【課題】放電開始直後に基板に位置ずれが発生しても，それを早期に検出して直ぐに処理を中止することで，異常放電による載置台の損傷を極力防止する。
【解決手段】伝熱ガスの供給開始で一時的に上昇した伝熱ガスの流量が低下して安定するよりも前に所定の調圧終了基準値以下になると，処理容器内に高周波電力を供給して放電を開始し，基板保持面上の被処理基板上に処理ガスのプラズマを発生させる放電ステップとを有し，上記放電ステップにおいて，流量センサで検出した伝熱ガス流量が所定の閾値を超えたときに基板ずれありと判定する判定ポイントを伝熱ガス流量が安定する前の時点において複数設け，各判定ポイントごとに閾値を設定することによって，伝熱ガス流量の安定を待たずに基板ずれ判定を行う。 （もっと読む）

【課題】基板のプラズマ処理において、動的な温度制御能力を有する基板支持体を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置に用いられる基板支持体４０であって、金属熱伝達部材４８と、基板支持表面を有した上に位置する静電チャック５０と、を備え、前記熱伝達部材４８は、当該熱伝達部材４８に加熱及び冷却の少なくとも一方を行うために、それを通して液体が循環される少なくとも１つの流路を有する。前記熱伝達部材は、小さい熱質量を有し、プラズマ処理の間に、前記基板温度を急激に変化させるように、前記液体によって所望の温度に急激に加熱及び／又は冷却することが出来る。 （もっと読む）

【課題】 容易に構成情報を設定する。
【解決手段】 本発明は、搬送チャンバに識別情報を容易に設定可能な識別情報設定装置、および識別情報設定方法を提供する。本発明の一実施形態では、記憶装置５０４は、搬送ロボットを有する搬送チャンバを配置可能な各位置に対し予め設定したフィールド識別情報を格納する。実際に搬送チャンバを配置させる位置及び当該搬送チャンバの情報を指定情報として、受け付ける。実際に配置させる搬送チャンバと識別情報との対応を格納する。
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【課題】プラズマ処理中に基板の縁部およびトレイに付着した副生成物の除去を行って、製品の品質を向上させる。
【解決手段】基板が収容される複数の基板収容孔が設けられ、この基板収容孔の内壁から突出する基板支持部を有するトレイを基板ステージのトレイ支持部上に載置するとともにそれぞれの基板保持部上に基板を載置して、基板保持部の端縁よりはみ出した基板の縁部と基板支持部とを離間させた状態とする基板載置工程と、チャンバ内を減圧するとともに処理ガスを供給して、それぞれの基板に対するプラズマ処理を行う第１プラズマ処理工程と、トレイおよびそれぞれの基板が基板ステージ上に載置された状態にて、チャンバ内を減圧するとともに処理ガスを供給してプラズマ処理を実施し、第１プラズマ処理工程の実施により基板の縁部と基板支持部とに付着した副生成物を除去する第２プラズマ処理工程とを実施する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、密閉型容器内部の雰囲気に起因する反応物の生成を抑制することを目的とする。
【解決手段】半導体製造装置１は、被処理物であるウエーハ１０、ウエーハ１０を収納する密閉型容器のＦＯＵＰ２０、半導体処理装置であるエッチング装置３０及びＦＯＵＰ２０とエッチング装置３０との間を密閉状態でウエーハ１０の搬送を行うＥＦＥＭ４０を有する。ＦＯＵＰ２０は、前面扉２０ａ、内側に温度と湿度とガス濃度との少なくとも一つを検知するセンサ部２１及びこのセンサ部が検知した情報を送信する送信装置２５を有する。受信装置３１は、送信装置２５からの情報を受信し、その情報をパージ部４３に供給する。パージ部４３は、ＦＯＵＰ２０内の温度などが予め定めた基準値を満足するまでパージを行う。 （もっと読む）

