【課題】機能材料層の厚さ分布を高精度かつ短時間で制御可能な技術を提案する。
【解決手段】実施形態に係わるステージ装置は、被処理基板１３の下面側に配置され、上下方向に駆動される複数の高さ制御素子を備える高さ制御ユニット１２と、高さ制御ユニット１２を制御する制御ユニット１５とを備える。制御ユニット１５は、被処理基板１３の上面を複数のエリアに区分し、かつ、複数の高さ制御素子の各々の高さをデータ値に基づいて制御することにより各エリアの高さを独立に設定する。 （もっと読む）

【課題】静電チャックと半導体製造装置において、ウェハの温度を均一にすること。
【解決手段】表面に、ガス孔２０と、該ガス孔２０に連通する溝３０とが形成され、溝３０の開口端の幅Ｗ１が、前記開口端よりも下の前記溝３０の幅ＷＸよりも狭いことを特徴とする静電チャックによる。 （もっと読む）

【課題】短時間で確実に誘電体層と基板との吸着を解除する。
【解決手段】被処理基板１３を吸着する誘電体層１４ａと、断熱プレート１４ｂとが積層されてなる静電チャック１４であって、断熱プレートの誘電体層側上面１４ｆと側面１４ｇとが帯電電荷逃避用導体膜１４ｃで覆われてなる。真空処理装置１０は、静電チャックが内部に設けられ気密性を有するチャンバ１２と、電気的にフローティング状態とされて導体からなるステージ１５と、を有し、ステージに静電チャックが載置されて、帯電電荷逃避用導体膜の下端がその全周でステージに接続され、
ステージの電気的容量を増大するために、ステージの面積および厚さが静電チャックより大きく設定されている。 （もっと読む）

【課題】基板の昇温や降温を繰り返しても、チャック本体に割れやかけ等が発生することを防止できる基板の温度制御性の良い基板保持装置を提供する。
【解決手段】処理すべき基板を保持する本発明の基板保持装置は、冷却手段を有する基台１と、基台の上面に固定される絶縁性プレート３と、この絶縁性プレートの上面に設置され、正負の電極４２ａ、４２ｂと加熱手段４１とを有するチャック本体４であって、全体が誘電体材料で構成されてその上面に基板Ｗが載置されるものとを備える。基台上面と絶縁性プレートの下面との間に、これら基台及びプレートに密着して熱抵抗を低下させる所定厚さのシート部材２を介在させている。 （もっと読む）

【課題】半導体基板が格納容器から飛び出しているか否かを高速かつ確実に検出することができるウェーハマッピング装置を提供すること。
【解決手段】実施形態のウェーハマッピング装置では、照明光学系が、ウェーハ側面に対して垂直に交わる線状スリット光を、各ウェーハの複数箇所に照射する。第１および第２の撮像部は、前記線状スリット光が照射されているウェーハの側面をそれぞれ第１および第２の撮像画像として撮像する。格納状態検出部は、前記第１および第２の撮像画像が撮像されている場合には、三角測量方法で前記ウェーハの前記格納容器からの飛び出し量を算出し、前記第１および第２の撮像画像の何れか一方のみが撮像されている場合には、前記線状スリット光の反射光が画像面上で結像する結像位置と、基準位置と、を比較することにより、前記ウェーハが前記格納容器から飛び出しているか否かを判定する。 （もっと読む）

【課題】被処理基板に対するプラズマ処理の均一化を損なうことがなく、また、プラズマ処理によって消耗したときの交換部分を極力少なくすることができるプラズマ処理装置用トレイ及びそのようなトレイを備えたプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】 本発明のプラズマ処理装置用トレイ１０は、反応容器２内に設けられた基板載置台２７の上面に、被処理基板１１を収容した状態で載置されるトレイであって、前記基板載置台２７の上面に載置されるトレイ本体１０１と、前記トレイ本体１０１に設けられた、該トレイ本体１０１の厚み方向に貫通する開口１０２と、開口１０２に着脱可能に装着される環状の基板保持部材と１０３とを備える。基板保持部材１０３は、開口１０２に係合する係合部１０６と、該基板保持部材１０３の内周縁の下部に形成された被処理基板１１の下面の外周縁を支持する基板支持部１０５とを有する。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェハ等の板状試料にプラズマを照射した際や、ヒータを加熱した際等において急速に温度が昇降した場合においても、破損や破壊を防止することができ、しかも、腐食性ガスやプラズマによる腐食を防止することができる静電チャック装置を提供する。
【解決手段】一主面を板状試料Ｗを載置する載置面とした耐食性セラミックスからなる載置板１１と、この載置板１１と一体化されて載置板１１を支持し熱伝導率が耐食性セラミックスより大である絶縁性セラミックスからなる支持板１２と、これら載置板１１と支持板１２との間に設けられた静電吸着用内部電極１３とを備えた静電チャック部２と、この静電チャック部２を所望の温度に調整する温度調整用ベース部３とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 簡単に取り扱うことができ、複数の加熱工程で半導体ウェーハをそのまま取り扱える半導体ウェーハの取り扱い方法を提供する。
【解決手段】 可撓性シート層２とエラストマー層３が一体のサポートシート１を使用し、製造工程で厚さ２００μｍ以下の半導体ウェーハを取り扱う方法であり、可撓性シート層２を５〜２００μｍの厚さにして１２０℃以上の耐熱性を付与し、可撓性シート層２を半導体ウェーハよりも大きく形成して片面にエラストマー層３を形成し、エラストマー層３を５〜２００μｍの厚さにして１２０℃以上の耐熱性を付与し、半導体ウェーハにサポートシート１を粘着する場合、チャックテーブルに吸着固定した半導体ウェーハにエラストマー層３を粘着し、半導体ウェーハの形に沿ってサポートシート１の余剰部を除去し、サポートシート１を剥離する場合、チャックテーブルに吸着固定した半導体ウェーハからサポートシート１を徐々に剥離する。 （もっと読む）

