【課題】製造歩留まりや信頼性を損なうことなく微細なコンタクトホールを形成し得る半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０上に第１の窒化膜２４、第１の酸化膜２６、第２の窒化膜２８を順次形成する工程と、第２の窒化膜上にフォトレジスト膜３４を形成する工程と、フォトレジスト膜に開口部３６を形成する工程と、フォトレジスト膜をマスクとして、第２の窒化膜２８をエッチングし、開口部を第１の酸化膜まで到達させる第１のエッチング工程と、第２の窒化膜をマスクとして、第１の酸化膜をエッチングし、開口部を第１の窒化膜まで到達させる第２のエッチング工程と、開口部の底部の径ｄ_２を広げるとともに、第１の窒化膜を途中までエッチングする第３のエッチング工程と、第１の窒化膜を更にエッチングし、半導体基板に達するコンタクトホール３８を形成する第４のエッチング工程とを有している。 （もっと読む）

【課題】微細孔底面下の犠牲層を除去できる低コストの技術を提供する。
【解決手段】反応室６にバッファータンク３５を接続し、固体ＸｅＦ₂が配置されたガス供給装置３１を加熱して発生させたエッチングガスでバッファータンク３５を充填し、反応室６とバッファータンク３５を接続し、エッチングガスを導入し、処理対象物に紫外線を照射しながらエッチングガスと接触させる。プラズマを発生させずにエッチングするので、微細孔底面下の犠牲層をエッチングすることができる。 （もっと読む）

【課題】幅広のパターンと露光技術の解像度の限界以上の超微細パターンとを同時に形成する。
【解決手段】基板Ｗ上に第１のシリコン含有膜３と有機材料膜４と第２のシリコン含有膜５と、細幅と太幅のパターンを有する第１のマスク６ａ、６ｂとを順次形成し、第１のマスク６ａ、６ｂを用いて第２のシリコン含有膜５を細幅と太幅にパターニングし、第１のマスク６ａ、６ｂを除去するとともに有機材料膜４を細幅と太幅にパターニングし、第２のシリコン含有膜５と有機材料膜４と被覆して第３のシリコン含有膜７を形成し、第３のシリコン含有膜７を加工して第２のシリコン含有膜５及び有機材料膜４の側面に側壁を形成し、第２のシリコン含有膜５と該側壁を選択的に被覆する有機材料の第２のマスク８を形成し、第２のマスク８を用いて細幅にパターニングされた第２のシリコン含有膜５を除去し、細幅にパターニングされた有機材料膜４と第２のマスク８を除去する。 （もっと読む）

【課題】銅を含む配線の腐食を抑制できる洗浄工程を含む半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】まず半導体基板１上に銅を含む配線５ｗが形成される（（Ａ）工程）。配線５ｗ上にエッチングストッパ膜６ｅｓが形成される（（Ｂ）工程）。エッチングストッパ膜６ｅｓ上に絶縁層６が形成される（（Ｃ）工程）。絶縁層６に、エッチングストッパ膜６ｅｓに達するビアホール６ｖが形成される（（Ｄ）工程）。ビアホール６ｖおよび絶縁層６の表面が有機溶剤Ｃで洗浄される（（Ｅ）工程）。配線５ｗが露出するようにエッチングストッパ膜６ｅｓが除去される（（Ｆ）工程）。露出した配線５ｗに電気的に接続する配線６ｗがさらに形成される（（Ｇ）工程）。 （もっと読む）

