【課題】露光可能限界寸法よりも小さい間隔のパターンを形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０上に形成された被加工膜１１上にレジスト膜２３を形成する工程と、前記レジスト膜を露光、現像し、第１の方向に伸長し、前記第１の方向に垂直な第２の方向にくびれ部を有する開口パターン３１Ａを形成する工程と、ガス存在雰囲気下で前記レジスト膜上に前記ガスを構成する元素を含む堆積物２４を堆積し、前記くびれ部における前記開口パターンの底部を前記第２の方向に前記堆積物で接続した膜パターン２５を形成する工程と、前記膜パターンが転写されるように、ドライエッチング法によって前記被加工膜をエッチングする工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】基板に所望のプラズマ処理を適切に施すことができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、ウエハＷを収容するチャンバ１１内部をプラズマ生成室１２及びウエハ処理室１３に仕切るイオントラップ１４と、プラズマ生成室１２内に配置される高周波アンテナ１５と、プラズマ生成室１２内に処理ガスを導入する処理ガス導入部１６と、ウエハ処理室１３内に配置されてウエハＷを載置し且つバイアス電圧が印加される載置台１７とを備え、イオントラップ１４は、プラズマ生成室１２からウエハ処理室１３へ向けて二重に配置された板状の上側イオントラップ板２０及び下側イオントラップ板２１を有し、上側イオントラップ板２０及び下側イオントラップ板２１のそれぞれは設置された導電体２０ａ，２１ａと該導電体２０ａ，２１ａの表面を覆う絶縁体からなる絶縁膜２０ｂ，２１ｂとを有する。 （もっと読む）

【課題】ウエハに印加されるバイアス電力の一部を分割してフォーカスリングに印加しても、ウエハに印加するバイアス電力に影響を与えず一定となるように制御し、被処理基板全体のエッチング特性に変化を与えないプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】プラズマ処理により消耗するフォーカスリングの消耗量に応じて、前記フォーカスリングに印加する高周波バイアス電力を前記インピーダンス調整回路を制御することで変化させる一方、前記試料台に印加する前記高周波バイアス電力を、前記高周波バイアス電源の出力を制御することで、前記所定の高周波バイアス電力に制御する。 （もっと読む）

【課題】配線抵抗値の異常やショートの抑制。
【解決手段】層間絶縁膜１８にレジストパターン１９を設けたうえで層間絶縁膜１８をドライエッチングする工程の後と、レジストパターン１９を除去した状態のストレッサーＳｉＮ膜１７をさらにドライエッチングする工程の後とのうちのいずれかの時点で、半導体ウェーハ１０２を窒素プラズマ処理する。 （もっと読む）

【課題】形状性良くかつ高いエッチングレートで被エッチング膜をエッチングして高アスペクト比のホールを形成することができるプラズマエッチング方法を提供すること。
【解決手段】プラズマエッチングによりエッチング対象膜にホールを形成するにあたり、プラズマ生成用高周波電力印加ユニットをオンにして処理容器内にプラズマを生成し、かつ直流電源から負の直流電圧を上部電極に印加する第１条件と、プラズマ生成用高周波電力印加ユニットをオフにして処理容器内のプラズマを消滅させ、かつ直流電源から負の直流電圧を上部電極に印加する第２条件とを交互に繰り返し、第１条件によりプラズマ中の正イオンによりエッチングを進行させ、第２条件により負イオンを生成し、直流電圧により負イオンを前記ホール内に供給することによりホール内の正電荷を中和する。 （もっと読む）

【課題】 ＭＥＭＳテクノロジーで得られるスプレイ装置用ノズル集積膜を製造する方法、及び既知の技術が持つ欠点を有することのない上記膜を含むスプレイ装置を提案する。
【解決手段】 スプレイ装置のノズル膜を製造する方法は、基板（１１）を設けるステップと、前記基板（１１）上に膜層（１３）を形成するステップと、前記膜層（１３）内に複数のノズル（１４）を形成するステップと、基板（１０）内に複数の供給通路（１５）を形成するステップとを含む。各供給通路（１５）は、前記複数のノズルに含まれる個々のノズル（１４）にほぼ直交して配置し、個々のノズル（１４）と直接接触させる。 （もっと読む）

