半導体装置の製造方法
【課題】エッチング装置の経時変化や状態変化等によらずトレンチの深さのばらつきを低減することができる半導体装置の製造方法を得る。
【解決手段】まず、所望の深さよりも浅い深さを持つトレンチ１６をＳｉ基板１０の主面に形成する。次に、トレンチ１６の深さを測定する。トレンチ１６の底面からＳｉ基板１０に酸素イオン１８を注入する。この際に、測定したトレンチ１６の深さと所望の深さの差に基づいて酸素イオン１８の注入エネルギーを調整して、Ｓｉ基板１０の所望の深さに酸素イオン１８が注入されるようにする。次に、熱処理を行って酸素イオン１８を注入した位置にＳｉＯ２膜２２を形成する。次に、ＳｉＯ２膜２２をエッチングストッパとして用いて、トレンチ１６の底面からＳｉ基板１０を更にエッチングしてトレンチ２４を形成する。その後、ＳｉＯ２膜２２を除去する。
【解決手段】まず、所望の深さよりも浅い深さを持つトレンチ１６をＳｉ基板１０の主面に形成する。次に、トレンチ１６の深さを測定する。トレンチ１６の底面からＳｉ基板１０に酸素イオン１８を注入する。この際に、測定したトレンチ１６の深さと所望の深さの差に基づいて酸素イオン１８の注入エネルギーを調整して、Ｓｉ基板１０の所望の深さに酸素イオン１８が注入されるようにする。次に、熱処理を行って酸素イオン１８を注入した位置にＳｉＯ２膜２２を形成する。次に、ＳｉＯ２膜２２をエッチングストッパとして用いて、トレンチ１６の底面からＳｉ基板１０を更にエッチングしてトレンチ２４を形成する。その後、ＳｉＯ２膜２２を除去する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板に溝状のトレンチを形成するトレンチ型半導体装置の製造方法に関し、特にトレンチの深さのばらつきを低減することができる半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
トレンチの深さのばらつき（均一性）は、トレンチの形成に用いるエッチング装置のウエハ間ばらつきやバッチ間ばらつきに大きく依存する。エッチング装置の経時変化や状態変化等が発生してトレンチの深さが変化すると、製造した半導体装置の電気特性も変化するため、歩留が悪化してしまう。
【０００３】
そこで、ロットやバッチ毎に先行ウエハに形成したトレンチの深さを測定し、残りのウエハのトレンチの深さが所望の深さになるようにエッチング条件にフィードバックを掛けていた。
【０００４】
また、基板表面から半導体基板の所望の深さに酸素イオンを注入し、熱処理を行って酸素イオンを注入した位置に酸化膜を形成し、その酸化膜をエッチングストッパとして用いて半導体基板をエッチングしてトレンチを形成する方法も提案されている（例えば、特許文献１，２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平０７−２４５２９４号公報
【特許文献２】特開平０１−１０５５４３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
先行ウエハのトレンチの深さを測定してから次のウエハのエッチングまでに装置状態が変化するとフィードバックを掛けてもトレンチの深さがばらつくため、結局はエッチング装置自体の安定性に大きく依存するという問題があった。また、先行エッチングしたウエハのトレンチの深さが所望の深さより浅い場合は追加エッチング等が可能であるが、所望の深さより深い場合はそのウエハを脱落しなければならなかった。
【０００７】
また、基板表面から半導体基板の所望の深さに酸素イオンを注入するには、酸素イオンの注入エネルギーを高くする必要がある。従って、酸素イオンの密度分布が広くなるため、トレンチの深さがばらつくという問題があった。
【０００８】
本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、その目的は、エッチング装置の経時変化や状態変化等によらずトレンチの深さのばらつきを低減することができる半導体装置の製造方法を得るものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、所望の深さよりも浅い深さを持つ第１のトレンチを半導体基板の主面に形成する工程と、前記第１のトレンチの深さを測定する工程と、前記第１のトレンチの底面から前記半導体基板に酸素イオンを注入する工程と、熱処理を行って前記酸素イオンを注入した位置に酸化膜を形成する工程と、前記酸化膜をエッチングストッパとして用いて、前記第１のトレンチの前記底面から前記半導体基板を更にエッチングして第２のトレンチを形成する工程と、前記第２のトレンチを形成した後に前記酸化膜を除去する工程とを備え、前記酸素イオンを注入する際に、測定した前記第１のトレンチの深さと前記所望の深さの差に基づいて酸素イオンの注入エネルギーを調整して、前記半導体基板の前記所望の深さに前記酸素イオンが注入されるようにする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明により、エッチング装置の経時変化や状態変化等によらずトレンチの深さのばらつきを低