【課題】従来の半導体素子の製造方法では、半導体基板２の厚み方向のエッチングがエッチング工程とデポジション工程とを交互に繰り返して進行させられるために、規則的なくぼみが貫通孔１の側壁面に横方向の筋として発生してしまう。その結果、ＣＶＤ法などにより貫通孔１の側壁面に堆積される前述の絶縁膜の、膜厚の均一性や側壁面に対する密着性が、凹凸構造３ａのために悪くなってしまう。そして、その絶縁膜上に形成されるシード層の膜厚の均一性も悪くなってしまうために、続いて貫通孔１にめっき法により導電性物質を充填させることで形成される貫通電極の信頼性が低くなる現象が見られる。
【解決手段】半導体基板２と、半導体基板２に配置された回路素子と、半導体基板２に形成された、筋状の凹凸構造３をその側壁面に有する貫通孔１と、を備え、筋状の凹凸構造３の筋の方向は、半導体基板２の厚み方向である、半導体素子。 （もっと読む）

【課題】埋め込み金属配線の形成時に、イン-サイチュウ(in-situ)で平坦化を行うことができ、層間絶縁膜形成の回数を減らし、製造工程にかかる時間及び費用を減らすことができる半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１００上の第１の層間絶縁膜１０２にコンタクトプラグ１０４を形成する。第１の層間絶縁膜及びコンタクトプラグの上部にエッチング停止膜１０６ａ及びハードマスクパターンを形成する。ハードマスクパターンに沿ってエッチング停止膜をパターニングし、露出された第１の層間絶縁膜及びコンタクトプラグをエッチングしてコンタクトプラグの上部の第１の層間絶縁膜にトレンチを形成する。金属膜を形成後、エッチング停止膜までシリカ研磨剤とセリア研磨剤を混合したスラリーを用いて平坦化を行い、金属配線１１４ａを形成する。エッチング停止膜を除去し、第２の層間絶縁膜１１６を形成する。 （もっと読む）

【課題】 コンタクトプラグの凸形状部の電界集中による絶縁破壊を抑制したＶｉａパターンを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】 第一の配線層１及び第一の絶縁層２上に形成された層間絶縁膜３と、層間絶縁膜３内に第一の配線層１との接続部から上方にいくにつれて断面形状が大きくなるように形成された接続孔４と、接続孔４の側壁全面に所定の深さから上方にいくにつれて膜厚が大きくなるように連続的にスペーサ膜５と、スペーサ膜５の内側に第一の配線層１と電気的に接続されるコンタクトプラグ７と、コンタクトプラグ７上に形成され、コンタクトプラグと電気的に接続された第二の配線層８と、第二の絶縁層９とを有する半導体装置。 （もっと読む）

【課題】コンタクト抵抗の上昇を防止することが可能な半導体装置の製造方法および半導体装置を提供すること。
【解決手段】シリコン基板１上に第１アモルファスカーボン膜２４を形成する工程と、第１アモルファスカーボン膜２４上にＢＰＳＧ膜１３を形成する工程と、ＢＰＳＧ膜１３上に第２アモルファスカーボン膜１６を形成する工程と、第２アモルファスカーボン膜１６をパターニングし、第２アモルファスカーボン膜１６をハードマスクとしてＢＰＳＧ膜１３を第１アモルファスカーボン膜２４が露出するまでエッチングする工程と、露出した第１アモルファスカーボン膜２４および第２アモルファスカーボン膜１６をアッシングする工程とを備える。第１アモルファスカーボン膜２４がエッチングストッパ層として作用する。よってシリコン基板１がオーバーエッチングによりダメージを受けることが防止される。 （もっと読む）

【課題】１回の露光でより多くのホールを形成することが可能なホール形成方法を提供する。
【解決手段】ホール５１１、５１２の形成位置となる複数領域の内、一の領域を囲む他の領域のシリコン酸化膜５１上に円柱を形成する。具体的には、４以上の複数領域の内、平面視において一の領域を囲む他の領域のシリコン酸化膜５１上に円柱を形成する。次いで、シリコン酸化膜５１及び円柱上にシリコン窒化膜を形成する。シリコン窒化膜はエッチバックされる。このエッチバックにより円柱を囲むサイドウォール５４１が形成される。円柱はエッチングされる。最後に、サイドウォール５４１をマスクにシリコン酸化膜５１をエッチングする。これにより一の領域に対応するホール５１２及び他の領域に対応するホール５１１が形成される。 （もっと読む）

【課題】エッチング時におけるレジスト残りを防止することでコスト低減を実現した、パターン形成方法、コンタクトホールの形成方法、及び電気光学装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基材１上に形成された膜２上に金属膜３を形成し、金属膜３上にレジストマスク４を形成し、レジストマスク４を用いて金属膜３をドライエッチングして金属マスク４を形成する。この金属マスク４を用いて膜をドライエッチングしてパターニングし、金属マスク４を除去するパターン形成方法である。 （もっと読む）