【課題】 基板搬送用ロボットのフィンガーの変形を精度よく検出する。
【解決手段】 基板を保持可能なフィンガーを有した基板搬送用のロボット、及び、前記ロボットにより基板を搬出入させるための基板搬送口を備えた搬送チャンバと、前記基板搬送口に着脱可能に接続され、前記搬送チャンバ内部に連通する開口を有し、外部に対して密閉された内部空間を形成する筐体、及び、前記内部空間に挿入される前記フィンガーの変形を検出するための変位センサを備えたセンシングポートと、前記搬送チャンバに設けられる排気口を介して、前記搬送チャンバ及び前記筐体内部を排気する排気手段と、前記排気手段により前記搬送チャンバ及び筐体内部を減圧させた状態で、前記筐体の内部空間に挿入されたフィンガーの形状の前記変位センサによる検出結果を取得する制御手段と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ハロゲン系腐食性ガス及びそのプラズマ中で用いられ、十分な吸着力を有し、しかも該吸着力が面内で均一であり機械的強度に優れ、残留吸着力の低い静電チャック及びその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化イットリウムアルミニウム結晶相（Ａ）又は酸化イットリウムアルミニウムのイットリウムの一部をイットリウムでない希土類元素で置換してなる結晶相（Ｂ）と、イットリウムを除く希土類元素−アルミニウム酸化物結晶相（Ｃ）とを含む複合酸化物焼結体を含み、Ｘ線回折プロファイルに基づき所定の式で算出される結晶相（Ｃ）の含有率が０．０５％以上１０％以下である静電チャック及びその製造方法である。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理されたウエハの異常原因を分析する。
【解決手段】クラスタ型のプラズマ処理システム１０に配置された２以上のプロセスモジュールの少なくともいずれかにおいてプラズマ処理されたウエハＷの異常原因分析方法であって、ウエハＷがフープ１１５ａ〜１１５ｃから搬出され、前記２以上のプロセスモジュールの少なくともいずれかに搬送された後、前記フープ１１５ａ〜１１５ｃに戻るまでの搬送経路の情報を前記ウエハＷ毎に該ウエハの識別情報に関連付けて記憶する記憶工程と、処理済のウエハＷの状態を検査する検査工程と、前記検査工程の結果、異常と判定されたウエハＷの前記記憶された搬送経路の情報と、正常と判定されたウエハＷの前記記憶された搬送経路の情報とを比較し、比較の結果に基づき異常原因の分析を行う異常分析工程と、を含む異常原因分析方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】被処理基板をトレイに載置した状態でプラズマ処理することによってトレイが高温或いは低温になった場合でも、トレイ上の所定位置に正確に被処理基板を載置したり前記トレイから被処理基板を確実に取り出したりすることができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】本発明は、反応室２外に設けられたトレイステージ３０、ウエハＷが載置されたトレイ１４をトレイステージ３０と反応室２との間で搬送するロボット２２、反応室２外に設けられたウエハＷを収納するウエハケース３２、トレイステージ３０上のトレイ１４からプラズマ処理済みのウエハＷを取り出してウエハケース３２に収納すると共にウエハケース３２からプラズマ処理前のウエハＷを取り出してトレイステージ３０上のトレイ１４に載置する移載用ロボット３４、トレイステージ３０上に載置されるトレイ１４の温度を所定温度範囲に維持する赤外線ヒータ３８を備える。 （もっと読む）

【課題】基板の処理効率を向上させることができる基板処理システムを提供する。
【解決手段】基板処理システム１０のロードロックモジュール１３では、該ロードロックモジュール１３の内部において上部基板搬送機構２２及び下部基板搬送機構２３が互いに独立して上下動し、上部基板搬送機構２２では、昇降ベース２６に配された４つのガイドレール２５に対して４つのガイドアーム２７がプロセスチャンバ１１へ向けて相対的に摺動し、各ガイドアーム２７に対して４つのピック２８がプロセスチャンバ１１へ向けて相対的に摺動し、下部基板搬送機構２３では、昇降ベース３０に配された４つのガイドレール２９に対して４つのガイドアーム３１がプロセスチャンバ１１へ向けて相対的に摺動し、各ガイドアーム３１に対して４つのピック３２がプロセスチャンバ１１へ向けて相対的に摺動する。 （もっと読む）