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図２】本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図３】本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図４】本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図５】本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図６】本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図７】本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図８】本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図９】本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図１０】本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図１１】本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図１２】比較例に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について図面を参照して説明する。図１〜図１１は、本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面図である。
【００１３】
まず、図１に示すように、Ｓｉ基板１０（半導体基板）上に、ＳｉＯ２膜１２を形成する。ＳｉＯ２膜１２上にフォトレジスト１４を塗布して、写真製版技術の露光及び現像を行う。次に、フォトレジスト１４をマスクとして用いてＳｉＯ２膜１２をエッチングして、ＳｉＯ２膜１２をパターニングする。その後、図２に示すように、フォトレジスト１４を除去する。
【００１４】
次に、図３に示すように、ＳｉＯ２膜１２をマスクとして用いてＳｉ基板１０をエッチングして、所望の深さよりも浅い深さを持つトレンチ１６をＳｉ基板１０の主面に形成する。その後、エッチング装置からＳｉ基板１０を抜き取り、レーザー顕微鏡や走査電子顕微鏡（SEM: scanning electron microscope）などの測定機器によりトレンチ１６の深さを測定する。例えば、所望の深さが１μｍであり、トレンチ１６の深さが０．８μｍである。
【００１５】
次に、図４に示すように、ＳｉＯ２膜１２をマスクとして用いてトレンチ１６の底面からＳｉ基板１０に酸素イオン１８をイオン注入機により注入する。この際に、測定したトレンチ１６の深さと所望の深さの差に基づいて酸素イオン１８の注入エネルギーを調整して、Ｓｉ基板１０の所望の深さに酸素イオン１８が注入されるようにする。例えば、所望の深さが１μｍであり、トレンチ１６の深さが０．８μｍである場合、第１のトレンチの底面から０．２μｍの深さに酸素イオン１８が注入されるように注入エネルギーを調整する。
【００１６】
次に、図５に示すように、Ｓｉ基板１０の主面とトレンチ１６の底面及び内壁を覆うように、Ｓｉ３Ｎ４膜２０（窒化膜）を形成する。
【００１７】
次に、図６に示すように、熱処理を行って酸素イオン１８を注入した位置に、ＳｉＯ２膜２２（酸化膜）を選択的に形成する。その後、図７に示すように、Ｓｉ３Ｎ４膜２０を熱リン酸（Ｈ３ＰＯ４）等により除去する。
【００１８】
次に、図８に示すように、ＳｉＯ２膜１２をマスクとして用い、かつＳｉＯ２膜２２をエッチングストッパとして用いて、トレンチ１６の底面からＳｉ基板１０を更にエッチングしてトレンチ２４を形成する。その後、図９に示すように、ＳｉＯ２膜１２，２２を除去する。
【００１９】
次に、図１０に示すように、トレンチ２４内にゲート絶縁膜２６を介してゲート電極２８（電極）を形成する。なお、図１１に示すように、トレンチ２４内に、下部電極３０、絶縁膜３２、及び上部電極３４を有するキャパシタ３６を形成してもよい。その後、半導体装置の構造設計に応じた製造プロセスを実施する。
【００２０】
続いて、本実施の形態の効果について比較例と比較して説明する。図１２は、比較例に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面図である。比較例では、トレンチ１６を形成せずに、基板表面からＳｉ基板１０の所望の深さに酸素イオン１８を注入する。そして、熱処理を行って酸素イオン１８を注入した位置にＳｉＯ２膜２２を形成し、そのＳｉＯ２膜２２をエッチングストッパとして用いてＳｉ基板１０をエッチングしてトレンチ２４を形成する。
【００２１】
しかし、基板表面からＳｉ基板１０の所望の深さに酸素イオン１８を注入するには、酸素イオン１８の注入エネルギーを高くする必要がある。このため、酸素イオン１８の密度分布が広くなり、トレンチ２４の深さがばらついてしまう。
【００２２】
