基板上の被処理膜にスペース比率が１：１となるパターンを形成する。
【解決手段】検査用ウェハのモニターパターンの目標スペース比率を１：１と異なる比率に決定する（Ｓ１）。ライブラリのスペース比率の範囲を、目標スペース比率を含み１：１を含まない範囲に決定する（Ｓ２）。検査用ウェハに所定の処理を行い、被処理膜にモニターパターンを形成する（Ｓ３〜Ｓ８）。モニターパターンの寸法を測定する（Ｓ９）。モニターパターンの寸法を１：１のスペース比率の被処理膜のパターンの寸法に変換し（Ｓ１０）、変換された被処理膜のパターンの寸法に基づいて所定の処理の処理条件を補正する（Ｓ１１）。その後、補正された条件でウェハに所定の処理を行い、被処理膜に１：１のスペース比率のパターンを形成する（Ｓ１２〜Ｓ１７）。 （もっと読む）

【課題】光の波長以下の微細加工における深さ制御を高い精度で行うことが可能なエッチング方法と、これを利用したナノインプリント用モールドの製造方法と検査方法およびエッチング装置を提供する。
【解決手段】 開口部（３）を有するエッチングマスク（２）を介して基材（１）をエッチングする際に、予めエッチングによるエッチングマスク（２）の減少量（ａ−ｂ）と基材１のエッチング深さｄとの関係式を設定し、エッチングマスク（２）の減少量（ａ−ｂ）を測定することにより上記関係式から対応するエッチング深さｄを算出して、エッチングの制御を行うこととする。 （もっと読む）

【課題】載置部に載置される被処理基板に対して真空処理を施す真空処理機構と、真空処理機構を制御する制御装置とを備えた真空処理装置、および、これを用いる真空処理方法を提供する。
【解決手段】被処理基板Ｗと略同形同大に形成され、真空処理状態の情報を検出する検出素子１１ｄと検出した情報を処理する情報処理素子１１ｐとを有するセンサ基板１１を、載置部１０に載置し、真空処理機構３１により真空を用いた処理を施す。センサ基板１１が真空処理を施される際において、真空処理状態の情報が検出、処理される。処理された真空処理状態の情報に基づいて、制御装置５１により、真空処理機構３１を制御して被処理基板Ｗに対して真空処理を施す。 （もっと読む）

【課題】簡便かつ的確に大気圧プラズマの良否検査を行うことができるプラズマ検査方法、プラズマ処理方法、プラズマ検査装置及びプラズマ処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】測定試料４２の表面に大気圧プラズマＰＺを照射するプラズマ照射工程（ステップＳＴ８）と、大気圧プラズマＰＺが照射された測定試料４２の表面の状態を検出する表面状態検出工程（ステップＳＴ９）と、検出した測定試料４２の表面の状態に基づいて大気圧プラズマＰＺの状態の良否判定を行う判定工程（ステップＳＴ１０及びステップＳＴ１１）を実行する。 （もっと読む）

【課題】中性粒子ビームが照射される被処理体の加工状態を把握するため、被処理体と同じ位置において中性粒子ビームの諸特性（全エネルギーフラックス、残留イオン、光エネルギーフラックス）を観測することが可能な測定ユニットを提供する。
【解決手段】測定ユニット１２は、真空処理空間内にあって、中性粒子ビームが照射される被処理体１１と同じ領域内に収容可能なチップ状の基材と、該基材に配された全エネルギーフラックスの測定部および残留イオンの測定部と、を少なくとも備える。 （もっと読む）

【課題】プラズマの全体的な発光分布を観測することができる観測用基板を提供する。
【解決手段】基板処理システム１０のプロセスモジュール１２における処理空間Ｓのプラズマの発光状態を観測する観測用ウエハ４３は、基部４４と、該基部４４の処理空間Ｓに対向する表面４４ａに配された複数の撮像ユニット４５とを備え、該撮像ユニット４５はレンズ４６と撮像素子４７とを有し、該撮像素子４７は撮影した画像を格納するメモリを有する。 （もっと読む）

