【課題】加熱処理を伴う被処理基板と支持基板との剥離処理の際に、被処理基板の非接合面の酸化を抑制する。
【解決手段】剥離装置３０は、加熱機構１２８を備え、且つ被処理ウェハＷを保持する第１の保持部１１０と、加熱機構１５１を備え、且つ支持ウェハＳを保持する第２の保持部１１１と、少なくとも第１の保持部１１０又は第２の保持部１１１を相対的に水平方向に移動させる移動機構１７０と、第１の保持部１１０の外周部に沿って環状に設けられ、且つ複数の孔が形成され、被処理ウェハＷを保持した第１の保持部１１０の外周部に対して不活性ガスを水平に供給するポーラスリング１３０と、を有している。第１の保持部１１０において被処理ウェハＷを保持するポーラス１２１の保持面１２１ａの径は、被処理ウェハＷの径よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】不活性ガスの使用量を大幅に削減し、冷却効率も向上させることが可能なローディングユニットを提供する。
【解決手段】基板Ｗを複数枚保持した基板保持具５６を処理容器４６に対して昇降させるローディングユニット１６において、ローディング用筐体６８と、基板保持具を昇降させる昇降エレベータ機構６６と、処理容器の開口部を閉じるシャッタ部８６と、基板の移載を行うための基板移載機構７２と、昇降エレベータ機構を囲み、この移動範囲を囲むようにして設けられた第１の区画箱９０と、第１の区画箱に連結され、基板移載機構とこの移動範囲を囲むようにして設けられた第２の区画箱９２と、第１の区画箱に連結され、シャッタ部を囲むようにして設けられた第３の区画箱９４とを備え、第１の区画箱には、第１の区画箱の内側に対して冷却ガスを噴射する冷却ガス噴射手段９６が設けられている。 （もっと読む）

【課題】ウエハ収納容器を誤って横向きに落下させてしまったような場合でも、その内部に収納されている半導体ウエハが破損し難いウエハ収納容器を提供すること。
【解決手段】複数の半導体ウエハ（Ｗ）が格納された状態のウエハ収納容器に複数の半導体ウエハ（Ｗ）の自重の３５倍の荷重が側方から半導体ウエハ（Ｗ）の面と平行方向に作用したときに、ウエハ仮置部（１０）が半導体ウエハ（Ｗ）との当接部（１２Ａ）において変位量２．５ｍｍ〜１０ｍｍの範囲で弾性変形するよう、ウエハ仮置部（１０）の弾性変形量を増大させるための弾性変形幇助部（１１Ｘ，１２Ｘ）がウエハ仮置部（１０）に形成されている。 （もっと読む）

【課題】床面側に設けた凹部内に基板保持具の下端部を収容できるようにし、実質的な高さを抑制することが可能なローディングユニットを提供する。
【解決手段】基板Ｗに熱処理を施す処理ユニットの下方に設けられて、基板が保持された基板保持具５８を処理ユニットに対してロード及びアンロードさせると共に基板保持具に対して基板の移載を行うローディングユニットにおいて、処理ユニットに連設されて全体を囲むようになされたローディング用筐体７２と、基板保持具の下部を保持する保持アーム８２を有すると共に基板保持具５８を処理ユニット内に対して昇降させる昇降エレベータ機構６８と、基板保持具に対して基板の移載を行う基板移載機構７４と、基板保持具の下方に対応するローディング用筐体の底部に設けられて、基板保持具の下端部を収容できるようにするために下方へ突出させて形成された基板保持具収容凹部９０とを備える。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチング処理の実施中に異常が発生した場合に、基板とステージとの間に供給される冷却用ガスの圧力に起因して基板がステージ上より跳ね上がって位置ズレが生じることを防止する。
【解決手段】ドライエッチング処理の異常発生が検出された場合に、ステージおよび基板の間に供給される第１流路内の冷却用ガスの圧力と処理室内の圧力との間の差圧を減少させる処理を開始する。これにより、エッチング処理中に異常が発生した場合であっても、処理室内の圧力と第１流路内の圧力との差圧が減少されるため、差圧により基板がステージより跳ね上がって位置ズレ等が生じることを防止できる。 （もっと読む）

【課題】ウエハへの成膜に悪影響を及ぼすことを抑えることが可能なクランプリングを提供する。
【解決手段】ウエハ１００を下部電極に固定するためのクランプリング６１は、クランプリング６１におけるウエハ１００と接触しない側の表面６３には、複数の凹部６４が設けられており、クランプリング６１の内側における円周方向の凹部６４の間隔Ｘ１は、クランプリング６１の外側における円周方向の間隔Ｘ２と比べて同等である。 （もっと読む）

