【課題】絶縁性基板などの半導体部品の受け渡しの際、特にその搬送アームから該絶縁性基板などを分離する際の剥離帯電の問題を簡単な構成により解消することができ、しかも、加湿空気の噴き付けによる除電に伴う結露や異物の付着といった弊害を招くことのない基板処理装置を得る。
【解決手段】スパッタ処理の対象となる絶縁性基板Ｗ５を搬送する基板搬送装置１００において、該絶縁性基板を載置して一枚ごと搬送するセラミックなどからなる搬送アーム１５１を備え、該搬送アーム１５１は、その基板載置部の表面を、絶縁性基板Ｗ５と該基板載置部との接触面積が小さくなるよう微細な凹凸形状にし、さらに、搬送アーム１５１を構成するセラミック材料の表面に導電樹脂を導電性コート膜１５１ａとしてコートした構造を有している。 （もっと読む）

【課題】作業効率が良く精度の高いティーチングを行って処理の効率を向上できる真空処理装置の調整方法を提供する。
【解決手段】その上面に所定の波長の光の反射の特性を局所的に異ならせた特定の箇所を有した調整用の試料を前記試料台の上面の特定の位置と前記特定の箇所とを合わせて載置した後、前記真空容器の内部を封止した状態で前記ロボットを移動させて前記ロボットのアーム上の所定の位置に配置され前記反射した所定の波長の光の通過部を前記調整用の試料の前記特定の箇所の上方に移動させ、その移動の際に前記調整用の試料から向かって前記通過部を通過した光を前記板部材の外側で検知し、検出した前記光の量に応じて前記試料の特定の箇所と前記ロボットの所定の位置との位置合わせを行う。 （もっと読む）

【課題】基板表面に形成された回路の素子の破壊及び基板への汚染物質の付着を防止し、且つ基板裏面の損傷を防止することができると共に、既設の装置に対して容易に適用することができる静電チャックを提案する。
【解決手段】上層４２と、下層４３と、上層４２及び下層４３に挟持された静電電極板４４とを有する静電チャック４０ａの上層４２の基板載置面４１に基板Ｇの裏面の構成材料と同じ材料であるガラスからなり、基板Ｇの裏面に当接する最上層４５ａが形成されており、上層４２及び下層４３はフッ素含有ガスに対する耐性を有する誘電体であるアルミナで形成されている。 （もっと読む）

【課題】基板上のガス流れを均一化し、基板処理を均一に行うことが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を処理する減圧可能な処理チャンバを有する基板処理装置であって、基板を載置する基板載置台と、前記処理チャンバの内部を処理空間と排気空間に仕切るように前記基板載置台の周囲に設けられるバッフル板と、前記処理チャンバの内部を排気する排気口と、を備え、前記基板載置台と前記バッフル板との間には隙間が設けられ、前記バッフル板には前記処理空間と前記排気空間を連通させる複数の連通孔が形成されている、基板処理装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】貫通孔の中心軸と円筒部材の中心軸とを一致させ、円筒部材を貫通孔に同心状に装着させることができる円筒部材装着治具を提供する。
【解決手段】リフターピン２１が貫通する貫通孔４１と、貫通孔４１に連通し、貫通孔４１よりも径が大きい座繰り穴４２とを有する基材１３において貫通孔４１にスリーブ４５を装着するための治具であって、座繰り穴４２に嵌合する台座部５１と、台座部５１から突出し、リフターピン２１の外形よりも太く且つスリーブ４５の内径よりも細い位置合わせピン５２を備え、この位置合わせピン５２は、台座部５１を座繰り穴４２に嵌合させた際、位置合わせピン５２の中心軸５２ａが貫通孔４１の中心軸４１ａと重なるように位置決めされている。 （もっと読む）