【課題】吸着対象物を安定して吸着保持でき、かつ、放電が発生し難い基板温調固定装置を提供すること。
【解決手段】本基板温調固定装置は、基体に内蔵された電極に電圧を印加して吸着対象物を前記基体上に吸着保持する静電チャックと、接着層を介して前記静電チャックを固定するベースプレートと、前記電極と電気的に接続された給電部と、前記給電部を保持する保持部と、を有する基板温調固定装置であって、前記保持部は、保持部本体と、封止部と、を有し、前記保持部本体は、前記ベースプレートに固定され、前記接着層の反対側に開口する凹部と、前記凹部内から前記接着層側に貫通する貫通孔と、を備え、前記給電部は、電極ピンと、電線と、を有し、前記電極ピンは、前記凹部内に固定され、前記電線は、前記接着層内、前記貫通孔内、及び前記凹部内に配線されて、前記電極と前記電極ピンとを電気的に接続し、前記封止部は、少なくとも前記凹部に充填されている。 （もっと読む）

【課題】基板と静電チャックとの間に供給される伝熱ガスによって基板全体の温度を均一する。
【解決手段】ドライエッチング処理される基板２を静電吸着する静電チャック１１は、基板２と相似形状の静電吸着面１３ａを備える基板保持部１３を有する。基板保持部１３は、静電吸着面１３ａの縁１３ｂ，１３ｃに沿って形成された環状溝１３ｅと、環状溝１３ｅに囲まれた静電吸着面１３ａの部分に且つ環状溝１３ｅに沿って形成された凹部１３ｄと、凹部１３ｄの底面１３ｆの中央に形成されて凹部１３ｄ内に伝熱ガスを導入する第１の導入孔１３ｊと、凹部１３ｄの底面１３ｆの縁１３ｈに沿って形成されて該凹部内に伝熱ガスを導入する複数の第２の導入孔１３ｋとを備える。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理中に基板の縁部およびトレイに付着した副生成物の除去を行って、製品の品質を向上させる。
【解決手段】基板が収容される複数の基板収容孔が設けられ、基板収容孔の内壁から突出する基板支持部を有するトレイを基板ステージのトレイ支持部上に載置するとともに基板保持部上に基板を載置して、基板保持部の端縁よりはみ出した基板の縁部と基板支持部とを離間させる基板載置工程と、トレイおよび基板が基板ステージ上に載置された状態にて、チャンバ内を減圧するとともに処理ガスを供給し、基板に対するプラズマ処理を行う第１プラズマ処理工程と、チャンバ内を減圧するとともに処理ガスを供給してプラズマ処理を行い、第１プラズマ処理工程により基板の縁部と基板支持部とに付着した副生成物を除去する第２プラズマ処理工程とを実施する。第２プラズマ処理工程は、副生成物の基板保持部への付着を抑制する位置までトレイを上昇させて行う。 （もっと読む）

【課題】高温状態のトレイによる基板の加熱を抑制する。
【解決手段】基板２の下面縁と当接可能なテーパー面２１ｅ，２１ｆを含む内周面を備える基板収容孔２１ｄが形成されたトレイ２１を用いる基板のドライエッチング方法において、基板収容孔２１ｄの中心軸Ａｃと静電チャック１１の基板載置面１３ａの中心Ｃ２とが重なるようにトレイ２１を位置決めして所定の位置に降下させることにより、下面縁の少なくとも一部がテーパー面２１ｅ，２１ｆから離間した状態で基板２を基板載置面１３ａに載置し、基板２が基板載置面１３ａから離れるまでトレイ２１を上昇させることにより、テーパー面２１ｅ，２１ｆと接触する基板２の下面縁の部分を該テーパー面にならわせ、基板２の中心Ｃ１を基板収容孔２１ｄの中心軸Ａｃ上に位置合わせし、トレイ２１を所定の位置に降下させることにより、トレイ２１から離間した状態で基板２を基板載置面１３ａに載置する。 （もっと読む）

