【課題】ナノインプリント技術に用いるモールドを高い精度で製造する方法と、このモールドの製造を簡便に行うことができるドライエッチング用のトレーとその製造方法、および、このトレーを用いたドライエッチング方法を提供する。
【解決手段】ドライエッチング用のトレー１を、基体２と、この基体の一つの面２ａに位置する被エッチング体嵌合用の凹部３と、この凹部３の周囲の面２ａである開口面積率調整面４と、この開口面積率調整面４を０〜１００％の範囲で被覆する開口面積率調整層５と、を備えたものとし、基体２と開口面積率調整層５は、一方をドライエッチング可能な材質とし、他方をドライエッチングされない材質とする。 （もっと読む）

【課題】複数枚の絶縁層被覆単結晶半導体基板に対して効率よくイオン注入を行い、大面積の単結晶半導体層を備えた半導体基板の作製方法を提供することを課題の一とする。
【解決手段】半導体基板の作製工程において、表面のファンデルワールス力を調整した保持用トレイに表面に絶縁層が形成された複数枚の単結晶半導体基板を貼り合わせ、複数枚の単結晶半導体基板にイオン照射工程を行うことで複数枚の単結晶半導体基板の所定の深さに脆化層を形成し、複数枚の単結晶半導体基板にファンデルワールス力を調整したベース基板を貼り合わせることでファンデルワールス力の差を利用して保持用トレイを選択的に分離し、剥離加熱処理を行い劈開面を形成して単結晶半導体基板をベース基板から分離することにより、絶縁層を介して単結晶半導体基板をベース基板に転載する。 （もっと読む）

【課題】ウエハ処理装置において、処理室減圧時のウエハの移動を抑制する。
【解決手段】真空処理室１０１に処理ガスを供給するガス供給装置１０９，１１０，１１１と、前記真空処理室内で試料を載置して保持する試料台１０４と、前記真空処理室内を排気する排気装置１０６と、前記真空処理室に高周波エネルギを供給してプラズマを生成するプラズマ生成装置１０７，１０８とを備え、前記試料台上に配置した試料にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記試料台は載置した試料を上方に押し上げるプッシャーピンを備え、プラズマ処理の終了後、前記プッシャーピンを操作して試料を試料台から押し上げた状態で真空排気する。 （もっと読む）

【課題】伝熱ガスのガス流路の圧力損失の影響をなくして基板の位置ずれ検出の精度を向上させる。
【解決手段】載置台３００とその基板保持面に保持された被処理基板との間にガス供給源からのガスを供給するためのガス流路３５２と，載置台の基板保持面に形成され，ガス流路からのガスを基板保持面Ｌｓ上に案内する複数のガス孔３５４と，基板保持面におけるガス孔形成領域Ｒの外側に形成され，基板の裏面にかかる圧力を検出する複数の圧力検出孔３７０ａ〜３７０ｄと，これら圧力検出孔に接続された圧力センサ３８０ａ〜３８０ｄとを設け，これら圧力センサからの検出圧力に基づいて基板の位置ずれ検出を行うようにした。 （もっと読む）

【課題】反応性イオンエッチング及び同様な加工中半導体ウェーハの温度を制御する方法及び装置を提供する。
【解決手段】プラズマ加工装置用のチャックは、温度制御式ベースと、断熱材と、フラット支持体と、加熱器とを含む。温度制御式ベースは、操作中、加工物の望ましい温度以下の温度に制御される。断熱材は、温度制御式ベースの少なくとも一部分に上に配置される。フラット支持体は、加工物を保持し且つ断熱材の上に配置される。加熱器は、フラット支持体内に埋め込まれ及び又はフラット支持体の下側に取り付けられる。加熱器は、複数の対応する加熱ゾーンを加熱する複数の加熱素子を含む。各加熱素子に供給される電力及び又は各々の加熱素子の温度は、独立に制御される。加熱器及びフラット支持体は、毎秒少なくとも１℃の組合せ温度割合変化を有する。 （もっと読む）

【課題】第１搬送手段及び第２搬送手段の調整処理と、調整が終了した処理室へのプロセス前準備を並行して実施可能とすることで、調整処理時間の短縮を図る基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板に処理を施す複数の処理室５，６と、該処理室へ基板を搬送する第１搬送手段を備えた第１搬送室２と、大気圧状態で基板を搬送する第２搬送手段を備えた第２搬送室７と、第１搬送室と第２搬送室を連結する減圧可能な予備室３，４と、第１搬送手段及び第２搬送手段の駆動を制御する第１制御手段と、前記第１搬送手段及び前記第２搬送手段の調整処理を指示する第２制御手段とを具備し、組立時の調整処理の際に、第１搬送手段及び／又は第２搬送手段の調整処理と、処理室のプロセス前準備を並行して実施可能に構成した。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハ処理装置内の静電チャック上に半導体ウェーハ等の基板を保持する方法、および装置を提供する。
【解決手段】任意の極性の出力電圧レベルにおいて、電流をソーシング及びシンキング両方に実施できる高圧直流電源１０４を、静電チャック１１４の少なくとも１つの埋込み電極１１８に結合し、漏れ電流、チャック対ウェーハ電位、後部ガス漏れレート等を含む最適チャッキングの任意の指標に応じて、チャッキング電圧を動的に制御する。 （もっと読む）

