【課題】載置台に大きな熱応力が発生することを防止して破損を阻止し、更に載置台の裏面に被処理体の面内温度不均一性の原因となる不要な膜が付着することを防止することができる載置台構造を提供する。
【解決手段】被処理体を載置するための載置台構造において、載置台本体の上に被処理体を載置するための熱拡散板を支持させると共に、両者の境界部分にガス拡散室を設けてなる載置台と、加熱手段と、上端部が載置台の下面に接続されると共にガス拡散室に連通されてパージガスを流す１又は複数の支柱管６０と、載置台本体の側面と下面とを覆うようにして設けられた載置台カバー部材６３と、支柱管の周囲を囲むと共に上端部が載置台カバー部材に連結されて、ガス拡散室から載置台本体と載置台カバー部材との間の隙間に流れたパージガスを下方へ案内してガス出口１９６から排出する支柱管カバー部材６５とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の微細化に伴って半導体製造装置から発生する微細粒径異物の低減が求められており、半導体処理装置のロードロック室と大気搬送手段間の試料搬入出処理時に乾燥窒素ガスを導入することにより、ロードロック室内のガス中に残留する水分を極力排除し、減圧排気時のガスの温度変化に伴う凝縮水の発生を大幅に抑制し、凝縮水の落下による試料上の付着異物によるパターン不良を低減しつつ、試料の生産効率を向上する。
【解決手段】ロードロック室９ａと大気搬送手段間の試料搬入出処理操作に対し、乾燥窒素ガスを導入し、ロードロック室９ａ内の湿度を低減する構成とし、乾燥窒素ガスの導入時に多孔質材により構成するガス導入部材４０を試料台１４ａに対向するロードロック室蓋２１の上面に設置することにより構成する。 （もっと読む）

【課題】不測の事態によって支持ピンが折れても装置の動作停止を回避することができる支持ピンおよび当該支持ピンを備えた基板載置装置を提供する。
【解決手段】支持ピン１０は、ガラス基板を載置する基板載置台の載置面と直交する方向に基板載置台を進退可能に貫通し、載置面から上方に突出した状態で基板を支持する支持ピンであって、長手方向の中間部に設けられ、他の部分よりも径が小さいくびれ部１１と、くびれ部１１に対して長手方向の反対側に位置する二つの部分を連結する連結部材１２とを備える。 （もっと読む）

【課題】レジストが形成された基板を保持した際に、押圧部材へのレジストの付着を抑制
することができる基板ホルダーを提供する。
【解決手段】レジスト１０１が形成された基板１００が載置されるステージ１４と、ステ
ージ１４上に載置された基板１００の周縁部に先端面１５ａが当接する爪部１５を備えて
基板１００をステージ１４側に向かって押圧する押圧部材１６とを有し、爪部１５の先端
面１５ａに複数の突起部２１が設けられている構成とする。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の軽量化を図る。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、主面側に回路が形成された半導体ウエハの裏面にレーザー透過性の裏面保護テープ６７を貼着した状態で、裏面保護テープ６７越しに半導体ウエハの裏面にレーザー６９を照射することによって半導体ウエハの裏面にマーキングをし、そのマーキングの前又は後に、半導体ウエハを複数の半導体チップ１１に個片化し、マーキング及び個片化の後に、複数の半導体チップ１１を裏面保護テープ６７から剥離することとした。 （もっと読む）

【課題】基板の位置ずれを発生させることなく，基板の裏面のキズやパーティクルの発生を防止する。
【解決手段】 基板載置台１２０の表面から突没自在に設けられ，基板載置台から基板を持ち上げて脱離させる複数のリフトピン２００と，これらリフトピンを昇降させるリフタとを備え，各リフトピンは，その先端が一方向に可動するように構成し，その可動方向が，加熱された基板を各リフトピンで持ち上げたときにその基板が冷えて収縮する方向と一致する向きに配置した。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル成長前の表面処理（エッチング処理、洗浄処理、乾燥処理）において、半導体ウェハの表面パーティクル数が増大するのを効果的に抑制し、表面パーティクル数が少ない半導体ウェハを実現できる技術を提供する。
【解決手段】ウェハカセットを、当該ウェハカセットの前面を構成する前方支持体と、前方支持体に対向配置され、当該ウェハカセットの背面を構成する後方支持体と、収容される半導体ウェハを下方に案内する上溝部を有し、前方支持体と後方支持体を上部で連結する上側部フレームと、上溝部に対応して設けられ、収容される半導体ウェハを支持する下溝部を有し、前方支持体と後方支持体を下部で連結する下側部フレームとを備えた構成とする。上側部フレームと下側部フレームの間が開口し、側部周縁が開放された状態で半導体ウェハを収容可能となっている。 （もっと読む）

