【課題】位置決め孔と位置決めピンの嵌め合い精度を高めることなく，基板処理装置の部品の位置決め精度を従来以上に高める。
【解決手段】ウエハＷを載置する基板載置面１１５とフォーカスリング１２４を載置するフォーカスリング載置面１１６を有するサセプタ１１４を備えた載置台１１０と，加熱によって径方向に膨張する材料によってピン状に構成され，サセプタのフォーカスリング載置面に形成された位置決め孔（第１基準孔）とフォーカスリングに形成された位置決め孔（第２基準孔）に挿入され，加熱によって径方向に膨張して各位置決め孔に嵌合することでフォーカスリングを位置決めする複数の位置決めピン２００とを設けた。 （もっと読む）

【課題】 この発明は、従来より低い消費電力で温度を上昇させることができ、かつ均一な温度分布を有する半導体製造装置用部品、特にその表面の温度差が１０℃以下である半導体製造装置用部品を提供することを課題とする。
【解決手段】 この半導体製造装置用部品は、加熱手段を有するセラミック体と冷却手段を有するベースとの間に少なくとも３００μｍの厚みを有する接着部を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】冷却効率を高めてスループットを高く維持でき、複数段の被処理体を面間の温度差が生じないように均一に冷却するロードロック装置を提供する。
【解決手段】真空室６と大気室１２との間にゲートバルブを介して連結されると共に真空雰囲気と大気圧雰囲気とを選択的に実現することができるロードロック装置８，１０において、ロードロック用容器３４と、ロードロック用容器内に設けられて複数枚の被処理体を複数段に亘って支持する支持部５２を有する支持手段５０と、大気圧復帰用のガスを冷却ガスとして噴射するために支持部に対応させて設けられたガス噴射孔７４を有するガス導入手段７２と、ロードロック用容器内の雰囲気を真空引きする真空排気系４２とを備える。これにより、冷却効率を高めてスループットを高く維持でき、且つ複数段の被処理体を面間の温度差が生じないように均一に冷却する。 （もっと読む）

【課題】吸着面の温度分布を均一にすることにより、吸着面に吸着された被吸着物を均一に加熱または冷却することができる静電チャックを提供すること。
【解決手段】静電チャック１は、セラミック絶縁板１０及び金属ベース３０を備え、吸着用電極層５１に電圧を印加させた際に生じる静電引力を用いて被吸着物２を吸着面１１に吸着させる。セラミック絶縁板１０は、ヒータ電極層６１及び冷却用ガス流路４１を内部に有する。冷却用ガス流路４１は、セラミック絶縁板１０の平面方向に延びる横穴４２を備える。吸着用電極層５１は、セラミック絶縁板１０内において横穴４２よりも吸着面１１側に配置され、ヒータ電極層６１は、セラミック絶縁板１０内において横穴４２よりも接合面１２側に配置される。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、基板収容孔に基板を収容したトレイを基板サセプタ上に配置するプラズマ処理装置において、プラズマ処理終了後のトレイからの伝熱による基板の温度上昇を低減することを課題とする。
【解決手段】 トレイ１５の厚み方向に貫通する基板収容孔１９Ａ〜１９Ｄに基板２が収容される。チャンバ３内の誘電体板２３は、トレイ１５の下面１５ｃを支持するとトレイ支持面２８と、上向きに突出する基板載置部２９Ａ〜２９Ｄを備え、静電吸着用電極４０を内蔵している。基板収容孔１９Ａ〜１９Ｄに収容された基板２を支持する基板支持部２１の環状部７４の上面７４ａは、基板収容孔１９Ａ〜１９Ｄの孔壁１５ｄの傾斜角度αよりも小さい傾斜角度βを有する。環状部７４の上面７４ａにより基板２が線接触的又は点接触的な態様で支持される。 （もっと読む）

【課題】静電チャック及び処理物に残留する電荷をより一層確実に除去できる処理物保持装置、静電チャックの制御方法及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】静電チャック２０上にウエハを載置し、電極２１ａ，２１ｂに相互に逆極性の電圧を印加して静電チャック２０にウエハを吸着する。ウエハに対しプラズマ処理が終了した後、逆極性電圧の印加、除電プラズマ処理、除電電圧の印加を順次行い、その後リフトピンを作動させてウエハを静電チャック２０から脱離する。ウエハを脱離する際に電極２１ａ，２１ｂの配線経路２４ａ，２４ｂに流れる電流を電流計３２ａ，３２ｂにより検出し、その検出結果に基づき、制御部３４は、次のウエハを処理する際の除電プラズマ処理時のプラズマ条件、並びに除電電圧の極性、電圧値及び印加時間を決定する。 （もっと読む）