【課題】 トレンチの深さを安定化する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板上に前記半導体基板に比べエッチング選択比の高い第一膜を作成する工程と、前記第一膜上に前記第一膜に比べエッチング選択比の高い第二膜を作成する工程と、一部の領域の前記第二膜および第一膜をエッチングし前記領域の半導体基板表面を露出させる工程と、前記露出した半導体基板表面をエッチングしトレンチを作成する工程を有する安定したトレンチ深さを提供する半導体装置の製造方法とした。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜に対するストップ層の選択比を大きくすることができるプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】Ｃ_ｗＦ_ｘ（ｘ、ｗは所定の自然数）からなる低誘電率層間絶縁膜４１とストップ層４２とを備え、該ストップ層４２は低誘電率層間絶縁膜４１に形成されたビアホール４６の底部において露出するウエハＷに施される半導体デバイス製造処理において、ＣＦ_４ガス及びＣＨ_２Ｆ_２ガスから生じたプラズマに低誘電率層間絶縁膜４１及びストップ層４２を晒して該ストップ層４２をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】 電子装置及びその製造方法に関し、エッチングストッパ膜となる絶縁膜に過度のダメージを与えることなく、塗布系の低誘電率膜との密着性をバラツキなく改善する。【解決手段】 基板９上に形成されたＳｉ−ＣＨ₂ −Ｓｉ構造を１０〜９０重量％含有するシリコンオキシカーバイドからなる第１の絶縁膜１と、第１の絶縁膜１上に形成されたポーラスシリカ系の第２の絶縁膜３とを有し、第１の絶縁膜１と第２の絶縁膜３の界面において、第１の酸素４と二重結合している炭素５を介して、第１の珪素６と、第２の珪素７と結合した第２の酸素８とが連結された構造を形成する。 （もっと読む）

【課題】ビアホールやトレンチの底部や側面に残渣が付着するのを防止することができるプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】ウエハＷに形成されたＣ_ｗＦ_ｘ（ｘ、ｗは所定の自然数）からなる低誘電率層間絶縁膜４１と、エッチングストップ層４２と、銅配線４３と、メタルハードマスク４５とを有する半導体デバイス４０に施されるエッチングストップ層除去処理において、低誘電率層間絶縁膜４１と銅配線４３及び／又はメタルハードマスク４５とが、ＣＦ_４ガス及びＮ_２ガスを含む処理ガスから生じたプラズマへ同時に晒される際、当該処理ガスにおけるＣＦ_４ガス及びＮ_２ガスの流量比はＣＦ_４ガス：Ｎ_２ガス＝１：Ｘ（但し、Ｘ≧７）で示される。 （もっと読む）

【課題】生産コストの増大を抑えつつ、配線の側壁に沿ってスリットが形成されることを防止できるようにした半導体装置の製造方法、及び半導体装置を提供する。
【解決手段】配線１０と、配線１０間に設けられた絶縁膜１６と、配線１０の真上にのみ設けられたＳｉＮ膜１５と、ＳｉＮ膜１５上から絶縁膜１６上にかけて設けられたＳｉＮ膜２１と、ＳｉＮ膜２１上に設けられた層間絶縁膜２２と、を備え、絶縁膜１６及び層間絶縁膜２２と、ＳｉＮ膜１５及びＳｉＮ膜２１との間にはエッチングの選択性があることを特徴とする。このような構成であれば、ビアホールｈの形成位置が配線１０の真上から多少ずれた場合でも、絶縁膜１６の削れを小さくすることができ、配線１０の側壁に沿ってスリットが形成されることを防ぐことができる。 （もっと読む）

