【課題】 ＣＦ_４、ＣＨＦ_３、Ｃ_２Ｆ_６等の地球温暖化の一因となるガスを用いずに、レジスト膜を良好にアッシングするレジスト膜の除去方法、およびそれを用いた表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 薄膜トランジスタ及び画素電極の上層側に成膜されたオーバーコート膜１２から前記画素電極の少なくとも一部を露出させる際のマスクとして前記オーバーコート層１２上にパターニングして形成されたレジスト膜２８を、前記オーバーコート層１２から前記画素電極の少なくとも一部を露出させた後にＣＯＦ_２またはＦ_２のいずれか一方と酸素ガスとを含む混合ガスを用いて除去する。 （もっと読む）

【課題】異なる領域のパターン間に重ね合わせズレを発生させずに、一の領域に微細な狭ピッチパターンを形成すると同時に他の領域に微細パターンを形成する。
【解決手段】第１領域１０１及び第２領域１０２を含む基板１００上に被加工膜１２１を形成した後、各領域間で膜厚が異なる下層レジスト膜１２２及び１２３を形成し、その後、中間層レジスト膜１２４及び上層レジスト膜１２５を形成する。ホールパターン形成用の露光マスクを用いて上層レジスト膜１２５をパターニングした後、それをマスクとして中間層レジスト膜１２４をパターニングし、その後、それをマスクとして下層レジスト膜１２２及び１２３をパターニングした後、それをマスクとして被加工膜１２１をエッチングすることにより、各領域で開口寸法が異なる複数のホール１５１ａ及び１５１ｂを同時に形成する。 （もっと読む）

【課題】微細なパターンを精度良く形成することのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法は、被加工体１上にＣを含む材料からなる芯材２を選択的に形成する工程と、芯材２の上面および側面を覆うように、酸素を含まない材料からなる保護膜３を形成する工程と、保護膜３を介して芯材２と被加工体１を覆うように酸化膜４を形成する工程と、芯材２の側方に少なくとも酸化膜４からなる側壁５を加工形成する工程と、少なくとも芯材２を除去した後、側壁５をマスクとして用いて被加工体１をエッチングし、側壁５のパターンを転写する工程と、を含む。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、改良されたプラズマ解離効率を備えたプロセスチャンバに処理ガスを供給するための方法及び装置に関する。本発明の一実施形態は、処理チャンバに接続される拡張容積を画定する外側本体を含むバッフルノズルアセンブリを提供する。処理ガスは、プラズマ生成用電源に曝露される拡張容積を通して処置チャンバへ流される。
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【課題】良好な形状制御が可能であり、且つ、高速で窒化シリコン膜のエッチングを行うことの可能なプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】上部から下部へ向かって開口面積が徐々に小さくなる開口部を備えたレジストパターンの下層側に形成された被処理基板Ｓ上の窒化シリコン膜をプラズマエッチングするにあたり、被処理基板Ｓを処理容器２０内に搬入する工程と、処理容器２０内に六フッ化硫黄と酸素との混合ガスを供給して、１３３Ｐａ以上、２００Ｐａ以下の範囲内の圧力雰囲気下でプラズマ化して、前記窒化シリコン膜をエッチングする工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】チャンバ内壁や絶縁体等のチャンバ内部材への堆積物の付着を有効に防止することができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】チャンバ１０に互いに対向して配置される上部電極３４およびウエハ支持用の下部電極１６を有し、上部電極３４に相対的に周波数の高い第１の高周波電力を印加する第１の高周波電源４８を接続し、下部電極１６に相対的に周波数の低い第２の高周波電力を印加する第２の高周波電源９０を接続し、上部電極３４に可変直流電源５０を接続し、チャンバ１０内に処理ガスを供給してプラズマ化し、プラズマエッチングを行う。 （もっと読む）

【課題】アモルファスカーボン膜を良好な形状性でかつエッチング部分を拡大させずにエッチングすることができるプラズマエッチング方法を提供すること。
【解決手段】アモルファスカーボン膜を有する被処理基板Ｗを処理容器１０内に設置し、無機膜をマスクとしてアモルファスカーボン膜をプラズマエッチングするにあたり、エッチングガスとしてＯ_２ガスを用い、Ｏ_２ガスの前記処理容器におけるレジデンスタイムが０．３７ｍｓｅｃ以下となるようにＯ_２ガスを流してアモルファスカーボン膜をプラズマエッチングする。 （もっと読む）

