【課題】半導体製造装置に於いて、１回に生産されるウェーハの枚数を増やし、スループットの向上を図る。
【解決手段】ホルダプレート４０を多段に保持し、ウェーハ受載部４４に被処理基板を保持したボートを縦型炉に挿入し、加熱処理する半導体製造装置であって、ホルダプレート４０は、所定の円環幅で形成された円環状であり、被処理基板を載置する側の面であって、該ホルダプレート４０における被処理基板出入れ側の反対側に、被処理基板移載用ツィザ１２の先端部が遊嵌可能な第１凹部４５が設けられ、ホルダプレート４０の被処理基板出入れ側に、ツィザ１２の基端部が遊嵌可能な第２凹部４６が設けられる。ウェーハ受載部４４の先端部は、ホルダプレート４０の内径より中心側に突出しており、円ホルダプレート４０の径方向の第1凹部４５の幅は、ホルダプレート４０の径方向の該ホルダプレートの幅より狭い。 （もっと読む）

【課題】本発明は、大気開放時に要する時間を抑制しつつ、圧力勾配の発生に基づくパーティクルの巻上げ防止を可能とする真空処理装置の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するために、給気管からのガス導入によるロードロック室の大気開放のときに、ロードロック室内の圧力が所定の第１の圧力まで上昇したときに、排気管を用いたロードロック室内の排気を開始し、第１の圧力より高い第２の圧力まで、ロードロック室内の圧力が上昇したときに、排気管を用いた排気を停止する真空処理装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】少ない設置面積で、ウェーハを含む基板の搬送及び処理を行う装置及び方法を提供する。
【解決手段】線形搬送チャンバ１２３２は、線形トラックと、線形トラックに乗っているロボットアーム１２４３等を含み、基板を線形的に、処理チャンバ１２０１等の側部に沿って搬送する。又ロードロック１２３５を介し、処理チャンバ１２０１等に到達させ、搬送チャンバ１２３２に沿って基板を制御された雰囲気の中に供給する。よって相応な経費で、且つ改良されたスループットで効率的に製造を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】基板の搬送を行うにあたり、基板にパーティクルが付着することを抑制し、基板の処理システムで製造される製品の歩留まりを向上させる。
【解決手段】基板搬送装置は、内部に基板を収容し、側面に基板の搬入出口９８が形成された基板収容容器９１と、基板収容容器内９１の基板Ｗの裏面に向けて所定のガスを噴射するガス噴射部９２と、ガス噴射部９２から供給される前記所定のガスの供給量を調整し記基板収容容器内９１の基板Ｗを所定の高さに制御する制御部９３と、を有している。 （もっと読む）

基板支持構造体（１３）が、周囲環境よりも低い圧力を有する液体のクランプ層（１１）によって創られた毛細管力によって基盤（１２）をクランプする。前記基板支持構造体は、基板を保持するための複数の基板支持要素（１７）が設けられた表面（１６）を有し、この表面は液体のクランプ層の範囲内に所定の毛細管流動を誘発するための異なる毛細管ポテンシャルを有する複数の部分（５１、５２；８３）をさらに有する。
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【課題】 対象物を雰囲気ガス環境下で熱処理する際に、対象物に損傷を生じることなく、熱処理後の対象物を短時間で冷却することが可能な技術を提供する。
【解決手段】 本発明は対象物を雰囲気ガス環境下で熱処理する熱処理装置として具現化される。その熱処理装置は、対象物と雰囲気ガスを収容する搬送容器と、搬送容器を加熱する加熱装置と、搬送容器を冷却する冷却装置を備えている。この熱処理装置では、加熱装置から冷却装置へ搬送容器を搬送する際に、搬送容器の内部に収容された対象物が搬送用の治具と接触することがない。従って、熱処理が施された直後の高温の対象物が常温の搬送用治具と接触して、対象物に熱ショックによる損傷が発生する事態を未然に防止することができる。 （もっと読む）

【課題】板状基体の搬送方向からの位置ずれの補正が可能であり、安定した高精度の搬送が可能であって、かつ静電気の発生、およびパーテイクルの発生を、低減することができる浮上搬送装置および浮上搬送方法を得る。
【解決手段】板状基体の搬送路を形成する基台１０と、前記基台１０を覆う囲い板２０と、前記基台１０に配置された複数の噴射ノズルおよび複数の吸引ノズルと、板状基体の搬送時のずれを検出する手段とで構成される浮上搬送装置１００であって、前記複数の噴射ノズルは、板状基体を前記基台１０の面に沿って浮上搬送させ、前記複数の吸引ノズルは、前記噴射ノズルの列の外側に配置されて、板状基体の搬送時のずれを検出する手段からの信号によって、前記複数の吸引ノズルのいずれかの吸引力が調整されて、前記板状基体３０の搬送のずれが補正される浮上搬送装置１００とする。 （もっと読む）

