【課題】パターンつきフォトレジストマスクと、その下に配された中間マスク層と、その下に配された機能性有機質マスク層と、その下に配されたエッチング層とによって形成されるスタックにおいてエッチング層内のエッチング構成の限界寸法を制御するための方法を提供する。
【解決手段】中間マスク層４１６は、パターンつきフォトレジストマスク４２０に対して選択的にエッチングすることによって開口される。機能性有機質マスク層４１２の開口は、ＣＯＳを含む開口ガスを流すこと、プラズマを発生させること、および開口ガスを流すことを停止する工程とを含んでいる。その後エッチング層４０８は、所望の寸法にエッチングされる。 （もっと読む）

【課題】ＣＯ₂プラズマに晒された低誘電率絶縁膜のダメージを回復させて、低誘電率絶縁膜を良好な状態にすることができ、半導体装置における性能の向上と信頼性の向上を図ることのできる半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置を提供する。
【解決手段】基板に形成された低誘電率絶縁膜をエッチングするエッチング処理工程と、当該エッチング処理工程の後に基板をＣＯ₂プラズマに晒すＣＯ₂プラズマ処理工程と、ＣＯ₂プラズマ処理工程の後に、低誘電率絶縁膜に紫外線を照射する紫外線処理工程とを有する半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 基板上の特徴部の密度を増大させる処理シーケンスを提供すること。
【解決手段】 本発明の実施形態は、単一の高解像度フォトマスクを使用する標準のフォトリソグラフィ処理技法を使用して可能なものに比較して、２次元において減少ピッチを有するパターン形成特徴部を基板上に形成する方法に関する。方形の角部の４つのコアの中心にディンプルを残すように選択された厚さを有するスペーサ層が、コアの２次元方形格子上に形成される。上記スペーサ層は、上記方形の中心において上記基板をさらすように、エッチングバックされる。上記コア材料を除去することにより、コアのフォトリソグラフィ画成格子のパターン密度が２倍とされる。露出された基板の領域には、再びコア材料を充填することができ、上記処理は、上記パターン密度が４倍となるように繰り返される。 （もっと読む）

【課題】シリコン酸化膜に対して、高選択比にシリコン窒化膜をエッチングすることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、フルオロカーボンガスを含むエッチングガスを用いて、シリコン窒化膜５の上に設けられた層間絶縁膜６をドライエッチングする第一の工程と、第一の工程に引き続き、酸化性ガスを供給してプラズマを発生させて、サイドウォール４の上に設けられたシリコン窒化膜５をドライエッチングする第二の工程と、を含み、第二の工程は、フルオロカーボンガスを供給しないことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】アスペクト比エッチングを行う際に，エッチングレートとレジスト選択比の両方を従来以上に向上させることができるプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】堆積性を有するエッチングガス（例えばフルオロカーボン系ガス）を含む処理ガスにＳＦ_６ガスを添加ガスとして加えて処理室１０２内に導入してプラズマを形成し，その際に添加ガスの流量を調整することによって，ウエハＷ上に堆積する堆積物の膜厚を制御するとともに，堆積物の硬さを制御しながら，被エッチング膜のエッチングを進行させる。 （もっと読む）

【課題】生産性を極端に落とすことなく、開口の形状悪化を抑止するエッチング方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１上に絶縁層２を介して形成されたパッド電極３を被覆するように前記半導体基板１の表面に支持体５を接着する工程と、前記半導体基板１の裏面から前記パッド電極３の表面に到達するようにビアホールを形成する工程とを有するものにおいて、前記半導体基板１に対して前記絶縁層２が露出しない位置まで第１の開口を形成する第１のエッチング工程と、前記半導体基板１に対して前記絶縁層２が露出する位置まで第２の開口８を形成する第２のエッチング工程とを、全ての開口に対して行うと共に、前記第２のエッチング工程は前記第１のエッチング工程よりも前記半導体基板に印加される交流電圧の周波数を低くする。 （もっと読む）

