【課題】半導体基板上の二酸化シリコン含有材料をエッチング形状（例えば、トレンチ、コンタクト、またはビア等）を形成するための改良された装置および方法を提供する。
【解決手段】半導体の基板２１４を処理するプラズマ処理リアクタ装置２００は、チャンバ、第１のＲＦ周波数を有した第１のＲＦ電源２０６に結合されるように構成されたトップ電極２０４と、第１のＲＦ周波数より低い第２のＲＦ周波数を有した第２のＲＦ電源２１２に結合されるように構成されたボトム電極２１０とを備える。この装置は、また、チャンバの内壁に沿った絶縁シュラウド２２０とボトム電極２１０の外周の外側に配置された穿孔プラズマ閉じ込めリング２２２をさらに備え、この穿孔プラズマ閉じ込めリング２２２の上面は、基板２１４の上面の下方に配置され、処理中には電気的に接地されている。 （もっと読む）

【課題】太陽電池の受光面と裏面で生成された電流をともに裏面側で集める集電構造を有する太陽電池セルにおいて、受光面側電極を裏面側に引き出すための基板を厚さ方向に貫通する電極内部において空間が発生することによる特性不良を改善する。
【解決手段】太陽電池セルの受光面側電極を裏面側に引き出すための基板を厚さ方向に貫通する貫通孔にテーパー形状を設けることで、導電材料の貫通孔への注入不良による特性の劣化を改善できる。また、貫通孔内部および裏面側貫通孔周辺の絶縁膜形成、さらに受光面側の電極形成に凹版オフセット印刷法を用いることで、貫通孔を閉塞することなく貫通孔壁面全体に極薄の絶縁膜を形成すると同時に有効受光面積を増大させることができる。 （もっと読む）

【課題】ビアと配線の間に位置ずれが生じても、エアギャップとビアが繋がることを抑制できるようにする。
【解決手段】配線１６２は第１絶縁層１２０に埋め込まれており、上面が第１絶縁層１２０の上面より高い。エアギャップ１２８は、配線１６２と第１絶縁層１２０の間に位置している。第２絶縁層２００は、少なくとも第１絶縁層１２０上及びエアギャップ１２８上に形成されている。本図に示す例では、第２絶縁層２００は配線１６２を被覆していない。エッチングストッパー膜２１０は、少なくとも第２絶縁層２００上に形成されている。本図に示す例では、エッチングストッパー膜２１０は、第２絶縁層２００上及び配線１６２上に形成されている。第３絶縁層２２０はエッチングストッパー膜２１０上に形成されている。ビア２６２は第３絶縁層２２０に埋め込まれており、配線１６２に接続している。 （もっと読む）

【課題】レジスト組成物を用いたマスクパターンを用いることなくＴＦＴ及びそれを用いた表示装置を製造することを目的とする。
【解決手段】ロールツーロール方式により加工処理を行う表示装置の製造方法であって、組成物の吐出口が一軸方向に複数個配列した第１の液滴吐出手段により、可撓性を有する基板上に開口部を有する絶縁性樹脂膜を形成し、組成物の吐出口が一軸方向に複数個配列した第２の液滴吐出手段により、開口部にゲート電極を形成し、プラズマの噴出口が一軸方向に複数個配列したノズル体を備えた被膜形成手段により、ゲート電極および絶縁性樹脂膜上にゲート絶縁膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】被処理基板の周囲を覆うように下部電極に取り付けられるフォーカスリングを電極温度から独立して任意・簡便かつ効率的に加熱すること。
【解決手段】
このプラズマエッチング装置において、チャンバ１０の処理空間に処理ガスを供給しない時は高周波放電が起こらず、プラズマ生成用負荷は実質的に存在しない。この場合、プラズマ生成用負荷に置き換わってフォーカスリング加熱用負荷が高周波電源２８に対して実質上の負荷となり、整合器３２Ａは高周波電源２８に対してその負荷をインピーダンス整合させるように動作する。ここで、サセプタ１２からフォーカスリング３６および誘電体４４を介して接地電位の筒状支持部材１６に至る高周波伝搬経路がフォーカスリング加熱用負荷として利用される。 （もっと読む）

