【課題】 改良された電極板に対する方法および装置を提供することである。
【解決手段】 プラズマ処理システム内で電極（２８）に結合されるように構成された電極板（２６）は、ガス注入デバイス（１１０）を受けるように構成された複数のガス注入穴（１００）を有している。電極板は、３つ以上の取付け穴（１４０）を有し、この電極板は、電極に取り付けられた３本以上の取付ねじで３つ以上の取付け穴を位置合わせし、および結合することによってプラズマ処理システム内で電極と結合されるように構成される。 （もっと読む）

【課題】基板上の誘電体レイヤにおいてトレンチ深さまでトレンチをエッチングする方法を提供する。
【解決手段】ＡＲＣが前記誘電体レイヤ上に設けられる。厚さを有するフォトレジストマスクが前記ＡＲＣ上に形成される。前記ＡＲＣがエッチングされる。１：１および２：１の間であるフォトレジストに対する誘電体のエッチング選択性で、トレンチが前記誘電体レイヤ中へエッチングされる。 （もっと読む）

プラズマ処理システムの半導体基板を処理する処理方法が開示される。本処理方法は、第１の電気的な測定装置に接続された第１の端子と、第２の電気的な測定装置に接続された第２の端子とを有する高周波結合構造体を提供することを含む。本処理方法は、第２の端子に補償回路を接続することも含んでいる。本処理方法は、前記第１の電気的な測定装置および前記第２の電気的な測定装置から情報を得るように接続されたフィードバック回路を提供し、フィードバック回路の出力が、前記第１の端子の第１の電気値と前記第２の端子の第２の電気値の間の比率をほぼ所定の比率に保つように前記補償回路を制御するのに用いられる。 （もっと読む）

半導体材料（１０２）のウエハ（１００）上に貫通ビア（１１６、１１８）をエッチングするための方法（１０）であって、ウエハ（１００）が前側表面（１１０）と裏側表面（１０６）を有する方法を記載する。フォトレジスト材料の層（１０４）を裏側表面（１０６）に施用する。その後、フォトレジストの層（１０４）を、予め選択されたパターンを有するマスクを介して光源に暴露し、ここにおいて、現像されたフォトレジストを除去して、残存フォトレジスト層（１０４’）に少なくとも１つのビア（１１２、１１４）を形成させる。その後、残存フォトレジスト層（１０４’）を焼き付けて、硬化した残存フォトレジスト層（１０４’）を形成させる。その後、少なくとも１つのビア（１１２、１１４）に隣接する半導体材料（１０２）をガスプラズマエッチングして、裏側表面（１０６）と前側表面（１１０）の間に貫通ビア（１１６、１１８）を形成させる。その後、硬化した残存フォトレジスト層（１０４’）を除去し、続いて伝導性材料の層（１２０）を貫通ビア（１１６、１１８）の表面に施用して、裏側表面（１０６）と前側表面（１１０）の間に電気接続性を確立する。 （もっと読む）

【課題】 パターン形成される造形部分の微小寸法を縮小する技術を提供すること。
【解決手段】 半導体の処理のための技術が提供される。１つの態様において、半導体デバイスに１つまたはそれ以上の造形部分をパターン形成するための方法は、以下のステップを含む。反射防止材のエッチング中に、１つまたはそれ以上の造形部分の少なくとも１つの微小寸法が縮小される。リソグラフィ構造もまた提供される。 （もっと読む）

バッチ式プロセスシステムのプロセスチャンバにおけるシステム構成要素の状態をモニタリングするための方法及びシステムが提供されている。この方法は、システム構成要素を光源からの光に露出させることと、システム構成要素の状態を決定するためにシステム構成要素との光の相互作用をモニタリングすることとを有している。この方法は、チャンバクリーニングプロセス、チャンバコンディショニングプロセス、基板エッチングプロセス及び基板フィルム形成プロセスを含み得るプロセスの間のシステム構成要素からの光の透過並びに／もしくは光の反射を検出することができる。システム構成要素は、プロセスチューブ、シールド、リング、バッフル及びライナーのようなシステムの消耗する部分であり得て、保護コーティングをさらに有することができる。
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【課題】基板上のマスクを通してエッチングレイヤ中にフィーチャをエッチングする方法を提供する。
【解決手段】基板がプロセスチャンバ内に置かれる。プロセスチャンバにエッチングプラズマが供給され、エッチングプラズマがエッチングを始める。エッチングプラズマでエッチングレイヤ中にフィーチャがエッチングされる。フィーチャのエッチングのあいだに少なくとも１つのエッチングプラズマパラメータがランピングされることによって、プラズマパラメータを変化するエッチング深さに最適化し、フィーチャがフィーチャ深さまでエッチングされるまでランピングされたプラズマでエッチングされる。 （もっと読む）