【課題】基板の温度均一性を向上させつつ、基板を高速に昇温する。
【解決手段】処理室内に設けられた第２基板支持部の上方に、処理室内に搬入された前記基板を第１基板支持部により第２基板支持部から離して支持させ、ガス供給部により処理室内にガスを供給させ、処理室内の圧力を基板の搬入時の圧力より高めさせた状態で、加熱部により基板を昇温させ、所定時間経過した後に、第１基板支持部から第２基板支持部へと基板を移載させ、加熱部により基板を加熱させながら基板を処理させる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置において、シングルアーム型の搬送装置を採用しつつ高スループットを実現する。
【解決手段】ドライエッチング装置１の搬送装置１５は、処理前のトレイ３をストック部１３のカセット６２の主棚部６７ｂ，６８ｂから回転ステージ３３に搬送し、回転ステージ３３でのアラインメント処理後のトレイ３をカセット６２の仮置き棚部６７ｃ，６８ｃを経てプラズマ処理部１１へ搬送する。また、搬送装置１５は、処理後のトレイ３をプラズマ処理部１１からストック部１３のカセット６２の主棚部６７ｂ，６８ｂに搬送する。 （もっと読む）

【課題】プラズマＣＶＤによって基板上に薄膜を形成するプラズマＣＶＤ成膜処理において、基板搭載部への薄膜成分の吸着確率を低くし、基板上の薄膜成膜に対する影響を低減する。
【解決手段】基板搭載部の基板を搭載する上表面を平滑面とすることによって、基板搭載部への薄膜成分の吸着確率を低くし、基板上の薄膜成膜に対する影響を低減する。基板搭載部は基板を保持する保持部材を備え、保持部材の表面の内、基板と搭載する上表面は、基板を搭載した状態において少なくとも基板で覆われずに露出する部分を平滑面とする。保持部材の上表面を平滑面とすることによって、基板搭載部への薄膜成分の吸着確率を低くする。 （もっと読む）

【課題】基板を均一に処理するために有利な処理装置を提供する。
【解決手段】処理装置は、処理空間において基板を支持する基板支持部と、前記処理空間を外部空間から仕切る仕切り部材３０，４２と、前記処理空間にガスを供給するための環状ガス流路９０とを備える。環状ガス流路９０の前記処理空間への出口は、環状スリットであり、環状ガス流路９０に対して供給されるガスが環状スリットを通して前記処理空間に供給される。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置の小型化ないし設置面積の低減を図る。
【解決手段】ドライエッチング装置１は基板２を収容した搬送可能なトレイ３を収納したカセット６２を含むストック部１３を備える。トレイ３の搬送機構１５を収容した搬送部１２内に、回転ステージ３３が設けられている。ドライエッチング前のトレイ３を載置した回転ステージ３３を回転させ、ノッチ検出センサー４４によりノッチ３ｃを検出することでトレイ３の回転角度位置調整を行う。 （もっと読む）

【課題】試料の温度分布を所望の値に制御することができるとともに、信頼性の高い、長寿命のプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空処理室と、該真空処理室に配置された試料台を備え、前記真空処理室内にプラズマを生成して、前記試料台に載置した試料にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記試料台１０７は、円柱状の基材部２０１と、該基材部上に配置されヒータ電極膜を備えた誘電体膜部２０２と、前記誘電体膜部上に配置され吸着用電極膜を備えたセラミクス板２０９と、前記誘電体膜部とセラミクス板を接着する第１の接着層２０７と、前記第１の接着層の側面を被覆する耐熱性の第２の接着層２１１と、前記第２の接着層および誘電体膜部の側面を被覆する保護部材２１２を備えた。 （もっと読む）

【課題】真空処理室に設けられる基板載置台の表面部の状態の確認や当該表面部の交換を行うことによる真空処理の停止時間を短くすると共に、前記表面部の状態を精度高く管理すること。
【解決手段】基板が搬送される常圧雰囲気の常圧搬送室と、常圧搬送室とロードロック室を介して接続される真空処理室と、前記真空処理室に設けられ、本体部と、当該本体部に対して着脱自在な表面部とを有する基板載置台と、前記ロードロック室または常圧搬送室に設けられ、前記表面部を収納するための保管部と、常圧搬送室からロードロック室を介して真空処理室へ基板を搬送し、また前記保管部と前記真空処理室の本体部との間で前記表面部を搬送するための搬送機構と、を備えるように基板処理装置を構成する。これによって真空処理室の大気開放を防ぐと共に表面部の状態の確認が容易になるので当該表面部を精度高く管理することができる。 （もっと読む）

【課題】
本発明の実施形態では、ずれを防止し、取り替え作業を容易に実施できる保護層を有した載置台を提供する。
【解決手段】
載置台１０は、ウェーハＷを載置する載置面４を有する電極本体２と、前記載置面４に設けられ、紫外光を照射されることによって前記載置面４に対する粘着力が可変となる着脱自在な保護層３とを有することを特徴とする。また、載置台１０をプラズマ処理装置１００に適用し、プラズマ発生時の紫外光を用いて、保護層３の粘着力を可変とする。 （もっと読む）