【課題】ホールの上面形状を整えて線条痕をなくすと共に、ボトム形状に歪みがなく、しかもボーイング形状の発生を防止して良好な垂直加工形状のホールを処理対象層に形成することができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】処理ガスとしてＣＦ_４ガス、ＣＨＦ_３ガス及びＣ_４Ｆ_８ガスを含有する混合ガスを用い、処理圧力１００ｍＴｏｒｒ（１．３３×１０Ｐａ）〜１５０ｍＴｏｒｒ（２．０×１０Ｐａ）で中間層としてのＢＡＲＣ膜５３をエッチングし、次いで、処理ガスとしてＣＯＳガス含有ガスを用いて下層レジスト層としてのＡＣＬ５２をエッチングし、その後、処理ガスとしてＣ_６Ｆ_６ガス含有ガスを用いて処理対象層としての酸化膜５１をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】コンタクト領域の欠損を抑制する技術を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、基板上方に導電膜を形成し、導電膜上に補助パターンを形成し、導電膜及び補助パターンを覆うように金属膜を形成し、金属膜をエッチバックし、補助パターンの側面にサイドウォール膜を形成し、補助パターンを除去し、導電膜及びサイドウォール膜の一部を覆い、一部を露出させるレジストパターンを形成し、レジストパターンをマスクとしてエッチングによりサイドウォール膜の露出している部分を除去し、サイドウォール膜をマスクとして導電膜をエッチングして、ゲート電極及びゲート電極と導通するコンタクト領域を形成し、露出している部分が除去されることにより導電膜上に残存するサイドウォール膜の形状は、ゲート電極及びコンタクト領域の形状に対応し、補助パターンの形状は、コンタクト領域の形状に対応するサイドウォール膜の少なくとも三辺と接する。 （もっと読む）

【課題】工程数の増加を抑えながら、ビア間の耐圧の低下を抑制することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】配線２上に低誘電率膜５及び６を形成した後、低誘電率膜５及び６上にハードマスク７、８及び９を形成する。ハードマスク７〜９上にレジストマスクを形成する。レジストマスクを用いて低誘電率膜５及び６にビアホール１１を形成する。レジストマスクをアッシングする。このとき、レジストマスクから生じる飛散物をビアホール１１の少なくとも側面に付着させて保護膜１２を形成する。その後、ビアホール１１を配線２まで到達させ、ビアホール１１内に導電材を埋め込む。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチング加工を行ったウェハにおけるデガスの影響による異物の発生を低減する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、各ウェハ１５０を略水平にして複数のウェハ１５０を上下に並べて収容するとともに、側方に設けられたドア１０４を含む収納容器１００に、ドライエッチング加工が行われた複数のウェハを順次収容する工程と、ドア１０４が開いた状態で、収納容器１００に収容すべきすべてのウェハ１５０が当該収容容器に収容されてから３０秒以上、収納容器１００内のウェハ１５０に対して水平方向からパージガスを吹き付ける工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】同一の処理室で、自然酸化膜が除去された後にシリコン基板の界面の酸素を確実に除去する。
【解決手段】ＮＨ_３及びＮ_２及びＮＦ_３を導入し、シリコン基板５の酸化表面にＮＨｘＦｙを作用させることで（ＮＨ_４）_２ＳｉＦ_６を生成し、シリコン基板５を所定温度に制御することにより（ＮＨ_４）_２ＳｉＦ_６を昇華させてシリコン基板５の表面の酸化膜を除去し、続けてＮＨ_３及びＮ_２及びＮＦ_３を導入し、温度が維持された状態でシリコン基板の表面にＦラジカルを作用させてシリコン層をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】開口面積の広いガードリング（ＧＲ）や開口面積の小さいビアホール（Ｖｉａ）を同時に且つ均等深さにエッチングすることができるプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】プラズマエッチング装置のサセプタ１６に印加される第２の高周波電力を、ウエハＷのＬｏｗ−ｋ膜又はフォトレジスト膜にデポが堆積する第１のパワーと、ウエハＷのＬｏｗ−ｋ膜をエッチングする第２のパワーとの間でパワー変調させると共に、第２の高周波電力を変調する際のデューティー比（第２のパワー時間／１周期全体の時間）を２５〜８０％、好ましくは２５〜５０％としてウエハＷのＬｏｗ−ｋ膜をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】コンタクトホールの微細化を図りつつ、コンタクトホールを形成する際のエッチング処理に起因する不具合を抑制する。
【解決手段】コンタクトホール形成方法は、第１レジストパターンをマスクとして、第２材料を含んでなる第２層を、エッチング液を用いてパターニングして、第１材料を含んでなる第１層を部分的に露出させる第１開口部を形成する第１エッチング工程と、第２レジストパターンをマスクとして、第４材料を含んでなる第４層を、エッチングガスを用いてパターニングして、形成された第１開口部の少なくとも一部に対応すると共に、第３材料を含んでなる第３層を部分的に露出させる第２開口部を形成する第２エッチング工程とを備える。第１材料は、エッチング液によりエッチングされる度合いが第２材料に比べて小さい材料であり、第３材料は、エッチングガスによりエッチングされる度合いが第４材料に比べて小さい材料である。 （もっと読む）

