【課題】不具合によるフレームの吸着不良が発生してもワークを落下させること無く、安全にワークの搬送をすることができるワーク搬送装置及びワーク搬送方法を提供すること。
【解決手段】フレームＦを吸着する吸着部５と、フレームＦが吸着部５により吸着されて搬送される際、フレームＦの下面近傍へ移動し、フレームＦの搬送が終了し、フレームＦの吸着が終了した後にフレームＦの下面近傍から退避する複数のフレームクランプ６とを備えることにより、装置の不具合等によるワークの落下を防ぎ、安全にワークを搬送することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】吸着面の洗浄性を向上させた吸着装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る吸着装置は、吸着部材５１と、吸着部材５１を保持する保持部材とを備え、吸着部材５１は、表面に吸着面５５が形成されるとともに複数の吸着穴５３がこの吸着面５５から裏面側に貫通して形成された第１プレート部材５２と、表面に第１プレート部材５２の裏面側が接合されるとともに複数の吸着穴５３と繋がる複数の吸着通路５８がこの表面から裏面側に貫通して形成された第２プレート部材５７とからなり、第１プレート部材５２がパンチングメタルを用いて形成されてパンチングメタルの穴部が吸着穴５３となるように構成されるとともに、第２プレート部材５７の裏面側と保持部材における第３保持プレート７１の表面側との間に複数の吸着通路５８と真空源とに繋がる通路空間Ｓが吸着通路５８よりも断面積の大きい円板状に形成されている。 （もっと読む）

【課題】複数の基板処理装置を用いることなく、同一基板処理装置で複数種の被処理基板を逆汚染無く処理でき、又処理液に応じたローラー溝を使用することにより処理液の回収効率を向上させる基板処理装置及び基板処理方法を提供すること。
【解決手段】円板状の被処理基板Ｗの周縁部をチャックする平面上に配置された３個以上のローラー部材１１と、少なくとも１以上の前記ローラー部材を回転させるローラー回転駆動機構１２と、被処理基板Ｗの表面及び／又は裏面に処理液を供給する基板面処理ノズル１６等を具備する基板処理装置において、ローラー部材１１に被処理基板Ｗの周縁部が係合するローラー溝１１ａを上下方向に複数個所定のピッチで設けるか又は該ローラー溝１１ａを有するローラー部材１１を上下方向に複数個所定のピッチで設け、各溝を洗浄する洗浄ノズル１７と該各溝内に付着した液を吸引する吸引ノズル１８を設けた。 （もっと読む）

【課題】基板にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成し、その表面に液層を形成して液浸露光した後の基板に現像処理を行う装置において、レジスト膜の変質によるウエハ間のばらつきを抑えること。
【解決手段】前記装置において、レジスト膜が形成された基板の表面を洗浄する洗浄部と、この洗浄部から基板を取り出して液浸露光を行うための露光装置に搬送するための搬送手段とを設け、前記洗浄部にて基板の表面に洗浄液が接触した時点から当該基板を露光装置に搬入するまでの時間が予め設定した設定時間、即ち前記基板の表面に前記洗浄液を供給した時点からの経過時間と当該基板表面における洗浄液の接触角の変化との関係において、接触角の低下速度が接触直後に比べて大幅に小さくなった時間帯にて基板が液浸露光されるように設定された時間となるように前記搬送手段を制御する。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイス作製プロセスにおけるチップ収率の向上、生産性の向上を図るために、本発明はデバイス作製プロセスにおいて、ウエーハ保持手段の表面状態を調製した新規な半導体デバイス作製プロセス用装置を提供する。
【解決手段】互いに面接触しているウエーハ保持手段表面又は、ウエーハの裏面の少なくとも一の面密度を調整するか、若しくは両者間に接触圧を付勢する接触圧付勢手段を設けて、前記ウエーハ保持手段表面と該ウエーハの裏面との接触面密度が、ウェーハ半径方向に異なるような面密度分布をもつように構成した。 （もっと読む）