【解決手段】高アスペクト比特徴をエッチングするための装置が提供される。プラズマ処理チャンバエンクロージャを形成するチャンバ壁と、下部電極と、上部電極と、ガス入口と、ガス出口とを含むプラズマ処理チャンバが提供される。上部電極又は下部電極の少なくとも一方に、高周波数無線周波数（ＲＦ）電源が電気的に接続される。上部電極及び下部電極の両方に、バイアス電力システムが電気的に接続され、該バイアス電力システムは、上部電極及び下部電極に少なくとも５００ボルトの大きさのバイアスを供給することができ、下部電極に対するバイアスは、断続的にパルス化される。ガス源が、ガス入口と流体接続している。ガス源、高周波数ＲＦ電源、及びバイアス電力システムには、コントローラが可制御式に接続される。 （もっと読む）

【課題】シリコンの表面上にシリコン酸化膜が形成された基板をエッチングする方法において、コンタクト抵抗を低くできるエッチング方法を提供する。
【解決手段】ハロゲン元素を含むガス、及び塩基性ガスを基板Ｗ上に供給し、シリコン酸化膜にハロゲン元素を含むガス及び塩基性ガスを化学反応させた凝縮層１０５を生成して、シリコン酸化膜１０４をエッチングする。Ｆ_２ガス、ＸｅＦ_２ガス及びＣｌＦ_３ガスの群から選ばれる少なくとも一つを含むシリコンエッチングガスを基板Ｗ上に供給し、シリコンエッチングガスによって基板Ｗ上のシリコンをエッチングする。シリコン酸化膜１０４のエッチング及びシリコンのエッチングの後、基板Ｗ上の凝縮層１０５を加熱して除去する。 （もっと読む）

【課題】製造工程による抵抗変化層の特性劣化を改善する抵抗変化層を用いた不揮発性記憶装置を提供する。
【解決手段】基板１１上に形成された下層配線１５と、下層配線１５上の少なくとも一部に形成された抵抗変化層１６と、下層配線１５と抵抗変化層１６とを含む基板１１上に形成された層間絶縁層１７と、層間絶縁層１７を貫通して抵抗変化層１６に接続するように形成されたコンタクトホール２６と、抵抗変化層１６に接続し、コンタクトホール２６内に形成された埋め込み電極１９と、層間絶縁層１７上に埋め込み電極１９と接続し、下層配線１５に対して交差する上層配線２０とを備え、抵抗変化層１６は少なくとも酸素不足型の遷移金属酸化物を含み、かつコンタクトホール２６が接続する領域の抵抗変化層１６の表層部分がコンタクトホール２６と接続する領域以外の抵抗変化層１６の表層部分に比べて凹んだ形状になっている。 （もっと読む）

【課題】製造工程の増加を抑えて、通常のコンタクトとシェアードコンタクトとをそれぞれ良好なコンタクト特性を有するようにする。
【解決手段】半導体装置１００は、第１の不純物拡散領域１０６ａに接続するとともに、第１のゲート電極１１２ａとは接続しないように形成された第１のコンタクト１２４と、第２のゲート電極１１２ｂおよび第２の不純物拡散領域１０６ｂに共通して接続するように形成された第２のコンタクト１２６とを含む。第１のコンタクト１２４および第２のコンタクト１２６は、それぞれ、層間絶縁膜１２２の表面から基板１０１に向かう途中の位置でテーパー角度が小さくなるように変化する形状を有し、第２のコンタクト１２６においてテーパー角度が変化する位置が、第１のコンタクト１２４においてテーパー角度が変化する位置よりも基板１０１に近い。 （もっと読む）

【課題】柱状残渣の発生を抑制した半導体素子の製造方法の提供。
【解決手段】基板１２上に配線層１４を形成する工程と、基板１２および配線層１４を覆うように、第３絶縁膜２２、第２絶縁膜（ＳｉＮ膜）２４、および第１絶縁膜（ＰＳＧ膜）２６を順に積層した層間絶縁層２０を形成する工程と、第１絶縁膜２６上にマスクパターンを形成する工程、ウェットエッチング処理によって第１絶縁膜２６のコンタクトホール３０形成部分を除去する工程、少なくとも等方性ドライエッチングを含むエッチング処理によって第２絶縁膜２４のコンタクトホール３０形成部分を除去する工程、およびエッチング処理によって第３絶縁膜２２のコンタクトホール３０形成部分を除去する工程、を経て配線層１４表面が露出するよう層間絶縁層２０にコンタクトホール３０を形成する工程と、を有する半導体素子１０の製造方法。 （もっと読む）

