本発明は、シリコンウェハ（１２）の水平スタック（１０）からシリコンウェハ（１２ａ）を分離させるための方法に関する。この方法は、スタック（１０）内のシリコンウェハ（１２ａ）の表面に可動移送装置（２）を取り付け、シリコンウェハ（１２ａ）がスタック（１０）から分離されるまで、シリコンウェハ（１２ａ）をシリコンウェハ（１２ａ）の表面と平行（Ａ）に水平移動させることを含むことを特徴とする。本発明は、この方法を実施するための装置も含む。
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【課題】 作業者のハンドリング性や水切り性を向上させることのできる基板用キャリアを提供する。
【解決手段】 複数枚の半導体ウェーハＷを収納可能に対向する底板１及び天板２０と、底板１と天板２０の両側部間を接続する複数の側板３０と、底板１と天板２０の背面部間を連結する一対の連結柱４０とを備え、底板１と天板２０の正面部間を半導体ウェーハＷ用の出し入れ口５０とし、各側板３０に、半導体ウェーハＷの側部周縁を支持する支持片３１を所定のピッチで複数並設するとともに、各連結柱４０に、半導体ウェーハＷの後部周縁に干渉可能な制御片４１を所定のピッチで複数並設する。そして、底板１と天板２０の内面５・２１を、これらの背面方向から半導体ウェーハＷ用の出し入れ口５０に向かうに従い徐々に拡開するようそれぞれ０．５°〜３．０°の角度で傾斜させ、底板１と天板２０の外面周縁に手動操作用の把持領域６・２２をそれぞれ形成する。 （もっと読む）

【課題】複数枚の半導体ウェーハ間のばらつきを抑制し、自動搬送等の搬送を可能にするウェーハカセットを提供する。
【解決手段】一対の側板２を対向させ、一対の側板２の上下端部間に底板５と天板６を架設して一対の開口を形成し、正面の開口を半導体ウェーハＷ用の出し入れ口８とするとともに、背面の開口を流通口９とし、出し入れ口８から収納した半導体ウェーハＷを起立させた状態で液体中に浸されるウェーハカセット１であって、一対の側板２に配列形成され、半導体ウェーハＷの周縁部両側を支持する複数のティース３と、起立した半導体ウェーハＷの周縁部下端を保持する保持溝１０とを備える。そして、相対する一対のティース３と起立した半導体ウェーハＷの接触点を通る直線を半導体ウェーハＷの中心よりも下方に位置させ、各保持溝１０を非対称の断面略Ｖ字形に形成してその傾斜角の大きい傾斜面に起立した半導体ウェーハＷの周縁部下端を接触させる。 （もっと読む）

【課題】ウエハ剥がれ等の処理不良を防止することができるとともに、複数枚のウエハを効率的に処理することができるウエハ端縁保護装置を提供する。
【解決手段】押圧機構４３を作動させることにより、ウエハ押圧部２５とウエハ載置部２３とが接近され、ウエハ押圧部２５とウエハ載置部２３とに挟まれた二枚のウエハＷがそれぞれシール部材９，３３で挟持され、ウエハ載置部２３に載置されている二枚のウエハＷがウエハ押圧部２５で押圧された状態となる。したがって、ウエハＷの端面が水酸化カリウム溶液で処理されたり、ベース部材にウエハＷを接着しているワックス等が水酸化カリウム溶液に浸食されたりする等の処理不良を防止できる。また、複数枚のウエハ載置板３にそれぞれウエハＷを載置すれば、複数枚のウエハＷの端面を容易に保護できるので、複数枚のウエハＷを効率的に処理することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板に負荷をかけることなく、半導体基板へのウォーターマークの発生を抑制することのできるカセットを提供する。
【解決手段】複数枚の半導体基板１１を互いに隔てて収納し、液槽内の溶液に浸漬して半導体基板１１を処理するカセット１であって、半導体基板１１の対向端部近傍に配置され、流液路３を有する仕切り部２と、半導体基板１１を下方から支持する支持部５とを有し、流液路３は仕切り部２の表面に設けられた溝である。 （もっと読む）