一方、本実施の形態では、まず浅いトレンチ１６を形成し、そのトレンチ１６の底面からＳｉ基板１０の所望の深さに酸素イオン１８を注入する。このため、酸素イオン１８の注入エネルギーを低くできるので、酸素イオン１８の密度分布が狭くなる。従って、Ｓｉ基板１０の所望の深さに正確にＳｉＯ２膜２２を形成することができる。
【００２３】
このＳｉＯ２膜２２をエッチングストッパとして用いてＳｉ基板１０をエッチングしてトレンチ２４を形成するため、エッチング装置の経時変化や状態変化等によらずトレンチ２４の深さのばらつきを低減することができる。
【００２４】
また、熱処理の前にＳｉ３Ｎ４膜２０を形成することで、Ｓｉ基板１０の主面やトレンチ１６の底面及び内壁に酸化膜が形成されるのを防ぐことができる。
【００２５】
また、本実施の形態によりトレンチ２４の深さのばらつきを低減することで、トレンチ２４内にゲート電極２８やキャパシタ３６を形成した半導体装置の電気特性が均一化され、歩留が向上する。
【符号の説明】
【００２６】
１０ Ｓｉ基板（半導体基板）
１６ トレンチ（第１のトレンチ）
１８ 酸素イオン
２０ Ｓｉ３Ｎ４膜（窒化膜）
２２ ＳｉＯ２膜（酸化膜）
２４ トレンチ（第２のトレンチ）
２８ ゲート電極（電極）
３６ キャパシタ
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板に溝状のトレンチを形成するトレンチ型半導体装置の製造方法に関し、特にトレンチの深さのばらつきを低減することができる半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
トレンチの深さのばらつき（均一性）は、トレンチの形成に用いるエッチング装置のウエハ間ばらつきやバッチ間ばらつきに大きく依存する。エッチング装置の経時変化や状態変化等が発生してトレンチの深さが変化すると、製造した半導体装置の電気特性も変化するため、歩留が悪化してしまう。
【０００３】
そこで、ロットやバッチ毎に先行ウエハに形成したトレンチの深さを測定し、残りのウエハのトレンチの深さが所望の深さになるようにエッチング条件にフィードバックを掛けていた。
【０００４】
また、基板表面から半導体基板の所望の深さに酸素イオンを注入し、熱処理を行って酸素イオンを注入した位置に酸化膜を形成し、その酸化膜をエッチングストッパとして用いて半導体基板をエッチングしてトレンチを形成する方法も提案されている（例えば、特許文献１，２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平０７−２４５２９４号公報
【特許文献２】特開平０１−１０５５４３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
先行ウエハのトレンチの深さを測定してから次のウエハのエッチングまでに装置状態が変化するとフィードバックを掛けてもトレンチの深さがばらつくため、結局はエッチング装置自体の安定性に大きく依存するという問題があった。また、先行エッチングしたウエハのトレンチの深さが所望の深さより浅い場合は追加エッチング等が可能であるが、所望の深さより深い場合はそのウエハを脱落しなければならなかった。
【０００７】
また、基板表面から半導体基板の所望の深さに酸素イオンを注入するには、酸素イオンの注入エネルギーを高くする必要がある。従って、酸素イオンの密度分布が広くなるため、トレンチの深さがばらつくという問題があった。
【０００８】
本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、その目的は、エッチング装置の経時変化や状態変化等によらずトレンチの深さのばらつきを低減することができる半導体装置の製造方法を得るものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、所望の深さよりも浅い深さを持つ第１のトレンチを半導体基板の主面に形成する工程と、前記第１のトレンチの深さを測定する工程と、前記第１のトレンチの底面から前記半導体基板に酸素イオンを注入する工程と、熱処理を行って前記酸素イオンを注入した位置に酸化膜を形成する工程と、前記酸化膜をエッチングストッパとして用いて、前記第１のトレンチの前記底面から前記半導体基板を更にエッチングして第２のトレンチを形成する工程と、前記第２のトレンチを形成した後に前記酸化膜を除去する工程とを備え、前記酸素イオンを注入する際に、測定した前記第１のトレンチの深さと前記所望の深さの差に基づいて酸素イオンの注入エネルギーを調整して、前記半導体基板の前記所望の深さに前記酸素イオンが注入されるようにする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明により、エッチング装置の経時変化や状態変化等によらずトレンチの深さのばらつきを低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図２】本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図３】本