半導体素子を形成する方法が提供される。本方法によれば、基板（２０３）を、第１ゲート構造（２０５）及び第２ゲート構造（２０７）が基板の上に配設されるように設ける。第１ストレッサ層（２１５）を基板の上に形成し、そして犠牲層（２１６）を第１ストレッサ層の上に形成する。第２ストレッサ層（２１９）を犠牲層の上に形成する。
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【課題】複雑なプロセスをなくし、歩留まりが高く、低コスト化に必要な量産性があり、良好な初期特性や信頼性をもつ半導体装置、半導体レーザを提供する。
【解決手段】複数のIII族元素を含む窒化物半導体層が凹凸のある基体表面上に形成されてなることにより、上記窒化物半導体層におけるIII族元素の組成比、バンドギャップエネルギ、屈折率、導電性、抵抗率の少なくとも一つが、上記基体の凹凸に対応して、層内で変化するようにする。また、水素を含む雰囲気中で加熱しＡｌを含む層をエッチングストップ層として用いることにより、エッチング深さのばらつき等の影響を受けず制御性の向上と歩留まりの向上を図れる。
また、エッチングおよび再成長を連続して行えるため、安価なプロセスが可能である。 （もっと読む）

【課題】カソードカップル方式においてアノード側の電極にデポ膜が付いて後工程のプロセスに影響するのを極力防止しつつプロセスの均一性を可及的に向上させる。
【解決手段】下部電極のサセプタ１６には被処理基板Ｗが載置され、高周波電源３０よりプラズマ生成用の高周波が印加される。サセプタ１６の上方にこれと平行に対向して配置される上部電極３４は、チャンバ１０にリング状の絶縁体３５を介して電気的に浮いた状態で取り付けられている。上部電極３４の上面とチャンバ１０の天井との間の空間５０に容量可変の可変コンデンサ８６が設けられている。プロセス条件に応じて、容量制御部８５により可変コンデンサ８６の容量を可変し、上部電極３４の接地容量を切り替える。 （もっと読む）

【課題】従来に比べてＳｉＯＣＨに対するＳｉＣＮの選択比を向上させることのできるプラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置及びコンピュータ記憶媒体を提供する。
【解決手段】層間絶縁膜としてのＳｉＯＣＨ層１０３には、トレンチ１１０とビアホール１１１が形成されている。下層には、エッチストッパー層としてＳｉＣＮ層１０２が形成されており、このＳｉＣＮ層１０２を、ＣＦ₄と、ＮＦ₃とを含むエッチングガスのプラズマを用いてプラズマエッチングする。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ系膜からなるエッチングストップ層をＬｏｗ−ｋ膜に対するエッチング選択性を確保した上でアンダーカットを防止しつつエッチングすることができるプラズマエッチング方法を提供すること。
【解決手段】基板上に、配線層、ＳｉＣ系材料からなるエッチングストップ膜、低誘電率（Ｌｏｗ−ｋ）膜およびエッチングマスクを順次形成した構造体について、前記低誘電率（Ｌｏｗ−ｋ）膜をプラズマエッチングした後に、エッチングストップ膜をプラズマエッチングするにあたり、第１電極および第２電極が上下に対向して設けられた処理容器内に、前記低誘電率（Ｌｏｗ−ｋ）膜をプラズマエッチングした後の前記構造体が配置された状態を存在させ、処理容器内にＮＦ_３を含む処理ガスを導入し、第１電極および第２電極のいずれかに高周波電力を印加してプラズマを生成し、いずれかの電極に直流電圧を印加する。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率を向上させることができ、チップ分離溝を形成する際に発生する活性層のダメージを取り除くことができるとともに製造工程を複雑化、長時間化させない窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】活性層３を挟むようにしてｎ型窒化物半導体層２とｐ型窒化物半導体層４が形成されており、ダブルへテロ構造を有する。活性層３は、ｎ型窒化物半導体層２とｐ型窒化物半導体層４と横幅が揃っておらず、少し削られたような形状となっている。チップに分離するための分離溝をドライエッチングで形成した後、ｎ型窒化物半導体層２が露出した表面の粗面加工を行う工程で、活性層３の側面が溶けて幅が狭くなったものである。この活性層３側面の溶解により、ドライエッチングでのダメージが除去される。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＯＣ膜等の絶縁膜をエッチングするにあたり、ホールの口径や溝の幅を小さく抑えること。
【解決手段】エッチングを行う前に、ＣＦ４ガスとＣＨ３Ｆガスとを含む処理ガスをプラズマ化し、そのプラズマによりレジストマスクの開口部の側壁に堆積物を付着させて開口寸法を減少させる前処理を行う。また、ＳｉＯＣ膜をエッチングするときには、ＣＦ４ガス、ＣＨ３Ｆガス及び窒素ガスを含む処理ガスをプラズマ化し、プラズマ化するための第１の高周波を、基板の表面積で除した大きさが１５００Ｗ/７０６８５．８ｍｍ^２（３００ｍｍウェハの表面積）以上となるように電力を処理雰囲気に供給し、ＳｉＯＣ膜をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】様々な種類のシリコン酸化膜を効率よくドライエッチングできるエッチング方法を提供する。
【解決手段】シリコン酸化膜をエッチングする方法において，シリコン酸化膜の表面に，フッ化水素ガスＨＦ及びアンモニアガスＮＨ_３を含む混合ガスを供給し，シリコン酸化膜と混合ガスとを化学反応させ，シリコン酸化膜を変質させて反応生成物を生成する変質工程を行い，その後，反応生成物を加熱して除去する加熱工程を行う。かかる変質工程において，シリコン酸化膜の種類に応じて，シリコン酸化膜の温度，及び，混合ガス中のフッ化水素ガスＨＦの分圧を調節するようにした。 （もっと読む）