【課題】ウエハの端面を構造的に保護することにより、基盤に対するウエハ剥がれ等の処理不良を防止することができるウエハ端縁保護装置及びウエハ処理装置を提供する。
【解決手段】二枚のウエハＷ及びＯリング２１，２３を挟んで積層された第１の保護部材５及び第２の保護部材７と円板状部材３の外周部を第１挟持片２９と第２挟持片３１で挟持すると、第１の保護部材５と第２の保護部材７とが積層される。第１係止機構３５と第２係止機構３７で第１挟持片２９と第２挟持片３１を固定することにより、第１の保護部材５及び第２の保護部材７並びに円板状部材３を確実に挟持できる。挟持機構９により挟持するという簡単な動作でウエハ端面保護装置１を二枚のウエハＷに取り付けることができ、効率的に処理できる。 （もっと読む）

【課題】 洗浄時にウエハを損傷することなく確実に水滴を除去することができるウエハキャリアを提供する。
【解決手段】 ウエハＷに付着した水滴を遠心力を利用した装置によって離脱させて乾燥させるために、複数のウエハを収容するウエハキャリアを、複数のウエハＷを所定の間隔で並列に保持するための複数の溝を有する１組の保持部１１ａ，１１ｂと、これらの保持部１１ａ，１１ｂを固定して支持する支持部１２ａ，１２ｂと、遠心力が加わったときに保持部１１ａ，１１ｂからウエハＷが飛び出さないように係止するストッパ１３ａ，１３ｂで構成する。更に、ストッパ１３ａ，１３ｂは、ウエハＷとの接触部Ｃを板状に形成し、この接触部以外の弾性部Ｓには複数の孔が格子状に空けられた弾力性のある金属板で構成する。 （もっと読む）

【課題】 半導体チップを収容した状態で溶剤中に浸積し、チップ表面に設けたレジストを確実かつ容易に除去可能な洗浄半導体チップトレーを提供する。
【課題の解決手段】 半導体チップ１００を洗浄半導体チップトレー１の横方向規制部２と縦方向規制部３で規制される部分に収容し、半導体チップ１００を収容していない他の洗浄半導体チップトレー１を重ね合わせた状態で、溶剤槽内に浸積することにより、洗浄半導体チップトレー１の各貫通孔７，１２から溶剤を洗浄半導体チップトレー１内に導入し、溶剤を洗浄半導体チップトレー１の各溝４，５，１０を通じて、隅々まで万遍なく行き渡らせ、レジスト１０１をムラなく除去する。 （もっと読む）

【課題】 ウエハの端面を構造的に保護することにより、ウエハ剥がれ等の処理不良を防止できる。
【解決手段】 処理部分の円Ｃを除くウエハＷの非処理面Ｓ２が保護部材５により覆われリップパッキン７を介して保護部材５を円板状部材３に積層した状態で、円板状部材３、保護部材５、ウエハＷの処理面Ｓ２、リップパッキン７で形成される空間ｓｐの気体を連通口９から排出する。保護部材５が円板状部材３に吸着されるので、ウエハＷの処理部分の円Ｃ以外は処理液に触れることがない。よって、ウエハＷの端面が処理液で処理されたり、基盤にウエハＷを接着しているワックス等が処理液に浸食されて剥がれたりする等の処理不良を防止することができる。その上、連通口９から排気するだけという簡単な動作でウエハ端面保護装置１をウエハに取り付けられ、空間ｓｐ内の負圧を解消するだけで取り外せる。 （もっと読む）

