【課題】ウェハが搭載されるターンテーブルの回転及び水平面内での移動によってもフレームの上下における気密性を維持でき、アライニング作業を真空中又は特定のガス雰囲気中で行うことができるようにする。
【解決手段】アライナ装置１０は、フレーム３の底面における貫通孔３１の周縁部に上端を密着して固定するとともに支持台４の上面における孔部４２の周縁部に下端を密着して固定したベローズ９を備えている。また、孔部４２には、磁性流体継手８が嵌入している。ターンテーブル１が配置されるフレーム３の上方は、ベローズ９と支持台４の上面とで包囲される範囲においてのみフレーム３の下方に連通し、フレーム３の下方から外気が流入することがなく、気密状態に維持される。 （もっと読む）

【目的】加熱された半導体ウェハを確実に且つ迅速に搬送させることが可能な半導体製造装置及び半導体製造方法を提供することを目的とする。
【構成】ヒータ内蔵のサセプタに保持されている処理済みの半導体ウェハを、搬送アームによって吸着して外部に搬送するにあたり、先ず、サセプタを、ウェハ待機ステージの真上の位置に移動して、このサセプタに保持されている半導体ウェハをウェハ待機ステージ上に移す。そして、ウェハ待機ステージの真上に位置しているサセプタを水平方向に移動し、所定の冷却期間経過後に、搬送アームにより、ウェハ待機ステージ上の半導体ウェハを吸着して外部に搬送する。 （もっと読む）

【課題】基板貼り合わせ装置のスループットを向上させる。
【解決手段】素子を形成された基板を貼り合わせる基板貼り合わせ装置であって、前記基板に対して処理を実行する３以上の処理部と、前記３以上の処理部の夫々に対して前記基板を搬送する搬送部とを備え、前記３以上の処理部のいずれかは、前記基板を互いに位置合わせして重ね合わせる位置合わせ装置であり、前記３以上の処理部の夫々は前記搬送部の回動中心に対する円周上に配される。 （もっと読む）

【課題】搬送室の剛性を高くすることができる搬送モジュールを提供する。
【解決手段】内部を真空にすることが可能な搬送室１４に開閉可能に蓋２２を設ける。搬送室１４内にロボット１２を搭載する。ロボット１２は、被処理体Ｗを搬送する機構の一部に中空の回転軸３６，３７を有する。ロボット１２の中空の回転軸３６，３７内には、閉じた状態の蓋２２を支える柱２８が配置される。大気圧によって蓋２２に作用する荷重を柱２８が負荷するので、蓋２２の肉厚を薄くすることができ、製造コストの削減を図れる。しかも、ロボットが被処理体Ｗを回転軸３６，３７の回りを旋回させたり、放射方向に移動させたりする際、柱２８が邪魔になることもない。 （もっと読む）

連続補給ＣＶＤシステムは、ＣＶＤ処理の際、堆積チャンバを通して、ウエハを搬送する、ウエハ搬送機構を含む。堆積チャンバは、ウエハ搬送機構によって搬送される間、ウエハを通過させるための通路を画定する。堆積チャンバは、複数の処理チャンバのそれぞれ内に別個の処理化学物質を維持する、障壁によって隔離される、複数の処理チャンバを含む。複数の処理チャンバはそれぞれ、ガス流入ポートおよびガス排出ポートと、複数のＣＶＤガス源と、を含む。複数のＣＶＤガス源のうちの少なくとも２つは、複数の処理チャンバのそれぞれのガス流入ポートに連結される。
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【課題】処理済みウエハを効率よく冷却し、高スループット化と省スペース化の相反する条件の両立を実現できる半導体製造装置及び半導体製造方法を提供する。
【解決手段】複数の基板を処理する処理室と、前記複数の基板を前記処理室へ搬入し、前記複数の基板を保持する基板保持具と、を有し、前記基板保持具は、処理後の複数の基板と、前記処理後の複数の基板の間に処理前の複数の基板とが載置される保持部を有する。 （もっと読む）

【課題】ベローズの腐食、ベローズからの発塵を抑制すると共に、被駆動部分の体積、重量を小さくした基板支持台の構造及びプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１０において、円筒状の内筒１２、ベローズ１３、外筒１４及び覆設部材１５を、順次、内側から同心円状に配置すると共に、駆動機構２４により駆動される駆動部材２１を、開口部１１ｂ及び内筒１２の内部を通って、載置台１６の裏面に取り付けた基板支持台の構造とした。 （もっと読む）

