【課題】 有機Ｓｉ系低誘電率膜をマスクとして被処理体のＳｉＣ部分をエッチングガスのプラズマによりエッチングする場合に、エッチングレートおよび有機Ｓｉ系低誘電率膜に対するエッチング選択比を高くしてエッチングすることができるエッチング方法を提供すること。
【解決手段】 ＳｉＣ膜６１と、その上に形成された有機Ｓｉ系低誘電率膜６２とを有する構造において、有機Ｓｉ系低誘電率膜６２をマスクとしてＳｉＣ膜６１をエッチングガスのプラズマによりエッチングするに際し、エッチングガスとして、ＣＨ_２Ｆ_２を含有するガスまたはＣＨ_３Ｆを含有するガスを用いる。 （もっと読む）

【課題】装置の信頼性の向上、製造効率の向上を実現する。
【解決手段】反射防止膜１５０などの被覆膜の上面において、パッド電極１１１Ｐの接続面の部分が開口し、その接続面以外の部分を被覆するように、レジストパターンＲＰを形成する。レジストパターンＲＰをマスクとして用いると共に、カーボン系無機膜３００をエッチングストッパー膜として用いて、その被覆膜についてエッチング処理を実施し、カーボン系無機膜３００の上面にて接続面に対応する面を露出させる。レジストパターンＲＰとカーボン系無機膜３００にて接続面に対応する部分とについてアッシング処理を実施し、両者を同時に除去する。 （もっと読む）

【課題】微細で良好な形状のコンタクトホールを有する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜３６上にフォトレジスト膜４２を形成する工程と、フォトレジスト膜４２に開口部４４を形成する工程と、開口部４４が形成されたフォトレジスト膜４２をマスクとして絶縁膜３６をエッチングすることによりコンタクトホール４８を形成する工程とを有し、コンタクトホール４８を形成する工程は、開口部４４が形成されたフォトレジスト膜４２上に保護膜４６を堆積しながら絶縁膜３６をプラズマエッチングする第１の工程と、フォトレジスト膜４２上に堆積された保護膜４６を一旦除去する第２の工程と、保護膜４６が一旦除去されたフォトレジスト膜４２上に他の保護膜を新たに堆積しながら絶縁膜３６を更にプラズマエッチングする第３の工程とを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】エッチング装置の経時変化や状態変化等によらずトレンチの深さのばらつきを低減することができる半導体装置の製造方法を得る。
【解決手段】まず、所望の深さよりも浅い深さを持つトレンチ１６をＳｉ基板１０の主面に形成する。次に、トレンチ１６の深さを測定する。トレンチ１６の底面からＳｉ基板１０に酸素イオン１８を注入する。この際に、測定したトレンチ１６の深さと所望の深さの差に基づいて酸素イオン１８の注入エネルギーを調整して、Ｓｉ基板１０の所望の深さに酸素イオン１８が注入されるようにする。次に、熱処理を行って酸素イオン１８を注入した位置にＳｉＯ_２膜２２を形成する。次に、ＳｉＯ_２膜２２をエッチングストッパとして用いて、トレンチ１６の底面からＳｉ基板１０を更にエッチングしてトレンチ２４を形成する。その後、ＳｉＯ_２膜２２を除去する。 （もっと読む）

【課題】ビア深さのバラツキを抑制することができる半導体装置の構造およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、基板上に、ＳｉおよびＣを含むキャップ絶縁膜を形成する工程と、キャップ絶縁膜上に、キャップ絶縁膜と比較して、シリコン原子数に対する炭素原子数の組成比が高い、有機シリカ膜を形成する工程と、不活性ガス、Ｎを含むガス、フッ化炭素ガスおよび酸化剤ガスを含む混合ガスを用いたプラズマ処理により、有機シリカ膜に、異なる開口径を有する２以上の凹部を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】容易に製造することができ、かつ信頼性の高い薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタの製造方法は、基板上にゲート電極、ゲート絶縁膜および活性層し、活性層上に第１の保護層となるＧａ酸化物膜を形成する。Ｇａ酸化物膜上に第２の保護層となる感光性有機系絶縁膜を形成し、感光性有機系絶縁膜においてチャネル領域に整合する部分をパターン部とし、それ以外の部分を非パターン部とする。この非パターン部を除去し、この非パターン部の除去とともにパターン部をマスクとして非パターン部下のＧａ酸化物膜を除去して、第１の保護層および第２の保護層を形成しチャネル保護膜を得る。チャネル保護膜を覆うようにソース電極およびドレイン電極となる膜を形成し、この膜上にレジストパターンを形成し、チャネル保護膜をエッチングストッパとして膜をエッチングし、ソース電極およびドレイン電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】リーク電流を十分に抑制した半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】発光部２３を含む積層体２０と、積層体２０の第１主面２０ａに選択的に設けられた第１電極３０と、積層体２０の第１主面２０ａとは反対側の第２主面２０ｂに選択的に設けられた第２電極４０と、積層体２０の第２主面２０ｂの側に、接合金属６１を介して接合された支持基板６０と、積層体２０において、第２主面２０ｂを除く少なくとも側面２０ｃに設けられた保護膜８０と、第２主面２０ｂにおける第２電極４０が設けられていない領域と、接合金属６１と、の間、及び保護膜８０における第２主面２０ｂの側の保護主面８０ａと、接合金属６１と、の間に設けられた誘電体膜５０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】従来技術ではデュアルダマシン構造Ｖｉａ工程のＬｏｗ−Ｋ膜エッチング後の孔底部のエッチングにおいて、ストッパ膜のエッチングが進行しない課題があった。
【解決手段】本発明はプラズマエッチングするデュアルダマシンプロセスにおいて、デュアルダマシンプロセスのＶｉａ加工方法は、Ｖｉａパターニングされた上層レジスト膜をマスクとして反射防止膜をエッチングする第１ステップと、上層レジスト膜及び反射防止膜をマスクとして下層レジスト膜をエッチングする第２ステップと、下層レジスト膜をマスクとして前記Ｌｏｗ−Ｋ膜をエッチングする第３ステップと、ストッパ膜のエッチング前にプラズマ処理を行う第４ステップと、ストッパ膜をエッチングする第５ステップとを有することである。 （もっと読む）