【課題】プラズマ雰囲気の周囲に存在する銅による影響を抑制する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１の上方に絶縁膜１８〜２１を形成する工程と、絶縁膜１８〜２１上にレジスト膜２４を形成する工程と、レジスト膜２４の上方にマスク膜２５を形成する工程と、マスク膜２５の上方にレジストパターン２７を形成する工程と、レジストパターン２７をマスクにしてマスク膜２５をエッチングする工程と、酸素ガスとハイドロフロロカーボンガスの混合ガスを導入し、３０ｍＴｏｒｒ以上の圧力の雰囲気内で、マスク膜２５から露出する領域のレジスト膜２４をエッチングする工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】処理の面内均一性を向上させることができるとともに、半導体ウエハの周縁部裏面側に対するデポジションの発生を従来に比べて低減することのできるフォーカスリング及びプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】被処理基板を収容して所定のプラズマ処理を施すための処理チャンバー内の被処理基板が載置される下部電極上に、かつ、被処理基板の周囲を囲むように配置された環状のフォーカスリングであって、誘電体からなる下側部材と、この下側部材の上部に配置され導電性材料からなる上側部材とを具備し、上側部材は、高周波電力に対して、接地電位に接続されている。 （もっと読む）

【課題】In-situでパターン側壁の抵抗及びそのパターン側壁に流れる電流を測定する。
【解決手段】プラズマチャンバ１内に設置された２個のセンサ１０−１，１０−２の片方にのみ、外部抵抗素子７を接続している。そのため、２個のセンサ１０−１，１０−２の上部電極１５及び下部電極１３間抵抗は互いに異なり、In-situにおいて異なる上部電極１５及び下部電極１３間の電位差が得られ、且つ、一方のセンサ１０−１の上部電極１５及び下部電極１３間にワイヤ１７−１１，１７−１２にて並列接続された外部抵抗素子７の抵抗値は既知であるため、In-situにおいてコンタクトホール１個当りのコンタクトホール側壁１６aの抵抗値が得られる。更に、コンタクトホール１個当りの抵抗が得られれば、コンタクトホール１個当りのコンタクトホール側壁１６aに流れる電流値を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】ガスを受け入れるよう構成された内部の空間と、空間内で電磁場を生成するよう動作可能な電磁場生成部とを有する処理システムを動作させる方法が提供されている。その方法は、空間内にガスを供給する工程と、空間内で電磁場を生成してガスの少なくとも一部をプラズマに変換するように、駆動電位で電磁場生成部を動作させる工程とを備える。時間の関数としての駆動電位は、第１の電位関数部分および第２の電位関数部分に基づく。第１の電位関数部分は、第１の振幅と第１の周波数とを有する第１の連続周期的部分を含む。第２の電位関数部分は、最大振幅部分と最小振幅部分とデューティサイクルとを有する第２の周期的部分を含む。最大振幅部分は、最小振幅部分よりも高い振幅を有する。デューティサイクルは、最大振幅部分の持続時間および最小振幅部分の持続時間の合計に対する最大振幅部分の持続時間の比である。第２の周期的部分は、さらに、最大振幅部分の間に第２の周波数を有する。第２の周期的部分の振幅変調は、第１の連続周期的部分に位相固定される。 （もっと読む）

【課題】ビア構造とそれを形成するビアエッチングプロセスを提供する。
【解決手段】ビアエッチングプロセスは、丸角とテーパ型側壁プロファイルを有するスルーサブストレートビアを形成する。その方法は、半導体基板を提供するステップと、半導体基板上に、ハードマスク層とパターン化フォトレジスト層を形成するステップと、ハードマスク中に開口を形成して、半導体基板の一部を露出するステップと、パターン化されたフォトレジスト層とハードマスク層をマスキング要素として、半導体基板の少なくとも一部を通過するビアを形成するステップと、トリミングプロセスを実行して、ビアの頂角を丸くするステップと、フォトレジスト層を除去するステップと、からなる。 （もっと読む）