【課題】バルブに双向性を付与して取付け作業の簡素化や迅速化を図ることができ、しかも、必要に応じてガス供給ポートの数等を迅速に増やすことのできるパージバルブ及び基板収納容器を提供する。
【解決手段】容器本体の底板３の貫通孔４に嵌着されるバルブケース２１と、バルブケース２１にコイルバネ２７を介し往復動可能に挿入支持され、バルブケース２１を開閉する中空の内圧調整弁体３９と、内圧調整弁体３９内にコイルバネ４１を介し往復動可能に挿入支持され、内圧調整弁体３９を開閉する外圧調整弁体４４と、バルブケース２１と内圧調整弁体３９及び外圧調整弁体４４との間に介在されるガス濾過用のフィルタ４８とを備える。バルブケース２１の一端部から他端部方向にガスが流通する場合には、外圧調整弁体４４を往動させてその閉じた内圧調整弁体３９との間を開放し、バルブケース２１の他端部から一端部方向にガスが流通する場合には、内圧調整弁体３９を往動させてその閉じたバルブケース２１との間を開放する。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成された塗布膜を減圧雰囲気下で熱処理するにあたり、処理室内へのパージガスの供給量が少ない場合でも基板への昇華物の付着を抑制することができる熱処理装置を提供すること。
【解決手段】処理室２１の天井の中央部に、基板載置台３１と対向するように当該処理室２１にパージガスを導入するためのガス供給ノズル５１を設けて、処理室２１の底部に当該処理室２１内を減圧雰囲気とするための排気口６４ａ、６４ｂを設ける。また、処理室２１の中央部にウエハＷを水平に載置するための基板載置台３１を設けると共に、この基板載置台３１を加熱するヒータ３３を設けて、前記基板載置台３１の外縁から外方に突出し、当該基板載置台３１の周方向に沿って形成されると共に処理室２１の底面との間に空間を形成する整流部３４を設ける。 （もっと読む）

【課題】基板加工装置等の位置決めピンに支持された場合の容器本体の高さを低く抑え、容器本体を支持するのに必要な容積を低減し、容器本体を略正確に位置決めでき、しかも、バルブと所定の装置を接続して気体の漏洩を抑制できる基板収納容器を提供する。
【解決手段】半導体ウェーハ収納用の容器本体１の開口した正面を開閉する蓋体２０と、容器本体１の底板３に嵌着されてその内外のガスを置換する複数のパージバルブ３０と、底板３に配設される複数の位置決め具４０とを備え、基板加工装置に支持される基板収納容器であり、複数の位置決め具４０を、基板加工装置に接触して容器本体１をＺ方向に位置決めする複数のＺ方向位置決め具４１と、基板加工装置の位置決めピンに嵌合して容器本体１をＸＹ方向に位置決めするＸＹ方向位置決め具４３と、位置決めピンに嵌合して容器本体１をＸ方向に位置決めするＸ方向位置決め具４６とから構成する。 （もっと読む）

【課題】 装置内部からのパーティクル飛散を防止するとともに、ＣＶＤやＰＶＤなどの腐食性ガスを使用する環境においても内部に腐食性ガスが侵入することがなく、極めて長期的に安定した耐腐食性能を得ることができるプリアライナー装置を提供する。
【解決手段】 機枠２１の内部を機枠２１に設けた排気用継ぎ手３２から真空排気などにより吸引することによって陰圧化するとともに、機枠２１の外側に外被容器１１を設け、外被容器１１には気体導入用の継ぎ手１２を設けておき、気体導入用の継ぎ手１２から清浄なエアを印加して機枠２１と外被容器１１との間の空間１４に充填することで、外被容器１１の内側を外部雰囲気３に対して陽圧とする。 （もっと読む）

【課題】基板処理室のクリーニング処理を行う間も搬送装置に仕事をさせることで、搬送装置が本来有するスループットを発揮させ、基板処理装置全体のスループットを向上させることができる基板交換方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理室と、ロードロック室と、２つの搬送部材により基板を基板処理室及びロードロック室に搬入出可能な搬送装置とを備えた基板処理装置において、第１の基板処理室で処理する基板の交換を行う際、第１の基板Ｗ１を第１の搬送部材により第１の基板処理室から搬出する第１の搬出工程Ｓ１を行った後、第２の基板Ｗ３を第２の搬送部材により第１の基板処理室へ搬入する第１の搬入工程Ｓ４を行う前に、第２の基板Ｗ３を第２の搬送部材により第１のロードロック室から搬出する第２の搬出工程Ｓ２と、第１の基板Ｗ１を第１の搬送部材により第１のロードロック室へ搬入する第２の搬入工程Ｓ３とを行う。 （もっと読む）

