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Fターム[5F031HA48]の内容

ウエハ等の容器、移送、固着、位置決め等 (111,051) | 処理時の固着、保持 (16,861) | ステージ、チャック、サセプタ (15,090) | ウェット処理用のもの (211)

Fターム[5F031HA48]に分類される特許

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【課題】基板上の処理液の温度をより適正に保ちながら処理を進めることができ、しかも、装置構成を簡単、かつ安価とする。
【解決手段】エッチング装置10は基板Sを水平姿勢で搬送しながらその上面にエッチング液を供給するものである。このエッチング装置10は、基板Sのうちその幅方向両端部分であって、かつ所定のパターン形成領域よりも外側の領域をローラ26により支持した状態で基板Sを搬送するローラコンベア16と、前記ローラ26による基板Sの支持位置よりも幅方向内側の位置でエッチング液と同温度の流体(エッチング液)を噴出することによりその流体圧により基板Sをその下側から支持する流体圧支持装置17とを備えている。 (もっと読む)


【課題】加工後のウエーハを次工程へ搬送する際、ウエーハを変形させることなく搬送することによってウエーハの強度を維持することができる搬送方法および搬送手段を配設した加工装置を提供する。
【解決手段】加工が終了し着脱位置に戻ってきたウエーハ1の表面に液体供給ノズルから液体を供給し、次いで、ウエーハ1の上面に、回収手段の吸着パッド78の吸着面78aを押し当て、ウエーハ1と吸着パッド78との間に薄い液膜8を形成する。次に、吸着パッド78に設けた熱電冷却素子80に電荷をかけて吸着面78aを冷却し、液膜8を凍結させて吸着パッド78にウエーハ1を結合させる。この後、回収アーム79を旋回させてウエーハ1を搬送先のスピンナ式洗浄装置に搬送し、熱電冷却素子80に冷却したときとは逆の電荷をかけ、吸着面78aを加熱して凍結液膜を溶融し、ウエーハ1を吸着パッド78から離して洗浄装置内に移載する。 (もっと読む)


【課題】ウエーハが位置ずれを起こして搬送された場合には意図的に正常時と同様なウエーハの吸引保持ができないようにして、ウエーハが位置ずれを起こしたままでの洗浄動作等のその後の動作への移行を未然に防止できるようにする。
【解決手段】回転テーブル20の回転によって生ずる遠心力で外周側に揺動する重り部281bと該重り部281bの外周側への揺動に追従して内周側に揺動しフレームFをフレーム保持部26とで挟持する押さえ部281aとを有する振り子281を備えるとともに、押さえ部281aが初期状態から外周側へ揺動しないように振り子281の揺動を規制する規制部33を備えることで、ウエーハWが位置ずれを起こして搬送された場合には該ウエーハWと一体となったフレームFが押さえ部281a上に載っても規制部33によって振り子281の揺動を規制し、意図的に吸着エラーを生じさせるようにした。 (もっと読む)


【課題】被加工物を支持する回転板の回転・停止が容易で、被加工物の両面処理できる装置を提供する。
【解決手段】円環状の回転板1と、該回転板1の下方に配置され、該回転板を磁気浮上させるための環状に配置された超伝導体6を有し、前記回転板1の下面には前記超伝導体6に対応して配置された浮上用永久磁石1cと、更に、前記回転板1に設けた浮上用永久磁石1cの外周側に回転用の永久磁石あるいは強磁性鋼板1a,1bと、該永久磁石に対応して回転磁界コイル4Aを配置し、前記回転板1の永久磁石あるいは強磁性鋼板1a,1bと、前記回転磁界コイル4Aとによって前記回転板1を非接触状態で回転駆動するように構成した磁気浮上回転処理装置。 (もっと読む)


【課題】基板をチャックするチャック部材を提供する。
【解決手段】チャック部材は、基板の側部をチャックし、回転中心から偏心されたチャックピンを備える。チャックピンは流線形(streamline shape)からなり、基板の回転により発生する気流の流れに対して前端に位置する第1前端部と、後端に位置する第1後端部を含む。第1前端部は第1尖端部を備え、第1後端部は丸い形状を有する。 (もっと読む)


【課題】保持テーブル上に水層を介してウエーハを保持するための給水量を減らして表面張力が強い状態であってもウエーハを水層上から剥離して搬送できるようにする。
【解決手段】水層162を介して保持テーブル163に保持されたウエーハWに対する搬送手段17の吸着パッド171の吸着位置を、パッド中心φ2がウエーハWの中心φ1に一致しないようにずれた位置に設定して、吸着パッド171で吸着した状態で搬送アーム172を鉛直方向に上昇させて搬送させることで、ウエーハ中心位置で吸着する場合に比べて格段に水層162からのウエーハWの吸着剥離が容易となるようにした。 (もっと読む)


