【課題】炭化珪素半導体装置に含まれる炭化珪素層の側面の面方位を特定の結晶面により近づけることができる炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に、主表面が設けられた炭化珪素層１９が形成される。炭化珪素層１９の主表面の一部を覆うマスク１７が形成される。主表面に対して傾斜した側面ＳＳが炭化珪素層１９に設けられるように、マスク１７が形成された炭化珪素層１９の主表面に対して、塩素系ガスを用いた熱エッチングが行われる。熱エッチングを行う工程は、塩素系ガスの分圧が５０％以下である雰囲気下で行われる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の信頼性を向上させることができる技術を提供する。特に、ゲート電極をメタル材料で構成する電界効果トランジスタを有する半導体装置において、安定した動作特性を得ることのできる技術を提供する。
【解決手段】レジストパターン１２をマスクとしたドライエッチングにより、ゲート電極１３ｎまたはゲート電極１３ｐを形成した後、酸素および水素を含むプラズマ雰囲気中においてアッシング処理を施すことにより、レジストパターン１２を除去し、ゲート電極１３ｎまたはゲート電極１３ｐの側面に付着した反応生成物１４を酸化する。その後、洗浄処理を施して、反応生成物１４を除去する。 （もっと読む）

【課題】高電子移動度トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）及びその製造方法に係り、該高電子移動度トランジスタは、基板と、基板から離隔された位置に備わった高電子移動度トランジスタ積層物と、基板と高電子移動度トランジスタ積層物との間に位置した疑似絶縁層と、を含み、該疑似絶縁層は、異なる相の少なくとも２つの物質を含む。前記異なる相の少なくとも２つの物質は、固体物質と非固体物質とを含む。前記固体物質は、半導体物質であり、前記非固体物質は、空気である。 （もっと読む）

【課題】チャネル移動度を高め、かつチャネル長のばらつきを抑制することができる炭化珪素半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１には、基準面から５度以内のオフ角を有する主表面ＭＳが設けられている。基準面は、六方晶系の場合は｛０００−１｝面であり、立方晶系の場合は｛１１１｝面である。炭化珪素層は基板の主表面ＭＳ上にエピタキシャルに形成されている。炭化珪素層には、互いに対向する第１および第２の側壁２０ａ、２０ｂを有する溝６が設けられている。第１および第２の側壁２０ａ、２０ｂの各々はチャネル領域を含む。また第１および第２の側壁２０ａ、２０ｂの各々は、六方晶系の場合は実質的に{０−３３−８}面および｛０１−１−４｝面のいずれか一方を含み、立方晶系の場合は実質的に｛１００｝面を含む。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェハ又はその他の基板における転位を減少させる、水素ベースのフォトレジスト剥離処理方法及び装置を提供する。
【解決手段】水素ベースのフォトレジスト剥離を、１）オーバーストリッピングの継続時間を最小限にし、短い工程を採用することにより、水素収支を最小にする、２）例えば２％〜１６％の水素濃度の希釈水素を供給する、３）プロセス条件や化学反応を制御することにより、材料の損失を最小限に抑える、４）レジスト剥離を低温で行う、５）注入条件及び濃度を制御する、６）剥離後のベントプロセスを１つ又は複数行う。 （もっと読む）

【課題】 所望の深さを有し幅の狭い凹部を半導体基板に安定して形成することが可能な製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明は、半導体基板１０の一部に酸素イオン注入を行うことで第１酸素含有領域２４を形成する工程と、半導体基板１０に熱処理を行い、第１酸素含有領域２４に含まれる酸素を用いて第１酸素含有領域２４を酸化させることで、第１酸素含有領域２４を第１酸化領域２６とする工程と、第１酸化領域２６を除去することで半導体基板１０に凹部１６を形成する工程と、を有する半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】不純物領域の自己整合的な形成を精度よく行うことができる、炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】マスク層３１の開口部ＯＰを介して炭化珪素基板９０上に第１導電型不純物が注入される。第１および第２の材料のそれぞれから作られた第１および第２の膜３２、３３が成膜される。異方性エッチング中に第１の材料のエッチングが生じたことが検知され、異方性エッチングが停止される。第１および第２の膜３２、３３によって狭められた開口部ＯＰを介して、炭化珪素基板９０上に第２導電型不純物が注入される。 （もっと読む）