【課題】Si層と下地層としてのSiO₂層を有する基板に貫通ビアを形成するドライエッチングにおいて、貫通ビアの開口部付近の側壁の角部ないし肩部を確実なくす。
【解決手段】基板７はSi層２１、SiO₂層２２、フォトレジストマスク２４を少なくとも備える。少なくともSF₆とO₂を含む混合ガスを使用したドライエッチングによりSi層２１を貫通する貫通ビア３１を形成する。次に、アッシングによりフォトレジストマスク２４を除去する。さらに、高C/F比のフルオロカーボン系ガスを含むガスを使用したドライエッチングによりSiO₂層２２をエッチングし、それによって貫通ビア３１がSiO₂層２２を貫通する。 （もっと読む）

【課題】Ａｌを含む金属配線の形成において、サイドエッチ量を低減した微細な金属配線を形成でき、金属配線上に形成するビアホールが金属膜を突き抜けるのを抑制することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に第一ＴｉＮ膜３、Ａｌを含む金属膜４、第二ＴｉＮ膜５を順次積層した金属配線層６を形成する工程と、前記金属配線層６の上にストッパー膜７、シリコン酸化膜８を順次積層したハードマスク層１２を形成する工程と、前記ハードマスク層１２を選択的にエッチングして前記金属配線層６の上にハードマスク１２ａを形成する工程と、前記ハードマスク１２ａをマスクとしてエッチングし金属配線６ａを形成する工程と、前記ハードマスク１２ａおよび前記金属配線６ａの上に層間絶縁膜１４を形成する工程と、前記ストッパー膜７をエッチングストッパとして前記層間絶縁膜１４にビアホール１７ａを形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜を介して配線された上下の導電パターンが、これらの導電パターン形成後に接続配線によって接続された構成において、接続抵抗の上昇を防止でき、さらにこの構成を製造する際のプロセスタクトタイムの削減が図られる電子基板を提供する。
【解決手段】基板１上に設けられた第１導電パターン３と、これを覆う状態で基板１上に設けられた層間絶縁膜５と、第１導電パターン３上に一部を重ねた状態で層間絶縁膜５上に設けられた第２導電パターン９とを備えている。第２導電パターン９と第１導電パターン３とが重なる位置には、第２導電パターン９および層間絶縁膜５に開口部３１が設けられている。この開口部３１は第１導電パターン３を底面としており、この開口部３１の内壁を覆う接続配線３３により、第２導電パターン９と第１導電パターン３とが結線されている。 （もっと読む）

【課題】コンタクトホール側壁に付着した有機膜の抵抗値を簡単且つ的確に測定する。
【解決手段】基板２０上に形成された下部電極であるポリＳｉ膜２２ａと、このポリＳｉ膜２２ａ上にＢＰＳＧ膜２３を介して形成された中間電極であるポリＳｉ膜２４ａと、このポリＳｉ膜２４ａ上にＢＰＳＧ膜２５を介して選択的に形成されたホトレジスト膜からなるホールパターン２６ａと、このホールパターン２６ａをマスクにしてプラズマエッチングにより形成され、ポリＳｉ膜２４ａ，２２ａを貫通するコンタクトホール２７と、このコンタクトホール２７の形成時に、コンタクトホール側壁に付着する有機膜２８と、を有する半導体装置を用意する。そして、ポリＳｉ膜２２ａ，２４ａ上に有機膜・レジスト膜２６ｂが被着された状態で、ポリＳｉ膜２２ａ，２４ａ上から、プローブ針３１により複数回コンタクトを実施し、有機膜２８の抵抗値を測定する。 （もっと読む）