【課題】 プラズマ処理装置において、装置を停止することなく下部電極上の異物を除去
することにより高スループットを実現するプラズマ処理装置及び半導体装置の製造方法を
提供する。
【解決手段】 基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって、前記基板を載置す
る支持テーブルと、前記支持テーブルに設けられた下部電極と、前記下部電極と対向する
ように設けられた上部電極と、前記支持テーブル上に被処理基板を搬送する搬送アームと
を有し、前記搬送アーム裏面に電圧を印加することができることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】構成を複雑化させることなく基板の温度変化を促進することができる基板の載置台を提供する。
【解決手段】ウエハＷを載置するサセプタ１２に設けられ、且つ断面が矩形の媒体流路２６において、載置されたウエハＷから再遠方の内面である底面２６ａの全部、並びに、該底面２６ａに隣接する２つの内面である側面２６ｂ，２６ｃのそれぞれにおける略下半分が樹脂からなる低熱伝導層３５で覆われ、該低熱伝導層３５の厚さは、例えば、１ｍｍ乃至２ｍｍである。 （もっと読む）

【課題】チャンバ内を汚染することなく、且つ基板載置台に余分な孔を設けることなく、基板載置台で支持するウエハ温度を正確に測定することができる基板載置台を提供する。
【解決手段】ウエハＷを載置する載置面９０ａと、ウエハＷをリフトピン８４によって載置面９０ａから持ち上げる基板持ち上げユニット８０と、リフトピン８４内部を光路として低コヒーレンス光からなる測定光８８をウエハＷに照射し、ウエハＷの表面及び裏面からの反射光をそれぞれ受光する光照射・受光ユニット８７とを有し、光照射・受光ユニット８７は、基板持ち上げユニット８０のベースプレート８６に固定されている。 （もっと読む）

【課題】
ダイポール式のＪ−Ｒ電極を用い、安定な静電吸着の確保とプラズマ電位の上昇による異常放電の抑制が可能なプラズマ処理装置および方法を提供する。
【解決手段】
ダイポール式のＪ−Ｒ電極（内側吸着電極１５、外側吸着電極１６）を備えた静電吸着装置２を有するプラズマ処理装置において、内側吸着電極１５及び外側吸着電極１６から流れるリーク電流をリーク電流検出計３０で検出し、検出されたリーク電流の差が所定の範囲内となるように内側吸着電極１５及び外側吸着電極１６へ印加される電圧を制御部３１で制御する。 （もっと読む）

【課題】アーム部自体の温度上昇を抑制して搬送精度を高く維持することが可能な搬送機構を提供する。
【解決手段】処理容器５６内で被処理体Ｗに熱処理を施す処理装置に対して被処理体を搬出入させる搬送機構において、複数のアーム９４、９６、９８を有して屈伸及び旋回が可能になされたアーム部３６Ａ、３６Ｂと、アーム部の先端に連結されて被処理体を保持するフォーク部３８Ａ、３８Ｂと、アーム部の内で処理容器内に侵入する部分に設けた熱遮蔽板１０４とを備える。これにより、アーム部自体の温度上昇を抑制して搬送精度を高く維持する。 （もっと読む）