【課題】 ウエハの端面を構造的に保護することにより、基盤に対するウエハ剥がれ等の処理不良を防止することができるウエハ端縁保護装置及びウエハ処理装置を提供する。
【解決手段】 ウエハＷ及びＯリングを挟んで積層された保護部材５と円板状部材３の外周部を第１挟持片２５と第２挟持片２７で挟持すると、これらの内周部に形成されている下向き案内面３５と上向き案内面３７が、円板状部材３の下向き傾斜面１２と保護部材５の上向き傾斜面２３をウエハＷ側に案内するので、保護部材５と円板状部材３とが積層方向に締め付けられる。したがって、第１係止機構３１と第２係止機構３３で第１挟持片２５と第２挟持片２７を固定することにより、保護部材５と円板状部材３を確実に挟持できる。その上、ウエハ端面保護装置１の解除も容易であり、作業効率を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】 基板保持ガイドにおける流体の流れを円滑にすることにより、処理の面内均一性を向上させることができるとともに、清浄度高く処理することができる。
【解決手段】 処理液ＬＱが、第２側方ガイド４５のスリット状の開口５６，５７，６１を通過して、第２側方ガイド４５の左側に位置している基板Ｗの周縁部を通過するとともに、基板Ｗの周縁全体を通過する。したがって、処理液ＬＱが基板Ｗの面全体にわたって行き渡るので、処理の面内均一性を向上させることができる。その結果、処理液による処理時には、処理液が基板Ｗの面全体にわたって行き渡るので、処理の面内均一性を向上させることができ、基板Ｗから離脱したパーティクルや不要物が基板保持ガイド３１から処理槽内へ流下するので、処理槽外への排出が円滑に行われ、基板Ｗを清浄度高く処理することができる。 （もっと読む）

【課題】高い平面度と表裏のウェハ主面の平行度を要求される水晶ウェハの保持機構を提供する。
【解決手段】水晶ウェハ１をエッチャントに浸漬してウェットエッチングする際に用いられる水晶ウェハの保持機構３において、公転軸４を軸心にして回転する公転板６と、公転板６に設けられた自転軸７を軸心にして自転する水晶ウェハ格納部９と、水晶ウェハ格納部内で水晶ウェハ１を保持する水晶ウェハ保持部１０と、先の公転軸６、及び自転軸７を連動させて回転させるギア１１を備え、公転軸６の回転方向と反対方向に自転軸７が自転し、公転軸６の公転と自転軸７の自転の比率を、１：−１．１〜０．９（自転のマイナス符号は、公転と反対方向にまわることを示す）とした。 （もっと読む）

【課題】 浸漬時間の差による基板面内でのエッチング量のばらつきを低減できるようにした薬液処理方法及び、薬液処理装置を提供する。

【解決手段】 エッチング槽１内に貯められたエッチング液中にウエーハＷを入れてその表面を洗浄処理する方法であって、オリフラＯＦを先頭にしてウエーハＷをエッチング液中に入れ、エッチング液中でウエーハＷの上下を逆にし（例えば、ウエーハＷをその表面の中心部を通る垂線を軸に１８０［゜］回転させる）、その後、上下を逆にした状態でウエーハＷをエッチング液中から取り出す。このような構成であれば、ウエーハＷはオリフラＯＦから先にエッチング液中に入り、オリフラＯＦから先にエッチング液中から取り出されるので、ウエーハＷの面内で浸漬時間の差を小さくすることができる。 （もっと読む）