【課題】隣接開孔との短絡を防止する。また、開孔下部の開孔径を大きくすることにより、容量の低下を引き起こすことなく安定したストレージノードを形成する。
【解決手段】異方性エッチングを行うことにより第２の絶縁膜中にボーイング形状が発生しない深さまで第２の開孔を形成する工程と、第１及び第２の開孔の側面に第４の膜を形成する工程と、異方性エッチングを行うことにより、第１の絶縁膜が露出するまで第２の開孔を伸長させてアスペクト比が１２を越える第２の開孔を形成する工程と、第２の開孔の第４の膜が形成されていない側面部分を等方性エッチングにより拡張する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】接続孔に埋め込まれる配線材料の埋め込み特性を向上させ、信頼性の高いデュアルダマシン配線構造の製造方法を提供することにある。
【解決手段】下層配線１１上に層間絶縁膜１３を形成し、当該層間絶縁膜１３に、上層配線を下層配線１１に接続するための接続孔、及び上層配線を埋め込むための配線溝を形成した後、配線溝と接続孔の接続部における層間絶縁膜１３の角部１１２をエッチングし、接続孔に傾斜面を形成する。然る後、接続孔及び配線溝内に、配線材料１１５を埋め込むことによって、下層配線１１と上層配線が接続孔プラグで接続されたデュアルダマシン配線構造を製造する。 （もっと読む）

【課題】ハードマスク膜に対するエッチング選択性が高く、ポリマーの付着やサイドエッチングを抑制可能で、かつポーラスＬｏｗ−ｋ膜へのダメージや表面荒れが抑制されたプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置の処理室内で、被エッチング膜１０２と、該被エッチング膜１０２より上層に形成されたポーラスＬｏｗ−ｋ１０４膜とを有する被処理体を、炭素とフッ素とから構成され、炭素数が２以下のフルオロカーボン化合物と、ＣＯ_２とを含み、炭素とフッ素と水素とから構成されるハイドロフルオロカーボン化合物を含まない処理ガスを用いてプラズマエッチング処理する。 （もっと読む）

【課題】サブミクロン以降の微細ホール加工において、パターン内チャージアップに起因するパターン形状の曲がりを抑制した高精度加工を行う。
【解決手段】真空排気手段により真空排気されている真空容器と、当該真空容器に複数のガスを導入するガス導入手段と、被加工試料を設置する設置手段と、前記真空容器内にプラズマを発生させるための第１の電源と、前記設置手段を介して前記被加工試料に高周波バイアス電力を印加するための第２の電源と、前記各部を制御する制御手段を有するエッチング装置において、前記制御手段は、前記真空容器内でプラズマを発生させ、前記被加工試料にパターンを形成していく表面処理を行うエッチング工程と、当該エッチング工程で作成した前記被加工試料のパターン内のチャージアップを緩和するチャージアップ緩和工程を行うことを特徴とする。
【効果】チャージアップに起因するパターン形状の曲がりを改善できる。 （もっと読む）

【課題】格子パラメータを変化させることのできる窒化ガリウムデバイス基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】第１の犠牲基板を設け、この第１の犠牲基板上に窒化ガリウムの層を形成し、この窒化ガリウムの層上に、格子パラメータを変化させる追加的な元素を含有する窒化ガリウムの第１の層を形成し、この格子パラメータを変化させる追加的な元素を含有する窒化ガリウムの層に、代替基板を装着し、犠牲基板および窒化ガリウムの層を除去する。 （もっと読む）