【課題】成長用基板に形成された窒化物半導体層を容易に剥離できる窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体発光素子の製造方法では、第１のサイズｄ１を有する第１基板３１に窒化物半導体層１１を形成する。窒化物半導体層１１上に第１のサイズｄ１より小さい第２のサイズｄ２を有する第１接着層１２ａを形成し、第２基板３２上に第２接着層１２ｂ形成する。第１および第２接着層１２ａ、１２ｂを重ね合わせ、第１および第２基板３１、３２を張り合わせる。第２のサイズｄ２より大きいまたは等しい第３のサイズｄ３を有する凹部３１ａを生じるように第１基板３１を除去する。凹部３１ａに薬液を注入し、窒化物半導体層１１が露出するまで第１基板３１をエッチングする。薬液で、露出した窒化物半導体層１１を更にエッチングし、窒化物半導体層１１の露出面を粗面化する。 （もっと読む）

【課題】ポッピングの発生を抑制するとともに、ポッピングが発生してしまった場合には飛散した変質層の破片をも除去することができるアッシング方法およびアッシング装置を提供する。
【解決手段】イオン注入により表面に形成された変質層４とその下の未変質層３とを有するレジストを除去するアッシング方法であって、基板の前記レジストが形成された面を覆うように塗布膜５を形成し、前記レジストと前記塗布膜５とを反応性ガスを用いたプラズマ処理により除去する。 （もっと読む）

【課題】製品の歩留まりを向上させることができる半導体装置の製造方法、製造システムおよび調整装置を提供すること。
【解決手段】実施形態にかかる半導体装置の製造方法は、成膜工程と、加工工程と、イオン注入工程と、アニール工程と、調整工程とを含む。成膜工程では、基板上に半導体の薄膜を成膜する。加工工程では、薄膜を所定の形状に加工する。イオン注入工程では、所定の形状に加工された薄膜に対してイオン注入処理を行う。アニール工程では、イオン注入処理が行われた薄膜をアニール処理して抵抗素子を生成する。調整工程では、成膜工程における薄膜の成膜条件および成膜結果と加工工程における薄膜の加工結果とのうち、少なくともいずれか１つに基づき、イオン注入工程におけるイオン注入処理の処理条件およびアニール工程におけるアニール処理の処理条件の双方または一方を調整する。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ半導体の表面特性を向上できるＳｉＣ半導体の洗浄方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ半導体の洗浄方法は、以下の工程を備えている。ＳｉＣ半導体の表面にイオン注入する。表面に酸化膜を形成する。酸化膜を除去する。形成する工程では、１５０ｐｐｍ以上の濃度を有するオゾン水を用いて酸化膜を形成する。形成する工程は、ＳｉＣ半導体の表面およびオゾン水の少なくとも一方を加熱する工程を含むことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】薬液に関する問題を低減するとともに、洗浄効果を高めるＳｉＣ半導体装置の製造方法およびＳｉＣ半導体装置の製造装置を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ半導体装置の製造方法は、ＳｉＣの表面に酸化膜を形成する工程（ステップＳ３）と、酸化膜を除去する工程（ステップＳ５）とを備え、酸化膜を形成する工程（ステップＳ３）では、オゾンガスを用いる。酸化膜を除去する工程（ステップＳ５）では、ハロゲンプラズマまたは水素プラズマを用いることが好ましい、 （もっと読む）

【課題】エッチング装置の経時変化や状態変化等によらずトレンチの深さのばらつきを低減することができる半導体装置の製造方法を得る。
【解決手段】まず、所望の深さよりも浅い深さを持つトレンチ１６をＳｉ基板１０の主面に形成する。次に、トレンチ１６の深さを測定する。トレンチ１６の底面からＳｉ基板１０に酸素イオン１８を注入する。この際に、測定したトレンチ１６の深さと所望の深さの差に基づいて酸素イオン１８の注入エネルギーを調整して、Ｓｉ基板１０の所望の深さに酸素イオン１８が注入されるようにする。次に、熱処理を行って酸素イオン１８を注入した位置にＳｉＯ_２膜２２を形成する。次に、ＳｉＯ_２膜２２をエッチングストッパとして用いて、トレンチ１６の底面からＳｉ基板１０を更にエッチングしてトレンチ２４を形成する。その後、ＳｉＯ_２膜２２を除去する。 （もっと読む）