【課題】基板をそれぞれ搭載する複数のサセプタに高周波電力を印加して、誘導加熱により当該複数のサセプタを加熱して基板を処理する基板処理装置であって、積層方向において均熱領域をより長く確保することが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数のサセプタ１５０を積層して保持するサセプタ保持部材２１７と、複数のサセプタを収容する容器２０３と、容器の外側に配置された誘導コイル２０７と、容器２０３の外側に配置された保温材３６０と、を備え、容器２０３は上側の閉塞部２７０と、側壁部２７２とを有し、保温材３６０は、容器２０３の閉塞部２７０を覆うと共に、閉塞部２７０から側壁部２７２の一部までを覆って側壁部２７２と誘導コイル２０７との間を延在して設けられている。 （もっと読む）

【課題】光エネルギを効率よく熱エネルギに変換して、基板の熱処理時のみ加熱し、処理しない時間帯の加熱を停止してエネルギの損失を抑制する熱処理装置を提供すること。
【解決手段】ウエハＷを加熱することができる波長の光を照射する複数の発光ダイオード５３を備える加熱源５０と、加熱源５０から照射された光により加熱され、その熱をウエハＷに伝達する伝熱板４０と、を備える。伝熱板４０の加熱源と対向する面に、発光ダイオード５３から照射される光の反射を抑制する反射防止層例えば凹凸面４７を形成する。 （もっと読む）

【課題】空隙に供給されたガスを被処理基板に接触させ、該被処理基板の温度を制御するプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】プラズマ処理槽１０１と、処理槽１０１内に配され、基板１０２を一面に接して載置する支持部材１０３と、処理槽１０１外に配されたガス供給手段１０４から、支持部材１０３と基板１０２との間の空隙１０３Ｄ内へ、ガスを供給する流路１０５と、を有し、空隙１０３Ｄは、空隙１０３Ｄを通してプラズマ処理槽１０１内にガスを誘導するように形成されている。 （もっと読む）

【課題】大径基板に対応した搬送系を構成する基板収容器（フープ）に、サイズダウンした基板を格納できるようにする。
【解決手段】８インチウェーハを支持し得る第１支持溝１６ｅに支持される上部板４０１および下部板４０２と、上部板４０１および下部板４０２に設けられ、２インチウェーハであるウェーハ１４（必要に応じて、ウェーハホルダ１００およびホルダ部材４０５を介して）を支持し得る第２支持溝４０４を有する各保持柱４０３ａ〜４０３ｃとを備える。８インチウェーハに対応したポッド１６に、２インチウェーハであるウェーハ１４を格納でき、搬送系であるポッド１６を共通化して半導体製造装置のコストを削減できる。各ガス供給ノズルから各ウェーハ１４までを遠ざけて、各ウェーハ１４に到達する前に反応ガスを充分に混合させることができ、各ウェーハ１４への成膜精度を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】スループットを低下させることなく、時間のロス無しに基板のアライメントを可能とした基板処理装置を提供する。
【解決手段】本発明の基板処理装置は、基板２を出し入れする仕込／取出室３と、前記基板に対して所定の真空処理を行う処理室と、前記仕込／取出室と前記処理室との間における前記基板の受け渡しを行う搬送室と、を備えた基板処理装置であって、前記仕込／取出室は、真空排気可能なチャンバ１１と、前記チャンバ内に配され、前記基板が載置される支持部１２と、前記支持部上に載置された前記基板の位置ずれ量を検出する測定部と、前記測定部によって検出された前記基板の位置ずれ量に応じて、前記基板の位置を修正するアライメント部と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 加熱処理後の基板を冷却することができ、かつ構造が簡単で安価な基板の熱処理装置を提供する。
【解決手段】 ウエハＷの熱処理が終了後、一対のウエハ移載アーム２０、２０を退避位置のままで上方位置まで上昇させると、ウエハ移載アーム２０、２０はウエハＷを支持した均熱リング１０の下面を押し上げる。その結果、ウエハＷは、熱処理炉８０内において上部炉壁８０ａに３ｍｍ以内まで近接する位置まで上昇して、低温状態の上部炉壁８０ａと対向することによる熱伝達などにより急速に冷却される。 （もっと読む）

【課題】基板の高速搬送に適した基板搬送装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、基板を保持するハンド２３Ａ，２３Ｂと、ハンド２３Ａ，２３Ｂを駆動するハンド駆動機構２０，２６，２７と、ハンド２３Ａ，２３Ｂの動作を補助するように気体を噴射する気体ノズルを有する動作補助ユニット１０Ａ，１０Ｂとを含む。動作補助ユニット１０Ａ，１０Ｂは、ハンド２３Ａ，２３Ｂに備えられており、気体噴射により生じる反力によって、ハンド２３Ａ，２３Ｂの動作を補助する。 （もっと読む）

【課題】装置稼働率を向上することができる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る基板処理装置は、基板の表面に向かってマイクロ波を供給する
マイクロ波供給部、及び、基板の表面に向かって不活性ガスを供給するガス供給部を少な
くとも備える処理室と、前記処理室において処理がなされた基板を冷却する冷却機構を備
える搬送室、及び、前記冷却機構によって冷却された基板を搬送する搬送機構を少なくと
も備える搬送室とより少なくとも構成される。 （もっと読む）