【課題】所望のウエハ温度分布を実現できるウエハ載置用電極を低コストで提供する。
【解決手段】真空容器、該容器内に処理ガスを導入する処理ガスの導入路、導入した処理ガスに高周波エネルギを供給してプラズマを生成するプラズマ生成手段を備え、前記真空処理容器内に配置した試料台上に試料を載置し、載置した試料にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記試料台は、金属製の本体１と、該本体内に形成した少なくとも２つの流路４Ａ，４Ｂを備え、前記２つの流路の断面形状は相互に相違する。 （もっと読む）

【課題】基板の面内温度を均一にすることができる基板載置機構を提供すること。
【解決手段】基板載置機構８４ａ，８４ｂ，８４ｃは、基板Ｇを載置する基板載置台８６と、基板載置台８６を介して基板Ｇを加熱するヒーター８７と、基板Ｇの端部を支持し、基板Ｇを基板載置台８６に載置させる第１の位置と、基板載置台８６から上昇した第２の位置との間で昇降可能な基板昇降部材８８と、基板昇降部材８８を昇降させる昇降機構９３，９４，９５，９６，９７とを具備し、基板昇降部材８８は、第１の位置において基板載置台８６の一部として機能する。 （もっと読む）

【課題】 クレーン機構が設置されていない工場においても、組み立てることが可能な搬送機構の組み立て方法を提供すること。
【解決手段】 搬送体を保持するピックユニットと、ピックユニットをスライドさせるスライドユニットと、スライドユニットを駆動させるドライブユニットと、を含む搬送体を搬送する搬送機構の組み立て方法であって、搬送機構が収容される搬送室４の天井部に、ユニットを吊り上げる吊り上げ機構７を取り付け、この吊り上げ機構７を用いて、搬送室の内部に搬入されたユニットどうしを搬送室４の内部で組み立てる。 （もっと読む）

【課題】被処理体の処理室における再加熱時間の短縮が可能であるとともに、複数の被処理体を搬送しても、これら複数の被処理体各々の温度を精度良く制御することも可能な搬送装置を提供すること。
【解決手段】ベース５１と、被処理体Ｇを支持し、ベース５１に対して進出退避して被処理体Ｇを搬送する被処理体支持体５２と、被処理体支持体５２の少なくとも上下に設けられ、被処理体支持体５２に支持された被処理体Ｇからの輻射熱を反射する反射体８０と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】 真空状態でも基板保持具に保持された基板の位置ずれを抑制できる位置ずれ防止装置を提供する。
【解決手段】 フォーク１０１に着脱自在に装着可能な位置ずれ防止装置２０１は、本体２０３と、この本体２０３の上面２０３ａに突出して設けられた複数の可動ピン２０５と、これらの可動ピン２０５をそれぞれ独立して上方向（突出する方向）に付勢するコイルばね２０７とを備えている。 （もっと読む）

【課題】キャリアとベアリングとの耐摩耗性を向上させることによって、生産性の更なる向上を可能としたインライン式成膜装置を提供する。
【解決手段】キャリア４に保持された基板Ｗを複数のチャンバの間で順次搬送させながら成膜処理を行うインライン式成膜装置であって、キャリア４を非接触状態で駆動する駆動機構２０と、駆動機構２０により駆動されるキャリア４をガイドするガイド機構２１とを備え、ガイド機構２１は、キャリア４に設けられたガイドレール２９に係合された状態で、駆動機構２０により駆動されるキャリア４を鉛直方向にガイドする主ベアリング２８と、キャリア４を挟み込んだ状態で、駆動機構２０により駆動されるキャリア４を水平方向にガイドする副ベアリング３０とを有して、これらベアリング２８，３０とキャリア４との何れかの接触面に、コルモノイ系合金による耐摩耗処理が施されている。 （もっと読む）