【課題】基板に対するドライエッチング処理の実施により基板に生じた残留静電吸着力を効率的に除去あるいは減少させることができるドライエッチング装置および基板の除電方法を提供する。
【解決手段】処理室内のステージ上に静電吸着された基板に対してドライエッチング処理を実施した後、Ｈｅガスを除電用ガスとして処理室内に供給するとともに、Ｈｅガスをプラズマ化することで、ドライエッチング処理の実施により基板に生じた残留静電吸着力を減少させる除電処理を行う。 （もっと読む）

【課題】 搬送用アームのピックにマッピングセンサを有しつつも、再度、又は新たなマッピングを速やかに開始することが可能な処理システムを提供すること。
【解決手段】 小空間３１と、小空間３１に備えられた、被処理体を収容するカセットＦが取り付けられるロードポート３２と、小空間３１内に配置された搬送装置３４と、を有した処理システムであって、搬送装置３４が、多関節アーム３７と、多関節アーム３７の先端に取り付けられたピック３８と、このピック３８に設けられたマッピングセンサ６１と、を備え、小空間３１が、カセットＦ内のマッピングを行うとき、マッピングセンサ６１が設けられたピック３８上に被処理体Ｗがある場合、この被処理体Ｗを一時的に退避させる一時退避部６２を、備える。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハに対する加工特性に影響することなく異物を好適に除去し得る半導体製造装置および半導体製造方法を提供する。
【解決手段】処理室１１内の圧力を調整可能な圧力調整手段１９と、処理室１１内に流量が調整された不活性ガスを流入させるガス供給源１５ｂおよびマスフローコントローラ１７ｂとが設けられている。そして、ドライエッチング後に、圧力調整手段１９により処理室１１内の排気圧力Ｐをドライエッチング時における処理室１１内の圧力よりも高くし、かつ、マスフローコントローラ１７ｂによりガス供給源１５ｂからの不活性ガスの流入ガス流量Ｑｂをドライエッチング時におけるエッチングガスの流入ガス流量Ｑａよりも高くすることで、処理室１１内の排気が促進される。 （もっと読む）

【課題】転写マスクが高い位置精度でマスクホルダーに収容された転写マスク収容体を提供する。
【解決手段】マスクホルダー３０は、転写マスク２０を収容するための凹状収容部３３と、該凹状収容部３３に形成された内部面３４とを有する。転写マスク２０は、開口パターン３が形成された薄膜２と、前記薄膜２を支持する、シリコンからなる支持枠１とを有し、前記薄膜２の端部５には、開口パターン３の形成と同時にエッチング加工された、マスクホルダー３０内における転写マスクの移動を規制するガイド面が形成されている。転写マスクのガイド面が、マスクホルダーの凹状収容部３３に形成された内部面３４と対向して、マスクホルダー３０に収容されている。 （もっと読む）

【課題】ピックによる基板保持時に基板の異常を判定することで，異常な基板の搬送処理を続行することによる不具合を未然に防止する。
【解決手段】基板が水平方向に移動しないように規制する規制体４２０と，押圧体４４０をスライド駆動させて，ウエハＷの端部を規制体に押しつけることによって保持する押圧保持部４３０と，押圧体を駆動させるとともに，その押圧体の位置情報を出力可能な押圧体駆動部４４２とを有するピックを備え，このピックの基板保持時に押圧体をスライド駆動させてその押圧体が停止した位置を検出し，その検出位置が異常判定閾値以上にピックの先端側にある場合にはその基板は異常であると判定し，その基板の搬送処理を停止する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置のステージの表面が損傷したとき、上記表面部分だけを容易に交換できるようにする。
【解決手段】ステージ２０を、ステージ本体２１とその上側の表面板２２とに分割する。ステージ２０を挟んで両側には、処理ヘッド１０の移動に用いる一対のレール６１が設けられている。このレール６１上にステージ保守用クレーン３０を設置する。クレーン３０のフレーム３１の一対の支え部３２の下端部にスライダ３４をそれぞれ設け、これをレール６１にスライド可能に嵌合する。フレーム３１の天井部３３に吊具５１を昇降可能に垂下し、これに連結部５２を設ける。好ましくは、連結部５２をボルト５５にて表面板２２の端面に連結する。 （もっと読む）