【課題】供給側と排気側の何れにも用いることができるパージ用の開閉バルブを備えた基板収納容器及びこれを用いた気体の置換方法を提供する。
【解決手段】貫通孔４２が形成された円筒状のボール開閉弁４０を、下筒１０に回転自在に軸支し、ボール開閉弁４０を収容する保持筒３０を、下筒１０に対して軸線方向に移動可能に収容し、保持筒３０の内壁に、下筒１０を軸線方向に案内する第一カム溝４４と、下筒１０の移動に伴いボール開閉弁４２を回転させる第二カム溝４５とを形成する。そして、第一カム溝４４及び第二カム溝４５の案内によりボール開閉弁４０を回転させ、通常時は、貫通孔４２が軸線方向に対して垂直な方向を向かせることで、容器内部を気密に保持し、保持筒３０に対して下筒１０が容器内部側に移動させて、貫通孔４２が軸線方向に対して平行な方向を向かせることで、容器内外を連通させる。 （もっと読む）

【課題】冷却液の流通が仕切りによって過度に妨げられてしまうことを回避でき、基板支持台の冷却効率を向上させる。
【解決手段】基板支持台は、基板を支持する支持板と、支持板によって上端が閉塞され支持板の下方に冷却液の流路を構成する周壁と、周壁の下端を閉塞し流路の底部を構成する下蓋と、流路の上流端から冷却液を供給する冷却液供給部と、流路の下流端から冷却液を排出する排出部と、冷却液供給部と排出部との間に設けられた仕切りと、を備え、流路の底部と仕切りとの間に空隙が設けられている。 （もっと読む）

【課題】基板同士の接合の良否を検査し、基板接合後の処理を円滑に行う。
【解決手段】上ウェハと下ウェハを接合する（工程Ｓ１〜Ｓ１３）。その後、上部チャックにおいて上ウェハに対する真空引きを行い、吸引管の内部の圧力に基づいて、上ウェハと下ウェハの接着の良否を判定する（工程Ｓ１４）。その後、上部チャックにおいて上ウェハに対する真空引きを行い、吸引管の内部の圧力に基づいて、上ウェハと下ウェハの接合強度の良否を判定する（工程Ｓ１５）。その後、重合ウェハの外径を測定し、当該測定結果に基づいて、上ウェハと下ウェハの接合位置の良否を判定する（工程Ｓ１６）。工程Ｓ１６では、測定結果が所定の閾値未満である場合、接合位置が正常であると判定し、測定結果が所定の閾値以上である場合、接合位置が異常であると判定する。 （もっと読む）

【課題】縦型炉内にカバーボート内の平面状の薄型半導体基板を搬入する改良型搬入装置を提供する。
【解決手段】バッチ処理用に構成される縦型炉において半導体基板を搬入する搬入装置に用いられるウエハボート組立体であって、半導体基板を保持するウエハボートと、これらの基板を実質的に取り巻くように構成されるカバーとを含むウエハボート組立体において：
ベース部と、ベース部に取り付けられる第１のカバー部分であって、少なくとも部分的にベース部上側周縁部に沿って延在する第１のカバー部分とを有する第１のウエハボート部分と；
第１のウエハボート部分に取外し可能に配設されると共に第１のカバー部分と協働するように構成される第２のカバー部分であって、少なくとも１つの加工処理対象の半導体基板を受ける受入れスロットを含む第２のカバー部分を有する第２のウエハボート部分とを具備するウエハボート組立体。 （もっと読む）

【課題】基板を搬送しつつ加熱する基板処理装置および基板処理方法において、基板の熱均一性を向上させる技術を提供する。
【解決手段】基板９を加熱処理するチャンバ４内の気流を、基板９の位置に応じて変化させる。基板９の搬入時には搬入口４１からチャンバ内に流入する気流を形成する。基板９がチャンバ４内にて加熱される際は、排気口５１ａおよび５１ｂから排出される気体の量を制御することにより、基板９の中央部から端部方向に向かう気流を形成する。これにより、基板９の前端面および後端面は、加熱プレート２により加熱された気体による熱の影響を受けにくい状態で搬送される。その結果、基板９の加熱均一性が向上する。 （もっと読む）

【課題】基板処理(ＪＯＢ)開始時に基板処理で使用される処理室に対して、予め必要と思われる前処理を一括で実施することにより、大気搬送ロボットの待機状態を解消し、基板処理(ＪＯＢ)の処理スループットの向上を図る。
【解決手段】基板を処理する処理室と、前記処理室に連接され、前記基板を搬送する搬送手段を備える搬送室と、基板を格納する基板収容器が載置される基板載置台と、前記基板収容器から最初の基板を搬出するときに、前記基板を処理する際に使用される全ての処理室を前処理するように制御する制御手段で少なくとも構成されている。 （もっと読む）