【課題】カップの駆動機構や位置合わせ機構の駆動機構等に要するスペースの削減や省コストを図ることができる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板Ｗを保持する保持機構６１と，保持機構６１に保持された基板Ｗを囲むカップ６２，６３と，保持機構６１に対する基板Ｗの位置を合わせる位置合わせ機構６５とを備えた装置４５Ａにおいて，カップ６２，６３及び位置合わせ機構６５を保持機構６１に保持された基板Ｗに対してそれぞれ相対的に昇降させる移動機構６６を備えた。 （もっと読む）

【課題】ウェハの抗折強度の低下を抑制することの可能なウェハ搬送装置を提供する。
【解決手段】ウェハ搬送装置は，ウェハを吸着部により真空吸着して搬送する装置であり，吸着部は，アルミナを主成分とした材料から形成され，気孔率が３４〜４０％である。吸着部の表面における気孔以外の部分の表面粗さＲｙは，５μｍ以下であることを特徴とする。これにより，吸着部のウェハとの接触面における凹凸の高低差が小さくなるため，ウェハに与えるダメージを低減することができる。したがって，吸着部によりウェハを吸引保持する際に発生する，ウェハの抗折強度の低下を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】 基板の処理不良を十分に防止できる基板乾燥装置およびそれを備えた基板処理システムを提供することである。
【解決手段】 基板処理システム５００は、基板処理装置３００および洗浄／乾燥装置４００を含む。基板処理装置３００は、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４および第１のインターフェースブロック１５を備える。洗浄／乾燥装置４００は、洗浄／乾燥処理ブロック１６および第２のインターフェースブロック１７を備える。第２のインターフェースブロック１７に隣接するように露光装置１８が配置される。洗浄／乾燥処理ブロック１６において露光処理後の基板Ｗの乾燥処理が行われる。 （もっと読む）

【課題】ウェハ処理工程で使用されるウェハを保持する真空吸着冶具において、ウェハ裏面の中央部にゴミ等の異物が付着せず、ウェハがメンブレン部を持つ場合でも、メンブレン部が破壊しない、又はウェハ処理不良を起こさないウェハの吸着冶具を提供する。
【解決手段】表面の外周部に、円周状に所定の幅で連続した区域に吸着部分２と、該吸着部分２の内側に、円状の中央空間部６とを備え、裏面に備えた減圧管排気口４０と、前記吸着部分２とを連結する吸着冶具内を貫通するウェハ吸着用減圧管４と、裏面に備えた大気開放口３と、前記中央空間部６とを連結する吸着冶具内を貫通する大気開放連通管３０とを備えた真空吸着冶具５であって、ウェハ裏側の外周部のみを真空吸着し、前記中央空間部６の内圧を大気開放する大気開放口３によりウェハ１の歪みを排除し、ウェハ裏面の中央部に触れずに保持する。 （もっと読む）

【課題】 位置決め過程においてダスト等を発生させることなく、複数の半導体回路部材を高精度で位置決めできる位置決め方法とその装置、並びに当該位置決め方法と装置を用いた半導体装置の製造方法と製造装置を提供する。
【解決手段】 位置決め用基板２に設けられた複数の位置決めストッパー３それぞれに、気流発生装置４と傾斜手段５とセンサー７とが設けられた位置決め装置１を用いることにより、複数の半導体回路部材１０の位置を各々のセンサー７によって検知でき、制御手段８がその検知結果に応じて各気流発生装置４を個々に制御でき、位置決めされた半導体回路部材１０から位置決め用基板２に一時固定する。 （もっと読む）

【課題】 ウエハの回転駆動を工夫することにより、ウエハの全面にわたって均一に処理を行うことができ、しかも処理の短時間化を図ることができるウエハ処理装置を提供する。
【解決手段】 モータの作動により保持機構２９が仮想の水平軸ＶＰを中心として、ここから所定距離だけ離れて仮想の水平軸ＶＰ周りに回転するので、ウエハＷの周辺部だけでなくその中心部も同様に仮想の水平軸ＶＰ周りに円を描く回転運動をすることになる。さらに、ギア４０を中心とする自転運動を行うので、内槽１に生じうる処理液の流れのムラの悪影響を回避することができる。よって、ウエハＷの全面にわたって処理液を均一に接触させることができる。 （もっと読む）

