光活性材料を用いて、電源エレクトロニクスデバイスおよび回路の光制御に影響を与えるために従来法に対する大きな性能利点を有する電源デバイスおよび回路を作成する。浅いドナーをホウ素関連Ｄ−センターで補償することにより炭化ケイ素光活性材料を形成する。生成する材料はｎ型であることもｐ型であることもあるが、ポリタイプ毎に異なる、Ｄ−センターからの光励起電子が伝導バンド末端に近い状態となることが可能となるのに必要な閾値エネルギーよりも過剰な光子エネルギーを有する電磁放射線で照射するとき、その中に持続的光伝導性を誘導する能力により、他の材料と区別される。
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【課題】 少ない駆動用ＩＣで時分割駆動することができる発光素子アレイおよびそれを用いた小型な発光装置ならびにその発光装置を備える画像形成装置を提供する。
【解決手段】 発光ダイオードＤとスイッチ用サイリスタＳＳを並列接続したｎ（ｎは２以上の整数）個スイッチデバイスＳと、前記スイッチ用サイリスタＳＳのゲート電極ｇに個別に接続されるｎ本の信号伝送路ＧＨと、前記ｎ本の信号伝送路ＧＨのうちのいずれか１つとゲート電極ｈが接続される複数の発光用サイリスタＴとを含んで発光素子アレイチップ１を構成する。スイッチデバイスＳのアノードａ，ｃに共通のセレクト信号（ハイレベル）が入力されている発光素子アレイチップ１を発光させることができるので、発光信号（ハイレベル）およびゲート信号（ローレベル）を複数の発光素子アレイチップ１間で共用する時分割駆動が実現できる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、圧接型半導体装置に組み込む際に付着していた異物を発見しやすくし、より容易に取り除くことができる半導体素子およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る半導体素子は、第１の導電型の第１の半導体層と、前記第１の半導体層の所定の領域上に積層された第２の導電型の第２の半導体層と、前記第１の半導体層上に形成された第１の電極層と、前記第２の半導体層上に形成された第２の電極層と、前記第１の電極層上に形成された絶縁層と、前記絶縁層および前記第２の電極層の上に貼り合わされた導電性シートとを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ワイドギャップバイポーラ半導体素子を高信頼性かつ低損失で駆動でき、可制御電流を大きくできる電力変換装置を提供する。
【解決手段】この電力変換装置では、ＳｉＣ−ＧＴＯサイリスタ１の稼動に先立ち、温度上昇用ｎ型ＭＯＳＦＥＴ１１のゲート１３に信号を印可してオンさせ、電源１４ → アノード端子２ → ゲート端子４ → 抵抗１２ → 温度上昇用ｎ型ＭＯＳＦＥＴ１１ → 電源１４の経路で温度上昇用電流(加熱電流)として約４０Ａの電流を流す。上記温度上昇用電流により、ＳｉＣ−ＧＴＯサイリスタ１の温度を上昇させる。これにより、サイリスタ１の稼動により積層欠陥が増大したとしても、オン電圧の増大や最小ゲート点弧電流の増大、ターンオン時間の増大およびオフ時の電流の不均衡の増大などの劣化現象を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、カソード電極とゲート電極の間に生じるリーク電流を低減することにより、高信頼性のスイッチング動作を実現する半導体素子およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の１つの態様による半導体素子は、所定の積層領域と非積層領域を含む第１の導電型の第１の半導体層と、前記第１の半導体層の前記積層領域上に積層された第２の導電型の第２の半導体層と、前記第１の半導体層の前記非積層領域上に形成された第１の電極層と、前記第２の半導体層上に形成された第２の電極層と、前記第１および第２の半導体層のそれぞれの表面を連続的に接続する傾斜面上に、前記第１および第２の電極層から離間して形成された絶縁層とを備え、前記絶縁層と前記第１の電極層の間および該絶縁層と前記第２の電極層の間の少なくとも一方に、凹部が形成されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】負荷短絡時に過電流を抑制し、ターンオフ時間を短縮する電流抑制層付き静電誘導サイリスタを提供する。
【解決手段】高抵抗半導体層１と、高抵抗半導体層１の第１表面に配置されたカソード領域７と、高抵抗半導体層１の第２表面に配置されたアノード領域６と、高抵抗半導体層１中のカソード領域７近傍に埋め込まれて形成されたゲート領域２と、ゲート領域２に隣接して配置された電流抑制層３と、ゲート領域２及び電流抑制層３と、７カソード領域との間に配置されたエピタキシャル成長層８と、カソード領域７にオーミック接触するカソード電極５と、６アノード領域にオーミック接触するアノード電極４とを備える電流抑制層付き静電誘導サイリスタ。 （もっと読む）