【課題】ワークにプラズマ処理を施す際に、そのワークの一部に処理痕を形成することにより、この処理痕を検出することによって、プラズマ処理の際の条件を推定可能にするプラズマ処理方法を提供すること。
【解決手段】本発明のプラズマ処理方法は、有効領域１０１ａの全面にエッチング加工を施す方法であって、［１］ワーク１０をプラズマ処理装置の載置部に載置する準備工程と、［２］ワーク１０の非有効領域１０１ｂに処理痕１１０を形成する第１の処理痕形成工程と、［３］有効領域１０１ａにプラズマ処理を施す本処理工程と、［４］非有効領域１０１ｂに処理痕１２０を形成する第２の処理痕形成工程とを有する。各処理痕１１０、１２０の凹部の深さから、各処理痕１１０、１２０を形成する際のエッチング条件を算出することができるので、これにより、本処理におけるエッチング条件を推定することができる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置において、チャージングダメージの発生を大幅に改善して、プラズマ処理の安定性および信頼性の向上を実現するとともに、プラズマ処理の面内均一性の向上を実現する。
【解決手段】真空排気可能な処理容器１０に上部電極３８と下部電極１２とが平行に配置され、下部電極１２には第１高周波電源３２より第１整合器３４を介して第１の高周波が印加される。制御部６８は、プラズマ生成に寄与する第１の高周波が、プラズマを生成させる第１の振幅を有する第１の期間とプラズマを実質的に生成させない第２の振幅を有する第２の期間とを所定の周期で交互に繰り返すように、第１高周波電源３２を制御する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置において、プラズマ中のラジカル種を分離して直接測定し、真空チャンバ内のコンディションの変化を正確に把握する。
【解決手段】処理室２０１と、処理室に処理ガスを供給する手段と、処理室を減圧する真空排気手段２０８と、被処理体２０２を載置する被処理体戴置台２０４と、プラズマ生成のための高周波電源２０６とを有するプラズマ処理装置において、アスペクト比の異なる微細孔を有するフィルタを介して堆積する膜厚を測定する膜厚モニタ２１１を備える。 （もっと読む）

【課題】時間を費やさない簡便な手順でエッチング量を正確に確定することのできる半導体デバイスのエッチング量判定方法を提供する。
【解決手段】エッチング量判定方法は基板上にステップ状の複数の区域を有するモニター部を備えた擬似電極を形成する。次いで、試料の電極と同時にモニター部の第１区域および第２区域をエッチングし、このとき現われる基板の露出面積に基づいてエッチング量を確定する（１次判定）。次いで、電極と同時にモニター部の第２区域をエッチングし、このとき現われる基板の露出面積に基づいてエッチング量を確定する（最終判定）。 （もっと読む）

【課題】リッジストライプ形成の際の加工形状の制御性とエッチング深さの制御性とを両立させることができ、かつ、終点検出層が存在することによる特性劣化や歩留りの低下を防ぐことができる半導体レーザ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】コンタクト層１０９上に、第１開口部を有する第１マスクを形成して、第１開口部から露出しているコンタクト層１０９をエッチングする。そして、第１マスクを除去した後、エッチングされたコンタクト層１０９の部分の上に位置するモニタリング用開口部１３１ａと、リッジストライプを形成するための第２開口部１３１ｂとを有する第２マスクを、コンタクト層１０９上に形成する。そして、モニタリング用開口部１３１ａへ光を照射して、モニタリング用開口部１３１ａからの反射光による反射干渉波形をモニタリングしながら、第２マスクを用いたドライエッチングを行う。 （もっと読む）

【解決手段】プロセス条件測定素子は、二つの導電性基板部分に挟まれた電子部品を備える。導電性経路により、該導電性基板部分は接続される。基板部分より自然酸化物が除去され、導電性コンタクト・パッドが形成され、該導電性コンタクト・パッドは、導電性接着剤により接合され、導電性経路が形成される。シールドされた電子部品へと伸びる導電性リードを備えるセンサーを、プロセス条件測定素子の外部へ設置可能である。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造工程において、エッチング量のモニタ精度を向上させる。
【解決手段】絶縁膜（バンク）１３によって所望の形状に区画された領域（開口部ＯＡ１）内に、膜厚の異なる検査パターン１７ａ〜１７ｄを形成し、ＴＦＴを構成するゲート絶縁膜１７のエッチング工程のモニタとして使用し、例えば、ゲート絶縁膜１７と同等もしくはゲート絶縁膜より若干厚い膜厚の検査パターン（例えば１７ｃ）が消失した時点で、エッチングを終了する。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチングにおける、パターンが密な部分のエッチングレートとその他の部分のエッチングレートとの差を評価することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】 絶縁膜２上に形成され、互いに離間かつ略平行に配置され、互いが電気的に分離された複数の第１の導体パターンを有する第１のＴＥＧパターン４ｃと、絶縁膜２上に形成され、互いに離間かつ略平行に配置された複数の第２の導体パターン、及び、前記複数の第２の導体パターンを互いに接続する第３の導体パターンを有している第２のＴＥＧパターン４ｅと、いずれかの前記第１の導体パターンに接続された第１の検査用ゲート電極４ａと、第２のＴＥＧパターン４ｅに接続された第２の検査用ゲート電極４ｂと、第１の検査用ゲート電極４ａの下に位置する第１の検査用ゲート絶縁膜３ａと、第２の検査用ゲート電極４ｂの下に位置する第２の検査用ゲート絶縁膜３ｂとを具備する。 （もっと読む）