【課題】処理室が連結されている搬送機構部に、複数の真空ロボットが配され、複数の真空ロボット間で被処理体の受け渡しが行われる線形ツールの真空処理装置において、効率の良い搬送の制御方法を提供する。
【解決手段】複数の制御方法を備え、被処理体の処理時間から搬送ロボットが律速となるか、処理室が律速となるかを判定し、その律速する部位に応じた制御方法に切り替える手段を備えた真空処理装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】静電チャック部と温度調整用ベース部との間の絶縁破壊を防止し耐電圧性を向上させ、静電チャック部の板状試料の載置面の面内温度の均一性を向上させると共に、静電チャック部に設けられた加熱部材の耐電圧性を向上させることができる静電チャック装置を提供する。
【解決手段】本発明の静電チャック装置１は、表面を板状試料Ｗを載置する載置面とするとともに静電吸着用内部電極１３を内蔵した静電チャック部２と、この静電チャック部２を所望の温度に調整する温度調整用ベース部３とを備え、この静電チャック部２の下面にシート状の接着材４を介してヒータエレメント５が接着され、このヒータエレメント５が接着された静電チャック部２と温度調整用ベース部３とは、有機系接着剤層８及びシート状の絶縁部材７を介して接着一体化されている。 （もっと読む）

【課題】セラミックス基体中に埋設された導電体に給電するための電極部材の腐蝕をなくし、長期に使用しても信頼性の高いウェハ保持体を提供する。
【解決手段】 本発明のウェハ保持体は、セラミックス基体中に埋設された導電体に接続された導電端子と、導電端子に接続された変形能を有する電極接続導電体が、ウェハ保持体に接続された筒状セラミックス部材に包囲され、該筒状セラミックス部材の内部が非酸化性雰囲気に封止された構造である。 （もっと読む）

【課題】化学処理チャンバ及び／又は熱処理チャンバを保護するシステムを提供する。
【解決手段】内表面の少なくとも一部分上に形成された保護バリアを有する温度制御された化学処理チャンバを備え、基材上の露出表面層を非プラズマ環境の下で化学的に変化させる化学処理システムと；温度制御された熱処理チャンバを備え、化学変化された基材上の前記表面層を熱処理する熱処理システムと；前記熱処理システムおよび前記化学処理システムに接続された断熱組立体と；を備える処理システムにより上記課題が達成される。 （もっと読む）

【課題】製造されるデバイスにおける閾値のバラツキを抑制する。
【解決手段】内部が減圧排気される処理室内に処理ガスを供給し、さらに該処理室内に高周波エネルギを供給してプラズマを生成し前記処理室内の試料載置電極上に配置された試料にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、該試料載置電極は、温度調節された冷媒を通流させるための冷媒溝を備えた基材部２０２と、該基材部の試料を載置する面に同心状に複数配置されたヒータ用抵抗体２０３、および静電吸着用電極２２２，２２３を備え、前記前記同心状に配置された複数のヒータ用抵抗体のうち中央部に配置した抵抗体に加熱電力を給電する線路の対地インピーダンスを周縁部に配置した抵抗体に加熱電力を給電する線路の対地インピーダンスよりも高く設定する。 （もっと読む）

【課題】熱応力による割れを抑制することができる炭化ケイ素セラミックス、および、該炭化ケイ素セラミックスを用いた半導体プロセス用治具を提供する。
【解決手段】本発明による炭化ケイ素セラミックスは、炭化ケイ素の純度が９９．９９９９重量％以上で、かつ、密度が２．０〜３．０ｇ／ｃｍ^３である。また、本発明による半導体プロセス用治具は前記炭化ケイ素セラミックスからなる。 （もっと読む）

【課題】ロードロック装置の内容積を増やすことなく，その重量を大幅に軽量化する。
【解決手段】ロードロック装置２００は，内部圧力を減圧雰囲気と大気圧雰囲気に切り替え可能な基板収容室２０２，２０４と，基板収容室内に設けられ，収容された基板を一時的に載置するバッファ用載置台２２０と，を備え，バッファ用載置台は，１又は複数のバッファ部材２２２で構成し，バッファ部材は，その内部を中空にして気密を保持するように構成した。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハ等の被処理体を支持する際に、この裏面（下面）にスクラッチや傷等が付くことを防止することが可能な保持体機構を提供する。
【解決手段】板状の被処理体Ｗを保持するための保持体構造において、被処理体の荷重を受けるための保持体本体１０４と、保持体本体の上面に形成された複数の凹部状の支持体収容部１０６と、各支持体収容部内に収容されると共に上端が保持体本体の上面よりも上方へ突出して上端で被処理体の下面と当接して支持しつつ支持体収容部内で転動可能になされた支持体１０８とを備える。これにより、半導体ウエハ等の被処理体を支持する際に、この裏面（下面）にスクラッチや傷等が付くことを防止する。 （もっと読む）