【課題】ウォーターマークの発生を防止するとともに、基板の表面に純水または薬液を効率よく供給することが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板Ｗの表面に処理を行う複数の処理室と、複数の処理室間において基板Ｗの表面を上方に向けた状態で基板Ｗを搬送する搬送ロボット２９と、搬送ロボット２９により搬送される基板Ｗに対向配置した状態で移動しつつ、基板Ｗの表面全域に向けて液体を供給するシャワーヘッド１０とを備えたことを特徴とする基板処理装置および基板処理方法である。 （もっと読む）

【課題】紫外線照射ユニットを容易に取り付けることの可能な半導体ウェハの加工装置を提供する。
【解決手段】支持フレームに保護テープを介して支持された半導体ウェハを収容するためのカセット１０を載置するカセット載置台３５と，加工領域に搬送された半導体ウェハを加工する加工手段７と，カセット１０と加工領域との間で半導体ウェハＷを搬送する搬送手段５と，を備える。ここで，カセット載置台３５の内部には，半導体ウェハを載置して，載置された半導体ウェハを搬送手段側へ搬出入するウェハ搬出入機構と，搬送手段側から搬入された半導体ウェハを載置して，半導体ウェハが貼り付けられた保護テープに紫外線を照射する紫外線照射ユニットとが，選択的に着脱自在に配置される。 （もっと読む）

プロセス（例えば液体メニスカスプロセス）中に第一の面と第二の面を有する基板（例えば半導体ウェーハ）を保持するための装置及び方法。本装置は、基板の第一の面に顕著に接触することなく基板の第二の面に接触するように構成された一つ以上の保持用構成要素（例えばフィンガ）を含む。保持用構成要素の少なくとも一つは、この少なくとも一つの保持用構成要素がプロセスに影響を与えること（例えば液体メニスカスに接触する）を防止するように、プロセス中に動かされるように構成され得る。このような構成は、基板が、その上に少なくとも一つの構造体または特徴部を有する上面を含む場合に用いられ得るものであり、保持用構成要素が、プロセス中に構造体または特徴部に接触することを避けることが望ましい。
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【課題】電気めっきおよび／または電解研磨プロセス中にはウェーハを保持し、電荷をウェーハに印加することのできるウェーハチャックの提供。
【解決手段】ウェーハ１６０２の電気めっきおよび／または電解研磨中にウェーハを保持するためのウェーハチャックアセンブリ１６００が、ウェーハ１６０２を受容するためのウェーハチャック１６０４を有している。ウェーハチャックアセンブリ１６００はさらに、第１の位置と第２の位置との間でウェーハチャック１６０４を運動させるためのアクチュエータアセンブリ１８６０をも有している。第１の位置にあるとき、ウェーハチャック１６０４は開かれている。第２の位置にあるとき、ウェーハチャック１６０４は閉じられている。 （もっと読む）

【課題】保護テープを省略してもバックグラインド時に繰り返して使用することができ、大量の廃棄物の発生を抑制できる半導体ウェーハ用の固定治具を提供する。
【解決手段】円錐形を呈した吸着体２に着脱自在に搭載される剛性の支持基板１０と、支持基板１０の表面周縁部に貼着されてバックグラインドされる半導体ウェーハＷを着脱自在に保持する変形可能な保持層２０と、支持基板１０の中央部と保持層２０の間に形成される区画空間１１と、区画空間１１に連通してその空気を外部に排気することにより保持層２０を変形させる給排孔１４とを備える。区画空間１１に、保持層２０を支持する突起群１２を配列し、突起群１２の中心部から支持基板１０の表面周縁部にかけて徐々に傾斜させて凸型に形成し、支持基板１０の裏面の中心部から周縁部にかけて徐々に傾斜させて凹型に形成し、支持基板１０の裏面が吸着体２の表面に密接するようにした。 （もっと読む）

