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Fターム[5F031MA32]の内容

ウエハ等の容器、移送、固着、位置決め等 (111,051) | 処理装置 (13,378) | 工程 (11,004) | ドライエッチング (993)

Fターム[5F031MA32]に分類される特許

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【課題】基板を複数の区画に区分けしたとき、各区画を区画毎に異なる大きさの力で静電吸着できる静電吸着装置を提供する。
【解決手段】
表面が平面状にされた誘電体から成るステージ11と、ステージ11の内部に互いに離間して配置された三個以上の静電吸着電極12と、各静電吸着電極12に直流電圧を印加する静電吸着電源とを有している。ステージ11の表面を、一の区画が他の区画に含まれることがなく、かつ各区画がそれぞれ複数個の静電吸着電極12を含むように、複数の区画A〜Dに区分けしたとき、各区画内に位置する静電吸着電極12には区画毎に同一の値の電圧が印加され、隣り合う二つの区画内に位置する静電吸着電極12には区画毎に互いに異なる値の電圧が印加されるように構成されている。各静電吸着電極12のステージ11の表面に平行な断面積は1cm2以下である。 (もっと読む)


【課題】微小パーティクルの基板への付着を極力防止することができる基板搬送方法を提供する。
【解決手段】基板処理システム10は、内部空間S1を有するプロセスモジュール12〜17と、該プロセスモジュール12〜17に接続され且つ内部空間S2を有するトランスファモジュール11と、内部空間S1及び内部空間S2を仕切る開閉自在なゲートバルブ30とを備え、トランスファモジュール11は、ウエハWを把持してプロセスモジュール12〜17に対するウエハWの搬出入を行う搬送アーム機構21を内部空間S2に有し、ゲートバルブ30の開弁動作中において、搬送アーム機構21は把持するウエハWをゲートバルブ30と対向する対向位置から退避させる。 (もっと読む)


【課題】基板に電圧を印加して基板にダメージを及ぼすことなく、当該基板における、大型基板において特に顕在化する複雑な態様の反りの発生部位及び発生状態を容易且つ正確に特定する。そして、大型基板でも確実なチャッキングに供することを可能とする。
【解決手段】センサ部2は、搭載面1aの中央部分に設けられた第1のセンサ群11と、第1のセンサ群11を囲む第2のセンサ群12と、第2のセンサ群12を囲む第3のセンサ群13とを有する。第1のセンサ群11は、基板面の中央部分に対応して設けられた1つの静電容量センサ10aから、第2のセンサ群12は、第1のセンサ群11を同心状に囲む複数の静電容量センサ10aから、第3のセンサ群13は、第2のセンサ群12を同心状に囲み、搭載面1aの周縁の近くに設けられた複数の静電容量センサ10aを有する。 (もっと読む)


【課題】表面温度の熱均一性の低下を低減できるシャフトを提供する。
【解決手段】シャフト100は、ヒータープレートと接合する面において、導体を挿通するための複数の第1貫通孔110と、ヒータープレートとシャフト100とを機械的に固定する固定部材を挿通するための複数の第2貫通孔120とを有する。第1貫通孔110は、ヒータープレートと接合する面の中央を中心とする第1円環上に間隔を存して配置され、第2貫通孔120は、第1円環と同心の第2円環上に間隔を存して配置される。第1貫通孔110のそれぞれと、第2貫通孔120のそれぞれとは、第1円環及び第2円環の中心から前記シャフトの外側を臨んだ場合に、第1貫通孔110の中心と第2貫通孔120の中心とが直線上に並ばないように配置される。 (もっと読む)


【課題】皮膜の欠けによるパーティクルの発生を防止することができる基板処理装置用のガス導入装置を提供する。
【解決手段】プラズマを生成するために高周波電力が供給される電極板35と、電極板を冷却するクーリングプレート36と、ガスが導入される上部電極体37とがこの順序で下側から順に重畳されたガス導入装置において、クーリングプレート36として、主成分がJIS規格のA6061合金を基材に用いて、この基材を直流電源の陽極に接続し且つ有機酸を主成分とする溶液中に浸漬する陽極酸化処理によって皮膜を形成し、この皮膜に対して沸騰水中に5分〜10分間浸漬する半封孔処理を施したものを用いる。 (もっと読む)


【課題】 基板処理装置に於ける基板搬送ロボットの過熱を低減し、基板搬送ロボットの信頼性及び寿命の低下を抑制する。
【解決手段】 負圧下で基板が搬送される搬送室と、搬送室に接続され基板に加熱処理を施す処理室と、搬送室内に設けられ処理室内外へ基板を搬送する搬送ロボットと、搬送室の内壁を冷却する冷却部と、を備える。 (もっと読む)


【課題】熱伝達システムを使用して基板を処理するプラズマ処理システムおよび方法を提供する。
【解決手段】熱伝達システム118は、基板110の表面にわたる高度な処理の均一性を生成することができ、熱伝達部材114の上に支持され、熱伝達部材114と良好に熱接触する均一性ペデスタル112を備える。均一性ペデスタル112は、処理中に基板110の裏面の輪郭と合致することのできる適合基板支持面(すなわち接触面)を与えるピン配列を含む。基板110を均一に冷却するために、基板110の処理中に、均一性ペデスタル112と熱伝達部材114との間で大きな温度勾配を確立することができる。 (もっと読む)