【課題】被処理基板上の電子密度あるいはプロセス特性の分布特性を容易かつ自在に制御すること。
【解決手段】この容量結合型プラズマ処理装置は、上部電極を径方向で内側上部電極６０と外側上部電極６２とに二分割し、２つの可変直流電源８０，８２より独立した第１および第２直流電圧Ｖ_C，Ｖ_Eを両上部電極６０，６２に同時に印加するようにしている。これらの２つの直流電圧Ｖ_C，Ｖ_Eの組み合わせを適宜選択することにより、種種のアプリケーションにおいてプラズマプロセスやエッチング特性の均一性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】銅ダマシン関連のバック・エンド領域におけるエッチング装置等の運用に関して、無駄時間が発生していることが明らかとなった。すなわち、たとえば、銅ダマシン配線における層間膜のドライ・エッチング工程においては、５分に１度程度の高頻度でステージ温度の切り替えが発生していることが明らかとなった。これは、ドライ・エッチングのステージ温度等のデータが製造実行システムに登録されていないために、ロット優先度の高いロットが仕掛となるたびに、高頻度でステージ温度の切り替えが発生しているからである。
【解決手段】本願発明は、エッチング・ステージ温度等のように、条件変更に比較的長い準備時間を要する処理条件を製造実行システムに登録しておくことによって、効率のよいウエハ・プロセスの進行管理を実現するものである。 （もっと読む）

【課題】垂直性の高い異方性エッチング形状と高いマスク選択比を同時に達成するシリコン構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の１つのシリコン構造体の製造方法は、エッチングガスと有機堆積物形成ガスが交互に導入されて形成されるプラズマを用いてシリコン基板をエッチングする過程で、そのエッチングの開始時から所定時間、エッチングガス導入時の基板への印加電力を一定にする第１電力印加工程と、その所定時間が経過した後にエッチングガス導入時の基板への印加電力を時間と共に上昇させる第２電力印加工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】エッチング時におけるホール径が小さく、アスペクト比が高い場合においても、テーパ角を良好にコントロール可能なコンタクトホールの形成方法、パターン形成方法、及び電気光学装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基材１上に形成された膜２上に金属膜３を形成する。そして、金属膜３上にレジストマスク４を形成する。このレジストマスク４を用い、金属膜３をドライエッチングするとともに、ドライエッチングによるレジストマスク４の後退量を制御して、開口側面５ａが膜に対して第１の傾斜角度を有する金属マスク５を形成する。第１の傾斜角度を有する金属マスク５を用いて膜をドライエッチングすることで、基材１の表面に形成された導電部６を露出させるとともに、開口側面５ａが導電部６に対して第１の傾斜角度に応じた第２の傾斜角度を有する孔を形成する。そして、金属マスク５を除去するコンタクトホールの形成方法である。 （もっと読む）

【課題】コンタクトのホール加工等におけるドライエッチングにおいて、エッチング対象のパターン占有率が微小であっても、エッチング終点を安定して検出することができる技術を提供する。
【解決手段】ドライエッチング終点検出方法であって、コンタクトホール等のドライエッチング工程において、プラズマ発光のスペクトル分析を利用するものである。そして、２波長の発光強度比の時系列データを二次微分演算して第２変極点（ｊｕｓｔ２）４０２でエッチング終点を検知することにより、エッチング終点検出の安定化を達成する。また、異常放電を同時に検出することにより、外乱を排除し、エッチング終点検出の安定化を達成する。 （もっと読む）

【課題】疎密に配置された複数のパターンを正確に形成できるパターン形成方法を提供する。
【解決手段】基板１４上に第１絶縁膜１５を形成し、第１絶縁膜１５上に疎密に配置された第１開口パターン３１ａ〜３１ｄを有する第１マスク材３１を形成し、第１マスク材３１を用いて第１絶縁膜１５をエッチングして第１開口パターン３１ａ〜３１ｄを転写する工程と、第１マスク材３１を除去し、第１開口パターン１５ａ〜１５ｄの上面を塞いで第１絶縁膜１５上に、第１絶縁膜１５と異なる材質の第２絶縁膜３２を形成する工程と、第２絶縁膜３２上に、第１開口パターン１５ａ〜１５ｄと対向する第２開口パターン３６ａ〜３６ｄを有する第２マスク材３６を形成し、第２マスク材３６を用いて第２絶縁膜３２をエッチングし、第２マスク材３６を用いて第１絶縁膜１５を予め定められた深さまでエッチングする工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】エッチング加工用マスクを基板の表面に形成する回数を削減する。
【解決手段】基板１０と、基板１０の表面１０ｐに形成されたＧＮＤ部１２と、基板１０の裏面に形成された導電層１４（例えば、Ni）と、基板１０および導電層１４を貫通する貫通孔１４ａ、１０ｃと、貫通孔１４ａ、１０ｃの内面ＩＳと導電層１４の表面１４ｐを覆う導電性部材１６とを備えた接地部付き基板１であって、導電層１４のエッチングレートは、基板１０のエッチングレートよりも小さく、導電層１４の裏面１４ｑが、導電層１４の表面１４ｐと対向し、基板１０の裏面に接している。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチング途中の半導体基板のエッチング状態を時間をかけずに観測する手段を提供し、かつその観測結果を後のエッチング条件に反映する方法を提供すること。
【解決手段】平行平板型のドライエッチング装置において、半導体基板を載置する電極とは反対の電極の内部に顕微鏡機能および膜厚測定機能を有するカメラを設置し、このカメラを用いて半導体基板のエッチング状態を観測できるようにした。カメラには上下移動機構、カメラ設置側の電極にはシャッター機構がついている。エッチング中はこのシャッターが閉じていて、エッチングガスやプラズマがカメラに接触しないようになっている。また、エッチング途中でシャッターを開き電極内部へ設置したカメラを用いて半導体基板を観測できる。さらに、シャッターは電極と同一または類似の材料から形成され、電極の一部となっていて、シャッター部がエッチング中のプラズマ状態を乱さない。 （もっと読む）