【課題】イオン注入されたレジストをプラズマアッシング処理により、レジスト残渣による欠陥発生を抑制しつつ迅速に除去することが可能なプラズマアッシング方法及びプラズマアッシング装置を得る。
【解決手段】半導体基板１０９上に形成されてイオン注入されたレジストパターンをプラズマアッシングする方法において、酸素、水蒸気を主成分とする混合ガスのプラズマを用いた、レジストパターンの低温アッシング処理と、酸素、水蒸気を主成分とする混合ガスのプラズマを用いた、レジストパターンの高温アッシング処理と、酸素、水蒸気、フッ素含有ガスを主成分とする混合ガスのプラズマを用いた、レジストパターンの高温アッシング処理とを、半導体基板１０９を同一チャンバー１０１内に配置して連続して行う。 （もっと読む）

【課題】面取り基板のルーティング方法を提供する。
【解決手段】基板４の環状周囲ゾーン上にプラズマを用いて保護材料層６を堆積するステップと、前記基板の正面４１上に前記基板の縁部４３から所定の距離に延在する保護材料リング６０を残してアクセス可能な環状周囲ゾーン４００’の境界を定めるようにプラズマを用いて前記保護材料を部分的にエッチングするステップと、基板４の前記アクセス可能な環状周囲ゾーンを有するレベルのプラズマを用いてルーティングされる前記基板を構成する材料の厚さをエッチングするステップと、プラズマを用いて保護材料リング６０を除去するステップとを含む。 （もっと読む）

【解決手段】 フォトレジストをストリッピングして、イオン注入処理に関連する残留物をワークピースの表面から除去する方法および装置を改善する。さまざまな実施形態によると、ワークピースは、パッシペーションプラズマに暴露され、所定期間にわたって冷却された後、酸素系または水素系のプラズマに暴露されて、フォトレジストおよびイオン注入処理に関する残留物を除去する。本発明の側面は、ストリッピング速度を許容可能なレベルに維持しつつも、シリコン損失を低減し、残留物が略または全く無い状態とすることを含む。特定の実施形態に係る方法および装置では、高ドーズイオン注入処理の後でフォトレジスト材料を除去する。 （もっと読む）

【課題】複数の処理工程（プロセス）を連続して行う基板処理装置において、チャンバー内の処理ガス流量や処理ガス圧力の大幅な変動に対して短時間で連続的に応答可能な圧力制御を行う圧力制御機器、圧力制御方法および該圧力制御機器を備える基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理ガスが供給される減圧状態の処理室で複数の処理工程を行う基板処理装置であって、処理室に処理ガスを供給する処理ガス供給機構と、処理室の内部を排気する排気機構と、排気機構の排気量を調節する排気バルブと、複数の処理工程それぞれに最適な処理ガス圧力を算出するための演算テーブルを複数有し、演算テーブルに基づいて排気バルブの開度を制御する演算制御機構と、を備える基板処理装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】 被エッチング材に形成するパターンの線幅の面内ばらつきを抑制可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 被エッチング材１０５の第１領域１１０、第２領域２１０に、それぞれ第１パターン、第２パターンを形成する際に、リソグラフィのばらつきによりレジストパターン（開口部１１１、開口部２１１）に生じるばらつきに起因して発生する、第１パターン、第２パターンの線幅がばらつき、マスク材１０６の厚みを調整することにより抑制する。 （もっと読む）

【課題】工程数の低減や製造コストの削減を図りつつ、各々が異なる抵抗値を有する複数の拡散層抵抗を備えた半導体装置及び製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板の表面側を酸化又は窒化せしめることによって保護膜４１を形成し、当該保護膜下に伸張し且つ何れかの導電型の不純物を各々が含む複数の拡散層領域２１，２２，２３を形成する。次いで、当該複数の拡散層領域のうちの少なくとも１つの拡散層領域上にフォトレジスト膜を形成し、半導体基板の裏面側に接地電位を供給しつつ、プラズマアッシング処理を当該フォトレジスト膜に施すことによってこれを除去する。最後に、各拡散層領域と電気的に接続された配線層６０を絶縁層４０を介して形成することによって、各拡散層領域を拡散層抵抗とする。 （もっと読む）

【課題】新規な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＮ層にＰおよびＯを注入する工程と、前記ＳｉＮ層に注入されたＰおよびＯをＨ₂Ｏと反応させ、前記ＳｉＮ層をエッチングする工程とを有する方法により、半導体装置を製造する。特に、半導体装置を形成するにあたり、狭スペースで高アスペクト比の溝サイドウォールを形成する工程や、埋め込み型ビット線を形成する工程に、上記のようにＳｉＮ層をエッチングすることができる。 （もっと読む）