【課題】ウェハエッジ部でのレートの低下を解消し、ウェハ面内の中心部からエッジ部にわたって均一なエッチング加工を可能にするプラズマエッチング装置及び、プラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】真空容器１内にフロロカーボン系のガスを供給して試料台に載置された被処理基板Ｗをプラズマ処理するプラズマ処理装置において、前記被処理基板Ｗの周辺に配置されたフォーカスリング７と、前記被処理基板Ｗの中心部と外周部にそれぞれ別々のガスを供給する第１供給手段２Ｂと第２供給手段２Ａを備え、前記被処理基板Ｗの中心部と外周部に前記第１供給手段２Ｂと第２供給手段２Ａから異なる種類のフロロカーボン系のガスを供給し、前記被処理基板Ｗの中心部よりも炭素とフッ素の比率（C/F比）の低いフロロカーボン系のガスを前記被処理基板Ｗの外周部に供給する。 （もっと読む）

【課題】多層化した配線間の接続不良や接続抵抗上昇の原因となる、ドライエッチングの反応生成物を抑制する集積回路装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】金属層上に形成された絶縁膜に異方性エッチングを施して、上記金属層に達する第１の孔を形成する第１の工程と、上記絶縁膜に上記異方性エッチングを施して、上記第１の孔を含む大きさの第２の孔を形成する第２の工程とを有し、上記第２の工程では、上記第１の孔に対応する第１の領域を除く上記第２の孔に対応する第２の領域で、上記第２の孔が上記金属層の上部に達する前又は達した時点で、上記異方性エッチングを終了すること。 （もっと読む）

【課題】エッチング速度に基づいて所望のエッチング量が得られるエッチング終了時期の判別方法の提供。
【解決手段】ＳｉＣ半導体基板１０（基板）上に窒素化合物層１２−２６を形成する。そして、窒素化合物層１６−２６をエッチングする。ここで、窒素化合物層１２−２６は、等間隔に配置され、窒素同位体Ｎ１５を含む複数のマーカー層１６，２０，２４を有する。また、窒素化合物層１６−２６をエッチングする際に、エッチング雰囲気中の窒素同位体Ｎ１５の含有量のピークを検出することでエッチング速度を求める。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハ単位でＡＰＣを行う場合の運用性を向上可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】例えば、今回ロット（＃１）を対象として露光処理後にレジストパターン寸法の計測が行われ、この計測値を反映して次回ロット（＃２）における各半導体ウェハ単位の露光条件が算出される際に、今回ロット（＃１）の露光着工枚数が足りないような状況や、今回ロット（＃１）内の計測枚数が不足するような状況が生じる。そこで、露光着工枚数が足りない状況（例えば、スロット１〜１２内の１１，１２が存在しない状況）では、近似式による外挿計算を利用して１２枚分の計測値を導出し、計測枚数が不足する状況（例えば、スロット１〜１２内の１，６，１２の分しか得られない状況）では、近似式による内挿計算を用いて１２枚分の計測値を導出する。 （もっと読む）

【課題】高アスペクト比のフィーチャーをタングステン含有材料で充填する。
【解決手段】部分的に製造された半導体基板上の高アスペクト比のフィーチャーをタングステン含有材料で充填する方法が提供される。ある実施形態においては、当該方法は高アスペクト比のフィーチャーにタングステン含有材料を部分的に充填する工程とフィーチャー空洞から部分的に充填された材料を選択的に除去する工程とを有する。これらの方法を用いて処理された基板においては、高アスペクト比のフィーチャーに充填されたタングステン含有材料のステップカバレッジが改善され、シームの大きさが低減する。 （もっと読む）

【課題】効率のよいエッチングを行うことを可能とする。
【解決手段】ゲート配線３および抵抗配線６の一部をそれぞれ露出させるコンタクトホール１０，１１を含む。コンタクトホール１０の形成のためにエッチングされる絶縁膜の量は、コンタクトホール１１の形成のためにエッチングされる絶縁膜の量より多く、絶縁膜のうちゲート配線３の上部の絶縁膜は、水平面に対し傾斜している。 （もっと読む）

【課題】半導体基板に存在する、ドライエッチング後に生成する硬化したレジスト膜、その下層に残留するＢＡＲＣ膜、及びドライエッチング残渣等の除去において、アッシング処理を行わずに除去する方法を提供する。
【解決手段】半導体製造プロセスにおいて基板上に形成される有機質物膜および／またはその膜をエッチングおよび／または研磨した際に生成する有機残渣に、１〜５００ｍＷ／ｃｍ²の照射強度の真空紫外線を、大気中、２ｍｍ以下の距離で照射することを特徴とする有機質物除去方法。 （もっと読む）

