【課題】プラズマエッチング装置等の処理装置に適用した場合に、シリコンウエハ等の板状試料の面内に局所的な温度分布を生じさせることにより、プラズマ印加に伴う経時的な温度変化の調整や広い温度範囲での温度の調整が可能であり、板状試料の局所的な温度制御を行うことが可能な静電チャック装置を提供する。
【解決手段】本発明の静電チャック装置１は、一主面を板状試料Ｗを載置する載置面とするとともに静電吸着用内部電極１３を内蔵した静電チャック部２と、この静電チャック部２を所望の温度に調整する温度調整用ベース部３と、これら静電チャック部２と温度調整用ベース部３との間に設けられた絶縁性有機フィルム４とを備え、この絶縁性有機フィルム４の設ける位置及び厚みを面内で調整することにより載置面における温度分布を調整した。 （もっと読む）

【課題】伝熱ガスのガス圧が高圧であっても、基板温度の面内分布を均一化できるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置の静電チャック２１は基板２が載置される基板載置部２７Ａ〜２７Ｆを備える。基板載置部２７Ａ〜２７Ｆの上端部２７ａは、外周縁に沿って設けられた上向きに突出する環状突出部４１を備える。環状突出部４１に囲まれた凹部４３には多数の柱状突起４７，４８が設けられている。基板２の下面２ａは環状突出部４１と柱状突起４７，４８の上端面に直接接触して支持される。凹部４３内には供給孔２９から伝熱ガスが充填される。凹部４３は、伝熱ガスのガス圧分布の均一性のために深さを深く設定した内側領域４５と、基板２の最外周縁付近の下面と環状突出部４１の上端面（基板載置面）４１ａを通る凹部４３からの伝熱ガスの漏洩の均一化のために内側領域４５よりも深さを浅く設定した外側領域４６とを有する。 （もっと読む）

【課題】１装置当たりの処理能力を増加する基板搬送装置。
【解決手段】半導体加工部品処理装置は第１チャンバと、搬送ビークルと、他のチャンバとを有している。第１チャンバは外部環境から隔離されることが可能である。搬送ビークルは第１チャンバ内に位置しており、第１チャンバから移動自在に支持されており、第１チャンバに対して直線状運動する。搬送ビークルはベースと、該ベースに運動自在に取り付けられて、該ベースに対して多アクセス運動が可能な統合した半導体加工部品移送アームとを有している。他のチャンバは第１チャンバに第１チャンバの閉鎖自在な開口部を介して連通自在に接続されている。開口部は搬送ビークルが第１チャンバと他のチャンバとの間で開口部を介して通行可能な大きさを有している。 （もっと読む）

【課題】回転浮上体の径方向の力と回転トルクとを同一の電磁石で制御することにより不要な外乱の発生を抑制することができる処理装置を提供する。
【解決手段】被処理体に対して処理を施す処理装置において、処理容器と、被処理体を支持する非磁性材料よりなる回転浮上体と、回転浮上体に所定の間隔で設けられた磁性材料よりなる複数の回転ＸＹ用吸着体と、回転浮上体に周方向に沿って設けられた磁性材料よりなる浮上用吸着体と、処理容器の外側に設けられて浮上用吸着体に垂直方向上方に向かう磁気吸引力を作用させて回転浮上体の傾きを調整する浮上用電磁石群と、処理容器の外側に設けられて回転ＸＹ用吸着体に磁気吸引力を作用させて浮上された回転浮上体を水平方向で位置調整しつつ回転させる回転ＸＹ用電磁石群と、ガスを供給するガス供給手段と、被処理体に処理を施す処理機構と、装置全体の動作を制御する装置制御部とを備える。 （もっと読む）

【課題】基板のずれ及び／又は破損を検出するのに必要なセンサの数を少なくし、比較的低コストで実施する。
【解決手段】移動中の基板１０６の少なくとも２つの平行な端部の長さに沿った、破損やずれ等の基板の欠陥の存在を検出する少なくとも２つのセンサ１４０Ａ、１４０Ｂを組み込んだ装置及び方法を提供する。一実施形態において、装置は、基板の欠陥を検出するための、少なくとも２つの平行な端部近傍で、基板をセンシングするセンサ構成を含む。他の実施形態において、装置は、基板サポート表面を有するロボット１１４又は１３０と、基板の欠陥を検出するための、少なくとも２つの平行な端部近傍で、基板をセンシングするセンサ構成とを含む。 （もっと読む）