【課題】使用に伴う製造装置の性能劣化を抑えつつ、高品質の半導体装置を安定して製造する。
【解決手段】チャンバ内を水素を含むプラズマを用いて処理することによってクリーニングし（ステップＳ１）、クリーニングされたチャンバを用い、ウェーハにエッチングによりトレンチやビアホールを形成する等の加工を行う（ステップＳ２，Ｓ３）。チャンバ内のクリーニングに水素を含むプラズマを用いることにより、チャンバ内にＣｕ等の金属が含まれたポリマが付着していた場合でも、そのような付着物が効果的に除去されるようになる。それにより、付着物に起因した製造装置の性能劣化を抑えることが可能になり、高品質の半導体装置を安定して製造することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】半導体加工において有機化合物含有絶縁層に小さな穴を形成する方法を提供する。
【解決手段】有機化合物含有絶縁層１２を、この有機化合物含有絶縁層１２上に形成されたレジストハードマスク層１３とこのレジストハードマスク層１３上に形成されたレジスト層１４からなる２重層で覆い、次に、この２重層をパターニングする。そして、反応チャンバー内に、自然エッチングが実質的に避けられるように選ばれる、あらかじめ決められた割合で存在する酸素ガスと窒素ガスとからなる混合気体を流入し、有機化合物含有絶縁層１２をプラズマエッチングする。これにより、レジスト層１４を部分的に除去しつつ少なくとも一つの穴を形成する。 （もっと読む）

【課題】処理対象の基板に対し、半導体デバイスの小型化要求を満たす寸法の開口部であって、エッチング対象膜に転写するための開口部をマスク膜又は中間膜に形成する基板処理方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＮ膜５１、反射防止膜５２及びフォトレジスト膜５３が順に積層され、フォトレジスト層５３は反射防止膜５２の一部を露出させる開口部５４を有する基板Ｗを処理する基板処理方法であって、一般式ＣｘＨｙＦｚ（ｘ、ｙ、ｚは、正の整数）で表わされるデポ性ガス、例えばＣＨ３Ｆガス及びＳＦ６ガスの混合ガスから生成されたプラズマによってフォトレジスト膜５３の開口部５４の側壁面にデポを堆積させて縮小させると共に、反射防止膜５２をエッチングして縮小した開口部５４に対応する開口部を反射防止膜５２に形成するシュリンクエッチングステップを有する。 （もっと読む）

【課題】処理対象の基板に対し、半導体デバイスの小型化要求を満たす寸法の開口部であって、エッチング対象膜に転写するための開口部をマスク膜又は中間膜に形成する基板処理方法を提供する。
【解決手段】シリコン基材５０上にアモルファスカーボン膜５１、ＳｉＯＮ膜５２、反射防止膜５３及びフォトレジスト層５４が順に積層され、フォトレジスト層５４は、反射防止膜５３の一部を露出させる開口部５５を有するウエハＱにおいて、ガス付着係数S
が、Ｓ＝０．１乃至１．０のデポ性ガスであるＣＨＦ３から生成されたプラズマによってフォトレジスト膜５４の開口部５５の側壁面にデポ６６を堆積させて開口部５５の開口幅を所定幅に縮小させる開口幅縮小ステップを有する。 （もっと読む）