【課題】装置全体を大きくすることなく、基板への入射イオンビームの均一性を図ったイオンビーム発生装置を提供する。
【解決手段】放電槽２でプラズマを発生させ、引き出し電極７より環状のイオンビームを引き出し、偏向電極３０によって、該イオンビームを環状の中心方向に屈曲させて基板Ｗに対して、傾斜した方向から入射させる。 （もっと読む）

１つ以上のＡｌ含有エッチング停止層を有する（Ｇａ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｂ）Ｎレーザダイオードを製造するステップを含む、（Ｇａ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｂ）Ｎレーザダイオードにおいて選択的エッチングを達成するために使用され得る構造および方法。エッチング停止層は、素子における１つ以上のエッチングされた層のエッチング深さを制御するために使用される層であり、エッチングされた層は、素子内にエッチング停止層と他の層との間に選択的にエッチングされた層を備える。エッチング停止層は、（Ｇａ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｂ）Ｎのｎ型ドープ、ｐ型ドープ、または非ドープ合金から構成される層に隣接する。最後に、エッチング停止層は、電子遮断層としても機能するか、またはしなくてもよい。
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【課題】配線及び半導体素子等を自由に配置できない領域を減少させる。
【解決手段】半導体装置は、半導体素子３が形成されている第１面及び第１面とは反対側の第２面を有する半導体基板１と、半導体基板１の上に形成され、且つ、第１のビア７を有する層間絶縁膜と、半導体基板１内に形成され、且つ、第１のビア７と接続する第２のビア１３とを有し、第１のビア７の径は、第２のビア１３の径よりも小さいことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 デュアルダマシンプロセスを同一チャンバ内で行っても、再現性よくビアホールを貫通させる技術が望まれる。
【解決手段】 層間絶縁膜上の第１のマスク膜及び層間絶縁膜に、層間絶縁膜の厚さ方向の途中まで達するビアホールを形成する。第１のマスク膜の上に、下層レジスト膜を形成し、その上に、配線溝に対応する開口を有する第２のマスク膜を形成する。チャンバ内において、Ｏ_２とＣＯとのプラズマを用い、下層レジスト膜をエッチングするとともに、ビアホール内の一部には、下層レジスト膜を残す。下層レジスト膜の開口の平面形状が転写された開口を、第１のマスク膜に形成するとともに、下層レジスト膜を除去し、ビアホールをさらに掘り下げて、下層配線を露出させる。層間絶縁膜を厚さ方向の途中までエッチングして配線溝を形成する。配線溝及び前記ビアホール内を、導電部材で埋め込む。 （もっと読む）

【課題】 転写パターンの形状によらず遮光膜の面内におけるエッチングレートを均一化させ、多階調フォトマスクの品質を向上させ、製造歩留まりを向上させる。
【解決手段】 遮光部、透光部、及び半透光部を含む所定の転写パターンが透明基板上に形成された多階調フォトマスクであって、遮光部は、導電性を有するエッチングバランサ膜、半透光膜、及び遮光膜が透明基板上にこの順に積層されてなり、半透光部は、エッチングバランサ膜及び半透光膜が透明基板上にこの順に積層されてなり、透光部は、透明基板が露出してなる。 （もっと読む）