【課題】吸着面に付着した不純物に起因して吸着力が低下した静電チャックを、簡単な構成により不純物を除去して吸着力を再生することができ、安定して真空処理を行うことが可能な真空処理装置を提供する。
【解決手段】本発明の真空処理装置１は、真空チャンバ３と、前記真空チャンバの内部に配され、基板Ｓを静電気によって吸着する静電チャック用の電極、及び該基板を加熱する加熱機構を有する基板保持手段４と、前記基板保持手段の吸着面に対してＵＶ光を照射し、該吸着面に付着した不純物を除去するＵＶ照射手段９０と、を少なくとも備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理の均一性と歩留まりの向上を実現可能なプラズマ処理用基板載置台、プラズマ処理方法、及びプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】気密に構成された処理室内で被処理基板を載置するとともに下部電極を兼ねた載置台と、該載置台において前記被処理基板を囲むように配される円環状部品と、前記下部電極に対向してその上方に配置される上部電極と、前記載置台に高周波電力を供給する給電体と、処理ガスを排気する排気プレートと、前記処理室の外部に設けられ該処理室内に磁場を生成する磁場発生装置とを備え、前記処理室で発生するプラズマにより前記被処理基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記処理室内の構成部材に該処理室内に生成される磁場強度及び／又は磁力線形状を制御する磁場制御手段を設けたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 基板を化学的に処理するための処理システムおよび方法を提供することである。
【解決手段】 化学的に基板を処理するための処理システムおよび方法であって、この処理システムは、温度制御される化学的処理チャンバと、化学的処理に対して独立して温度を制御される、基板を支持するための基板ホルダとを備えている。基板ホルダは、化学的処理チャンバから断熱される。基板は、壁温度、表面温度およびガス圧を含む制御状態の下で、プラズマ無しで、ガス化学にさらされる。基板の化学的処理は、化学的に基板上のさらされた表面を変更する。 （もっと読む）

【課題】耐電圧性能の問題を生じさせずに絶縁皮膜を薄く形成して必要な吸着力を確保することができ、除電が不要な静電吸着電極を提供すること。
【解決手段】ガラス基板Ｇを静電力により吸着保持する基板保持面を備えた静電吸着電極（静電チャック）６であって、基材５上に設けられ、溶射により形成された絶縁皮膜４１と、絶縁皮膜４１中に設けられた、正電圧が印加される第１の電極層４２ａおよび負電圧が印加される第２の電極層４２ｂとを具備する。 （もっと読む）

【課題】基板表面の不純物による汚染を防止するために基板の搬送環境を整える。
【解決手段】基板を予備室１から搬送室３を介して処理室２に搬送する工程と、処理室内で基板を処理する工程と、処理済基板を処理室２から搬送室３を介して予備室１に搬送する工程とを有し、基板を搬送する各工程では、基板の存在する室に連通する室の全てに対して、不活性ガスを供給しつつそれぞれの室に接続された排気系の全てより真空ポンプを用いて排気する。 （もっと読む）

【課題】静電チャックと基板との間にトレーを介在させることなく、静電チャックに複数枚の基板を設置できる静電チャックを提供する。
【解決手段】本発明に係る静電チャック１０は、そのチャック台１３の上面に、複数のチャック領域１６（１６Ａ〜１６Ｅ）を備えている。各チャック領域１６は、チャック台１３の上面に複数突出形成された島状部１７の各々の上面に形成されている。各島状部１７の内部には、基板吸着用の双極型の電極層２０ａ，２０ｂと、基板冷却用ガスの流出孔１８がそれぞれ設けられている。この構成により、複数の基板が載置されたトレー上面にカバーを取り付けて基板をトレーに保持する作業が不要となるので、作業性および生産性が向上し、基板の冷却効率も高められる。 （もっと読む）

【課題】搬送機構の部品の消耗を抑え、従来に比べてメンテナンス間隔の長い処理装置を提供する。
【解決手段】プロセスモジュールは被処理体に対して処理を行い、前段モジュールにはこのプロセスモジュールに搬入される前の被処理体が載置される。搬送機構５は、プロセスモジュールと前記前段モジュールとの間で、被処理体を搬送し、制御部６１は、一連の搬送動作が一時停止する前記搬送機構の待ち時間が発生するときに、前記搬送機構の搬送速度を減少させる制御信号を出力する。 （もっと読む）

【課題】ベローズの腐食、ベローズからの発塵を抑制すると共に、被駆動部分の体積、重量を小さくした基板支持台の構造及びプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１０において、円筒状の内筒１２、ベローズ１３、外筒１４及び覆設部材１５を、順次、内側から同心円状に配置すると共に、駆動機構２４により駆動される駆動部材２１を、開口部１１ｂ及び内筒１２の内部を通って、載置台１６の裏面に取り付けた基板支持台の構造とした。 （もっと読む）