【課題】真空処理室に設けられる基板載置台の表面部の状態の確認や当該表面部の交換を行うことによる真空処理の停止時間を短くすると共に、前記表面部の状態を精度高く管理すること。
【解決手段】基板が搬送される常圧雰囲気の常圧搬送室と、常圧搬送室とロードロック室を介して接続される真空処理室と、前記真空処理室に設けられ、本体部と、当該本体部に対して着脱自在な表面部とを有する基板載置台と、前記ロードロック室または常圧搬送室に設けられ、前記表面部を収納するための保管部と、常圧搬送室からロードロック室を介して真空処理室へ基板を搬送し、また前記保管部と前記真空処理室の本体部との間で前記表面部を搬送するための搬送機構と、を備えるように基板処理装置を構成する。これによって真空処理室の大気開放を防ぐと共に表面部の状態の確認が容易になるので当該表面部を精度高く管理することができる。 （もっと読む）

【課題】基板を静電チャックから容易に除去することができる基板除去方法を提供する。
【解決手段】直流電圧が印加される静電電極板２２を内包する静電チャック２３及び該静電チャック２３を内蔵する接地電位のチャンバ１１を備える基板処理装置１０において、ウエハＷ及びチャンバ１１の間においてＤＣ放電４０が生じた後にウエハＷに生じる電位の絶対値が０．５ｋＶである場合、プラズマエッチング処理後、静電チャック２３のウエハＷの載置面２３ａの電位の絶対値が０．５ｋＶとなり、変化後の載置面２３ａの電位の極性とウエハＷの電位の極性とが同じになり、且つウエハＷ及びチャンバ１１の間の電位差の絶対値が０．５ｋＶ以上となるように、静電電極板２２の電位を２．５ｋＶから１．５ｋＶへ変化させてＤＣ放電４０を生じさせ、その後、ウエハＷを静電チャック２３から除去する。 （もっと読む）

【課題】基板を静電チャックから容易に除去することができる基板除去方法を提供する。
【解決手段】直流電圧が印加される静電電極板２２を内包する静電チャック２３及び該静電チャック２３を内蔵するチャンバ１１を備える基板処理装置１０において、プラズマエッチング処理中に第１の所定の電位へ維持された静電チャック２３の静電電極板２２の電位をプラズマエッチング処理後に接地電位に設定してウエハＷ及びチャンバ１１の間の電位差の絶対値を増大させ、ウエハＷ及びチャンバ１１の間においてＤＣ放電４０を生じさせ、ＤＣ放電４０が生じた後にウエハＷに生じる第２の所定の電位と同じ電位の直流電圧を静電電極板２２へ印加してウエハＷ及びチャンバ１１の間の電位差の絶対値を増大させてＤＣ放電４２を生じさせ、ウエハＷを静電チャック２３から除去する。 （もっと読む）

【課題】 真空排気系が簡素化された、しかもコストの安いマルチチャンバー型真空処理装置を提供する。
【課題を解決するための手段】 被処理物１を搬入・搬出するロードロック室３と前記ロードロック室３及び所定の処理をするプロセス室４と、該プロセス室４に隣接して、前記被処理物１を前記プロセス室４との間で搬送するセパレーション室５を備えたマルチチャンバー型真空処理装置であって、真空排気装置として、前記プロセス室４には粗排気装置だけを備え、前記セパレーション室５には高真空排気装置と粗排気装置を備えている。 （もっと読む）

【課題】ウエハの温度を精度良く制御する方法を提供する。
【解決手段】ウエハの裏面膜の種類の測定結果を取得する取得ステップと、チャンバ内に投入されるパワーと裏面膜の種類とウエハの温度とを対応付けて記憶した第１のデータベース３３０から、前記測定結果であるウエハの裏面膜の種類と、前記ウエハを処理するために投入されるパワーとに対応したウエハの温度を選択する選択ステップと、前記選択されたウエハの温度に基づき、前記ウエハの温度を調整する調整ステップと、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】占有スペースの削減、装置全体としての動作不能時間の短縮を可能にし、基板処理のスループットを向上させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を減圧雰囲気下で処理する複数の処理室が周囲に設けられており、該処理室との間で基板を搬入出する搬送機構を内部に有する複数の真空搬送室と、各真空搬送室に夫々設けられたロードロック室と、外部から供給された基板を一の前記ロードロック室へ搬送する第１大気搬送機構と、該第１大気搬送機構から基板を受け取り、受け取った該基板を他の前記ロードロック室へ搬送する第２大気搬送機構とを備え、前記第２大気搬送機構を前記一のロードロックが設けられている真空搬送室の上側又は下側に配し、前記複数の真空搬送室を、前記第２大気搬送機構による基板の搬送方向に沿って直列的に配する。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチング処理の実施中に異常が発生した場合に、基板とステージとの間に供給される冷却用ガスの圧力に起因して基板がステージ上より跳ね上がって位置ズレが生じることを防止する。
【解決手段】ドライエッチング処理の異常発生が検出された場合に、ステージおよび基板の間に供給される第１流路内の冷却用ガスの圧力と処理室内の圧力との間の差圧を減少させる処理を開始する。これにより、エッチング処理中に異常が発生した場合であっても、処理室内の圧力と第１流路内の圧力との差圧が減少されるため、差圧により基板がステージより跳ね上がって位置ズレ等が生じることを防止できる。 （もっと読む）