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図４】本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図５】本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図６】本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図７】本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図８】本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図９】本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図１０】本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図１１】本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図１２】比較例に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について図面を参照して説明する。図１〜図１１は、本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面図である。
【００１３】
まず、図１に示すように、Ｓｉ基板１０（半導体基板）上に、ＳｉＯ２膜１２を形成する。ＳｉＯ２膜１２上にフォトレジスト１４を塗布して、写真製版技術の露光及び現像を行う。次に、フォトレジスト１４をマスクとして用いてＳｉＯ２膜１２をエッチングして、ＳｉＯ２膜１２をパターニングする。その後、図２に示すように、フォトレジスト１４を除去する。
【００１４】
次に、図３に示すように、ＳｉＯ２膜１２をマスクとして用いてＳｉ基板１０をエッチングして、所望の深さよりも浅い深さを持つトレンチ１６をＳｉ基板１０の主面に形成する。その後、エッチング装置からＳｉ基板１０を抜き取り、レーザー顕微鏡や走査電子顕微鏡（SEM: scanning electron microscope）などの測定機器によりトレンチ１６の深さを測定する。例えば、所望の深さが１μｍであり、トレンチ１６の深さが０．８μｍである。
【００１５】
次に、図４に示すように、ＳｉＯ２膜１２をマスクとして用いてトレンチ１６の底面からＳｉ基板１０に酸素イオン１８をイオン注入機により注入する。この際に、測定したトレンチ１６の深さと所望の深さの差に基づいて酸素イオン１８の注入エネルギーを調整して、Ｓｉ基板１０の所望の深さに酸素イオン１８が注入されるようにする。例えば、所望の深さが１μｍであり、トレンチ１６の深さが０．８μｍである場合、第１のトレンチの底面から０．２μｍの深さに酸素イオン１８が注入されるように注入エネルギーを調整する。
【００１６】
次に、図５に示すように、Ｓｉ基板１０の主面とトレンチ１６の底面及び内壁を覆うように、Ｓｉ３Ｎ４膜２０（窒化膜）を形成する。
【００１７】
次に、図６に示すように、熱処理を行って酸素イオン１８を注入した位置に、ＳｉＯ２膜２２（酸化膜）を選択的に形成する。その後、図７に示すように、Ｓｉ３Ｎ４膜２０を熱リン酸（Ｈ３ＰＯ４）等により除去する。
【００１８】
次に、図８に示すように、ＳｉＯ２膜１２をマスクとして用い、かつＳｉＯ２膜２２をエッチングストッパとして用いて、トレンチ１６の底面からＳｉ基板１０を更にエッチングしてトレンチ２４を形成する。その後、図９に示すように、ＳｉＯ２膜１２，２２を除去する。
【００１９】
次に、図１０に示すように、トレンチ２４内にゲート絶縁膜２６を介してゲート電極２８（電極）を形成する。なお、図１１に示すように、トレンチ２４内に、下部電極３０、絶縁膜３２、及び上部電極３４を有するキャパシタ３６を形成してもよい。その後、半導体装置の構造設計に応じた製造プロセスを実施する。
【００２０】
続いて、本実施の形態の効果について比較例と比較して説明する。図１２は、比較例に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面図である。比較例では、トレンチ１６を形成せずに、基板表面からＳｉ基板１０の所望の深さに酸素イオン１８を注入する。そして、熱処理を行って酸素イオン１８を注入した位置にＳｉＯ２膜２２を形成し、そのＳｉＯ２膜２２をエッチングストッパとして用いてＳｉ基板１０をエッチングしてトレンチ２４を形成する。
【００２１】
しかし、基板表面からＳｉ基板１０の所望の深さに酸素イオン１８を注入するには、酸素イオン１８の注入エネルギーを高くする必要がある。このため、酸素イオン１８の密度分布が広くなり、トレンチ２４の深さがばらついてしまう。
【００２２】
一方、本実施の形態では、まず浅いトレンチ１６を形成し、そのトレンチ１６の底面からＳｉ基板１０の所望の深さに酸素イオン１８を注入する。このため、酸素イオン１８の注入エネルギーを低くできるので、酸素イオン１８の密度分布が狭くなる。従って、Ｓｉ基板１０の所望の深さに正確にＳｉＯ２膜２２を形成することができる。