【課題】
オン抵抗が低く、ゲートターンオフの可能な絶縁ゲート型サイリスタを提供する。
【解決手段】
絶縁ゲート型サイリスタは、第1導電型、高不純物濃度の第１電流端子半導体領域と、第１電流端子半導体領域上に形成された、第1導電型と逆導電型の第２導電型、低不純物濃度の第１ベース半導体領域と、第１ベース半導体領域上に形成された、第１導電型、低不純物濃度の第２ベース半導体領域と、第２ベース半導体領域上に形成された、第２導電型、高不純物濃度の第２電流端子半導体領域と、第２電流端子半導体領域表面から第１ベース半導体領域に向かう方向で、第２電流端子半導体領域を貫通し、第２ベース半導体領域に入り、その厚さの一部を残すように形成されたトレンチと、トレンチ内に形成された絶縁ゲート電極構造と、を有する。 （もっと読む）

【課題】サイリスタを構成する一部の領域を積層構造とすることで、素子面積の縮小化を図るとともにパンチスルー耐性の向上を図ることを可能とする。
【解決手段】第１伝導型の第１領域（第１ｐ型領域ｐ１）と、前記第１伝導型とは逆伝導の第２伝導型の第２領域（第１ｎ型領域ｎ１）と、第１伝導型の第３領域（第２ｐ型領域ｐ２）と、第２伝導型の第４領域（第２ｎ型領域ｎ２）とが順に接合されたサイリスタを有するとともに、前記第３領域にゲート電極２３を有する半導体装置１において、前記第２領域（第１ｎ型領域ｎ１）は半導体基体（半導体基板２１）に形成され、前記第２領域上に前記第１領域（第１ｐ型領域ｐ１）が形成されているものである。 （もっと読む）

【課題】ｐｎｐｎ接合のサイリスタ構成を有する半導体装置において、同一伝導型に挟まれた異伝導型の領域中に再結合中心となる領域を形成して少数キャリアを再結合させることで、ライフタイムを短くし、ｏｎからｏｆｆへのスイッチング速度の高速化を図る。
【解決手段】第１伝導型（ｎ型）の第１領域（第１ｐ型領域）ｐ１と、第２伝導型（ｐ型）の第２領域（第１ｎ型領域）ｎ１と、第１伝導型の第３領域（第２ｐ型領域）ｐ２と、第２伝導型の第４領域（第２ｎ型領域）ｎ２とが順に接合されてなるサイリスタを有し、第２領域ｎ１および第３領域ｐ２のいずれか一方の領域にゲート絶縁膜１２を介してゲート電極１３が形成されている半導体装置１において、第２領域ｎ１および第３領域ｐ２のうちゲート電極１３が形成されていない領域中にキャリアの再結合中心となる欠陥領域２１が形成されているものである。 （もっと読む）

【課題】スイッチング速度、とくにオン状態からオフ状態への高速でのスイッチングが可能なサイリスタ構成の半導体装置、さらにはこのような半導体装置の駆動方法および製造方法を提供する。
【解決手段】ｐ型領域ｐ１、ｎ型領域ｎ１、ｐ型領域ｐ２、およびｎ型領域ｎ２がこの順に接して設けられた半導体層１０１と、両端部に配置されたｐ型領域ｐ１に接続されたアノード電極Ａと、ｎ型領域ｎ１に接続されたカソード電極Ｋ電極と、中央に配置されたｐ型領域ｐ２に接続されたゲート電極Ｇ１，Ｇ２とを備えた半導体装置１において、ゲート電極は、ｐ型領域ｐ２を構成する半導体層１０１部分を挟んで対向配置されている。 （もっと読む）