【課題】電気研磨および／または電気めっきプロセスにおいて、ウェーハを移動させるロボットアセンブリにおいて、エンドエフェクタ真空カップ内の粒子を取除き、真空通路に酸などが入るのを防止する装置および方法を提供する。
【解決手段】エンドエフェクタ３０６は、真空弁３２２を介して真空源と、窒素弁３２０を介して加圧窒素源と連結されている。真空弁３２２がオンされると、ウェーハをエンドエフェクタ３０６に押し付けて保持するように、真空カップ３０２内の圧力を低下させる。真空弁３２２がオフされ、かつ、窒素弁３２０がオンされると、エンドエフェクタ３０６は、真空カップ３０２内の圧力が増大されウェーハを開放する。ウェーハが保持されていない時、または移動されていない時は窒素弁３２０をオン状態のままにして、真空カップ３０２内において周囲環境圧力に近いか、またはこの周囲環境圧力よりも高い圧力を維持する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、表裏両面に所定の機能集積デバイスが形成される半導体、ガラス、金属、プラスチック等のウエハの加工工程で薄膜を形成する薄膜形成装置に関し、表裏両面に所定処理がなされるウエハ上への薄膜形成の均一化を図り、品質向上、歩留り向上を図ることを目的とする。
【解決手段】吸引固定回転部１２の回転ステージ１２Ａ上に設けられる載置部１３の周縁部分に所定数の突部載置部材１５，１６が形成され、当該突部載置部材１５，１６上に、搬送されるウエハをその周縁で載置させ、吸引固定した後に回転させて当該ウエハ上に供給ノズル１７より薄膜形成材を供給させる構成とする。 （もっと読む）

【課題】 液体による装置の損傷を防止する。
【解決手段】 保持面３４Ａで基板Ｐを保持するホルダＰＨと、保持面３４Ａに開口する開口部７１を介して基板Ｐを保持面３４Ａとほぼ直交する方向に駆動する駆動機構８１とを有する。駆動機構８１の駆動により、開口部７１を介して保持面３４Ａとほぼ直交する方向に移動する移動部７０を有する。開口部７１と移動部７０との少なくとも一部がそれぞれ撥液性を有する。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、高い平坦度と表裏のウェハ主面の平行度を要求される水晶ウェハのウェットエッチングに用いられる水晶ウェハの保持ジグを提供すること。
【解決手段】
上記目的を達成する為に本発明は、水晶ウェハをエッチャントに浸漬してウェットエッチングする際に用いられる水晶ウェハの保持ジグにおいて、水晶ウェハの側面方向から水晶ウェハが、複数の略コの字形をした水晶ウェハ押えによって囲まれた領域内でエッチャント中では押えに触れずにとどめられることを特徴とし、また、水晶ウェハ押えの略先端部分に、エッチャントが通過する孔を有することを特徴とし、また、水晶ウェハ押え外形よりも大きな凹みをもつ板状の構造体の該凹みに入れられ、水晶ウェハがエッチャントのなかで揺動しながら保持されることを特徴として課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 基板上の感光性材料の成分が露光装置における液体中に溶出することを防止できる基板処理装置を提供することである。
【解決手段】 基板処理装置５００は、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、洗浄処理ブロック１３およびインターフェースブロック１４を備える。インターフェースブロック１４に隣接するように露光装置１５が配置される。洗浄処理ブロック１３は洗浄処理部８０を備える。レジスト膜用処理ブロック１１において基板Ｗ上にレジスト膜が形成される。露光装置において基板Ｗに露光処理が行なわれる前に、洗浄処理部８０において基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。 （もっと読む）

【課題】 露光装置において基板に付着した液体による動作不良が防止された基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】 基板処理装置５００は、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２およびインターフェースブロック１３を備える。インターフェースブロック１３に隣接するように露光装置１４が配置される。インターフェースブロック１３は２つの乾燥処理ユニットを含む乾燥処理部９５およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲを備える。露光装置１４において基板Ｗに露光処理が施された後、基板Ｗはインターフェース用搬送機構ＩＦＲにより乾燥処理部９５の乾燥処理ユニットに搬送される。乾燥処理部９５の乾燥処理ユニットにおいて基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。 （もっと読む）

【課題】
回転中のウェハを傷つけること無く確実に保持することができる半導体ウェハ保持装置を提供する。
【解決手段】
ロータ１２の同一円周上に配置された支持部１６に取り付けられ、ロータ１２の半径方向に揺動可能な保持爪１８に形成された切欠き部２０によってウェハ５０を保持する半導体ウェハ保持装置１０において、前記切欠き部２０は保持爪１８の一方の端部に形成し、他方の端部に備えた錘２２との中間部に支持ピン１９を備えて揺動する構成とし、保持爪１８は、ロータ１２の回転によって生じる遠心力を受けることによりロータの中心方向に切欠き部２０を傾倒させ、切欠き部２０の上辺２０ａと下辺２０ｂとによりウェハ５０外縁の上下に位置するエッジ部を支持する状態を成すように、前記一方の端部と他方の端部との重量バランスを設定した。 （もっと読む）