【課題】流動性接着剤の硬化物を使用しつつ吸脱着性の高いウエハー載置装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ウエハーＷを吸着可能なプレート１２の裏面と冷却板２０の表面とを接着する接着層３０が、流動性接着剤の硬化物からなる主接着部３１と外周接着部３２と、ガス供給孔接着部３３と、リフトピン孔接着部３４と、端子孔接着部３５，３６とを有している。この場合において、外周接着部３２がプレート１２の裏面の外周縁と冷却板２０の表面の外周縁とを接着し、ガス供給孔接着部３３と、リフトピン孔接着部３４と、端子孔接着部３５，３６がプレート１２の裏面と冷却板２０の表面におけるガス供給孔２３，リフトピン孔２４，端子孔２５，２６の外周縁とを接着しているため、これらを備えないウエハー載置装置と比べてウエハーＷの吸脱着性が高くなる。 （もっと読む）

【課題】大型の基板で製膜処理等を行うにあたり、調整が容易で高速に基板搬送が可能な真空処理装置を提供する。
【解決手段】真空処理装置は、搬送室１０、第１処理室１２−１〜２、第２処理室１２−３〜４、第１基板搬送台車２０−１〜２、第２基板搬送台車２０−３〜４を備える。搬送室１０は、Ｘ方向に伸び、第１搬送領域１０−１と第２搬送領域１０−２を含む。第１処理室１２−１〜２は、第１搬送領域１０−１側に接続される。第２処理室１２−３〜４は、第２搬送領域１０−２側に接続される。第１基板搬送台車２０−１〜２は、第１搬送領域１０−１内を移動する。第２基板搬送台車２０−３〜４は、第２搬送領域１０−２内を移動する。第１基板搬送台車２０−１〜２は第２処理室１２−３〜４の少なくとも一つと第１処理室１２−１〜２とに対し基板２を搬入、搬出する。第２基板搬送台車２０−３〜４は第２処理室１２−３〜４に対し基板２を搬入、搬出する。 （もっと読む）

【課題】真空処理室でプラズマ処理が再開可能な異常が発生した場合に、オペレータによる長時間のウエハの処理再開操作待ちによりウエハに成膜された金属膜の腐食が進行する問題が考慮されていなかった。
【解決手段】本発明はプラズマ処理を行う真空処理室と、洗浄処理を行う洗浄処理装置とを備え、表面に金属膜の単層または金属膜を含む積層膜が成膜されたウエハを腐食性ガスにより、プラズマ処理する真空処理装置において、真空処理室に異常が発生し、プラズマ処理が中断されたウエハを所定時間経過後に、プラズマ処理が中断されたウエハを洗浄処理装置へ搬送し、洗浄処理を行うシーケンスを有する制御手段を備えたことを特徴とする真空処理装置である。 （もっと読む）

【課題】メンテナンス性が高く、配置スペースの小さな基板処理装置等を提供する。
【解決手段】真空搬送室４は、被処理体である基板Ｓを搬送する基板搬送機構４１を具備すると共に、平面形状が五角形以上の多角形となるように複数の側面に囲まれている。上部に蓋体５２を有する複数の処理室５ａ〜５ｄは前記複数の側面のうち、外側にメンテナンス領域６を備えた側面を除いた側面に接続され、蓋体搬送機構７は前記処理室５ａ〜５ｄとメンテナンス領域６との間にて、前記蓋体５２を搬送する。 （もっと読む）

【課題】搬送室の排気装置の排気能力に拘わらず、搬送室に接続可能な真空処理装置を提供する。
【解決手段】処理室１がターボ分子ポンプ１１を含む排気装置５０によって排気され、搬送室３１がターボ分子ポンプ３７を含む排気装置７０によって排気されている状態で仕切弁２２を開けて基板を搬送室３１と処理室１との間で搬送する。また、搬送室３１がメカニカルブースタポンプ４４およびロータリーポンプ４６によって数Ｐａに排気されているとき、処理室１を排気装置５０によって排気しながら仕切弁２２を開けて基板を搬送室３１と処理室１との間で搬送する。 （もっと読む）

