【課題】搬送チャンバー内にシリコン基板を搬送したときに、シリコン基板が面内温度分布に起因して反ることがない真空処理装置の提供。
【解決手段】真空雰囲気でシリコン基板２６に回路を形成する複数の処理を、それぞれ順次実行する為の複数のプロセスチャンバー２〜５と、複数のプロセスチャンバー２〜５に隣接し、シリコン基板２６をプロセスチャンバー２〜５内へ搬入しプロセスチャンバー２〜５内から搬出する搬送機構１９を有する搬送チャンバー１とを備える真空処理装置。ガスを吹き出す吹出口２２〜２５と、搬送チャンバー１内のガスを外部へ排気する排気口３１とを搬送チャンバー１内に備え、搬送機構１９がプロセスチャンバー２２〜２５から搬出し停止させたシリコン基板２６へ吹出口２２〜２５からガスを吹出させる構成である。 （もっと読む）

【課題】加熱板に基板を載置して熱処理するにあたり、加熱板の温度を速やかに降温すること。
【解決手段】加熱板８４の下方側に加熱板８４と略同じ大きさの２枚の冷却プレート８１、８２を水平に設け、下側の冷却プレート８１は断熱部材を介して加熱板８４に固定し、上側の冷却プレート８２は下側の冷却プレート８１に対して昇降できるように構成する。下側の冷却プレート８１には冷媒流路８８を設け、上側の冷却プレート８２を下側の冷却プレート８１に接触させて予め冷却しておき、加熱板８４の温度を降温させるときには、上側の冷却プレート８２を上昇させて加熱板８４に接触あるいは近接させる。また、２枚の冷却プレート８１、８２を用いずに、冷媒流路８８を備えた１枚の冷却プレートを加熱板８４に接触あるいは近接させるようにしてもよい。 （もっと読む）

【課題】フォトマスクへの塵の付着を抑制しつつ、フォトマスク表面に付着した有機化合物を除去可能なマスクケースを提供する。
【解決手段】内部空間にフォトマスクが収納されるケースである。前記フォトマスクに対向する底面に真空紫外光透過部（５）を有し、前記内部空間と連通したガス流入孔（７）およびガス流出孔（８）が設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ピックによる基板保持時に基板の異常を判定することで，異常な基板の搬送処理を続行することによる不具合を未然に防止する。
【解決手段】基板が水平方向に移動しないように規制する規制体４２０と，押圧体４４０をスライド駆動させて，ウエハＷの端部を規制体に押しつけることによって保持する押圧保持部４３０と，押圧体を駆動させるとともに，その押圧体の位置情報を出力可能な押圧体駆動部４４２とを有するピックを備え，このピックの基板保持時に押圧体をスライド駆動させてその押圧体が停止した位置を検出し，その検出位置が異常判定閾値以上にピックの先端側にある場合にはその基板は異常であると判定し，その基板の搬送処理を停止する。 （もっと読む）

【課題】処理済ウエハを搬送するときにも未処理ウエハより速度を上げて搬送可能とし，これによって従来以上に処理全体のスループットを向上させる。
【解決手段】ローダアーム機構２００のピックを基板保持可能範囲を拡大して位置ずれが発生してもウエハを保持できるようにし，トランスファアーム機構３００を搬送制御する際，そのピック上に未処理ウエハＷがあるか否かを判断し，未処理ウエハなしと判断した場合は，ピック上にウエハなしの場合のみならず，処理済ウエハありの場合についても，ピック上に未処理ウエハありと判断した場合よりも速い速度で搬送制御する。 （もっと読む）