【課題】スイッチング速度、とくにオン状態からオフ状態への高速でのスイッチングが可能なサイリスタ構成の半導体装置、さらにはこのような半導体装置の駆動方法および製造方法を提供する。
【解決手段】第１のｐ型領域ｐ１、第１のｎ型領域ｎ１、第２のｐ型領域ｐ２、および第２のｎ型領域ｎ２がこの順に接して設けられた半導体層１０１、第１のｐ型領域ｐ１に接続されたアノード電極Ａと、第２のｎ型領域ｎ２に接続されたカソード電極Ｋと、第１のｎ型領域ｎ１と第２のｐ型領域ｐ２とに、それぞれ独立して制御可能に接続されたゲート電極Ｇn1，Ｇp2とを備えたことを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】耐圧の低下を可及的に防止することを可能にする。
【解決手段】ＳｉＣからなるドレイン領域２と、ドレイン領域上に設けられたｎ型のＳｉＣからなるドリフト層４と、ドリフト層の表面に設けられたｎ型のＳｉＣからなるソース領域１８と、ソース領域の側部のドリフト層の表面に設けられたＳｉＣからなるチャネル領域１２ａと、チャネル領域上に設けられた絶縁ゲート２２と、ソース領域の底部とドリフト領域との間に設けられ２種類のｐ型不純物を含むｐ型のベース領域１５と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】光結合型ＰＮＰＮスイッチを用いた半導体リレー装置において、光結合型ＰＮＰＮスイッチのターンオン時の光感度を良くすると共に、ターンオフ時のノイズ耐量の低下を防止する。
【解決手段】入力信号Ｓ１により光信号Ｌ１を発生するＬＥＤ２ａと、この光信号Ｌ１により交流をスイッチングする光スイッチ３と、光スイッチ３をオンするための電圧を発生させるインピーダンス回路４とを備えた半導体リレー装置１ａにおいて、インピーダンス回路４を抵抗とディプレッション型ＭＯＳＦＥＴ５の並列回路で構成し、入力信号の無い場合は、ＭＯＳＦＥＴ５を短絡状態とし、入力信号が入力された場合は、ＬＥＤ２ａの光信号Ｌ２を受けた受光素子７により、ＭＯＳＦＥＴ５をオフ乃至高抵抗状態とし、光スイッチ３のターンオン時の光感度の向上と、ターンオフ時のノイズ耐量の低下防止を両立させる。 （もっと読む）

【課題】光結合型ＰＮＰＮスイッチを用いた半導体リレー装置において、光結合型ＰＮＰＮスイッチのターンオン時の光感度を良くすると共に、ターンオフ時のノイズ耐量の低下を防止する。
【解決手段】入力信号Ｓ１に応じて光信号Ｌ１を発生するＬＥＤ２ａと、このＬＥＤ２ａの光信号Ｌ１を受けて交流電源をスイッチングする出力用の光スイッチ３と、この光スイッチ３をオンするための電圧をＰゲートとカソード間に発生させるインピーダンス回路とを備えた半導体リレー装置１ａにおいて、インピーダンス回路を外部磁界の大きさにより抵抗値を変化できる磁気抵抗素子４とし、この磁気抵抗素子４の抵抗値を磁気発生手段５で発生させる磁界により制御し、光スイッチ３のターンオン時の光感度の向上と、ターンオフ時のノイズ耐量の低下の防止を両立させる。 （もっと読む）