【課題】信頼性が高い真空処理装置を提供する。
【解決手段】真空搬送室内をウエハが搬送される第一及び第二の真空搬送容器と、これらの真空搬送容器各々に連結され処理室と前記真空搬送室とが連通された第一及び第二の真空処理容器と、前記第一及び第二の真空搬送容器の間で連結して内部に前記ウエハを収納可能な中間室容器と、前記第一の真空搬送容器に連結され内部が連通されたロック室と、前記第一及び第二の真空搬送容器と前記第一，第二の真空処理容器、前記中間室容器及び前記ロック室の各々との間に配置されて気密に開閉する複数のバルブとを備え、前記第一の真空処理容器の処理室と前記第一の真空搬送容器の真空搬送室との間または第二の真空処理容器の処理室と前記第二の真空搬送容器の真空搬送室との間のバルブを開放する前に前記第一及び第二の真空搬送容器の間に配置された前記バルブのいずれかを閉塞する。 （もっと読む）

【課題】電圧印加手段から電圧が印加される給電部材の弾性の劣化やヘタリを評価することができる。
【解決手段】基板処理装置は、搬入口と搬出口を有するチャンバ８５と、チャンバ内にガスを供給するガス供給手段１２と、ガスをプラズマにするためのプラズマ発生手段と、基板を保持する基板ホルダ２０と、搬入口から搬入され、搬出口へと基板ホルダを保持しながら搬送するキャリア２と、基板ホルダ２０に電圧を印加するための電圧印加手段１６と、給電部材１３を可動して、該給電部材を基板ホルダ２０に接触又は非接触させることにより、電圧印加手段１６からの電圧を供給するための駆動手段１８と、給電部材１３に流れる電流を測定する電流測定手段１７と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】支持基材上に基材を仮固定して基材を加工する際に、これら支持基材と基材との距離を一定に保持して、精度に優れた基材の加工を行い得る基材の加工方法を提供すること。
【解決手段】本発明の基材の加工方法は、半導体ウエハ（基材）３と、支持基材１と、樹脂成分を含む樹脂組成物で構成される仮固定剤とを用意する工程と、支持基材１の一方の面に、仮固定剤をスピンコート法を用いて供給したのち乾燥させて犠牲層（薄膜）２１を形成するとともに、半導体ウエハ３の一方の面に、仮固定剤をスピンコート法を用いて供給したのち乾燥させて犠牲層（薄膜）２２を形成する工程と、犠牲層２１と犠牲層２２とを接触させることで、半導体ウエハ３と支持基材１とを貼り合わせる工程と、半導体ウエハ３の他方の面を加工する工程と、犠牲層２１、２２を加熱して樹脂成分を熱分解させることで、半導体ウエハ３を支持基材１から脱離させる工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】基材へのダメージを低減させつつ、精度の高い加工が可能であり、加工後の支持基材からの基材の脱離を低い加熱温度で容易に行い得る仮固定剤、およびかかる仮固定剤を用いた基材の加工方法を提供すること。
【解決手段】本発明の仮固定剤は、半導体ウエハ（基材）３を加工するために、この半導体ウエハ３を支持基材１に仮固定し、半導体ウエハ３の加工後に、活性エネルギー線を照射したのち加熱することで半導体ウエハ３を支持基材１から脱離させるために用いられ、前記活性エネルギー線の照射後における１８０℃での溶融粘度が０．０１〜１００ｍＰａ．ｓであるものである。 （もっと読む）

【課題】均熱性の良好なウェハ支持部を提供する。
【解決手段】ウェハ支持部材１０は、基体３と、絶縁体５と、基体と絶縁体とを接合する接合層９０とを具備したウェハ支持部材であって、接合層は、第１の層９１と該第１の層よりも絶縁体側に位置する第２の層９２とを有する複数の層の積層構造であり、第１の層と第２の層との熱伝導率が異なることから、ウエハを載置する面の均熱性を良好にできる。 （もっと読む）