【００２３】
このＳｉＯ２膜２２をエッチングストッパとして用いてＳｉ基板１０をエッチングしてトレンチ２４を形成するため、エッチング装置の経時変化や状態変化等によらずトレンチ２４の深さのばらつきを低減することができる。
【００２４】
また、熱処理の前にＳｉ３Ｎ４膜２０を形成することで、Ｓｉ基板１０の主面やトレンチ１６の底面及び内壁に酸化膜が形成されるのを防ぐことができる。
【００２５】
また、本実施の形態によりトレンチ２４の深さのばらつきを低減することで、トレンチ２４内にゲート電極２８やキャパシタ３６を形成した半導体装置の電気特性が均一化され、歩留が向上する。
【符号の説明】
【００２６】
１０ Ｓｉ基板（半導体基板）
１６ トレンチ（第１のトレンチ）
１８ 酸素イオン
２０ Ｓｉ３Ｎ４膜（窒化膜）
２２ ＳｉＯ２膜（酸化膜）
２４ トレンチ（第２のトレンチ）
２８ ゲート電極（電極）
３６ キャパシタ
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所望の深さよりも浅い深さを持つ第１のトレンチを半導体基板の主面に形成する工程と、
前記第１のトレンチの深さを測定する工程と、
前記第１のトレンチの底面から前記半導体基板に酸素イオンを注入する工程と、
熱処理を行って前記酸素イオンを注入した位置に酸化膜を形成する工程と、
前記酸化膜をエッチングストッパとして用いて、前記第１のトレンチの前記底面から前記半導体基板を更にエッチングして第２のトレンチを形成する工程と、
前記第２のトレンチを形成した後に前記酸化膜を除去する工程とを備え、
前記酸素イオンを注入する際に、測定した前記第１のトレンチの深さと前記所望の深さの差に基づいて酸素イオンの注入エネルギーを調整して、前記半導体基板の前記所望の深さに前記酸素イオンが注入されるようにすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記酸素イオンを注入した後、前記熱処理を行う前に、前記半導体基板の前記主面と前記第１のトレンチの前記底面及び内壁を覆うように窒化膜を形成する工程と、
前記熱処理を行った後、前記第２のトレンチを形成する前に、前記窒化膜を除去する工程とを更に備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記酸化膜を除去した後に、前記第２のトレンチ内に電極又はキャパシタを形成する工程を更に備えることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１】
所望の深さよりも浅い深さを持つ第１のトレンチを半導体基板の主面に形成する工程と、
前記第１のトレンチの深さを測定する工程と、
前記第１のトレンチの底面から前記半導体基板に酸素イオンを注入する工程と、
熱処理を行って前記酸素イオンを注入した位置に酸化膜を形成する工程と、
前記酸化膜をエッチングストッパとして用いて、前記第１のトレンチの前記底面から前記半導体基板を更にエッチングして第２のトレンチを形成する工程と、
前記第２のトレンチを形成した後に前記酸化膜を除去する工程とを備え、
前記酸素イオンを注入する際に、測定した前記第１のトレンチの深さと前記所望の深さの差に基づいて酸素イオンの注入エネルギーを調整して、前記半導体基板の前記所望の深さに前記酸素イオンが注入されるようにすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記酸素イオンを注入した後、前記熱処理を行う前に、前記半導体基板の前記主面と前記第１のトレンチの前記底面及び内壁を覆うように窒化膜を形成する工程と、
前記熱処理を行った後、前記第２のトレンチを形成する前に、前記窒化膜を除去する工程とを更に備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記酸化膜を除去した後に、前記第２のトレンチ内に電極又はキャパシタを形成する工程を更に備えることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【公開番号】特開２０１２−４３９０３（Ｐ２０１２−４３９０３Ａ）
【公開日】平成２４年３月１日（２０１２．３．１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−１８２４９５（Ｐ２０１０−１８２４９５）
【出願日】平成２２年８月１７日（２０１０．８．１７）
【出願人】（０００００６０１３）三菱電機株式会社 (33,312)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年３月１日（２０１２．３．１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年８月１７日（２０１０．８．１７）
【出願人】（０００００６０１３）三菱電機株式会社 (33,312)
【Ｆターム（参考）】
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