【課題】異物による影響を低減し、しかも、吸着状態における被吸着物の平坦度を更に高める。
【解決手段】吸着装置１は、ウエハＷを真空吸着することによりウエハＷを保持する。吸着装置１は、吸着基材２を備える。吸着基材２は、先端面（上面）が同じ高さとなるように形成された複数のピン状の凸部２ａを有し、剛性を持つ。凸部２ａの先端面上には、下地層４を介して、弾性を持つコーティング層がコーティングされている。ウエハＷが吸着された際に、ウエハＷと吸着面との間に異物が介在しても、異物がコーティング層３内に埋没するので、ウエハＷの平坦度が高まる。また、コーティング層３を比較薄くすることができるため、ウエハＷのうねりを低減することができ、この点からも、吸着状態におけるウエハＷの平坦度が高まる。 （もっと読む）

【課題】 露光装置における露光処理時の基板の処理不良を低コストで防止できる基板処理装置を提供することである。
【解決手段】 基板処理装置５００は、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、液浸露光用処理ブロック１３およびインターフェースブロック１４を備える。インターフェースブロック１４に隣接するように露光装置１５が配置される。液浸露光用処理ブロック１３は、レジストカバー膜用塗布処理部２００およびレジストカバー膜除去処理部２５０を備える。露光処理前に、液浸露光用処理ブロック１３においてレジストカバー膜が形成される。露光処理後に、液浸露光用処理ブロック１３においてレジストカバー膜が除去される。 （もっと読む）

【課題】 露光装置において基板に付着した液体による動作不良が防止された基板処理装置を提供することである。
【解決手段】 基板処理装置５００は、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、乾燥処理ブロック１３およびインターフェースブロック１４を備える。インターフェースブロック１４に隣接するように露光装置１５が配置される。乾燥処理ブロック１３は乾燥処理部８０を備える。インターフェースブロック１４はインターフェース用搬送機構ＩＦＲを備える。露光装置１５において基板Ｗに露光処理が行われた後、基板Ｗはインターフェース用搬送機構ＩＦＲにより乾燥処理部８０に搬送される。乾燥処理部８０において基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。 （もっと読む）

半導体ワークピース用チャックは、熱ペデスタル上に集積された抵抗性加熱部品及び静電バイポーラチャック部品を特徴とする。これらの集積加熱部品及びチャック部品は、ウェーハの平坦性、及び、ワークピースとチャックの間に熱ガスを収容する下地ギャップの均一性を維持する。本発明の一実施形態では、ラミネートされたＫａｐｔｏｎウェーハヒータがウェーハの下方の熱表面の上部に取り付けられる。ウェーハを導電体に接触させる必要なく、チャックとウェーハの間にチャック力を生成するために、少なくとも二つの電圧ゾーンがヒータ内で分離される。これらの電圧ゾーンは、個別の導電部品を使用することによって、また、抵抗性加熱部品を含むゾーンにＤＣバイアスを印可することによって作成可能である。 （もっと読む）

【課題】トップリング（ウエハ保持機構）に保持されたウエハが離脱してプッシャー機構（ウエハ受渡機構）に着座するまでのウエハ受渡工程の所要時間を短縮できるウエハ受渡装置を提供する。
【解決手段】ウエハＷを保持するトップリング６０と、トップリング６０との間でウエハＷの受け渡しを行うプッシャー機構１０とを備えたウエハ受渡装置において、プッシャー機構１０は、ウエハＷを載置するウエハトレイ４０を備え、トップリング１０の下端面から離脱したウエハＷがウエハトレイ４０に着座するように構成し、プッシャー機構１０に、ウエハＷがウエハトレイ４０に適正に着座したことを検知するセンサ機構５０を備えた。センサ機構５０は、投光装置５１から投光されたセンサ光が、ウエハトレイ４０に着座したウエハＷによって遮断されるようになっている。 （もっと読む）

【課題】基板の裏面側に液体が浸入することを抑制できる基板保持装置を提供する。
【解決手段】基板ホルダＰＨは、基板Ｐを保持する第１保持部ＰＨ１と、第１保持部ＰＨ１に保持された基板Ｐの側面Ｐｃに対して所定のギャップＡを介して対向し、撥液性を有するプレート部材Ｔの内側面Ｔｃと、内側面Ｔｃの上部に設けられた面取り部Ｃとを備えている。基板Ｐの側面Ｐｃには撥液性を有する撥液領域が設けられており、面取り部Ｃは、第１保持部ＰＨ１に保持された基板Ｐの撥液領域と対向するように設けられている。 （もっと読む）

【課題】 マスキングテープを基板から剥離する際に生じる基板の帯電を防止することができるマスキングテープの剥離装置を提供する。
【解決手段】 剥離装置は、基板に貼り付けられたマスキングテープを剥離する。剥離手段は、マスキングテープを基板から剥離する。除電手段は、マスキングテープが基板から離れる部分に向けて、イオン化されたガスを放出する。これによって、剥離帯電が生じた基板およびマスキングテープに対して除電を行うことができる。 （もっと読む）