【課題】接着剤を用いることなく製造することができる静電吸着装置、露光装置、デバイスの製造方法及び静電吸着装置の製造方法を提供する。
【解決手段】静電吸着装置２２は、レチクルＲを吸着する吸着面６０を有する第１面５９と、第１面５９の裏面に形成された第２面５６とを有する誘電部材５１と、誘電部材５１の第２面５６に対して接合される接合面５４を有する基台５０と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】プラズマにおいて、ガラス基板などの絶縁性基板を短時間で加熱して静電吸着させることが可能な静電吸着方法を提供することである。
【解決手段】静電吸着機構を備えたプラズマ処理装置において、静電吸着機構に絶縁性基板を載置して、高周波電力を印加して絶縁性基板に面した空間にプラズマを形成する。該プラズマによって静電吸着機構を不必要に加熱することなく、被処理基板のみを急速に加熱することが出来る。これにより絶縁性基板の静電吸着を短時間で行うことが可能となる。 （もっと読む）

【課題】ウェハを低圧状態で処理する場合であっても，ウェハに対するパーティクルの付着や損傷の発生を防止しながら，ウェハの温度を効率的に調節できる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。また，かかる基板処理装置及び基板処理方法に用いられる記録媒体を提供する。
【解決手段】基板Ｗを処理室３２に搬入し，載置台４０の上面に設けられた当接部材４２に基板Ｗの下面を当接させ，基板Ｗと載置台４０との間に隙間Ｇを形成した状態で，載置台４０に基板Ｗを載置させる。そして，処理室３２を所定の圧力にした状態で，載置台４０の温度を調節することにより，当接部材４２に支持された基板Ｗの温度を調節する。その後，処理室３２を所定の圧力より低い圧力の処理雰囲気にして，基板Ｗに所定の処理を施す。 （もっと読む）

【課題】基板を効率良く冷却して基板処理のスループットを高くすることができるロードロック装置を提供すること。
【解決手段】真空室に対応する圧力と大気圧との間で圧力を変動可能に設けられた容器３１と、容器３１内にパージガスを供給するパージガス供給機構４８と、容器３１内を排気する排気機構４４と、容器３１内が真空室５と連通した際に容器３１内の圧力を真空室５に対応する圧力に調整し、容器３１内が大気雰囲気の空間と連通した際に容器３１内の圧力を大気圧に調整する圧力調整機構４９と、容器３１内に設けられ、基板が近接配置されまたは載置されて基板を冷却する冷却部材３２と、冷却部材３２に近接配置されまたは載置された基板に対向する位置に設けられ、基板の輻射熱を吸収する吸熱層６１とを具備する。 （もっと読む）

【課題】露光された感光性樹脂材料の発泡現象を抑制できる基板処理システム及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理システム１は、洗浄装置２１、レジスト塗布装置２２、周辺露光装置２３、基板搬送機構３０及びシステムコントローラ１０を備える。システムコントローラ１０は、レジスト塗布装置２２でレジスト膜が形成された時から、周辺露光装置２３による露光工程が開始されるまでの基板Ｗの待ち時間を監視する待ち時間監視部１０Ｂと、待ち時間が制限時間を超えたとき、基板搬送機構３０に基板Ｗを洗浄装置２１に搬送させるプロセス制御部１０Ａとを有する。プロセス制御部１０Ａは、洗浄装置２１によりレジスト膜が除去された基板Ｗをレジスト塗布装置２２に搬送させる。 （もっと読む）

【課題】ダミーウェハを適切に使用することで生産処理とダミー処理とを効率よく実行する基板処理装置を提供する。
【解決手段】ダミー基板と製品基板とを含む基板に処理を施す複数の処理室と、前記各処理室へ基板を基板保持部に保持して搬送する第一搬送手段を備えた第一搬送室と、大気圧状態で基板を搬送する第二搬送手段を備えた第二搬送室と、前記第一搬送室と前記第二搬送室を連結する減圧可能な予備室と、前記搬送室と前記予備室に対して設けられる排気手段と、複数の基板が収納された基板収納手段と前記処理室との間の前記第一搬送手段および前記第二搬送手段の搬送を制御する制御手段とを設けた基板処理装置である。前記制御手段は、複数のダミー基板の使用状態を個別に管理し、ダミー基板の使用状態が予め定められた使用状態に達したか否かを判定する。 （もっと読む）