【課題】受け渡しチャンバ室の機構を大型化、複雑化させることなく、処理前後のウェハの退避場所を確保できる、真空処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】２つの真空チャンバ間に設けられた基板受け渡しチャンバを有する真空処理装置において、前記基板受け渡しチャンバが、基板を支持するリフトピンと、基板を仮置きするバッファーアームと、基板を載置する基板ステージとを具備し、前記リフトピンが、斜め方向に昇降することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 処理装置における処理時間を短縮しても生産性が頭打ちになる事情を抑制することが可能であり、かつ構造も簡易である搬送装置を提供すること。
【解決手段】 垂直方向に伸び回転可能な第１のシャフト部３５ａと、第１のシャフト部３５ａに取り付けられ、先端に被処理体Ｗを保持する第１のピック４０ａを備えた水平方向に伸縮可能な第１のアーム３９ａとを備えた第１の搬送機構３３ａと、垂直方向に伸び回転可能な第２のシャフト部３５ｂと、第２のシャフト部３５ｂに取り付けられ、先端に被処理体Ｗを保持する第２のピック４０ｂを備えた水平方向に伸縮可能な第２のアーム３９ｂとを備えた第２の搬送機構３３ｂと、を具備し、第１の搬送機構３３ａ及び第２搬送機構３３ｂを、第１のシャフト部３５ａの回転中心４２ａと第２のシャフト部３５ｂの回転中心４２ｂとが一致されるようにして、垂直方向に互いに離間して配置する。 （もっと読む）

【課題】シリコンウエハ等の板状試料を囲むように設けられたフォーカスリングの温度を調整することにより、処理中のフォーカスリングの温度を一定に保持することができ、板状試料の外周部の温度を安定化することができ、よって板状試料の面内におけるエッチング特性を均一化することができ、フォーカスリング上に堆積物が堆積するのを防止することができる静電チャック装置を提供する。
【解決手段】静電チャック装置１は、静電チャック部２と、この静電チャック部２を囲むように設けられた環状のフォーカスリング部３と、これら静電チャック部２及びフォーカスリング部３を冷却する冷却ベース部４とにより構成され、フォーカスリング部３は、環状のフォーカスリング２１と、環状の熱伝導シート２２と、環状のセラミックリング２３と、非磁性体のヒータ２５とを重ね合わせたもので、ヒータ２５には給電用端子２６が取り付けられている。 （もっと読む）

【課題】異物あるいは金属汚染の発生を抑制し、長期にわたって連続運転することのできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】所定の圧力に減圧排気される処理室と、該処理室内に配置され、試料を静電吸着して保持する静電チャックを備えた吸着装置と、該吸着装置の温度を調整する温度調整手段と、前記吸着装置と該吸着装置上に載置された試料の間に伝熱ガスを供給する伝熱ガス供給手段と、前記処理室内にプラズマを生成する手段を備え、生成されたプラズマ用いて前記吸着装置上に載置した試料にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記吸着装置２の試料載置面の外周の試料載置面より低い部分を保護するリング状の保護カバー１１８を備え、該カバーは静電チャックの吸着面の外周に設けたＶ字型の切欠き４００に間隔を空けて嵌合するＶ字型の張り出し４０１をリングの内周側に備えた。 （もっと読む）

【課題】ウエハの搬送時間が短く処理の効率を向上させた真空搬送装置を提供する。
【解決手段】後方側に配置され、内部の処理室内で処理対象のウエハが処理される真空容器と、前方側に配置され、その内部で前記ウエハが大気圧下で搬送される搬送室とこの搬送室の前方に配置され前記ウエハが収納されたカセットが載せられるカセット台と、前記搬送室の後方でこれを連結されたロック室と、前記搬送室内に配置され前記カセットと前記ロック室との間で前記ウエハを搬送するロボット及び前記ウエハの位置を所定のものに合わせる位置合わせ機と、前記ロボットによる前記ウエハの前記カセットから前記搬送室内への取出しの際に、このウエハの位置ずれ量が所定の値より大きな場合に前記位置合わせ機上において前記ウエハの位置合わせをした後に前記ロック室に搬送する真空処理装置。 （もっと読む）