【課題】下層導電層の表面を十分保護することができ、信頼性が高く、配線容量が小さなデュアルダマシン配線を有する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】導電性領域１１を有する下地と１０、下地の表面を覆う絶縁性エッチストッパ膜１２と、絶縁性エッチストッパ膜上に形成された層間絶縁膜と、層間絶縁膜表面から第１の深さで形成された配線用溝と、配線用溝底面から導電性領域に達する接続用孔と、配線用溝および接続用孔を埋め込んで形成されたデュアルダマシン配線である。層間絶縁膜が配線用溝の側面および底面を包む第１種の絶縁層１５と、第１種の絶縁層よりも下に配置され、第１種の絶縁層とエッチング特性の異なる第２種の絶縁層５６とを含む。接続用孔は、断面で見た時に第１種の絶縁層内で傾斜し、上方に向かって次第に開口が増大する部分を有する。 （もっと読む）

【課題】配線絶縁膜としてＳｉＯＣＨ膜を用いる場合に、ビアホールの開口径に依らず、その加工制御性を十分に得て、下層Ｃｕ配線の表面の組成のバラツキを十分に抑制する。
【解決手段】下層Ｃｕ配線３上に形成されている積層構造２０は、シリコンと炭素を含有するキャップ絶縁膜４と、キャップ絶縁膜４上に形成されている配線絶縁膜５としてのＳｉＯＣＨ膜を有する。積層構造２０にビアホール８、９を形成する工程は、第１及び第２ドライエッチングを組み合わせて行う。第１ドライエッチングでは開口径が小さいビアホール９のエッチングレートが、開口径が大きいビアホール８のエッチングレートよりも大きくなるようにＯ_２濃度が設定された第１混合ガスを用いる。第２ドライエッチングではビアホール８のエッチングレートがビアホール９のエッチングレートよりも大きくなるようにＯ_２濃度が設定された第２混合ガスを用いる。 （もっと読む）

【課題】新規な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＮ層にＰおよびＯを注入する工程と、前記ＳｉＮ層に注入されたＰおよびＯをＨ₂Ｏと反応させ、前記ＳｉＮ層をエッチングする工程とを有する方法により、半導体装置を製造する。特に、半導体装置を形成するにあたり、狭スペースで高アスペクト比の溝サイドウォールを形成する工程や、埋め込み型ビット線を形成する工程に、上記のようにＳｉＮ層をエッチングすることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスの小型化要求を満たす寸法の開口部をマスク層又は中間層に形成することができる制御性に優れた基板処理方法を提供する。
【解決手段】アモルファスカーボン膜５１、ＳｉＯＮ膜５２，ＢＡＲＣ膜５３及びフォトレジスト膜５４が順に積層されたウエハＷを処理する基板処理方法であって、ＣＨＦ_３ガスと、ＣＦ_３Ｉガスと、Ｈ_２ガス及びＮ_２ガスの混合ガスから生成されたプラズマによって、フォトレジスト膜５４の開口部５５のＣＤ値を縮小しつつ開口部底部のＳｉＯＮ膜をエッチングするシュリンクエッチングステップと、開口部５５の側壁面へのデポの堆積を促進させて各ＣＤ値のばらつきを吸収するばらつき吸収ステップと、開口部の内面に薄膜を形成して各開口部の開口幅を縮小させる開口幅縮小ステップとを１ステップで行う。 （もっと読む）

【課題】高アスペクト比の深孔加工において、被エッチング材の開口におけるボーイングを抑制しつつ、高アスペクト比部での開口不足を解消する。
【解決手段】プラズマエッチング装置により被エッチング材上にパターニングされて形成されたマスクを用いて前記被エッチング材をエッチング処理する被エッチング材のプラズマエッチング方法において、フルオロカーボンガスＣ_ｘＦ_ｙ（ｘ＝１、２、３、４、５、６、ｙ＝４、５、６、８）を用いて前記マスクのマスクパターンの表面に近い開口側壁に堆積物を付着させながら被エッチング材をエッチングする高堆積性の第１のステップと、フルオロカーボンガスを用いて前記マスクのマスクパターンの表面に近い開口側壁に付着させた堆積物を削りながら被エッチング材をエッチングする低堆積性の第２のステップと、を順次行う。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上の二酸化シリコン含有材料をエッチング形状（例えば、トレンチ、コンタクト、またはビア等）を形成するための改良された装置および方法を提供する。
【解決手段】半導体の基板２１４を処理するプラズマ処理リアクタ装置２００は、チャンバ、第１のＲＦ周波数を有した第１のＲＦ電源２０６に結合されるように構成されたトップ電極２０４と、第１のＲＦ周波数より低い第２のＲＦ周波数を有した第２のＲＦ電源２１２に結合されるように構成されたボトム電極２１０とを備える。この装置は、また、チャンバの内壁に沿った絶縁シュラウド２２０とボトム電極２１０の外周の外側に配置された穿孔プラズマ閉じ込めリング２２２をさらに備え、この穿孔プラズマ閉じ込めリング２２２の上面は、基板２１４の上面の下方に配置され、処理中には電気的に接地されている。 （もっと読む）