【課題】複数のストレージノード電極を備える半導体メモリ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】複数のストレージノード電極及び半導体基板の一部上のモールド絶縁膜部分を覆い、半導体基板の他の部分のモールド絶縁膜部分を露出するキャッピング膜を形成する段階と、モールド絶縁膜を湿式エッチングを利用して選択的に除去して、キャッピング膜が形成された複数のストレージノード電極の側壁を露出する段階と、キャッピング膜を乾式エッチングを利用して除去して、複数のストレージノード電極の上部を露出する段階とを含む半導体メモリ素子の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】従来に比べて半導体装置の製造に要する時間の短縮を図ることのできる半導体装置の製造方法等を提供する。
【解決手段】処理チャンバー内で、まず、ビアホール用ハードマスク１０５をマスクとして、絶縁層１０３をプラズマエッチングしてビアホール１１０を形成する。次に、アッシングにより残ったビアホール用レジストマスク１０５を除去する。次に、有機材を有する保護膜１１１の堆積を行い、ビアホール１１０内の保護膜１１１を残し他の部分の保護膜１１１をアッシングにより除去する。次にトレンチ用ハードマスク１０４をマスクとしてプラズマエッチングでトレンチ１１２を形成し、この後アッシングでビアホール１１０内に残った保護膜１１１を除去する。 （もっと読む）

レーザアブレーション法を利用して有機トランジスタのチャンネル長を画定する。基板を金属堆積あるいは導電性ポリマー堆積でコーティングして、レーザアブレーションにより達成可能な分解能を向上させるべく薄膜に適用する。レーザアブレーション法はロール毎のプロセスに利用でき、プリント電子技術を生成するのに適当な速度、量、価格、分解能を達成する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の表面に堆積される層間絶縁膜に於けるコンタクト同士の絶縁不良が防止され、高集積化に対応可能な半導体装置およびその製造方法を得ること。
【解決手段】半導体基板と、前記半導体基板上に形成された各半導体素子を分離する素子分離と、前記半導体基板の表層にチャネル領域を規定するように所定の間隔で形成された活性領域と、前記半導体基板上における前記活性領域に挟まれた領域および前記素子分離上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上において前記ゲート絶縁膜に接するように形成されたゲート電極と、前記ゲート絶縁膜および前記ゲート電極の側面に形成されたサイドウォールスペーサと、を備え、隣接する前記サイドウォールスペーサ間に位置する前記素子分離の上面と、前記素子分離における他の領域の上面と、の高さが略同等とされてなる。 （もっと読む）

【課題】 深さの異なるコンタクトホールを同時に形成する場合にも、高抵抗化や接続不良等を無い高品質なコンタクトホールを形成する。
【解決手段】 半導体基板１０の表面側に、有機系の絶縁材料からなる第１層膜１８、無機系の絶縁材料からなる第２層膜１９の２層構造を有する層間絶縁膜１７が形成される。ソース・ドレイン拡散領域１１及びゲート電極１４に達するコンタクトを形成するため、この層間絶縁膜１７にコンタクトホールが形成される。第２層膜１９のエッチングは、Ｃ４Ｈ８系のガスで行うと、エッチングは第１層膜１８と第２層膜１９の界面で止まる。次にエッチングガスをＮＨ３系のガスに切り替えて、第１層膜１８のエッチングを行う。 （もっと読む）

【課題】 アスペクト比の高い微細コンタクトホールを容易に制御性良く形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、絶縁膜に開孔を形成する半導体装置の製造方法であって、基体上に絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜上にエッチングマスクとなる第１のエッチングマスク膜を形成する工程と、第１のエッチングマスク膜に開口を形成する工程と、該開口を用いて、絶縁膜に第１の異方性エッチングにより絶縁膜の膜厚よりも浅い第１の開孔を形成する工程と、第１のエッチングマスク膜を除去する工程と、絶縁膜上に第２のエッチングマスク膜を、前記第１の開孔の開口部を塞がないようにエッチングマスクとなるエッチングマスク膜を形成し、開口部に自己整合的に開口を形成する工程と、第２の異方性エッチングにより、第１の開孔の下部に第２の開孔を形成することにより開孔を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】犠牲有機膜とハードマスクとに形成される接続孔パターンを先に形成し、それに配線溝パターンをアライメントすることで、いわゆるデュアルダマシン技術におけるアライメント精度の向上を可能とする。
【解決手段】層間絶縁膜１２上に犠牲有機膜２２と第１、第２ハードマスク２３、２４を積層した積層ハードマスクとを形成し、犠牲有機膜２２と積層ハードマスクとをエッチングマスクに用いて層間絶縁膜１２に配線溝２９と接続孔３０とを形成する半導体装置の製造方法において、犠牲有機膜２２と積層ハードマスクとをエッチングマスクに形成する工程は、積層ハードマスクに接続孔パターン２６を形成し、第２ハードマスク２４に接続孔パターン２６にアライメントした配線溝パターン２８を形成し、積層ハードマスクをエッチングマスクに用いて犠牲有機膜２２に接続孔パターン２６を延長形成する。 （もっと読む）