【課題】被処理基板と支持基板の接合を効率よく行い、接合処理のスループットを向上させる。
【解決手段】接合装置７００は、被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴを受け渡すための受渡部７２０と、被処理ウェハＷ又は支持ウェハＳの表裏面を反転させる反転部７２１と、被処理ウェハＷと支持ウェハＳとを押圧して接合する接合部１０１と、被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴを搬送する搬送部７２２とを有している。反転部７２１は、支持ウェハＳ又は被処理ウェハＷを保持する保持部材と、前記保持部材に保持された支持ウェハＳ又は被処理ウェハＷを水平軸周りに回動させると共に鉛直方向及び水平方向に移動させる移動機構と、前記保持部材に保持された支持ウェハＳ又は被処理ウェハＷの水平方向の向きを調節する位置調節機構７７０と、を有している。 （もっと読む）

【課題】処理室から搬出される基板保持具から基板を搬送する搬送機構の電装部が高温になるのを抑制することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、ウエハを保持するボートと、このボートに保持されたウエハを処理する処理室と、この処理室からボートが搬出される移載室と、この移載室に設けられ、ボートに保持されたウエハを搬送するウエハ搬送機構と、を有し、ウエハ搬送機構は、ウエハを搬送するウエハ移載装置を昇降させる昇降部に動力を伝える動力部と、この動力部の電気的回路を形成する電装部と、この電装部を冷却する冷却装置と、を有する。 （もっと読む）

【課題】真空処理室において高温で処理されたウェハを微小異物や汚染が問題にならない温度に効率良く冷却できる真空処理システムを提供する。
【解決手段】複数の試料が収納されたカセットを設置したカセット台と、前記試料を搬送する大気搬送室と、前記大気搬送室から搬送された前記試料を収納し大気雰囲気もしくは真空雰囲気に切り替え可能なロック室と、前記ロックに連結された真空搬送室と、前記真空搬送室を介して搬送された前記試料を処理する真空処理室とを備える真空処理システムにおいて、少なくとも１つの前記真空処理室で処理された前記試料を第一の温度に冷却する冷却室と、前記冷却室で冷却された前記試料を第二の温度に冷却する冷却部とを備え、前記冷却部は、前記大気搬送室に配置され、前記冷却室で冷却された前記試料を前記第二の温度に冷却する冷却手段を有することを特徴とする真空処理システムである。 （もっと読む）

【課題】被処理基板と支持基板の接合を効率よく行い、接合処理のスループットを向上させる。
【解決手段】接合システム１は、接合処理ステーション３に対して、被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ又は重合ウェハＴを搬入出する搬入出ステーション２と、被処理ウェハＷと支持ウェハＳに所定の処理を行う接合処理ステーション３とを有している。接合処理ステーション３は、被処理ウェハＷに接着剤を塗布する塗布装置４０と、被処理ウェハＷを第１の温度に加熱する第１の熱処理装置４１〜４３と、被処理ウェハＷを第２の温度にさらに加熱する第２の熱処理装置４４〜４６と、支持ウェハＳの表裏面を反転させる反転装置３４〜３７と、被処理ウェハＷと支持ウェハＳを接合する接合装置３０〜３３と、各装置に対して被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ又は重合ウェハＴを搬送するためのウェハ搬送領域６０とを有する。 （もっと読む）

【課題】水素又は塩化水素を含むパージガス用いるとともに、ＳｉＣヒータを備える成膜装置において、ＳｉＣヒータの劣化を抑制することができる技術を提供することを目的とする。
【解決手段】ウエハ７０の表面にシリコン膜を成長させる成膜装置１０であって、ウエハ７０を設置可能なウエハステージ１４、１６と、ウエハステージ内に配置されており、ウエハ７０を加熱するＳｉＣヒータ４２と、ウエハ７０の被成膜面に、シリコン膜の原料ガスを供給する原料ガス供給手段６０、６２、６４と、ウエハステージ内に形成されており、ウエハの裏面と外周面の少なくとも一部に、水素または塩化水素を含むパージガスを供給するパージガス流路３２、３０、３６と、ウエハステージ内に形成されており、ＳｉＣヒータ４２に、ＳｉＣヒータ４２に対して不活性なガスを供給する不活性ガス流路４４、４８を有している。 （もっと読む）