【課題】基板を裏面側から支持装置により水平に支持するにあたり、当該基板と支持装置との接触による基板の裏面における傷の生成やパーティクルの発生を抑えること。
【解決手段】支持体本体３１上に形成された複数の凹部４１内に、磁性体からなる芯材４２ａと、この芯材４２ａの外周側を覆う被覆材４２ｂと、を備えた転動体４２を転動自在に収納し、これら転動体４２の上面によりウエハＷを裏面側から水平に支持すると共に、凹部４１の下方側に位置規制機構４３を設ける。そして、各々の位置規制機構４３について、支持体本体３１上に載置されるウエハＷが水平方向に移動する場合、当該ウエハＷの動きに倣って位置規制機構４３の引きつける力に抗して転動体４２が転動し、支持体本体３１上にウエハＷが載置されていない時には位置規制機構４３の上方側に転動体４２が戻るように構成する。 （もっと読む）

【課題】真空処理室において高温で処理されたウェハを微小異物や汚染が問題にならない温度に効率良く冷却できる真空処理システムを提供する。
【解決手段】複数の試料が収納されたカセットを設置したカセット台と、前記試料を搬送する大気搬送室と、前記大気搬送室から搬送された前記試料を収納し大気雰囲気もしくは真空雰囲気に切り替え可能なロック室と、前記ロックに連結された真空搬送室と、前記真空搬送室を介して搬送された前記試料を処理する真空処理室とを備える真空処理システムにおいて、少なくとも１つの前記真空処理室で処理された前記試料を第一の温度に冷却する冷却室と、前記冷却室で冷却された前記試料を第二の温度に冷却する冷却部とを備え、前記冷却部は、前記大気搬送室に配置され、前記冷却室で冷却された前記試料を前記第二の温度に冷却する冷却手段を有することを特徴とする真空処理システムである。 （もっと読む）

【課題】どのような付着物であっても完全に基板の周縁部から取り除くことができるようにする。
【解決手段】基板の表面上に処理ガスのプラズマを生成してプロセス処理を行うプラズマ処理装置１４０Ａ〜１４０Ｆと，プロセス処理前に紫外線を照射することによって粘着力が低下する材料で構成した粘着剤Ｑを片側に付けた周縁テープＰを，その粘着剤が基板の周縁部に貼り付くように繰り出して，基板の周縁部に周縁テープを貼り付ける周縁テープ貼付装置２００と，プロセス処理後に周縁テープに紫外線を照射して粘着剤の粘着力を低下させることによって，周縁テープを基板から剥離する周縁テープ剥離装置３００とを設けた。 （もっと読む）

【課題】磁性流体シールを使用する必要がない磁気浮上型を採用し、しかも装置としてのアキシャル方向の長さを極力短くすることができるようにする。
【解決手段】回転動力を出力する回転子１２を備え、回転子１２は、回転子１２のラジアル方向に配置されて該回転子１２のラジアル方向変位を非接触で制御する２組以上のラジアル磁気軸受４０と、回転子１２の周囲に３組以上に分割配置されて該回転子１２のアキシャル方向変位を非接触で制御するアキシャル磁気軸受５０によって、所定の位置に非接触で回転支承され、ラジアル磁気軸受４０のラジアル電磁石４４とアキシャル磁気軸受５０のアキシャル電磁石５４は、略同一平面上に配置されてケーシング部１４に固定されている。 （もっと読む）