酸化イットリウムを含む一組の構造体から一組の粒子を除去する方法が開示される。この方法は、第１の期間、一組の構造体を酸化剤を含む第１の溶液にさらすことを含む。この方法は、更に、第１の溶液から一組の構造体を取り出して、第２の期間、この一組の構造体を主反応物を含む第２の溶液にさらすことを含む。この方法は、更に、第２の溶液から一組の構造体を取り出して、第３の期間、この一組の構造体を酸の第１の混合物を含む第３の溶液で研磨することを含む。
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【課題】シリコン基板に異方性エッチングにより深さが大きい凹部を形成するための、簡便な方法およびプラズマエッチングシステムの使用方法を提供する。
【解決手段】反応性エッチングガスをエネルギー励起するためにプラズマを用いる。反応性エッチングガスは、連続的に流れるガスフローの成分である。凹部は、エッチング時に、上記ガスフローを中断することなく少なくとも５０マイクロメートルの深さに形成される。その結果、深さの大きい凹部を製造するための簡便な方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】 ＨＩＧＨ−Ｋ誘電材料をエッチングする方法とシステム。
【解決手段】 プラズマを使用した、第１のプロセスと、第２のプロセスとの間での基板を加熱する方法は、記載されている。この加熱方法は、熱伝達ガスの裏面供給を取りやめ、クランプ力を取り除くこととによって基板ホルダ上の基板を熱的にアイソレートすることを具備する。さらにまた、希ガスのような不活性ガスは、プラズマ処理システムに導入され、プラズマは、点火される。基板は、第１の温度（すなわち、一般的に１００℃未満）から第２の温度（すなわち、一般的に４００℃オーダー）まで基板の温度を上昇させるのに十分な期間、不活性プラズマにさらされる。 （もっと読む）

プラズマプロセスシステム内で基板上の高ｋ誘電体層をエッチングするための方法が記述されている。この高ｋ誘電体層は、例えば、ＨｆＯ_２を有することができる。前記方法は、前記基板の温度を２００℃より上（すなわち、典型的に４００℃のオーダに）に上昇させることと、ハロゲンを含んでいるガスを有するプロセスガスを導入することと、前記プロセスガスからプラズマに点火することと、前記基板をプラズマに露出することとを有している。前記プロセスガスは、ＨｆＯ_２のＳｉとＳｉＯ_２とに対するエッチング速度を改善するために、さらに還元ガスを有することができる。
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本発明は、交互の周期的な、エッチングプロセス又は時分割多重プロセスの際に、終点を決定するための方法及び装置を提供する。基板がプラズマチャンバ中に置かれ、エッチングステップ及び堆積ステップを有する交互の周期的なプロセスにかけられる。プラズマ発光強度の変動が、既知の発光分析技法を用いてモニタリングされる。包絡線フォロアアルゴリズムを用いて、振幅情報が、プラズマ発光強度の複雑な波形から抽出される。この交互の周期的なプロセスは、終点がモニタリングステップに基づいた時間に到達すると停止される。
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処理チャンバ内にワークピースを支持する装置が設けられ、その装置は、ワークピースを支持する表面を有する第１の「ホット・チャック」を有し、そのホット・チャックは当該ホット・チャックを加熱する電気的な加熱要素を含んでおり、当該装置はまた熱伝導流体を循環させるためにそこに形成された流路を有する第２の「コールド」チャックを有する。ホット・チャックとコールド・チャックとの間の熱伝達の比率を変化させるために、コールド・チャックはホット・チャックに向けてまたはホット・チャックから離れて選択的に移動可能である。
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半導体ウェーハ処理装置（１０）のチャンバ（１６）と、清掃されるべき表面にバイアス電圧を掛けることなくガス混合物中に高密度プラズマを生成するためのみのＩＣＰ電源と、に供給される、水素及び不活性ガスから成る清掃ガス混合物、例えば、水素含有量が体積で２０％から８０％の間にある混合物を使用する清掃方法が提供される。本発明の実施形態では、Ｓｉ及びＳｉＯ_２汚染物質又はＣＦｘ汚染物質は引き続く金属被着に先立ってシリコン・コンタクト（４６）から清掃される。本発明の別の実施形態では、基準酸化物エッチング速度を回復するために酸化物をエッチングする以前にシリコン残留物は内部チャンバ表面から清掃される。