【課題】真空雰囲気と大気雰囲気とを切り替える真空室内における異物低減とスループット向上を両立できる真空処理装置を提供する。
【解決手段】複数のプロセス処理装置、該プロセス処理装置のそれぞれに試料を搬送するための真空搬送室、真空搬送室内に設置され試料の搬送を行う真空搬送ロボットと、大気中で、複数の試料を収納したカセットを備え、カセット内に収納された試料を搬送するための大気搬送室、該大気搬送室内に配置され試料の搬送を行う大気搬送ロボットと、前記真空搬送装置と大気搬送装置との間に配設されたロック室とを備えた真空処理装置において、前記真空処理装置を構成する室は、ベント用バルブ２０７を介して乾燥ガスを供給するガス供給路２０９とロック室内の湿度を検出する湿度センサ２１１を備え、真空排気に際して湿度が所定値以下となるまで前記ベント用バルブを開いて乾燥ガスを供給して、液体微粒子の発生を抑制する。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチングによるチップ分離法の特徴を生かしたチップ分離方法と搬送方法を提供する。
【解決手段】複数の半導体素子また半導体集積回路が形成されたウエハー１００から当該半導体素子または当該半導体集積回路を分離する方法であって、当該ウエハー１００の表面に、分離のために除去される線状の部分を露出させたマスク層を形成する工程と、当該露出部分をウエハーの厚みの３分の２以上の深さまでエッチングする工程とを含み、分離されたあとの個々の当該半導体素子または当該半導体集積回路の一つの群に他と識別できる形状を与えることを特徴とする方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】アームの駆動性を向上させて位置決めを向上させながらも、水平多関節ロボットのアームを薄型・小型化できるようにする。
【解決手段】第１アーム３が、第１アーム３の先端部上面において第１アーム３の基端側上面よりも高い面を有する第１アーム凸部４３を有し、第２アーム２７が、第２アーム２７の先端部下面において第２アーム２７の基端側下面よりも低い面を有する第２アーム凸部４４を有し、第１アーム凸部４３と第２アーム凸部４４とが、上下方向の配置高さ範囲の少なくとも一部が互いに重なるように配置されるように構成した。 （もっと読む）

【課題】 均熱性、信頼性に優れたウェハ加熱用ヒータユニットおよびそれを搭載した半導体製造装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明のウェハ加熱用ヒータユニットは、ウェハ載置面を有する載置台と、該ウェハ載置面の反対側の面に抵抗発熱ユニットを有し、前記載置台と前記抵抗発熱ユニットを支持する支持板とから構成され、前記抵抗発熱ユニットは発熱体と該発熱体と前記載置台の間の絶縁層とからなり、前記発熱体のパターン間に介在物が存在することを特徴とする。前記発熱体と介在物とが同じ材料であることが好ましい。あるいは、前記発熱体と介在物の厚みが略同一であり、前記介在物が絶縁体であることが好ましい。あるいは、前記支持板が導電体であり、前記抵抗発熱ユニットと支持板の間に絶縁層が存在することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】緻密な基板処理をしつつ、スループットを向上させることができる基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、処理室内に設けられ、基板を支持する基板支持部と、前記基板支持部を移動する基板支持部移動機構と、前記処理室にガスを供給するガス供給部と、前記処理室のガスを排気する排気部と、前記基板支持部と対向するように設けられたプラズマ生成部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 各種処理における処理時間を短縮しても生産性が頭打ちになる事情を抑制できる被処理体処理装置を提供すること。
【解決手段】 複数の被処理体を搬送する第１の搬送装置３４が配置された搬送室３１と、搬送室３１の周囲に設けられ、複数の被処理体に処理を施す処理室３２と、搬送室３１と処理室３２との間に設けられ、第１の搬送装置３４が搬送してきた複数の被処理体を搬送装置３４から移載して処理室３２に搬送する第２の搬送装置３７が配置された移載室３３と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 均熱性、信頼性に優れたウェハ加熱用ヒータユニットおよびそれを搭載した半導体製造装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明のウェハ加熱用ヒータユニットは、ウェハ載置面を有する載置台と、該載置台のウェハ載置面とは反対側の面に抵抗発熱ユニットを有し、前記載置台と抵抗発熱ユニットを支持する支持板とから構成され、前記抵抗発熱ユニットが、発熱体と該発熱体を挟み込む複数の絶縁層とからなり、前記絶縁層の少なくとも１層に溝が形成されており、前記発熱体は前記溝に収納されて、他の絶縁層によって挟み込まれており、前記絶縁層同士は互いに接着されていない部分を有することを特徴とする。前記絶縁層同士は、互いに接着されていないことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】載置台に大きな熱応力が発生することを防止して破損を阻止し、更に載置台の裏面に被処理体の面内温度不均一性の原因となる不要な膜が付着することを防止することができる載置台構造を提供する。
【解決手段】被処理体を載置するための載置台構造において、載置台本体の上に被処理体を載置するための熱拡散板を支持させると共に、両者の境界部分にガス拡散室を設けてなる載置台と、加熱手段と、上端部が載置台の下面に接続されると共にガス拡散室に連通されてパージガスを流す１又は複数の支柱管６０と、載置台本体の側面と下面とを覆うようにして設けられた載置台カバー部材６３と、支柱管の周囲を囲むと共に上端部が載置台カバー部材に連結されて、ガス拡散室から載置台本体と載置台カバー部材との間の隙間に流れたパージガスを下方へ案内してガス出口１９６から排出する支柱管カバー部材６５とを備える。 （もっと読む）