【課題】ウエハへの成膜に悪影響を及ぼすことを抑えることが可能なクランプリングを提供する。
【解決手段】ウエハ１００を下部電極に固定するためのクランプリング６１は、クランプリング６１におけるウエハ１００と接触しない側の表面６３には、複数の凹部６４が設けられており、クランプリング６１の内側における円周方向の凹部６４の間隔Ｘ１は、クランプリング６１の外側における円周方向の間隔Ｘ２と比べて同等である。 （もっと読む）

【課題】加熱された基板を、より均一かつ迅速に冷却する冷却方法、および真空処理装置を提供する。
【解決手段】実施形態の基板冷却方法は、減圧状態が維持可能な処理室において加熱された基板を、前記処理室から減圧状態が維持可能なロードロック室内に搬送するステップと、前記ロードロック室内に搬送された前記基板の外周を前記ロードロック室内に設けられたガイド機構に支持させるステップと、前記ガイド機構に支持された前記基板の主面に冷却体を接触させずに接近させて、前記基板の温度が前記ロードロック室内に搬送された直後の温度Ｔ_１よりも低い温度Ｔ_２になるまで前記基板を冷却するステップと、を備える。 （もっと読む）

【課題】伝熱ガスの低い圧力領域における基板の温度制御を精度良く行うことができ、温度制御範囲を拡張してプロセスマージンの拡大を図ることのできる基板温度制御方法及びプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】冷却又は加温される載置台の基板載置面に基板を載置し、基板の裏面と載置台の基板載置面との間に伝熱ガスを供給し、かつ、伝熱ガスの圧力を検出し、検出された圧力検出値と圧力設定値とを比較して、圧力検出値が圧力設定値となるように伝熱ガスの供給を制御する基板温度制御方法であって、伝熱ガスの圧力を予め定めた下限圧力値以下の低圧力値とし、基板と載置台との熱交換を抑制して基板の温度制御を行う際に、圧力設定値を、低圧力値より高くかつ下限圧力値以上の第１圧力設定値とする第１期間と、低圧力値より低い第２圧力設定値とする第２期間とを交互に繰り返す。 （もっと読む）

【課題】基板を一部はみ出させた状態で支持し、該基板の側面に接して囲むように、主面に保持部を設けたトレイが備えられた、半導体製造装置を提供する。
【解決手段】プロセス処理を行うチャンバ１０１と、チャンバ１０１内に配され、平坦な一面１０２Ｓを有する支持台１０２と、一方の主面１０３Ｓが、支持台の一面１０２Ｓに接して重なるように載置される、一枚の平板状のトレイ１０３と、を有し、トレイの他方の主面１０３Ｔに複数のウェハ状の基板１０４が載置され、基板１０４の非処理面１０４Ｂの一部が少なくともトレイの他方の主面１０３Ｔと非接触の領域Ｒ２をなすように、トレイ１０３の形状が規定され、トレイの他方の主面１０３Ｔのうち、基板の非処理面１０４Ｂが接していない領域に、基板の側面に接して囲むように基板の保持部１０５が設けられている、ことを特徴とする半導体製造装置１００。 （もっと読む）

【課題】大気開放の時間を短縮し、スループットを向上させた基板処理装置を提供する。
【解決手段】本発明の基板処理装置１は、チャンバ１１と、前記チャンバ内に配され、基板２が載置されるステージ１２と、ガス供給ライン１３ａを通じて、前記チャンバ内に所定のガスを導入するガス供給手段１３と、前記チャンバ内の圧力Ｐ_１ を検出する圧力センサ１５と、前記ガスの導入圧力Ｐ_２ を制御する制御手段１６と、を備え、前記ガス供給手段が、前記チャンバ内に所定のガスを導入圧力Ｐ_２ で導入して前記チャンバを真空状態から大気開放する際に、前記圧力センサは、チャンバ内の圧力Ｐ_１ を検出し、前記制御手段は、前記Ｐ_１ に対して、前記Ｐ_２ と前記Ｐ_１ との差が略一定となるように、前記Ｐ_２ を制御すること、を特徴とする。 （もっと読む）