【課題】本発明は、搬送機構の搬送先の位置調整を単純な構成で低コストにできる基板処理装置の調整方法を提供する。
【解決手段】
調整工程においては、ピン75に代えて、治具100を使用する。治具100は、取付穴72ａにはめ込むことが可能な直径６ｍｍの円筒形の胴部101と、その胴部101と同軸に形成された直径８ｍｍの円筒形の頭部102とからなる。ウエハＷがサセプタ72上に載置されるべき正しい位置から外れて載置されたときにはそのウエハＷと治具100が接触するので、オペレータはハンドＨがウエハＷを治具100に接触せずに載置できるように、ハンドＨの位置等を調整する。 （もっと読む）

【課題】試料の搬送中に試料温度の測定を可能とし、測定した試料の温度に応じて試料の搬送を制御して搬送効率の低下を抑制する。
【解決手段】搬入された試料に所定のプラズマ処理を施すプロセスモジュール１１０と、カセットに格納された試料を取り出して前記プロセスモジュールに搬入し、プロセスモジュールにおいてプラズマ処理が施された試料を前記カセットに収納する搬送モジュール１０１を備えたプラズマ処理装置において、前記搬送モジュールは、試料を静電吸着する静電吸着部および吸着した試料の温度を測定する温度測定部を具備する搬送ロボット１０８と、搬送モジュールを制御するモジュールコントローラ１１３を備え、測定した試料の温度をもとに前記静電吸着部の吸着力を推定し、推定した吸着力をもとに搬送ロボットに許容される最大加速度を計算し、計算結果にしたがって搬送制御する （もっと読む）

【課題】光透過性の高い基板を使用する場合であっても、基板の配設状態を検知可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を処理する反応室と、前記基板が載置された基板ホルダを保持すると共に基板処理中前記反応室内に配置される基板保持具１２と、前記基板が前記基板ホルダに載置された状態で該基板ホルダの搬送を行う基板移載機１１とを具備し、基板移載機１１は前記基板ホルダを保持するアーム１３と、光を投光する第１の投光部と該第１の投光部から投光された光を受光する第１の受光部を有する第１のファイバセンサとを有し、該第１のファイバセンサはアーム１３が正常に前記基板ホルダを保持している場合に、前記第１の投光部と前記第１の受光部との間に前記基板ホルダが位置する様に配置される。 （もっと読む）

【課題】枚葉移載と一括移載を切り替える際に、パーティクル発生を抑制することのできる基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数の基板が収容される基板収容器と、複数の基板が積載されるボートと、複数の基板が積載されたボートを収容し前記ボート上の複数の基板を処理する処理室と、前記基板収容器と前記ボートとの間で基板の移載を行う基板移載装置とを備え、前記基板移載装置は、１枚の基板を移載するための枚葉移載用プレートを駆動する第１の駆動部と、複数枚の基板を移載するための一括移載用プレートを駆動する第２の駆動部とを備え、１枚の基板を移載する場合は、第１の駆動部により枚葉移載用プレートを駆動し、複数枚の基板を移載する場合は、第１の駆動部と第２の駆動部により、枚葉移載用プレートと一括移載用プレートを同期して駆動するように、基板処理装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】成長条件とを駆使し、基板上への成長膜厚を均一にする方法を提供する。
【解決手段】チャンバ１２０内に、支持台１１０上に載置された基板１０１が収容され、この基板１０１上に成膜するためのガスを供給する第１の流路及びガスを排気する第２の流路が接続された気相成長装置を用い、基板上に半導体層を気相成長する際に、成膜するための反応ガス及びキャリアガスの流量と濃度、チャンバ内の真空度、基板温度及び基板を回転する回転速度を制御して、半導体層の膜厚を均一にする。 （もっと読む）