【課題】電極パタンを精度よく形成する。
【解決手段】半導体基板の一方面（コンタクト層１０）上に、ＳｉＯ_２膜１２−１、ＳｉＮ膜１４−１、ＳｉＯ_２膜１２−２、およびＳｉＮ膜１４−２を順に積層した４層の絶縁膜を形成する工程と、それら４層の絶縁膜にコンタクト層１０の表面まで貫通するコンタクトホールを形成する工程と、ＳｉＯ_２膜１２に対するエッチングレートがＳｉＮ膜１４に対するエッチングレートより高い薬液（たとえばフッ酸）を用いて、コンタクトホールに露出したＳｉＯ_２膜１２−２の側面をコンタクトホールに露出したＳｉＮ膜１４−２の側面より所定長だけ後退させる工程と、コンタクトホールに露出したコンタクト層１０上に、ＳｉＮ膜１４−２に当接しない厚さを有する電極層２０−１を蒸着により形成する工程と、上記薬液を用いて、ＳｉＮ膜１４−２をＳｉＯ_２膜１２−２とともに除去する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】ウエハ処理に従い消耗するフォーカスリング厚さを監視する。
【解決手段】真空容器１と、被加工試料設置手段５と高周波電力導入手段４と高周波バイアス電力導入手段７を有し、真空容器１内に導入されたガスを高周波電力導入手段４から導入された高周波電力でプラズマ化したプラズマにより被加工試料６の表面処理を行うプラズマ処理装置であって、被加工試料設置手段５上に載置された被加工試料６の周囲に円環状部材１１を備え、真空容器１側壁に対向してアスペクト比が３以上の一対の筒を設け、それぞれの筒はその先端をガラス材により真空に封じられ、それぞれの筒はガラス材の大気側に真空容器内に向けて配置された光源１５または真空容器内に向けて配置された受光手段１６を有しており、円環状部材１１表面を通過してきた光を受光手段１６にて受光する。 （もっと読む）

【課題】コンタクトホールを形成する時に、コンタクトホールに加工不具合を生じさせることなく、ホール底の下地基板が削れることを抑制することを目的とする。
【解決手段】コンタクトホール１１形成後、コンタクトホール１１底面に露出したＳｉＯＣ膜７を変質層１２に変化させることにより、変質層１２と半導体基板１の選択比大きくすることができ、選択的に変質層１２をエッチング除去できるため、下地基板掘れ量を抑制し、重ね合わせずれなどが発生したときにも、基板リークの発生を抑制したコンタクトを形成することができる。 （もっと読む）

【課題】成膜レートを安定に維持することができるプラズマ処理方法及びプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】本発明の一形態に係るプラズマ処理方法は、エッチング工程と保護膜形成工程とを交互に繰り返し実施することでシリコン基板に高アスペクト比のビアを形成する。そして、保護膜の形成工程にはスパッタ法が適用される。スパッタ工程では、アンテナコイル２３に高周波電力（ＲＦ１）を供給して、真空槽２１内にスパッタ用ガスのプラズマを形成する。このとき、アンテナコイル２３に供給する高周波電力を２ｋＷ以上とする。アンテナコイル２３に供給する高周波電力が２ｋＷ以上の場合、当該高周波電力が２ｋＷ未満である場合と比較して、ターゲット３０の使用時間に依存しない安定した成膜レートを得ることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】微細化を可能にすると共に、安定して良好な腐刻を行うことを可能にする腐刻方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉ，Ｓｎのうち１種類以上の原子で構成された物質を腐刻対象物として、腐刻用ガスの放電により腐刻を行う際に、腐刻用ガスとして炭素原子を含まないハロゲン間化合物ガスを使用する。さらに、この腐刻用ガスに、腐刻側壁を表面酸化することにより異方性腐刻の水平方向の腐刻速度を低下させて異方性を強調するために、酸素原子を含む酸化性ガスを添加して、腐刻対象物に対して腐刻を行う。 （もっと読む）

【課題】パッド領域上での堆積物の生成を抑制することのできる、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】パッド領域を有する配線層群を形成するステップと、前記配線層群が被覆されるように、絶縁性のカバー層を形成するステップと、前記パッド領域が露出するように、前記カバー層をプラズマエッチングにより除去するステップとを具備し、前記パッド領域は、アルミニウムにより形成され、前記プラズマエッチングにより除去するステップは、炭素ラジカル及びフッ素ラジカルを発生させるＣＦ系ガスを用いて、前記パッド領域を露出させるステップと、前記露出させるステップの後に、塩素ラジカル又は塩素イオンを発生させるＣｌ_２系ガスを用いて、前記パッド領域の表面に生成した堆積物を除去するステップとを備える。 （もっと読む）