【課題】微細化による配線のＥＭ耐性の劣化を抑制することができる構造を備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１０の絶縁膜１１に形成され、上面に凹部１２ｃを有する第１の配線１２ｂと、絶縁膜１１及び第１の配線１２ｂの上に形成され、凹部１２ｃを露出すると共に側壁が順テーパー形状の接続孔１４ｃと配線溝１４ｂとを有する第２の絶縁膜１４と、接続孔１４ｃ及び凹部１２ｃに埋め込まれ、第１の配線１２ｂと接続するビア１９ｂと、配線溝１４ｂに形成され、ビア１９ｂと接続する第２の配線１９ａとを備える。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ膜を下地膜としてＳｉＯＣ系のＬｏｗ−ｋ膜をエッチングする場合等、下地膜に対して選択比を十分に取り難い場合であっても、高選択比および高エッチングレートで被エッチング膜をエッチングすることができるプラズマエッチング装置を提供すること。
【解決手段】真空排気可能な処理容器10内に、上部電極34と下部電極16を対向するように配置し、上部電極34プラズマ形成用の高周波電力を供給する第１の高周波電源48を接続し、下部電極16にイオン引き込みバイアス用の高周波電力を印加する第２の高周波電源90を接続し、第２の高周波電源90に制御器95を設け、この制御器95は、第２の高周波電源90を、ウエハＷの所定の膜にポリマーが堆積される第１のパワーとウエハＷの所定の膜のエッチングが進行する第２のパワーとの間で所定周期でパワー変調するパワー変調モードで動作するように制御する。 （もっと読む）

【課題】 解像限界以下の幅を持つ微細パターンを、少ない製造工程で形成できる微細パターンの形成方法を提供すること。
【解決手段】 基板１０１上に、薄膜１０２を形成し、薄膜１０２上に、レジスト膜１０３を形成し、レジスト膜１０３を、フォトリソグラフィ技術を用いて、所定の間隔を持つパターン１０３´に加工し、有機シリコンを含むソースガスと活性化された酸素種とを交互に供給し、加工されたレジスト膜１０３´、及び薄膜１０２上に、薄膜１０２及びレジスト膜１０３´とは異なったシリコン酸化膜１０５を形成し、シリコン酸化膜１０５を後退させ、加工されたレジスト膜１０３´の側壁上に側壁スペーサ１０５´を形成し、加工されたレジスト膜１０３´を除去し、側壁スペーサ１０５´をマスクに用いて、薄膜１０２を加工する。 （もっと読む）

【課題】解像限界以下のピッチを持つ微細パターンのＣＤ均一性を、より良好にできる微細パターンの形成方法を提供すること
【解決手段】第１レジストパターン１０３´及び薄膜１０２上に、有機シリコンを含むソースガスと活性化された酸素種とを交互に供給して薄膜１０２及び第１レジストパターン１０３´とは異なるシリコン酸化膜１０４を形成し、シリコン酸化膜１０４上に第２レジスト膜を形成し、第２レジスト膜を所定のピッチを持つ第２レジストパターン１０５に加工し、第１、第２レジストパターン１０３´及び１０５´をマスクに用いて薄膜１０２を加工する。 （もっと読む）

【課題】レジスト除去による凹部底部及び側面の絶縁膜損傷又は消失を抑制することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に絶縁膜（ストッパ膜１０２、低誘電率膜１０３、シリコン酸化膜１０７）を形成する工程と、絶縁膜に第１の凹部（ビア孔１０９）を形成する工程と、半導体基板の全面に第１のレジスト材料を塗布して第１のレジスト膜（レジスト膜１０８）を形成する工程と、半導体基板の全面に第２のレジスト材料を塗布して平坦な表面を有する第２のレジスト膜（レジスト膜１１２）を形成する工程と、前記半導体基板にバイアス高周波電力を印加した条件で酸素プラズマ雰囲気にさらして第２のレジスト膜及び第１のレジスト膜を除去する工程と、を含み、第１の凹部を形成する工程において、ビア孔１０９は、底部にＳｉ及びＣを構成元素として含む膜が設けられる。 （もっと読む）