【課題】保管位置と授受位置との間で移動自在な容器保管部において、ガス供給管の劣化とパーティクルの発生を極力防止することができながら、容器内に不活性ガスを供給することができる容器保管設備を提供すること。
【解決手段】容器保管部は、保管位置及び搬送手段との間で容器を授受する授受位置とに亘って固定枠体２９に対して移動自在に設けられた容器支持体２８を備え、保管位置の容器支持体にて支持された容器に対して不活性ガスを供給するガス供給手段６０におけるガス供給管は、固定側部分及び容器支持体と一体移動自在な移動側部分を備え、授受位置から保管位置への容器支持体２８の移動により固定側部分と移動側部分とを連結し、保管位置から授受位置への容器支持体２８の移動により固定側部分と移動側部分との連結を解除して固定側部分から移動側部分を離間する連結体６３が設けられている容器保管設備。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハ収納容器洗浄後のブリージングフィルターユニット内部の水分の除去を容易にすると共に、N_２ガスパージの開始前にブリージングフィルターユニット内部、パージ装置のノズルユニット、バルブ、配管に付着している塵を事前に除去する。
【解決手段】筒状筐体４１の上方に開口された上端開口部４６にフィルター６を備える一方、前記筒状筐体４１の底部４２に、N_２ガス供給側通気開口7と残留ガス排気側通気開口８の２個の通気開口をそれぞれ開口すると共に、前記N_２ガス供給側通気開口７にブリージングフィルターユニット１の内部にN_２ガス３０が供給されるときだけ開くシャッター手段１０と、前記残留ガス排気側通気開口８に前記ブリージングフィルターユニット１内の残留ガス３１が、該通気開口より排出されるときだけ開くシャッター手段と１１を設置する。 （もっと読む）

【課題】ボートの柱部と断熱板の端との間隔の差やばらつきを抑制でき、膜厚均一性と生産性を向上させることが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数の基板が収容される基板収容器と、複数の断熱板が保管される断熱板保管部と、複数の基板と断熱板が積載されるボートと、複数の基板と断熱板が積載されたボートを収容し、前記ボート上の複数の基板を処理する処理室と前記基板収容器と前記ボートとの間で基板の移載を行い、前記断熱板保管部と前記ボートとの間で断熱板の移載を行う基板移載装置とを備えるように、基板処理装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】所定の気体雰囲気の到達濃度が高いパージ処理を短時間で行うことができ、作業効率を向上させることが可能なロードポートを提供する。
【解決手段】ＦＯＵＰ９の搬出入口９１と連通し得る開口部２１を有するフレーム２と、開口部２１を開閉可能なドア部３と、ＦＯＵＰ９の底面側からＦＯＵＰ９内の気体雰囲気を窒素ガスに置換可能なボトムパージ部５と、ドア部３によって開放した搬出入口９１に連通する開口部２１をＦＯＵＰ９の前面側から遮蔽し得るチャンバ７と、チャンバ７に設けられてドア部３によって搬出入口９１を開放した状態にあるＦＯＵＰ９の前面側からＦＯＵＰ９内の気体雰囲気を窒素ガスに置換可能なフロントパージ部６とを備えたロードポート１とした。 （もっと読む）

【課題】生産効率の向上と処理品質の向上とを両立させることが可能となる連続拡散処理装置を提供する。
【解決手段】複数枚の板状の被処理物を載せる搬送台５０と、直線状に延びる筒状の加熱炉１と、加熱炉１内に搬送台５０を順次搬入し、加熱炉１内を搬送した搬送台５０を順次搬出する搬送装置２と、加熱炉１内を通過する搬送台５０に載せた被処理物を加熱する加熱装置３と、加熱炉１内の搬入部１１から搬出部１２までの間を、搬送方向に複数のゾーンに区画している複数の隔壁部材７と、ゾーン毎に個別にガスを供給すると共に、当該ゾーン毎に個別にガスを排出するガス給排装置４とを備えている。 （もっと読む）