【解決手段】絶縁体層とこの絶縁体層内に設けられた電極とを有する静電チャックの被吸着体と接触する表面に、
(A)オルガノポリシロキサン、
(B)Ｒ₃ＳｉＯ_1/2単位（Ｒは一価炭化水素基）とＳｉＯ₂単位を主成分とし、Ｒ₃ＳｉＯ_1/2単位とＳｉＯ₂単位とのモル比［Ｒ₃ＳｉＯ_1/2／ＳｉＯ₂］が０．５〜１．５で、かつ１×１０^-4〜５×１０^-3ｍｏｌ／ｇのビニル基を含有するシリコーン樹脂質共重合体、
(C)オルガノハイドロジェンポリシロキサン、
(D)有機過酸化物
を含有してなるシリコーンゴム組成物の硬化物からなるシリコーンゴム層を形成してなる静電チャック。
【効果】本発明はウエハとの密着性がよく、冷却性能に優れるため、半導体集積回路の製造においてウエハの保持が必要となる工程、特に、プラズマエッチング工程やイオン注入工程、スパッタリング工程において、ウエハの温度を精度よく均一かつ一定に保つことができるため、高精度の加工を行うのに有用である。 （もっと読む）

【課題】搬送手段によりウエハを搬送する製造ラインであって、制御がより簡単な製造ラインを提供する。
【解決手段】循環する経路に沿ってウエハを搬送する搬送手段と、複数の加工装置と、各ウエハの周回数をカウントする周回数カウント手段と、加工を行う周回数を記憶している記憶手段と、制御手段を備えている。前記経路上には、加工装置毎に判定領域が設けられている。制御装置は、各加工装置と搬送手段を、（１）判定領域内に位置するウエハの周回数がその判定領域に対応する加工装置で加工を行う周回数と一致しているときに、その加工装置によって加工を行ってからそのウエハを下流側に送り出し、（２）判定領域内に位置するウエハの周回数がその判定領域に対応する加工装置で加工を行う周回数と一致していないときに、その加工装置によって加工を行わないでそのウエハを下流側に送り出すように制御する。 （もっと読む）

【課題】メインコントローラの起動後に必要に応じて破損ファイルの発生を操作画面に表示し、警告を促すことで安全性を向上した基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１のメインコントローラ２４０は、立ち上げ時にレシピ実行時に使用されるパラメータファイルの破損を発見した場合、起動後に破損ファイル一覧ダイアログを操作端末２４１に表示するとともにレシピを実行させないように構成される。もし、レシピ開始ボタンが押されたとしても、アラームメッセージが表示されるだけであり、レシピ開始ボタンは無効となる。 （もっと読む）

【課題】 被処理基板の周縁部の温度上昇を抑制することによってプラズマ処理の面内均一性を向上させることができ、均一なプラズマ処理を行うことのできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】 内部を気密に閉塞可能とされた処理チャンバーと、処理チャンバー内に処理ガスを供給する処理ガス供給機構と、処理チャンバー内から排気するための排気機構と、処理ガスのプラズマを生成するためのプラズマ生成機構と、処理チャンバー内に設けられ、被処理基板と、当該被処理基板の周囲を囲むように配設されるフォーカスリングとが同一の平面に載置されるよう構成された載置台と、載置台の温度を調節する温調機構と、載置台の上面に配設され、フォーカスリングの下部にまで延在する吸着用電極を有する静電チャックとを具備したプラズマ処理装置。 （もっと読む）