【課題】高速電子による有機膜の改質効果を十分に発揮することができるプラズマエッチング方法を提供すること。
【解決手段】プラズマエッチングによりエッチング対象膜にホールを形成するにあたり、プラズマ生成用高周波電力印加ユニットをオンにして処理容器内にプラズマを生成する第１条件と、プラズマ生成用高周波電力印加ユニットをオフにして処理容器内のプラズマを消滅させる第２条件とを交互に繰り返し、第１の直流電源から、第１条件の期間よりも第２条件の期間のほうが印加電圧の絶対値が大きくなるように負の直流電圧を印加する。 （もっと読む）

【課題】有機反射防止膜のドライエッチングに、Ｏ２を含むガスを用いて、上層のフォトレジストが横方向にエッチングされ、クリティカルディメンジョンの変化を対策する方法を提供する。
【解決手段】半導体製造プロセスであって、このプロセスは、有機反射防止膜が、下層に対して選択性を与え、及び／又は、フォトレジストによって定められるクリティカルディメンジョンを維持する上層のフォトレジストの横方向のエッチング速度を最小化する。その為に、有機反射防止膜のドライエッチングに、エッチャントガスとしてＳＯ２、キャリアガスとしてＨｅ又はＡｒ等を用いる。このガスには、随意的に、ＨＢｒ等の他のガスを付加してもよい。このプロセスは、ダマシン構造等の構造を形成するときに０．２５μｍかそれ以下のコンタクト開口部又はビア開口部をエッチングするのに役立つ。 （もっと読む）

【課題】多層マスクエッチングを用いたホール加工において、開口径及び深さの均一なホールを絶縁膜内に形成する。
【解決手段】窒化膜１上に、層間絶縁膜２とレジスト膜３とハードマスク膜４とを順に積層させた多層マスクを形成する工程と、層間絶縁膜２を露出させる開口を多層マスクに形成する工程と、フルオロカーボンを含むガスＦＲをエッチングガスとしてエッチングを行うことにより、開口内の層間絶縁膜２を除去しつつ、開口の周囲のハードマスク膜４を除去する工程（図３（ｂ））と、開口の周囲にレジスト膜３が露出する前に、ガスＦＲをガスＦＲよりもＣ／Ｆ（炭素原子数とフッ素原子数との比率）が高いフルオロカーボンを含むガスＦＰに切り替えてエッチングを行うことにより、開口から窒化膜１が底面をなすコンタクトホールを形成する工程（図３（ｃ））と、を含む。 （もっと読む）

【課題】微細化したホール又はラインのパターンを、従来よりも容易に形成する製造方法を提供する。
【解決手段】被加工膜（２）上に第１のカーボン膜（３）と第１のＡＲＬ（４）を順次堆積し、第１のＡＲＬをパターニングする工程、第２のカーボン膜（６）と第２のＡＲＬ（７）を順次堆積し、第２のＡＲＬをパターニングする工程と、第２のＡＲＬをマスクとして第２のカーボン膜を除去する工程と、露出した第１のＡＲＬとをマスクとして、第１のカーボン膜を除去する工程と、残存している第１及び第２のカーボン膜をマスクとして被加工膜のエッチングを行う工程とを備えている。 （もっと読む）

【課題】予め定めた形状にパターニングされた導電層の上下に配置されている絶縁層のそれぞれにコンタクトホールを形成し、これらコンタクトホールを介して互いに異なる層として形成された２つの導電層を互いに電気的に接続する場合であっても、導電不良が生じ難い多層膜の形成方法及び表示パネルの製造方法を提供する。
【解決手段】基板２上に成膜された第１導電層４０上に第１絶縁層２０を成膜し、前記第１絶縁層２０上に第２導電層４１を成膜し、前記成膜した第２導電層４１をパターニングし、パターニングされた前記第２導電層４１を覆うように前記基板２上に第２絶縁層２５を成膜し、前記第２絶縁層２５上に該第２絶縁層２５よりもエッチング速度が速い第３絶縁層２６を成膜し、前記第１絶縁層２０、前記第２絶縁層２５及び前記第３絶縁層２６に対して前記第１導電層４０の少なくとも一部を露出させるコンタクトホールを一括形成する。 （もっと読む）