【課題】微細なラインアンドスペースパターンを含むパターンを精度良く形成することのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法は、被加工膜（被加工材）１上に芯材４を形成する工程と、芯材４の上面および側面を覆うように第２の膜（被覆膜）５を形成する工程と、第２の膜５を形成した後、芯材４を除去する工程と、芯材４を除去した後、第２の膜５を芯材４の側面に位置していた部分を残して除去し、側壁スペーサーマスク７に加工する工程と、側壁スペーサーマスク７をマスクとして用いて、被加工膜１をエッチング加工する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】基板の凹凸を維持しながら、堆積技術よりも低コスト、かつ、高スループットでコンフォーマルな膜を成膜し、パターンを形成するパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】凹凸を有した下地層上に、この下地層の凹凸に沿って触媒膜３を成膜する工程と、触媒膜３上に、流動性材料を塗布して塗布膜４を成膜する工程と、塗布膜４を触媒膜３に沿って反応させ、塗布膜４内に、溶剤に対して不溶な不溶化層５を形成する工程と、溶剤を用いて塗布膜４の未反応部分を除去し、不溶化層５を残す工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、開口部内の残渣を検出すると同時に除去することにより、高いスループットで半導体装置の歩留り、信頼性の向上を図ることが可能な半導体製造方法および半導体製造装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体製造装置は、複数の開口部が形成されたウェーハｗが搬入され、検査、処理されるチャンバ１１と、ウェーハｗの所定位置に電子ビーム１４を照射する機構１５、１６と、電子ビーム１４の照射により、複数の開口部より残渣を有する開口部を検出する機構１７と、活性化されることにより残渣の除去が可能なプロセスガスを、チャンバ１１内に供給するガス供給機構１８と、チャンバ１１内の圧力を制御して排気するガス排出機構１９を備える。 （もっと読む）

【課題】簡易な手順で平面視で矩形形状を有するコンタクトを形成する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、層間絶縁膜１０８上に下層レジスト膜１１０を形成する工程と、下層レジスト膜１１０に、平面視で円形形状を有する第１の開口部と、当該第１の開口部の四方にそれぞれ配置された第２から第５の開口部とを形成する工程と、下層レジスト膜１１０をマスクとして層間絶縁膜１０８をエッチングする工程とを含む。層間絶縁膜１０８をエッチングする工程において、下層レジスト膜１１０の第１の開口部と、第２から第５の開口部とがそれぞれ隣り合う領域に硬化層１３２を形成し、硬化層１３２をマスクとして、層間絶縁膜１０８のエッチングを行い、層間絶縁膜１０８において、下層レジスト膜１１０の第１の開口部に対応する箇所に平面視で矩形形状を有するコンタクトホール１２１を形成する。 （もっと読む）

【課題】アスペクト比１０以上のコンタクトホール形成に際して、デポ物の除去効率を高める半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】コンタクトホールのホールエッチング後、フルオロカーボン系ガスと酸素を酸素過多で含む処理ガスでバイアス無印加の条件でライトエッチングし、ホール３側壁に付着するＣ−Ｆ結合を有する反応生成物５をプラズマ処理で除去し、その後ＷＥＴ処理によりホール底に残存するデポ物４を除去してから、ホール内に導電材料を埋め込みコンタクトプラグ７を形成する。 （もっと読む）

【課題】コンパクトで処理コストの低減を可能ならしめるシリル化処理装置を用いることが可能な、層間絶縁膜のダメージ部をシリル化するシリル化処理方法を提供すること。
【解決手段】エッチング処理、アッシング処理、薬液処理、洗浄処理のうちの少なくとも１つの処理によってダメージを受けたダメージ部を有する層間絶縁膜を備えた基板をチャンバ４２内に収容し、上記基板を所定の温度に加熱し、チャンバ４２を排気し、チャンバ４２内が所定の真空度に到達したらチャンバ４２の排気操作を停止し、チャンバ４２内を所定の減圧雰囲気に保持し、シリル化剤の蒸気または不活性ガスに所定量のシリル化剤の蒸気を含ませた処理ガスをチャンバ４２に供給し、上記シリル化剤の蒸気または処理ガスをチャンバ４２内で略均一に拡散させ、上記層間絶縁膜のダメージ部をシリル化する。 （もっと読む）