【課題】チャンバ内壁や絶縁体等のチャンバ内部材への堆積物の付着を有効に防止することができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】チャンバ１０に互いに対向して配置される上部電極３４およびウエハ支持用の下部電極１６を有し、上部電極３４に相対的に周波数の高い第１の高周波電力を印加する第１の高周波電源４８を接続し、下部電極１６に相対的に周波数の低い第２の高周波電力を印加する第２の高周波電源９０を接続し、上部電極３４に可変直流電源５０を接続し、チャンバ１０内に処理ガスを供給してプラズマ化し、プラズマエッチングを行う。 （もっと読む）

【課題】下層導電層の表面を十分保護することができ、信頼性が高く、配線容量が小さなデュアルダマシン配線を有する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】導電性領域１１を有する下地と１０、下地の表面を覆う絶縁性エッチストッパ膜１２と、絶縁性エッチストッパ膜上に形成された層間絶縁膜と、層間絶縁膜表面から第１の深さで形成された配線用溝と、配線用溝底面から導電性領域に達する接続用孔と、配線用溝および接続用孔を埋め込んで形成されたデュアルダマシン配線である。層間絶縁膜が配線用溝の側面および底面を包む第１種の絶縁層１５と、第１種の絶縁層よりも下に配置され、第１種の絶縁層とエッチング特性の異なる第２種の絶縁層５６とを含む。接続用孔は、断面で見た時に第１種の絶縁層内で傾斜し、上方に向かって次第に開口が増大する部分を有する。 （もっと読む）

【課題】新規な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＮ層にＰおよびＯを注入する工程と、前記ＳｉＮ層に注入されたＰおよびＯをＨ₂Ｏと反応させ、前記ＳｉＮ層をエッチングする工程とを有する方法により、半導体装置を製造する。特に、半導体装置を形成するにあたり、狭スペースで高アスペクト比の溝サイドウォールを形成する工程や、埋め込み型ビット線を形成する工程に、上記のようにＳｉＮ層をエッチングすることができる。 （もっと読む）

【目的】キャップ成膜時に起因するｌｏｗ−ｋ膜の絶縁性劣化を低減する半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の半導体装置の製造方法は、基体上に絶縁膜を形成する工程（Ｓ１０４）と、前記絶縁膜上に絶縁材料を用いたキャップ膜を形成する工程（Ｓ１０６）と、前記キャップ膜を形成した後に、前記キャップ膜を介して前記前記キャップ膜の下層のシリル化処理を行なう工程（Ｓ１０８）と、前記シリル化処理の後、エッチング法を用いて、前記キャップ膜上から前記絶縁膜内へと続く開口部を形成する工程（Ｓ１１４）と、前記開口部に導電性材料を堆積させる工程（Ｓ１２４）と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】シリコン・オン・インシュレータ界面のアンダカットを実質的に抑制する方法を提供する。
【解決手段】垂直方向に一様なエッチングを行うように様々なサイズの凹部内のイオン充電を制限するためにイオン密度が低減される反応性イオン・エッチング工程を仕上げエッチング段階として使用することによってアンダカットが実質的になくなる、シリコン・オン・インシュレータ基板に異方性プラズマ・エッチングを施す方法を開示する。 （もっと読む）

【課題】高アスペクト比の深孔加工において、被エッチング材の開口におけるボーイングを抑制しつつ、高アスペクト比部での開口不足を解消する。
【解決手段】プラズマエッチング装置により被エッチング材上にパターニングされて形成されたマスクを用いて前記被エッチング材をエッチング処理する被エッチング材のプラズマエッチング方法において、フルオロカーボンガスＣ_ｘＦ_ｙ（ｘ＝１、２、３、４、５、６、ｙ＝４、５、６、８）を用いて前記マスクのマスクパターンの表面に近い開口側壁に堆積物を付着させながら被エッチング材をエッチングする高堆積性の第１のステップと、フルオロカーボンガスを用いて前記マスクのマスクパターンの表面に近い開口側壁に付着させた堆積物を削りながら被エッチング材をエッチングする低堆積性の第２のステップと、を順次行う。 （もっと読む）

【課題】ビアと配線の間に位置ずれが生じても、エアギャップとビアが繋がることを抑制できるようにする。
【解決手段】配線１６２は第１絶縁層１２０に埋め込まれており、上面が第１絶縁層１２０の上面より高い。エアギャップ１２８は、配線１６２と第１絶縁層１２０の間に位置している。第２絶縁層２００は、少なくとも第１絶縁層１２０上及びエアギャップ１２８上に形成されている。本図に示す例では、第２絶縁層２００は配線１６２を被覆していない。エッチングストッパー膜２１０は、少なくとも第２絶縁層２００上に形成されている。本図に示す例では、エッチングストッパー膜２１０は、第２絶縁層２００上及び配線１６２上に形成されている。第３絶縁層２２０はエッチングストッパー膜２１０上に形成されている。ビア２６２は第３絶縁層２２０に埋め込まれており、配線１６２に接続している。 （もっと読む）