【課題】
プラズマ処理システムの加工室において基板を保持する基板ホルダーと共に使用する磁気クリップを提供する。
【解決手段】磁気クリップは、締め付け面及び磁石をそれぞれが有する第１の本体部材及び第２の本体部材を含む。第１の本体部材は、基板ホルダーと機械的に接続されるように構成される。第２の本体部材は、閉位置と開位置との間で第１の本体部材に対して移動するようにヒンジによって第１の本体部材と枢着される。閉位置では、第１の締め付け面と第２の締め付け面との間に基板の縁領域が位置決めされる。開位置では、縁領域は解放される。第２の本体部材の磁石は、第２の本体部材が閉位置にあるときに第１の本体部材の磁石を磁気的に引き付け、第１の締め付け面及び第２の締め付け面に対する基板の縁領域の移動を拘束する力を加える。 （もっと読む）

【課題】パージガスの消費量を削減可能なシリコンウエーハなどの保管対象物の保管システムを提供する。
【解決手段】保管対象物ＳＷを密封状に収納可能で且つパージ用ガスのための導入口６ａおよび排出口６ｂを備えた密封容器５と、密封容器５を載置可能な保管ユニット１ａ，３と、密封容器５にパージガスを供給するガス供給経路４ａ，４ｂとを備え、保管ユニット１ａ，３には、密封容器５の保管ユニット１ａ，３への載置に基づいて、導入口６ａをガス供給経路４ａ，４ｂと連通接続させ、パージガスの導入を開始させる自動パージ機構８が設けられており、保管ユニット１ａ，３に新たに載置された密封容器５に第１流量のパージガスを一定期間に渡って導入し、一定期間の経過後に第１流量を下回る第２流量のパージガスを導入開始する制御装置４０を有する保管システム５０とした。 （もっと読む）

【課題】均等で、かつ再現性のよい基板加熱を行う。
【解決手段】基板５０が載置される基板載置面を有する基板載置台２１と、基板載置台２１の内側を通り、基板載置面の中央に設けられた第１のガス放出口３３ａと、基板載置台２１の内側を通り、基板載置面のうち第１のガス放出口３３ａよりも外側に設けられた第２のガス放出口３３ｂとを備え、基板５０を加熱する不活性ガスが、第１のガス放出口３３ａ及び第２のガス放出口３３ｂから供給される。 （もっと読む）

【課題】発光手段と支持手段との相対回転を可能として装置の小型化を図るとともに、発光手段の光照射領域の全域における積算光量を略均一に保つことのできる光照射装置及び光照射方法を提供すること
【解決手段】光反応型の接着シートＳが貼付されたウエハＷを支持するテーブル１１の上方に、基板１３を介して直線上に発光ダイオード１６が複数固定されている。基板１３は回転可能であり、基板１３の回転中心Ｃ側に位置する発光ダイオード１６の光量は、外側に位置する発光ダイオード１６の光量よりも低く設定され、これによって発光手段の光照射領域の全域における積算光量が略均一に保たれるようになっている。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチング加工を行ったウェハにおけるデガスの影響による異物の発生を低減する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、各ウェハ１５０を略水平にして複数のウェハ１５０を上下に並べて収容するとともに、側方に設けられたドア１０４を含む収納容器１００に、ドライエッチング加工が行われた複数のウェハを順次収容する工程と、ドア１０４が開いた状態で、収納容器１００に収容すべきすべてのウェハ１５０が当該収容容器に収容されてから３０秒以上、収納容器１００内のウェハ１５０に対して水平方向からパージガスを吹き付ける工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】キャリアの開放時における基板への自然酸化膜の堆積やパーティクルの付着、基板搬送室の汚染や酸素濃度の上昇等の弊害の発生を防止する。
【解決手段】ポッド１０の収納室１０ｃからウエハ９を取り出す際に、収納室１０ｃの出し入れ口１０ｂを塞ぐ蓋体１０ａを出し入れ口１０ｂから移動させ、出し入れ口１０ｂが開かれ、ポッド１０と連設されたポッドオープナ室６１を密封した状態で、ポッドオープナ室６１へ不活性ガスを流し、収納室１０ｃに不活性ガスを供給する。空のポッド１０の収納室１０ｃにウエハ９を収納する際に、空のポッド１０の収納室１０ｃにウエハ９を収納する前に、収納室１０ｃの蓋体１０ａを出し入れ口１０ｂから移動させて、出し入れ口１０ｂを開き、ポッドオープナ室６１を密封した状態で、ポッドオープナ室６１に不活性ガスを流し、収納室１０ｃに不活性ガスが供給する。 （もっと読む）