半導体デバイスの製造中に材料をパターン化するための方法は、どの工程が選ばれるかによって、対称なフォトマスクを用いて非対称な機構もしくは対称な機構のいずれかを選択的に形成する。製造される、結果として得られる機構は、パターン化材料の周囲に形成されるスペーサーを用いる。基材を除去するために一つの特定のエッチングが使用される場合、対称な機構が得られる。基材を除去するために二つの特定のエッチングが使用される場合、非対称な機構が得られる。
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【課題】配線間の容量の低減および配線抵抗のばらつきの低減が図られる半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】下部配線４を直接覆うようにシリコン窒化膜などの接続孔ストッパ膜６を形成する。その接続孔ストッパ膜を直接覆うように下部層間絶縁膜８を形成する。その下部層間絶縁膜を直接覆うように下部層間絶縁膜とはエッチング特性の異なる上部層間絶縁膜１０を形成する。その上部層間絶縁膜１０に異方性エッチングを施すことにより上部配線溝１８を形成する。その上部配線溝１８に上部配線２０を形成する。 （もっと読む）

【課題】電気回路が形成された基板上に構成された微細電気力学的素子構造に関して、犠牲層を取り除くための除去エッチングの間に、エッチャントは保護層を突き破り、素子構造がしばしば損傷を受ける。
【解決手段】保護層を電極と電気回路上に施し、この保護層に半導体材料を用いることにより、素子構造の損傷が防がれ、かつ素子の漏れ電流を防ぐ。特に、半導体材料が、Si、SiC、Ge、SiGe、SiNiおよびSiWのグループであるときに効果がある。 （もっと読む）

【課題】スルーホールの底部における突起の形成を防止して、半導体装置の品質を安定させる手段を提供する。
【解決手段】配線層と、配線層上に形成された金属窒化膜と、配線層と金属窒化膜とを覆う層間絶縁膜とを形成した半導体ウェハに、層間絶縁膜を貫通し金属窒化膜に達するスルーホールを形成する工程を備えた半導体装置の製造方法において、スルーホールを形成する工程は、半導体ウェハを第１の温度として異方性エッチングにより前記層間絶縁膜をエッチングする第１のエッチング工程と、半導体ウェハを第１の温度より高い第２の温度として、異方性エッチングにより金属窒化膜の上表面をエッチングする第２のエッチング工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】Ｅ−ＦＥＴにおけるＶｔｈの制御を容易にし、かつＶｆの低下を抑制することが可能なＥ−ＦＥＴとＤ−ＦＥＴとを混載する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】同一の半導体基板１０１上に、Ｅ−ＦＥＴとＤ−ＦＥＴとを備える半導体装置１００であって、前記Ｅ−ＦＥＴの閾値を調整するための第１閾値調整層１０６と、前記第１閾値調整層上に形成される第１エッチング停止層１０７と、前記Ｄ−ＦＥＴの閾値を調整するために前記第１エッチング停止層上に形成される第２閾値調整層１０８と、前記第２閾値調整層上に形成される第２エッチング停止層１０９と、前記第１エッチング停止層、前記第２閾値調整層および前記第２エッチング停止層を貫通し、前記第１閾値調整層に接合される第１ゲート電極１２０と、前記第２エッチング停止層を貫通し、前記第２閾値調整層に接合される第２ゲート電極１２１とを具備する。 （もっと読む）

【課題】微細パターンの形成工程を削減でき、量産時の製造コスト低減に有効な半導体素子の微細パターン形成方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１００上に、図１Ｅまでの工程の第１補助パターン(108)、下部反射防止パターン(BARC; 106a)、第２補助パターン(112a)をエッチングマスクとしてハードマスク膜(104)をエッチングして所要のラインとスペーサを有するハードマスクパターン(104c)を形成する（図１Ｆ参照）。その後、第１補助パターン(108)などを除去し、ハードマスクパターン(104c)からなる微細パターンを形成する。続く図１Ｇの工程でハードマスクパターン(104c)をエッチングマスクとしてエッチング対象膜(102)をエッチングしてエッチング対象パターン(102a)を形成してからハードマスクパターン(104c)を除去する。第１，第２補助パターン(108，112a)の形成工程のみで微細パターンを形成することで、所要の臨界寸法(CD)を有する微細パターンを形成でき、工程を削減する。 （もっと読む）