【課題】装置のイニシャルコスト、ランニングコストを低くでき、広い設置スペースを必要とせず、短い処理時間で銅又は銅合金による回路配線を形成でき、且つクロスコンタミネーションの原因となるエッジ・ベベル部に銅膜が残ることのない半導体基板処理装置を提供する。
【解決手段】回転軸線を中心に回転する回転部材と、回転部材の前記回転軸線を中心とした同一円周方向に沿って配置され該回転部材の回転に伴って公転する保持部材とを有し、保持部材は、該保持部材の軸心を中心に回動するように構成された回転保持装置で保持した半導体基板を洗浄する洗浄ユニットを有する。 (もっと読む)


【課題】めっき処理を品質良く確実に行えるばかりでなく、装置全体のコンパクト化や、装置コストの低廉化が図れるめっき処理ユニットを提供する。
【解決手段】処理槽内部に吸着ヘッド789で保持した基板Wを挿入した状態で基板Wの処理面にめっき液による接液処理を行うめっき処理ユニットであって、吸着ヘッド789は、基部791の下面外周に基板Wの裏面をリング状に真空吸着すると共に基板Wの裏面の真空吸着した部分の内側へのめっき液の浸入を防止してシールするリング状の基板吸着部795を取り付けて構成され、基部791には、基板吸着部795に吸着した基板Wと基部791の間の空間を開放する開口部が設けられている。 (もっと読む)


【課題】極薄ウエハを破損せずに出し入れすると同時に、搬送、処理することが可能な薄板収納容器を提供する。
【解決手段】極薄化ウエハ37を真空吸着し固定できる薄板収納容器を用いる。収納容器の真空吸着部は、ウエハを載置するウエハ吸着面、吸着面上に開口したウエハを真空吸着する複数の吸着孔、吸着孔が接続する減圧室、外部真空ラインと接続する吸引口および減圧室と吸引口とを接続する吸気孔を持つ。減圧室には支持隔壁が設置され、吸着板を支える。吸着板は、収納容器から分離できる構造である。吸着面が弾性材料で、他方が一定の強度を有する高分子材料で構成する二層構造である。収納容器は、好適にはウエハ吸着面が周縁部に対し凹状である。ウエハが真空吸着固定されるので、薄板収納容器の搬送やプロセスも自動化が可能となる。収納容器は繰り返し使用でき、環境負荷も少ない。 (もっと読む)


【課題】拭き取り作業における試料へのパーティクルの再付着などが発生しない試料保持具を提供する。
【解決手段】セラミック基体の一主面上に備えられ、試料を保持するための複数のピン1と、セラミック基体上方側の主面の外縁部に、保持される試料との間を密閉する空間を形成するためのシール部と、を備えており、ピン1は、先端に向かって先細り状であり、複数の傾斜面6からなるショルダー部4を外周にわたって少なくとも1つ備えている。 (もっと読む)


【課題】ウエハの薄化後の特徴を生かしつつも、通常のウエハの縦断面形状に変換することによって従来のウエハ処理装置で適切にウエハを処理することができるウエハ保護部材を提供する。
【解決手段】ベース部材3の収納部5に、中央部が円形状に薄化されたウエハを収納することで、ウエハの薄化された中央部が補われ、通常のウエハの縦断面形状に変換される。したがって、ウエハの薄化後の特徴を生かしつつも、従来のウエハ処理装置で適切に処理することができる。貫通孔13には、ウエハをベース部材3から分離する際に分離しやすくする効果もある。 (もっと読む)


【課題】いわゆるオープンカセットを用いる場合の不具合を解消することができる研削装置を提供すること。
【解決手段】第一のカセットテーブル12と第二のカセットテーブル14に載置された第一のカセットと第二のカセットをそれぞれ閉塞する閉塞位置に位置づけ可能な第一のカセットカバー66と第二のカセットカバー67を設けるとともに、第一のカセットと搬出手段との間、および第二のカセットと搬入手段との間をそれぞれ開閉可能に仕切る第一の仕切り壁64と第二の仕切り壁65を設け、第一の仕切り壁64や第二の仕切り壁65の開状態で搬出手段または搬入手段が作用する時にはそれぞれ第一のカセットカバー66や第二のカセットカバー67により閉塞させることで、手が入り込まないようにした。 (もっと読む)


【課題】 研削液の浸入により反復使用に関する信頼性が低下したり、半導体ウェーハの周辺装置に研削液が付着して汚染が生じるおそれを排除できる固定キャリアを提供する。
【解決手段】 バックグラインド装置に回転可能にセットされる基板21と、基板21の表面に形成される凹み穴22と、凹み穴22に並べて配設される複数の支持突起24と、凹み穴22を被覆して複数の支持突起24に支持され、半導体ウェーハWを着脱自在に粘着保持する変形可能な粘着層25と、基板21に穿孔され、真空ポンプ27の駆動に基づいて粘着層25に被覆された凹み穴22内の空気を外部に導く給排路26と、給排路26に対するバックグラインド装置の研削液の浸入を防止する通気防水膜30とを備える。通気防水膜30が凹み穴22に連通する給排路26を被覆して研削液を遮断するので、固定キャリア20内に研削液が浸入して反復使用に対する信頼性を低下させることがない。 (もっと読む)