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【課題】 放熱性が良好で、製造コストが低く、微細加工に好適なデュアルダマシンによる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 基板１上に無機層間膜５、有機層間膜６、シリコン酸化膜からなる下部マスク７、シリコン窒化膜からなる上部マスク８を形成し、上部マスク８上にシリコン酸化窒化膜からなり膜厚が２０乃至１００ｎｍであるカバーマスク１０を形成する。そして、反射防止膜１１及びレジスト膜１２を形成する。次に、レジスト膜１２をマスクとして、反射防止膜１１、カバーマスク１０、下部マスク７をエッチングする。そして、カバーマスク１０をマスクとして、有機層間膜６及び無機層間膜５をエッチングしてビアホールを形成する。次に、上部マスク８をマスクとして有機層間膜６をエッチングして配線溝を形成する。 （もっと読む）

【技術課題】 基板に損傷や表面汚染を与えることなく、エッチングや成膜が行え、チャンバや電極等の構造は同一であるにも拘らず、導入するガスやプラズマ励起周波数を変えることにより、エッチングや成膜にも応用可能であり、生産性に優れるとともに、低価格で高性能なプラズマプロセス用装置を提供すること。
【解決手段】 容器内105に対向するように設けられ夫々平板状に形成された第１及び第２電極102，104と、プラズマに対して安定な材料から成り第１電極102上を覆うように設けられる保護部材101と、第２電極104上に被処理物103を取り付けるための保持手段と、第１電極102に接続される第１の高周波電源111と、第２電極104に接続される第２の高周波電源110と、容器105内に所望のガスを導入するためのガス供給手段とを少くとも備え、第１の高周波電源の周波数が前記第２の高周波電源の周波数より高いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】強誘電体膜をエッチングする際に生じる反応副生成物を形成される素子に悪影響を与えることなく除去する。
【解決手段】強誘電体膜をエッチングしたあと、燐酸水溶液を用いてウェット処理をする。レジストをマスクとして強誘電体膜をエッチングしたあと、レジストアッシング後またはアッシング前後の両方に燐酸水溶液を用いてウェット処理をする。 （もっと読む）

【課題】大面積基板のエッチングや薄膜形成等の表面処理を行うのに有用なプラズマ発生装置に関わり、真空容器に絶縁体の隔壁部あるいは天板を設けてその外側に高周波アンテナを設置する従来の誘導結合型プラズマ発生装置では、放電室の径が大きくなるにつれ絶縁体の厚みを大幅に増大させなければならず、高周波電力の利用効率が低下するという問題があった。
【解決手段】プラズマ発生装置の真空容器１の内部にアンテナ導体５全体を入れ、絶縁体の隔壁や天板を用いる必要をなくして、アンテナから放射される誘導電界の全てを有効利用できるようにした。またアンテナのインダクタンスを小さくしたり、アンテナ導体を絶縁体で被覆したりして異常放電の発生を抑制し、高密度プラズマの安定化を図っている。 （もっと読む）

【課題】 微細で高アスペクト比の接続孔により、低抵抗で信頼性の高い層間接続を達成できる電子装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 接続孔７底部に露出する、下層導電層４表面に不所望に形成された自然酸化膜等５を、希ガスの放電プラズマ処理や逆スパッタリングにより清浄化するに際し、プラズマ生成電力を漸次増加させ、所定値に達した段階で基板バイアスを印加する。 （もっと読む）