【課題】本発明の態様は、パーティクル汚染の発生を抑制することができ、被処理物の離脱応答性が良好で、静電チャックの載置面部分に形成された被覆部の剥離耐久性が高い静電チャックおよび静電チャックの製造方法を提供する。
【解決手段】被処理物を載置する側の主面に形成された突起部と、前記突起部の周辺に形成された平面部と、を有する誘電体基板と、前記突起部と、前記平面部と、を覆うように形成された被覆部と、を備えた静電チャックであって、前記平面部の少なくとも一部には、前記被覆部が形成されていない領域が設けられていること、を特徴とする静電チャックが提供される。 （もっと読む）

本文に開示された実施の形態は、概して処理チャンバ内で基板支持体に対して実質的に平坦となるように基板を設置するための装置および方法に関する。大面積基板が基板支持体上に設置される時、基板と基板支持体の間に存在する可能性のあるガスポケットのために、基板は基板支持体に対して完全に平坦にはならないであろう。ガスポケットのため、基板上の堆積が一様で無くなる可能性がある。従って、基板と支持体の間からガスを吸引することにより、基板を支持体に対して実質的に平坦に引き寄せることができる。堆積の間、静電気が蓄積され、それによって基板が基板支持体に張り付く可能性がある。基板と基板支持体の間にガスを導入することによって、静電気力は克服され、余分な時間やガスを必要とするプラズマの支持が僅かな又は無い状態で、基板はサセプタから分離できる。
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【課題】シール性能が安定して信頼性の高いプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】その内側が減圧される真空容器５０９と、この真空容器の壁に配置されその内外を連通し処理対象の試料がやりとりされる開口１２０１と、前記壁の外側に配置され前記開口１２０１を気密に閉塞および開放する弁体１００１と、この弁体上の前記開口の周囲の前記壁と接する側に配置されこの弁体が開口１２０１を閉塞した状態で前記壁及び弁体１００１と接触して前記開口の内側を封止するシール部材１００２と、このシール部材を構成する前記壁と接触する凸状の曲面を有した第１の凸部及びこの凸部から延在し弁体１００１と係合してその内側に取り付けられる張り出し部と、弁体１００１の前記壁と接する側に取り付けられ前記張り出し部の少なくとも一部をこの弁体に押し付けて位置決めするカバー１００３とを備えた真空処理装置。 （もっと読む）

【課題】支持具に支持される基板間のピッチを縮小し、処理枚数を増大させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】熱処理装置１０は、基板７２を処理する反応炉４０と、反応炉４０内で基板７２を支持する支持具３０とを有し、支持具３９は、基板７２と接触する支持板５８と、支持板５８を支持する支持片６６とを有し、支持片６６はスケルトン構造であり、支持板５８には少なくとも一つの貫通孔８４が設けられ、支持片６６は貫通孔８４とは重ならないように構成されている。 （もっと読む）

【課題】 ＳｉＣからなるサセプタ表面に、載置されるウェーハの貼りつきを抑制するための所望の凹凸を形成することが可能なサセプタの製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明のサセプタの製造方法は、加工基板表面に凹パターンを形成し、凹パターンを埋め込むように、ＳｉＣ粉末と焼結助剤を含むＳｉＣペーストを塗布し、ＳｉＣペースト上にＳｉＣ基板を積層し、ＳｉＣペーストを焼成し、ＳｉＣ基板表面に凸部を形成する。 （もっと読む）

【課題】均等で、かつ再現性のよい基板加熱を行う。
【解決手段】基板５０が載置される基板載置面を有する基板載置台２１と、基板載置台２１にガスを送るガス導入手段２９、３０、３１、３４と、基板載置台２１内に設けられ、基板載置面に熱を伝えるヒータ２４と、基板載置台２１内に設けられ、基板載置面の温度を測定するセンサー２６と、センサー２６からの温度に基づいてヒータ２４に加える電力を調整するヒータ加熱制御手段２８とを有する。 （もっと読む）

【課題】成膜処理の後の基板が支持するサセプタにくっつかないように、基板をサセプタ上の適正な位置に載置できる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜装置１は、基板Ｗを載置するサセプタ２０を内蔵し、サセプタ２０を回転させながら基板Ｗの上に成膜処理を行う成膜室２と、成膜室２に接続する搬送室４と、搬送室４に接続する基板待機室８と、搬送室４内に設けられ、成膜室２と基板待機室８との間で基板Ｗを搬送する搬送手段１７とを備える。さらに、基板待機室８の内部にある基板Ｗの中心を第１の基準位置に位置合わせする第１の位置合わせ機構５と、基板待機室８から搬送された基板Ｗについて、基板Ｗの中心を成膜室２の内部で第２の基準位置に位置合わせする第２の位置合わせ機構６とを有し、第２の基準位置はサセプタ２０の中心と一致する。 （もっと読む）