【課題】 基板のエッチング工程、特に住宅用量産型太陽電池セルのシリコン基板のエッチングに関し、一面にテクスチャ形状、他面に平坦形状を形成するエッチング工程の簡略化を図る。
【解決手段】 一般に基板の表面処理は、基板の表・裏均等に行われるが、太陽電池セルの特性面からは、表面がテクスチャ形状、裏面が平坦な形状が望ましい。半導体基板を表面処理する際には発熱反応が起き、また表面処理時の反応速度が温度上昇により速くなり、反応の進捗により表面形状が変化する。本発明のキャリアホルダーによれば、表面処理時に半導体基板の片面に近接物を設けることにより、近接物がある面では反応熱が滞留し、他面では反応熱がエッチング液の対流により奪われるため、半導体基板の一面と他面の間に温度差が発生し、一面がテクスチャ形状で、他面が比較的平坦な形状の半導体基板を１回の処理で容易に形成でき、エッチングプロセスの簡略化が可能となる。
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【課題】ウェーハとの接触面積を最小化できるウェーハキャリヤ及びこれを用いたウェーハ洗浄方法を提供する。
【解決手段】ウェーハキャリヤは、複数の開口部１７０を備え、複数枚のウェーハを受容し得る保管維持部材１００と、保管維持部材１００の前後両端にそれぞれ配置され、複数枚のウェーハのうち少なくとも一枚のウェーハの一面と対向し得る前端固体板１５０及び後端固定板１６０と、を含み、保管維持部材１００にウェーハが受容された場合のウェーハの左右両側の周縁部は、複数の開口部１７０から露出させられることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ガラス薄板やフィルム基板の製造工程において、基板の洗浄・乾燥などの処理や収納・搬送などの際に、カセット内の基板同士が接触することがなく、基板へのダメージ等が生ずるおそれがなく、基板の姿勢を安定化させ、処理性能の効率アップに有効な基板保持構造を提供する。
【解決手段】カセット内に基板２０，２１を収納するための基板保持構造において、前記基板２０，２１は矩形板状体の形状を成し、前記基板２０，２１は撓ませられた曲面状態にして、前記カセット内に保持される基板保持構造とし、また、この基板保持構造において、前記カセットは、外枠構造部材と、その内部に前記基板２０，２１を収納するための略直方体形状の収納部と、を備え、前記基板２０，２１は、前記収納部内に複数枚数が所定間隔で並列的に配置される。 （もっと読む）

【課題】従来のレシピ搬送方式のように処理槽の浸漬時間を重視した基板の搬送が可能であり、また、従来のタクト搬送方式のように高スループットの基板処理が可能な基板処理装置および基板搬送方式を提供すること。
【解決手段】基板搬送装置の搬送動作の繰り返し動作の基準となるタクトタイムを決定するステップと、処理槽の薬液浸漬時間を設定するステップと、前記処理槽とペアで使用する前記リンス槽のリンス時間を算出するステップとを有し、前記タクトタイムおよび前記薬液浸漬時間ならびに前記リンス時間から基板の搬送タイミングを決定するようにする。
また、薬液浸漬時間の設定値が基準範囲であることをチェックする薬液浸漬時間のチェック手段を有するようにする。 （もっと読む）

【課題】洗浄工程における工程待ち時間を少なくし、稼働効率を向上させる。
【解決手段】洗浄液１４を貯留する洗浄槽１３と基板洗浄用カセット２４とを有し、基板洗浄用カセット２４に収容されている基板１００を基板洗浄用カセット２４と共に洗浄槽１３に浸漬して洗浄処理を行うものにおいて、基板洗浄用カセット２４が基板１００を１枚のみ収容可能であると共に、基板洗浄用カセット２４は洗浄処理を行う前の処理工程で処理される１枚毎の上記基板に同期して洗浄槽１３に浸漬される。 （もっと読む）

【課題】半導体基板と半導体基板保持溝との隙間に残留した薬液等をより効果的に除去し得る半導体基板洗浄用治具を提供すること。
【解決手段】相対向する側板１０間に、半導体基板３の外周縁に接触可能な少なくとも３本の棒状枠材４を設け、それら各棒状枠材４の周面には、半導体基板３の外周縁を差し込む半導体基板保持溝８を形成する鍔部６を棒状枠材４の軸方向に所定間隔で形成すると共に、上記半導体基板保持溝８と半導体基板３の間に滞留する液体を逃がすため、各棒状枠材４の周面に、棒状枠材４の軸方向に水切り用のスパイラル溝５を形成し、上記各棒状枠材４の端部に、引き上げ時にかかる水圧で当該棒状枠材を回転させるためのプロペラ７を設ける。 （もっと読む）