【課題】基板を搬送する間に塗布工程を行うことが可能な基板の搬送処理装置を提供する。
【解決手段】待機ステーションに待機していた基板Ｗを搬送フォークを用いてアライメントステーションＳ２に送り込み、このアライメントステーションＳ２にてアライメントされた基板Ｗを搬送フォークを用いて回転ステーションに送り込む。そして、アライメントステーションＳ２から回転ステーションへ搬送する間に搬送フォークが備えるノズル５８から塗布液を基板Ｗ表面に供給する。 （もっと読む）

本発明は、半導体製造工程中、洗浄工程、エッチング工程などのように基板を回転させながら工程を行うために使用するスピンチャックに関する。本発明のスピンチャックは、基板が載置される回転可能なスピンヘッドと、スピンヘッドを回転させる駆動部と、スピンヘッドに設けられ、基板の回転の時、基板のフラットゾーンによる渦流現象を防止するために、基板のフラットゾーンに対応する位置にフラットゾーンのフラット面と接する接触面を有する固定ブラケットと、を含む。
上述した構成のスピンチャックは、基板のフラットゾーンと同一な形状の固定ブラケットを備えることによって、基板のフラットゾーンによる気流の不均衡を防止できる。従って、基板の背面に噴射されるエッチング液が均一に広がるようにすることができるという利点を有する。 （もっと読む）

【課題】
電荷による不具合が発生する基板に対して所定の処理を施す工程において、該基板の帯電を防止すると共に、該基板からの電荷の除去に際して流れる電流が所定の値を超えないように制御し、結果的に製造されるものの歩留まりの向上を図ること。
【解決手段】
本発明に係る基板保持装置は、基板２０１を保持するチャック１０１と、チャック１０１を支持するチャック支持部１０４と、を備え、チャック１０１の基板２０１との接触部における最も比抵抗値の低い部分は、１０^５Ωｃｍ〜１０^１０Ωｃｍの比抵抗値の材料で形成され、当該最も比抵抗値の低い部分は、チャック支持部１０４を介して接地されているものである。 （もっと読む）

【課題】精密基板の洗浄を行う洗浄装置において、汚染因子再付着防止、自然酸化形成の防止、ウォータマーク防止が可能な洗浄装置を提供する。
【解決手段】被洗浄基板２を容器３内に配置し、容器３内の雰囲気を測定する雰囲気計測器４と雰囲気を制御するガス供給手段５およびガス排気手段６、７を配置した洗浄装置１において、被洗浄面に対向した部位からガスを均一に供給するガス供給手段５、筒状固定軸１６、流体軸受け１７および回転支持部材１８からなる回転保持機構にガスを供給するガス供給手段２１、排水機構にガスを排気するガス排気手段７、洗浄液噴射時の雰囲気を制御するガスを供給するガス供給手段３１のいずれか一つ以上の手段を具備する。洗浄装置１内の雰囲気を測定する雰囲気計測器４は、任意のタイミングで計測可能であり、引火性成分、可燃性成分、または支燃性成分のいずれか１つ以上の成分を検出可能なものとする。 （もっと読む）

【課題】パターンの線幅均一性をより向上させることができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】時刻ｔ１に露光ユニットにて露光処理が完了した基板は基板処理装置の洗浄処理ユニットに搬入される。洗浄処理ユニットにおける露光後基板の滞在時間（待機時間または洗浄時間）を調整して露光処理完了時刻ｔ１から洗浄処理終了時刻ｔ５までが一定となるように洗浄処理終了時点を調整することによって、露光処理完了時点から露光後加熱処理開始時点までの時間を一定とし、かつ洗浄処理完了時点から露光後加熱処理開始時点までの時間をも一定としている。これにより、化学増幅型レジストを使用した場合におけるパターンの線幅均一性をより向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】露光処理完了から露光後加熱処理開始までの時間を確実に一定にすることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】露光ユニットＥＸＰからインターフェイスブロック５が露光後の基板Ｗを受け取った時点から加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２のいずれかにて当該基板Ｗの露光後加熱処理を開始するまでの規定時間ＲＴを決定する。加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２のいずれかに基板Ｗが到達したときに、その基板Ｗを露光ユニットＥＸＰから受け取った時点から該基板Ｗが加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２に到達するまでに要した搬送時間を規定時間ＲＴから減じて待機時間を算定する。加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２のいずれかに基板Ｗが到達した後、上記算定された待機時間が経過した時点で加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２による基板Ｗの露光後加熱処理を開始する。 （もっと読む）