【課題】 基板を保持するためのサセプタ、サセプタの対面、基板を加熱するためのヒータ、サセプタの中心部に設けられた原料ガス導入部、サセプタとサセプタの対面の間隙からなる反応炉等を有するIII族窒化物半導体の気相成長装置であって、大きな直径を有するサセプタに保持された、大口径、多数枚の基板の表面に、結晶成長する場合であっても、基板を１０００℃以上の温度で加熱して結晶成長する場合であっても、効率よく高品質の結晶成長が可能なIII族窒化物半導体の気相成長装置を提供する。
【解決手段】 設置される基板とサセプタの対面との距離が非常に狭く、かつサセプタの対面に冷媒を流通する構成を備えてなる気相成長装置とする。さらに、サセプタの対面に、不活性ガスを反応炉内に向かって噴出するための微多孔部、及び不活性ガスを微多孔部に供給するための構成を備えてなる気相成長装置とする。 （もっと読む）

【課題】加熱部からの熱輻射による封止部材の劣化を抑制する。
【解決手段】処理容器と、処理容器内に設けられ基板が載置される基板載置部と、基板載置部内に設けられ基板を加熱する加熱部と、処理容器に隣接する熱輻射減衰部と、ガス導入部に封止部材を介して接続され処理容器内に処理ガスを供給するガス供給管と、を備え、熱輻射減衰部は、加熱部と封止部材とを結ぶ線上に設けられている。 （もっと読む）

【課題】基板搬送空間の雰囲気が基板収容器に進入することを防止または抑制すること。
【解決手段】インデクサ空間と外部空間とは、隔壁７によって形成されている。隔壁７には、収容器載置台６に載置される基板収容器Ｃの基板出入口１０が対向する通過口８が形成されている。通過口８に対する収容器載置台６の反対側には、通過口８の全域を覆う略箱状のカバー２０が設けられている。カバー２０の対向壁２１には、基板収容器Ｃからの基板Ｗを出し入れの際にハンド１５が通過する横長の開口２８が形成されている。開口２８の高さ方向の幅は、基板収容器Ｃにおける基板Ｗの積層間隔Ｎの２倍程度の大きさに設定されている。カバー２０を支持する支持部材には、カバー２０を昇降させるためのカバー昇降駆動機構が結合されている。 （もっと読む）

【課題】被処理体のずれを抑制しつつ、静電チャック上から被処理体を離脱、しかも短時間で離脱することが可能な被処理体の離脱方法を提供すること。
【解決手段】処理室１を排気する排気機構４に伝熱ガス供給流路３を、伝熱ガス排気流路８を介して接続し、静電チャック２の表面と被処理体Ｗの裏面との間から、伝熱ガス供給流路３および伝熱ガス排気流路８を介して伝熱ガスを排気する工程と、処理室１内に不活性ガスを供給する工程と、静電チャック２の表面と被処理体Ｗの裏面との間の圧力が、処理室１内の圧力以下とされた状態で被処理体Ｗの静電吸着を解除して、被処理体Ｗを静電チャック２上から離脱させる。 （もっと読む）

【解決手段】プラズマ処理チャンバーの基板デチャックシステムは、基板のデチャック時に、電位スパイクを減少させて、基板をＥＳＣ（静電チャック）から取り外せるように構成される。 （もっと読む）

【課題】処理済みの基板に付着した付着物が大気や大気中の水分と触れて不所望な反応が生じることを防止することのできる基板処理装置を提供する。
【解決手段】 基板処理装置は、搬送室２０１と搬送口２１１を介して連通され、内部に複数の半導体ウエハＷを棚状に収容可能とされた基板収容室２１２と、搬送口２１１の部分において基板収容室２１２内と搬送室２０１内とを仕切る上下動可能なゲート２１３と、基板収容室２１２内にガスを供給するガス供給機構２１５とを具備した基板収容部２１０を有する。 （もっと読む）

【課題】処理容器内の脱気処理を十分に行って高真空にできると共に、高温に耐え得る載置台構造を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗに対して金属を含む薄膜を形成するために被処理体を載置する載置台構造３２において、内部にチャック用電極３４と加熱ヒータ３６とが埋め込まれたセラミック製の載置台３８と、載置台の周辺部の下面に接続された金属製のフランジ部１００と、フランジ部とネジ１２６により接合されると共に内部に冷媒を流すための冷媒通路４０が形成された金属製の基台部４２と、フランジ部と基台部との間に介在された金属シール部材１３０とを備える。 （もっと読む）

【課題】 多数の基板を搭載できる大型のトレイを用いた場合にも、温度調整によるトレイの反りを低減して、トレイや基板の位置ズレを防ぐことができる真空処理装置を提供する。
【解決手段】 基板を保持可能なトレイを真空容器内の所定位置に保持可能なチャックは、上下動可能なフレーム部と、フレーム部からトレイ側に向かって張り出したトレイを支持可能なアーム部と、を有して構成され、アーム部にはトレイと当接する支持部と支持部のフレーム部側に形成されたザグリ部を備えることで、トレイの反りを軽減することができる。 （もっと読む）