【課題】 ＩＧＢＴ等の半導体装置のｐｎ接合の耐圧向上を容易に達成することが困難であった。
【解決手段】 ｐ⁺型コレクタ領域８とｎ^-型ベース領域９とｐ型べース領域１０とｎ⁺型エミッタ領域１１とを有するＩＧＢＴ用半導体基板１の外周にトレンチ１７を設ける。このトレンチ１７はｎ^-型ベース領域を貫通してｐ型コレクタ領域８に至るように形成する。トレンチ１７の壁面に誘電体膜２３を介してｎ^-型ベース領域８の側面に対向し且つｐ⁺型コレクタ領域８に接続されるように導電体層２４を設ける。導電体層２４のフィールドプレート効果で耐圧を向上させる。 （もっと読む）

サイリスタ（２５）及びＭＯＳＦＥＴトランジスタ（２６）が第１の電流伝導端子（Ａ）と第２の電流導電端子（Ｓ）との間で直列接続されることによって形成される電源装置（１）。電源装置は更に、ＭＯＳＦＥＴトランジスタの絶縁ゲート電極（２０）に接続され、装置をオン及びオフにするための制御電圧を受信する制御端子（Ｇ）と、オフ時の電荷の高速抽出のためにサイリスタに接続される第３の電流導電端子（Ｂ）を有する。これにより、オフにするときに、電流テイルがなく、また、オフにすることは非常に高速である。電源装置は、寄生コンポーネントを有さないので、非常に高い逆バイアス安全動作領域（ＲＢＳＯＡ）を有する。
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【課題】炭化珪素単結晶基板の表面から成長させた炭化珪素エピタキシャル膜の内部で通電時に電子と正孔が再結合するバイポーラ型半導体装置において、電流通電により拡大した積層欠陥面積を縮小し、増加した炭化珪素バイポーラ型半導体装置の順方向電圧を回復させる方法を提供する。
【解決手段】電流通電により積層欠陥面積が拡大し、順方向電圧が増加した炭化珪素バイポーラ型半導体装置を３５０℃以上の温度で加熱し、積層欠陥回復させる。 （もっと読む）

可制御電流が大きく、かつ低損失のパワー半導体装置を得るために、ワイドギャップ半導体を用いるバイポーラ半導体素子の温度を、ヒーターなどの加熱手段を用いて上昇させる。その温度は、ワイドギャップバイポーラ半導体素子の、温度の上昇に応じて低下するビルトイン電圧の低下量に対応する前記ワイドギャップバイポーラ半導体素子の定常損失の減少量が、前記温度の上昇に応じて増加するオン抵抗の増加量に対応する前記定常損失の増加量よりも大きくなる温度を超える温度にする。
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１５０℃以上の高温で使用するＳｉＣなどのワイドギャップ半導体装置において、ワイドギャップ半導体素子の絶縁性を改善し、高耐電圧のワイドギャップ半導体装置を得るために、ワイドギャップ半導体素子の外面を合成高分子化合物で被覆する前記合成高分子化合物は、シロキサン（Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合体）による橋かけ構造を有する１種以上の有機珪素ポリマーＡと、シロキサンによる線状連結構造を有する１種以上の有機珪素ポリマーＢとをシロキサン結合により連結させた有機珪素ポリマーＣ同士を、付加反応により生成される共有結合で連結させて三次元の立体構造に形成している。
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【課題】１５０℃以上の高温で使用するＳｉＣなどのワイドギャップ半導体装置において、ワイドギャップ半導体素子の絶縁性を改善し、高耐電圧のワイドギャップ半導体装置を得る。
【解決手段】ワイドギャップ半導体素子の外面を、合成高分子化合物で被覆する。この合成高分子化合物は、シロキサン（Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合体）による橋かけ構造を有する１種以上の有機珪素ポリマーＡとシロキサンによる線状連結構造を有する１種以上の有機珪素ポリマーＢとをシロキサン結合により連結させた有機珪素ポリマーＣ同士を、付加反応により生成される共有結合で連結させて三次元の立体構造に形成している。この合成高分子化合物に高い熱伝導性を有する絶縁性セラミックスの微粒子を混合し、熱伝導率を高くしている。 （もっと読む）