【課題】複数の基板を搬送して処理する技術を提供する。
【解決手段】搬送室11内に複数の基板搬送ロボット21c〜24cを配置し、搬出入室12から基板を搬入し、隣接する基板搬送ロボット21c〜24c間で基板を受け渡し、各基板搬送ロボット21c〜24cにより、各板搬送ロボット21c〜24cの片側に位置する処理室21a〜24aと、反対側に位置する処理室21b〜24bに基板を搬入して真空処理し、真空処理が終了した基板も隣接する基板搬送装置の間で受け渡し、搬出入室12に戻す。設置面積は大きくならず、基板の搬送も滞らない。 (もっと読む)


【課題】トレイの表面粗さに関係なくプラズマ処理時及びその前後に基板をトレイに確実に固定することができ、しかも必要なときにはトレイから基板を容易に剥離することができるプラズマ処理方法及びプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】基板14をトレイ15上に載置し、該トレイ15を支持台13上に載置して基板14表面をプラズマにより処理するプラズマ処理方法において、シート状の基材の両面に熱剥離粘着層が設けられた熱剥離接着部材16でトレイ15と基板14を接着する。熱剥離粘着層は常温で粘着性を有するため、プラズマ処理前後はトレイ15と基板14が確実に固定され、処理後はトレイ15を所定の剥離温度以上に加熱するだけで、基板14及び熱剥離接着部材16をトレイ15から容易に取り外すことができる。また、熱剥離接着部材16の両面に同じ熱剥離粘着層を設けたため、熱剥離接着部材16はトレイ15及び基板14に対して均等な接着力で接着する。 (もっと読む)


【課題】移送モジュールが設けられた複数の工程設備の間に基板を処理するシステムが提供される。
【解決手段】基板処理システムは、複数の工程設備とバッファーステーションとを有する。各々の工程設備は、内部に搬送ロボットが設けられた移送モジュールとこれに連結される処理モジュールとを有する。バッファーステーションは、複数の隣接する移送モジュールの間に位置し、これらの間に基板を移送するために設けられる。前記複数の工程設備は、移送モジュールとバッファーステーションとが配置される方向に沿って設けられる連結ラインを基準として処理モジュールが連結ラインの第1側に位置する第1設備と連結ラインを基準として処理モジュールが前記連結ラインの第2側に位置する第2設備とを有する。第1設備に設けられる移送モジュールは、第2設備に設けられる移送モジュールに比べ連結ラインを基準として第1側に向かってさらに突出するように設けられる。 (もっと読む)


【課題】複数の処理領域において各々基板に対して真空処理を行うにあたり、装置全体のフットプリントを抑えながら、基板の移載に要する時間を短く抑えること。
【解決手段】ロードロック室2a、2b間に、上流側から下流側に向かって一列に3つの処理ユニット11及び搬送モジュール12をこの順番で気密に配列する。また、各々の処理ユニット11内に上流側からウエハWを移載するためのウエハ搬送装置24を配置すると共に、下流端の処理ユニット11からロードロック室2bにウエハWの移載を行うためのウエハ搬送装置24を搬送モジュール12内に設ける。そして、ロードロック室2aから上流端の処理ユニット11へのウエハWの移載と、下流端の処理ユニット11からロードロック室2bへのウエハWの移載と、上流側の処理ユニット11aから下流側の処理ユニット11へのウエハWの移載とを同時に行う。 (もっと読む)


【課題】搬送ロボットの待機時間を短縮できるとともに、装置の大型化が抑制または防止された基板処理装置および基板搬送方法を提供すること。
【解決手段】インデクサロボットIR1は、上下方向D1に配列された3個の基板保持部27のうち上側の2個の基板保持部27に基板Wを1枚ずつ搬入する。その後、3個の基板保持部27は、回転軸線L1まわりに180度回転する。これにより、基板Wが搬入された上側の2個の基板保持部27が下側に移動する。メイン搬送ロボットTR1は、下側に移動した2個の基板保持部27のうち上側の基板保持部27から基板Wを搬出する。その後、インデクサロボットIR1は、再び上側の2個の基板保持部27に基板Wを一枚ずつ搬入する。 (もっと読む)


【課題】
本発明の課題は、先行技術から出発して、公知の連続基盤処理装置を改良することである。
【解決手段】
この課題は、基盤を処理するための基盤処理装置であって、室壁(1)によって画成される装置室並びに、装置室の内部に少なくとも一つの基盤処理装置および、搬送方向において相前後して設けられる、基盤の縦置きまたは横置きの搬送のための搬送ローラー(3)の配置と少なくとも一つの駆動装置(6)を備える搬送装置を有している基盤処理装置において、駆動装置(6)のローター(7)が、装置室内を支配している圧力状況の中に置かれ、そしてステータ(10)が、装置室を支配している圧力状況の外に置かれることを特徴とする基盤処理装置。 (もっと読む)