【課題】
ユニバーサルチャックのチャックプレートに通気性部材と不通気部材が混在してたため、吸着痕が残り、半導体ウエハの超高精度の研削又研磨加工に支障をきたしていた。
【解決手段】
上面に半導体ウエハWをバキューム吸着する円板状のチャックプレート1と、チャックプレート1を嵌着させるカップ状のチャックホルダー2とを備えた研削盤又は研磨盤のユニバーサルチャックにおいて、チャックホルダー1は不通気性部材で形成すると共に流体流通部3を形成し、前記チャックプレート1は通気部材で形成すると共に下面の略サイズ切換位置にリング状の凹溝1aを刻設し、凹溝に不通気性リング部材4を嵌入させた。
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【課題】一連の処理プロセスにおける異常の発生を即時に検知できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板に対して一連の処理プロセスを行う基板処理装置において、各処理プロセスを行う処理部に対して基板の受け渡しを行う主搬送機構10A,10B,10C,10D,10Eの保持アーム100a(100b)に質量測定手段として光学式センサーを取り付ける。光学式センサーが測定した保持アーム100a,100bのたわみ量から、各処理部から取り出される基板Wの質量を算出して、各種の処理プロセスが行われる前後の基板の質量データを得る。この質量データから、各処理プロセスについて処理プロセス前後の質量変化量を算出し、質量変化量が所定の数値領域にない場合、当該プロセスを行った処理部において異常が発生していると判断する。 (もっと読む)


【課題】半導体ウェハを真空吸着して固定しながら研磨するために用いられる真空吸着用部材であって、真空吸着用部材への研磨屑の堆積を特に抑制することができる真空吸着用部材を提供する。
【解決手段】真空吸着用部材2は相互に焼結して多孔質セラミックスを構成する各結晶粒子4に、撥水性樹脂8を被着形成してなる。結晶粒子4は炭化珪素であり、結晶粒子4の存在しない領域における撥水性樹脂8の占める割合が70%以上、多孔質セラミックスの気孔率が20〜50体積%である。 (もっと読む)


【課題】液浸リソグラフィにおける汚染を低減させる。
【解決手段】半導体ウェーハ104を自体の支持面上に保持するように構成されたウェーハ・チャック202を有するウェーハ・チャック・アセンブリ200を含む。このウェーハ・チャック202はその内部にギャップ108を有し、このギャップ108はウェーハ104の外縁に隣接して位置し、このギャップ104は、ある体積の液浸リソグラフィ液をその中に含む。ギャップ内の液浸リソグラフィ液の半径方向外側への移動を容易にし、それによって液浸リソグラフィ液のメニスカスを、半導体ウェーハ104の上面に対する選択された高さに維持するように、ウェーハ・チャック202内に液体循環経路が形成される。 (もっと読む)


【課題】簡単な機構によってウェハ等の基板を保持でき、そしてターンテーブル上で保持された基板(ウェハ等)の表面に流体を供給した場合、流体に乱れが起き難いような基板保持技術を提供する。
【解決手段】ターンテーブル1及びターンテーブル1上に載置された載置物4をガイドする為のガイド部材3a、3b、3cを具備し、ターンテーブル1上に載置された載置物4の表面に流体が供給されて処理される回転処理装置であって、ガイド部材3a、3b、3cは、載置物4に対向する側において、その上側部が突出しているよう構成されてなる。 (もっと読む)


【課題】ウェハの表面処理を行う為にウェハが載せられているターンテーブルを回転せしめた場合のウェハの損傷やウェハの表面処理の拙さを改善する為に設けられる架台昇降機構とかターンテーブル昇降機構が無くても済み、そしてウェハが問題無い位置に正確に決められ、そして各種の処理(例えば、成膜・エッチング・洗浄処理)を好適に行えるようにする技術を提供する。
【解決手段】テーブル1上に載置される載置物3をガイドする為のガイド機構であって、ガイド機構のガイド部材6a、6b、6cは、その上部8、下部両端部側において後退し、その中部7側において突出している。 (もっと読む)


【課題】基板の処理内容に応じて基板を良好に処理することができる基板処理装置および方法を提供する。
【解決手段】第1支持ピンF1〜F12が基板裏面に当接して基板を支持しながら基板表面に供給される窒素ガスによって基板Wを保持する第1保持モードと、第2支持ピンS1〜S12が、基板Wが水平方向に移動した際に基板Wの端面に当接して基板Wの水平方向の移動を規制しつつ、基板裏面に当接して基板を支持しながら基板表面に供給される窒素ガスによって基板を保持する第2保持モードと、第1および第2支持ピンF1〜F12、S1〜S12が基板裏面に当接して基板を支持しながら基板表面に供給される窒素ガスによって基板を保持する第3保持モードを有し、基板の処理内容に応じて保持モードを選択的に切り換える。 (もっと読む)


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