【課題】基板の裏面に付着していた液滴に基づく、基板への液滴の再付着などの汚染を抑えることのできる基板搬送装置を提供する。
【解決手段】アーム本体に設けられ、基板の裏面における周縁よりも内方側を支持する支持部と、基板の周縁の位置を規制するために支持部に対し基板の周縁を挟んで対向する位置に設けられた規制部と、支持部と規制部との間における基板の裏面よりも下方位置に設けられた液受け部と、を備えるように基板搬送装置を構成する。基板の裏面の周縁部に付着した液滴は液受け部上に逃げることができる。このため繰り返し基板の搬送が行われ、液受け部に液滴が蓄積されたとしても、基板の周縁が液受け部に衝突するおそれがないので、その液滴が飛散して基板の表面に付着したりすることが抑えられる。 （もっと読む）

【課題】接触部近傍隅部に洗浄水が残ることがないスピン乾燥機のためのワーク把持装置を提供する。
【解決手段】スピン軸、支持枠、複数の回動駒４２、ワーク載置面４２１、ワーク挟持面４２２、コイルバネ４１４、および、押圧手段を兼ねる飛散防止カバーを備えており、飛散防止カバー上部６４１によって押圧受け部４２５が押圧されたとき、ワーク載置面４２１が窪んだ円錐面に沿うように傾斜した状態となることによって、この状態のワーク載置面４２１にワークＷがそのエッジ部にて載置され、飛散防止カバー上部６４１が押圧受け部４２５の押圧を解除するとき、ワークＷのエッジ部がワーク載置面４２１に沿ってせり上がり、ワーク挟持面４２２に接触して停止し、ワークが把持される。 （もっと読む）

【課題】 被処理基板を挟持部材付近からの液跳ねを最少にして被処理基板の処理能力を上げると共に、高品質の処理ができる枚葉式基板処理装置を提供すること。
【解決手段】
枚葉式基板処理装置は、被処理基板を挟持する複数本のチャックピン１５が外周囲に所定間隔で配設された円盤状の回転テーブル３と、この回転テーブル３に挟持された被処理基板Ｗを覆う回り込み防止部材１６と、回転テーブル３に連結されてこのテーブルを回転させる駆動回動機構４と、被処理基板に処理液を供給する処理液供給管６とを備えている。
チャックピン１５は、被処理基板Ｗを挟持するクランプ部１５ｂと、このクランプ部１５ｂの頂部から延びた円錐状に尖った針状部１５ｃとで形成されている。 （もっと読む）

【課題】 生産性の高いバッチ式研磨装置にてナノトポグラフィの悪化を抑制するとともに、ベースプレートからウエハを剥離する際、ウエハに損傷を与えることなく剥離できるウエハ剥離装置及び研磨ライン装置を提供する。
【解決手段】ベースプレート１１と、前記ベースプレート１１上の所定の位置に設けられ、貼付されるウエハＷの裏面と側周部に面接触するテンプレート９と、前記テンプレート９及びベースプレート１１に形成された貫通する複数の貫通穴１１ａと、前記貫通穴１１ａに挿通可能に設けられ、テンプレート９上方に突出可能な複数の押し上げピン６ｃと、前記複数の押し上げピン６ｃを昇降動作させる昇降手段６ｂとを備え、前記昇降手段６ｂによって押し上げピン６ｃを上昇させて、テンプレート９上に貼付されたウエハＷの裏側を押し上げ、前記ウエハＷをベースプレート９から剥離する。 （もっと読む）