【課題】スループットを低下させることなく、時間のロス無しに基板のアライメントを可能とした基板処理装置を提供する。
【解決手段】本発明の基板処理装置は、基板２を出し入れする仕込／取出室３と、前記基板に対して所定の真空処理を行う処理室と、前記仕込／取出室と前記処理室との間における前記基板の受け渡しを行う搬送室と、を備えた基板処理装置であって、前記仕込／取出室は、真空排気可能なチャンバ１１と、前記チャンバ内に配され、前記基板が載置される支持部１２と、前記支持部上に載置された前記基板の位置ずれ量を検出する測定部と、前記測定部によって検出された前記基板の位置ずれ量に応じて、前記基板の位置を修正するアライメント部と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】被処理体に対する処理効率を向上させることができる生産効率化装置を提供する。
【解決手段】被処理体を処理する複数の処理装置２との間で情報を通信する第１通信手段と、前記複数の処理装置２間で被処理体を搬送する搬送装置３２を有する搬送システム３との間で、該搬送装置３２の制御に関わる制御情報を通信する第２通信手段と、前記第１通信手段にて通信した情報に基づいて、該情報の通信先の処理装置２が処理済の被処理体に対する搬出および未処理の処理体の搬入を要する搬送時機を予測する手段と、該手段が予測した搬送時機に前記情報の通信先の処理装置２へ前記搬送装置３２が到着するように前記搬送システムへの制御情報を生成する生成手段とを生産効率化装置１に備える。 （もっと読む）

【課題】リリースエッチング後の大気暴露の問題を解決するための、例えばＭＥＭＳデバイス作製用の真空一貫基板処理装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】多角形の搬送室１１、並びに該多角形の各辺にそれぞれ接続されたリリースエッチング装置１２、ＡＬＤ装置１３及びロードロック室１８等を備えた真空一貫基板処理装置である。リリースエッチングとＡＬＤ成膜とを真空一貫で行うことにより、最終的に得られたデバイスにおける電気的特性・光学的特性が改善されると共にディスプレイの生産歩留まりが改善され得る。 （もっと読む）

【課題】冷却液の流通が仕切りによって過度に妨げられてしまうことを回避でき、基板支持台の冷却効率を向上させる。
【解決手段】基板支持台は、基板を支持する支持板と、支持板によって上端が閉塞され支持板の下方に冷却液の流路を構成する周壁と、周壁の下端を閉塞し流路の底部を構成する下蓋と、流路の上流端から冷却液を供給する冷却液供給部と、流路の下流端から冷却液を排出する排出部と、冷却液供給部と排出部との間に設けられた仕切りと、を備え、流路の底部と仕切りとの間に空隙が設けられている。 （もっと読む）

【課題】事前に真空装置の異常を検出し、歩留りを向上させる真空装置の異常検出方法及び真空装置及びプログラムを提供する。
【解決手段】まず、ステージ上に基板を載置する前に、第１排気系を、予め定められた条件であり、基板吸着部の圧力が第１圧力となるべき条件に制御するとともに、第１圧力計により基板吸着部の圧力を検知する（Ｓ１１０）。次いで、第１圧力計が検知した基板吸着部の圧力に基づき、基板吸着部の圧力が第１圧力を含むように定められた第１規定範囲から外れている場合は（Ｓ１２０のＮＯ）、異常が発生しているとして装置を停止させると判断する。一方、第１規定範囲内である場合は（Ｓ１２０のＹＥＳ）、基板を搬送可能であると判断する。 （もっと読む）

【課題】本発明の課題は、高純度アルミナからなる誘電体の内部に電極を備えたクーロン力型静電チャックで、内部電極層と高純度アルミナ層との密着性と内部電極層の導電性を、同時に満足する静電チャックを提供することである。
【解決手段】 本発明の静電チャックの製造方法は、シート状のアルミナ成形体を、内部電極層を介して積層することにより積層体を形成し、かかる積層体を焼成してなる静電チャックの製造方法において、内部電極層にＰｄ粉末にアルミナを共材として添加したものを用いて、焼成後、ＨＩＰ処理を施すことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】各種処理における処理時間を短縮しても生産性が頭打ちになる事情を抑制できる被処理体の搬送方法を提供すること。
【解決手段】第１トランスファアームを伸縮させ、処理室３２ａに収容された処理済の被処理体（ａ）を第１ピック３５ａに受け取らせる工程と、第１、第２トランスファアームを旋回させ、処理前の被処理体（１）を保持した第２ピック３５ｂを処理室３２ａ前に設定された受け渡し位置に移動させるとともに、処理済の被処理体（ａ）を保持した第１ピック３５ａをロードロック室４１ｂの前に設定された受け渡し位置に隣接する位置に移動させる工程と、第２トランスファアームを伸縮させ、第２ピック３５ｂに保持された処理前の被処理体（１）を処理室３２ａに収容する工程と、第２トランスファアームを旋回させ、被処理体を保持していない第２ピック３５ｂをロードロック室４１ｂの前に設定された受け渡し位置に移動させる工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】基板処理(ＪＯＢ)開始時に基板処理で使用される処理室に対して、予め必要と思われる前処理を一括で実施することにより、大気搬送ロボットの待機状態を解消し、基板処理(ＪＯＢ)の処理スループットの向上を図る。
【解決手段】基板を処理する処理室と、前記処理室に連接され、前記基板を搬送する搬送手段を備える搬送室と、基板を格納する基板収容器が載置される基板載置台と、前記基板収容器から最初の基板を搬出するときに、前記基板を処理する際に使用される全ての処理室を前処理するように制御する制御手段で少なくとも構成されている。 （もっと読む）