【課題】真空搬送室に、基板を処理するための複数の処理室を接続した基板処理装置において、装置の大型化を抑え、フットプリントの増大を抑制する技術を提供すること。
【解決手段】真空雰囲気に維持された真空搬送室13の周囲に、基板に対して真空処理が行なわれる複数の処理室30を設ける。前記処理室30は容器本体31の上部開口を蓋体32で開閉するように構成されている。蓋体開閉機構6を、複数の処理室30の各々の蓋体32の開閉位置を通りながら前記真空搬送室13の外周に沿って移動するように設ける。前記蓋体32には被保持部5が設けられており、蓋体開閉機構6に設けられた蓋体保持機構7を前記開閉位置にて上昇させることにより、処理室30から蓋体32を持ち上げる。 (もっと読む)


【課題】基板の周縁部と中心部の温度管理・温度制御をそれぞれ独立して精密に行うことが可能な基板載置台、基板処理装置および基板処理システムを提供する。
【解決手段】基板を載置する基板載置台であって、前記基板の周縁部を載置して温度制御を行う周縁載置部材と、前記基板の中央部を載置して温度制御を行う中央載置部材と、前記周縁載置部材および前記中央載置部材を支持する支持台と、を備え、前記周縁載置部材と前記中央載置部材の間には隙間が形成され、前記周縁載置部材と前記中央載置部材は互いに非接触である、基板載置台が提供される。 (もっと読む)


【課題】各製造装置の稼働率が低下することを抑制することができると共にリードタイムが増加することを抑制することができる搬送システムおよびその制御方法を提供する。
【解決手段】複数の製造装置11〜63のうち保管庫に保管されている未処理のカセットが最も多い製造装置を特定すると共に、当該カセットの数が閾値以上であるとき、特定した製造装置を特定製造装置に決定する特定製造装置決定部と、複数の搬送台車71〜79の中からカセットを搭載していない二台の空搬送台車のうち一方を特定製造装置の回収専用台車とすると共に他方を特定製造装置の搬入専用台車として所定の待機場所に待機させる空搬送台車制御部と、回収専用台車に特定製造装置で処理された処理済のカセットを回収させると共に、搬入専用台車に保管庫に保管されている未処理のカセットを特定製造装置に搬入させる搬送命令部と、を備える搬送システムとする。 (もっと読む)


【課題】設置面積あたりの生産性が高い半導体製造装置を提供する。
【解決手段】大気搬送室の背面側に並列に連結された第一と第二のロック室と、前記第一のロック室の後方側でこれと連結された第一の搬送室と、この第一の搬送室の後方側でこれと連結された第二の搬送室と、前記第二のロック室の後方側でこれと連結された第三の搬送室と、前記第一の搬送室と第二の搬送室及び第一の搬送室と第三の搬送室との間に配置されウエハがこれらの間で受け渡される第一及び第二の中継室と、前記第一,第二または第三の搬送室に連結された複数の処理室とを備え、前記第二の搬送室に連結された処理室の数が前記第一または第三の搬送室に連結された処理室の数よりも大きく、前記第二の中継室で前記第一または第二の搬送室に連結された処理室で処理された前記ウエハのみが前記第三の搬送室に受け渡される。 (もっと読む)


【課題】 静電吸着電極の破損部位の補修を簡易かつ適切に行なうことができる補修方法を提供すること。
【解決手段】 基材41の表面を覆う被膜が形成され、該被膜は、電極層43と、該電極層43より下層の第1の絶縁層42と、電極層43より上層の第2の絶縁層44と、を含むように構成されており、電極層43に電圧を印加することにより基板を吸着保持する静電吸着電極の補修方法であって、第2の絶縁層44の表面層を全体的に所定の厚さで除去する工程と、表面層が除去された部分に絶縁材料からなる補修被膜66を溶射により形成する被膜再生工程と、を含む。 (もっと読む)


【課題】高いスループット及び工程内において温度ドリフトの少ない安定した基板温度を得ることが可能なプラズマ処理チャンバに使用するアセンブリを提供する。
【解決手段】プラズマ処理チャンバに使用する基板サポートアセンブリ440は、その部品に相当するサポートリング430と、熱源に相当するエッジリング410と、それらの間のポリマ複合材420により構成されており、ポリマ複合材420は多工程エッチングプロセスの間、部品の温度を高温又は低温に維持するために、高熱伝導率の相と低熱伝導率の相との間で相転移を示す温度誘発相変化ポリマを使用する。 (もっと読む)


【課題】 基板の状態を迅速かつ正確に判断できる基板感知方法を提供する。
【解決手段】 基板の一側に対する感知データをセンサーから受信する段階と、感知データから基板の状態を判断する段階とを含んで基板感知方法を構成する。感知データを受信する段階は、基板及びセンサーのうち何れか一つを移動し、基板の一側に向かって光信号を放出する段階と基板を経た光信号を受信する段階とを含む。そして基板の状態を判断する段階は、基板の一側に対する受信可能な基準データの個数と感知データの個数を比較し、遺失データを判断する段階を含む。 (もっと読む)


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