【課題】 基板搬送装置において、パーティクルによる基板の汚染を極力防止する。
【解決手段】 ピック本体１１５には、拡散防止部材としての拡散防止カバー１２１が装着されている。拡散防止カバー１２１は、摺動ブロック１２３とリニアガイド１１９とが擦れることによって発生し、落下してくるパーティクルを受け止める底壁部１２１ａと、この底壁部１２１ａから略垂直に立ち上がる側壁部１２１ｂとを有する。側壁部１２１ｂは、底壁部１２１ａと同様にパーティクルを受け止めるとともに、パーティクルが外部へ飛散しないように封じ込める。 （もっと読む）

【課題】この発明は搬送される基板の端部をその厚さに係らず確実に保持できるようにした基板の搬送装置を提供することにある。
【解決手段】複数の搬送軸４に設けられた搬送ローラ５及び基板の幅方向両端部の下面を支持する端部支持ローラ５ａと、搬送軸の上方に支持された上載せローラ軸１６と、上載せローラ軸に設けられ端部支持ローラによって幅方向の端部下面が支持された基板の幅方向の端部上面を押圧する一対の上載せローラ２５と、搬送軸の両端部に設けられ外周面が軸方向に対して傾斜した第１の傾斜面３４に形成された第１の荷重調整ローラ３１と、上載せローラ軸に設けられ外周面が第１の傾斜面と同じ角度で同じ方向に傾斜した第２の傾斜面３５に形成されていて、第１の荷重調整ローラに対して軸方向に相対的に移動させて第１の傾斜面との接触度合を調整することで、上載せローラによる基板の端部上面を押圧する押圧力を設定する第２の荷重調整ローラ３２を具備する。 （もっと読む）

【課題】 基板を目的の温度に迅速に冷却でき、均一冷却が可能な装置を提供すること。
【解決手段】 ＥＳＣステージにおいて、熱伝達ガスを導入可能な内側領域２５と外側領域２６を設け、これらの間に排気溝３０を設ける。排気領域は、内側領域２５との間を隔てる内周隔壁３４、外側領域２５との間を隔てる中間隔壁２９とに挟まれた溝状で、内周隔壁３４、中間隔壁２９を介して、内側領域、外側領域を排気する。 （もっと読む）

【課題】基板処理装置の製造コストや消費エネルギーを低減させること。
【解決手段】本発明では、キャリア（３）に収容された基板（２）を受渡す基板搬出入部（基板受渡室（１２））と、前記基板搬出入部と基板搬入出口（３７（３９））を介して連通する基板搬送室（１４（２５））と、前記基板搬送室（１４（２５））に沿って配置された複数の基板処理室（１５〜２４（２６〜３５））と、前記基板搬送室（１４（２５））の内部に収容し、前記基板搬出入部と前記基板処理室（１５〜２４（２６〜３５））との間で前記基板（２）を搬送するための基板搬送装置（３６（３８））と、前記基板搬送室（１４（２５））に沿って清浄空気を流すための清浄空気流動手段（４１（４２））とを有することにした。 （もっと読む）

【課題】基板に傷をつけることなく、エッチング斑の発生を効果的に防止することが可能な載置台を提供する。
【解決手段】載置台５Ａは、例えばアルミニウムやステンレス鋼（ＳＵＳ）などの導電性材料で形成された基材７と、基材７の上に設けられた絶縁膜８とを備えている。絶縁膜８の上面は、ＦＰＤ用ガラス基板Ｓを載置する基板載置面５０となっている。基板載置面５０は、表面粗さＲａが２μｍ以上６μｍ以下の粗い表面を有する粗化部５１と、この粗化部５１の周囲を囲む表面粗さＲａが２μｍ未満の平滑部５３とを有している。 （もっと読む）