【課題】抵抗率が低く、表面粗度が低く反射率が高いタングステンを、ＣＶＤ法により基板上の間隙または凹状特徴部分に充填する方法を提供する。
【解決手段】基板に設けられた凹状部分を部分的に充填するタングステンバルクを堆積した後で、堆積されたタングステンの上部分を除去する。上部分の除去は、活性化されたフッ素種に基板を暴露することによって行われる。堆積されたタングステン粒子のうち急峻で突出している突起の頂点を選択的に除去することによって、除去処理は、凹状部分の側壁に沿ってタングステンを研磨することになる。堆積−除去のサイクルを複数回実行して、凹状部分を埋める。このようにして凹状部分が充填されると、ＣＭＰにおいてコアリング（ｃｏｒｉｎｇ）が発生しにくくなる。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハ内に深さの異なる複数の種類のトレンチを同時に形成できるとともに、半導体ウェハの無駄となる領域を少なくすることでチップの取れ数を増やすことができるウェハ処理装置を提供する。
【解決手段】ウェハ処理装置１００は、ステージ１４の表面に載置した半導体ウェハに対してプラズマ処理によってドライエッチングを行うための装置である。ウェハ処理装置１００では、ステージ１４が、ステージ１４の周方向に４つの区画Ａ〜Ｄに分割されている。区画Ａ〜Ｄの各々には、ステージ１４から半導体ウェハに伝熱される熱量を独立して制御する温度制御手段が設けられている。ステージ１４の表面に半導体ウェハを載置したときに、半導体ウェハの周方向に温度の異なる複数の領域が形成され、領域毎に異なるエッチングレートでトレンチが形成される。 （もっと読む）

【課題】デュアルダマシン法による解像限界以下の溝（トレンチ）及び凹部（孔又はビア）のパターンをＣＤ値を高精度に形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】被エッチング層上に、第１のハードマスク膜と、第２のハードマスク膜とを成膜する成膜工程Ｓ１１と、第１のピッチを有し、第２のハードマスク膜よりなるパターンであって、溝のパターンを形成する際のエッチングマスクとなる溝形成用マスクパターンを形成するための第１の溝形成用マスクパターン形成工程Ｓ１２〜Ｓ１４と、第４のピッチで設けられた開口部を有する第２のレジスト膜と、第２のレジスト膜の開口部と連通し、第２のレジスト膜の開口部の寸法より小さい寸法の開口部を有する第１の有機膜とよりなる第２レジストパターンを用いて、第１のハードマスク膜をエッチングする第１の凹部形成用マスクパターン形成工程Ｓ１５〜Ｓ１８とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の材料コスト、製造コストを低減可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明にかかる半導体装置の製造方法は、シリコンサーメット膜５を形成する工程と、シリコンサーメット膜５を保護する保護膜４を形成する工程と、保護膜４をプラズマエッチングすることでコンタクトホール６を形成する開口工程と、を備える。そして、開口工程におけるエッチングの終点を検出するためのエッチング検出層３が保護膜４と接するように形成されている。保護膜４とエッチング検出層３の少なくとも一方には、保護膜４に含まれる元素とエッチング検出層３に含まれる元素のうち両方に共通しない元素が含まれている。開口工程において、両方に共通しない元素のプラズマ発光に基づき保護膜４のエッチングの終点を検出する。 （もっと読む）

本発明は、マイクロ構造を有する基板を製造する方法、並びに当該方法の自然科学及び科学技術−具体的には半導体デバイス、マイクロ流体デバイス、及び解析デバイス−への応用に関する。本発明は、制御された放電によって、構造−たとえば穴、空孔、チャネル、若しくはウエル又は凹部−又は構造変化を導入する方法に関する。
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【課題】
本発明は、プラズマ処理装置のクリーニング方法であり、プラズマ処理室表面を効率良く清浄化し、スループットを向上できるプラズマ処理装置のクリーニングの方法を提供する。また、クリーニング中にウエハを設置する電極表面がプラズマに曝されないので電極の劣化を防止することができる。更に、クリーニングと同時に被処理体である低誘電率膜（Ｌｏｗ−ｋ膜）上に形成されたレジストマスクを除去する方法を提供する。
【解決手段】
スループットを向上させる手法として、ＣｘＦｘ系ガスを用いてエッチングされた低誘電率膜（Ｌｏｗ−ｋ膜）を、そのまま下部電極に載置した状態でＣＯ₂ガスによりプラズマクリーニングを行い、プラズマ処理室表面に付着したデポ物を除去する。この時、同時にＬｏｗ−ｋ膜上にパターニングされたレジストマスクを除去できるため、処理時間の大幅な短縮化が可能となる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置に含まれる半導体基板と当該半導体基板に形成される貫通孔（ＴＳＶ）を含む配線との間の絶縁性を良好に保つことができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】
貫通孔の内壁に形成された絶縁膜の開口底部に対応する部分を除く部分をエッチングレジストで被膜し、当該エッチングレジストをマスクとしたエッチングにより当該絶縁膜を除去して電極パッドを露出させた後、導電層を形成して配線する。 （もっと読む）