【課題】焦点位置検出系などを必ずしも設けることなく、デフォーカスの殆どない基板上へのパターンの転写を実現することが可能な露光装置を提供する。
【解決手段】露光装置は、互いに独立して移動可能な第１、第２テーブルと、投影光学系の直下に液体を供給して液浸領域を形成する液浸システムと、投影光学系と第１、第２テーブルの一方との間に液浸領域が維持される第１状態から、投影光学系と第１、第２テーブルの他方との間に液浸領域が維持される第２状態に遷移するように、投影光学系の直下に液浸領域を維持しつつ、投影光学系の下方で第１、第２テーブルを共に移動する駆動システムと、を備え、第１テーブルは、基板の載置領域及びその周囲領域を有し、周囲領域と基板との隙間からの液体の流出を抑制するように周囲領域に近接させて基板を載置領域に載置し、基板は、第１テーブルによって液浸領域に対して相対的に移動される。 （もっと読む）

【課題】複数の高周波による面内のイオンエネルギー密度分布の制御を容易に行えるようにし、その制御を必要最小限の高周波電力で運用可能とし、長寿命化に寄与すること。
【解決手段】静電チャック３０ａは、ベース部材２０と、該ベース部材上に吸着面１０Ｓと反対側の面が接着剤層２５を介して接合された絶縁性を有した基板１０ａとを備える。この基板１０ａにおいて、吸着面１０Ｓの近傍の基板部分に、吸着用の直流電圧が印加される電極層１１が埋め込まれると共に、この電極層１１の吸着面１０Ｓと反対側の基板部分に、それぞれプラズマ制御用の異なる高周波ＲＦ１，ＲＦ２が給電される複数の独立した電極層１４，１５が埋め込まれている。各ＲＦ電極層１４，１５は、同一平面上にはない異なる層に分割されて配置されており、さらに、平面視したときに部分的に重なり合うように配置されている。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理中にウエハだけでなくトレイの冷却も可能なプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】まず、トレイ１１に空けられた開口１１ａにウエハ１０を入れ、トレイ１１の下面に設けられた保持部材１３によりウエハ１０の下面周縁を保持する。次に、そのトレイ１１と静電チャックである下部電極１２を近づけ、下部電極１２に形成された凹部１４に保持部材１３を挿入し、下部電極１２のトレイ載置部にトレイ１１を載置し、ウエハ載置部にウエハ１０を載置する。次に、静電チャックによりウエハ１０及びトレイ１１を保持しつつ、ウエハ１０及びトレイ１１を冷却機構により冷却する。この状態でウエハ１０をプラズマ処理すれば、プラズマ処理中にウエハ１０とトレイ１１の両方が冷却されるため、ウエハ１０の中心部と外周部で温度差が生じにくくエッチングの均一性が向上する。 （もっと読む）

【課題】作業者の作業負担を軽減した基板処理装置、該基板処理装置を制御する制御装置及びそれらを用いた基板処理方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る基板処理装置は、第一の処理方法を実行する第一のグループに属する処理室と、第二の処理方法を実行する第二のグループに属する処理室と、処理室に基板を搬送する搬送手段とを備える。このような基板処理装置において、作業者により入力された処理方法を取得し（ステップＳ３）、前記作業者により入力された処理方法が前記第一の処理方法であるときには前記第一のグループに属する処理室の一つに前記基板を搬送し、前記作業者により入力された処理方法が前記第二の処理方法であるときには前記第二のグループに属する処理室の一つに前記基板を搬送するように前記搬送手段を制御する（ステップＳ４〜Ｓ６）。 （もっと読む）

【課題】部品点数及び組立工数の増加を伴うことなく、プラズマの進入に起因する、接着剤層の消耗及び基部表面におけるアーキング（異常放電）による損傷を防止することができる基板処理装置の基板載置台を提供する。
【解決手段】円板状の基部４１と、基部４１の上部平面に接着剤層４２で接着され、ウエハＷを載置する円板状の静電チャック２３と、その周囲に配置され、ウエハＷを囲むと共に基部４１の上部平面４１ｂの外周部を覆う円環状のフォーカスリング２５とを有し、静電チャック２３は上部円板部２３ｂとこの上部円板部２３ａよりも径が大きい下部円板部２３ａとを有する２段構造を呈しており、下部円板部２３ａは、基部４１の凹部４１ａに嵌合され凹部４１の底部平面に接着剤層４２で接着されており、嵌合部がフォーカスリング２５で覆われている。 （もっと読む）