【課題】異物あるいは金属汚染の発生を抑制し、長期にわたって連続運転することのできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】所定の圧力に減圧排気される処理室と、該処理室内に配置され、試料を静電吸着して保持する静電チャックを備えた吸着装置と、該吸着装置の温度を調整する温度調整手段と、前記吸着装置と該吸着装置上に載置された試料の間に伝熱ガスを供給する伝熱ガス供給手段と、前記処理室内にプラズマを生成する手段を備え、生成されたプラズマ用いて前記吸着装置上に載置した試料にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記吸着装置２の試料載置面の外周の試料載置面より低い部分を保護するリング状の保護カバー１１８を備え、該カバーは静電チャックの吸着面の外周に設けたＶ字型の切欠き４００に間隔を空けて嵌合するＶ字型の張り出し４０１をリングの内周側に備えた。 （もっと読む）

【課題】基板に傷をつけることなく、エッチング斑の発生を効果的に防止することが可能な載置台を提供する。
【解決手段】載置台５Ａは、例えばアルミニウムやステンレス鋼（ＳＵＳ）などの導電性材料で形成された基材７と、基材７の上に設けられた絶縁膜８とを備えている。絶縁膜８の上面は、ＦＰＤ用ガラス基板Ｓを載置する基板載置面５０となっている。基板載置面５０は、表面粗さＲａが２μｍ以上６μｍ以下の粗い表面を有する粗化部５１と、この粗化部５１の周囲を囲む表面粗さＲａが２μｍ未満の平滑部５３とを有している。 （もっと読む）

【課題】被処理体の搬送中、及び搬送前後に被処理体に付着する異物粒子数を低減させた半導体製造装置を提供する。
【解決手段】真空搬送室１１０と、複数の連結された処理室と、処理室排気手段と、第１のゲートバルブ２１４と、第２のゲートバルブ２１５と、処理室の内部に配置された試料台２０８の上下駆動機構２０９を備えた半導体製造装置１００の被処理体２０７の搬送方法であって、真空搬送室１１０と処理室間で被処理体２０７を搬送する際の第１、第２のゲートバルブ２１４，２１５の開閉動作中および、搬送室・処理室の圧力変動中においては、試料台２０８の高さは試料台の上面位置が第２のゲートバルブ２１５の上面より高い位置とし、被処理体の搬送を行う半導体製造装置における被処理体の搬送方法。 （もっと読む）

【課題】真空チャンバのシール性能が改善されたリソグラフィ装置を提供する。
【解決手段】装置は、第１本体と、第１本体に対して移動可能である第２本体と、第１本体、第２本体、およびシールによって第２空間から第１空間が分離されるように第１本体と第２本体の間に配置されるシールであって、第１本体からある距離に位置するシールと、第１本体とシールの間に流体流を作り出し、第１空間と第２空間の間に非接触シールを生成して第１本体と第２本体の間の移動を可能にするように配置された流体供給源と、第１本体と第２本体の互いに対する移動の間、距離を制御するように構成されたコントローラと、を備える。 （もっと読む）

【課題】真空容器に栓開閉装置を設ける必要がなく、気体制御ポートが収納容器のどの箇所に配置されていても確実な気体置換操作を容易に且つ効率的に実施可能な気体置換装置および気体置換方法を提供する。
【解決手段】内部と外部の間の気体の移動を内外の圧力差に基づいて許す気体制御ポート３ａ，３ｂを備えた収納容器２、収納容器２を収納可能な密封式の置換操作容器７、置換操作容器７内部を減圧する減圧装置１５、置換操作容器７内部に不活性ガスを供給するガス供給装置１６を設け、減圧装置１５による置換操作容器７内部の減圧によって収納容器２内が気体制御ポート３ａを介して減圧化され、ガス供給装置１６による不活性ガス供給によって、気体制御ポート３ｂを介して収納容器２に不活性ガスが満たされる構成にした。 （もっと読む）

【課題】減圧乾燥処理の開始からパージング終了までの全処理工程時間を通してチャンバ内の雰囲気温度の変動を小さくすること。
【解決手段】この減圧乾燥ユニット１２は、被処理基板Ｇの平流し搬送を行うコロ搬送路３８Ｂをチャンバ４０内に引き込み、基板リフト機構６０によりチャンバ４０内で基板Ｇをリフトピン６２で上げ下げする。そして、チャンバ４０内の雰囲気温度の変動を低減させるために、コロ搬送路の近くで基板Ｇの下を覆うように遮蔽板１００を配置している。この遮蔽板１００は、リフトピン６２を昇降可能に貫通させるための円形の開口１００ａと、内部コロ搬送路３８Ｂのコロ４２Ｂとの干渉を避けるための矩形の開口１００ｂとを有している。 （もっと読む）

【課題】支持ピン用の貫通孔部分の温度低下を抑制し、基板の加熱処理を均一化できる熱処理装置を提供する。
【解決手段】ホットプレート７１およびサセプタ７２には、支持ピン７０用の貫通孔７７が形成され、この貫通孔７７には、円筒状のピン孔用スリーブ７８が嵌め込まれている。このピン孔用スリーブ７８は、サセプタ７２の形状に合わせて、サセプタ面に対して＋／−０．２ｍｍの範囲の高さであり、０．５〜１０ｍｍの範囲の厚さである。また、ピン孔用スリーブ７８は、貫通孔７７に対して約１ｍｍの余裕を持たせて嵌め込まれている。なお、サセプタ７２が石英の場合、石英よりも熱伝導率の高いＡＬＮやＳｉＣ等の材料を用いると、貫通孔７７に対応する部分の温度は、石英の場合より高く設定できる。その結果、支持ピン７０用の貫通孔７７部分の温度低下を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチングなど塩素系ガスを用いて基板処理を行う基板処理装置に、基板上の残留塩素除去専用のチャンバを追加することなく、効率的かつ確実に塩素除去できる基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置の処理室で塩素系のガスを用いてドライエッチングなどの基板処理を行い、続いて同一の処理室内で炭化水素を含む混合ガスのプラズマ、例えばＣ２Ｈ４とＡｒの混合ガスのプラズマにより基板上の残留塩素を除去（Ｓ４）した後、処理済の基板をロードロック室に搬送して大気開放し、取り出す。 （もっと読む）

【課題】被処理体を搬送する搬送機構の温度上昇を効率的に抑制することが可能な共通搬送装置を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗを処理する複数の処理装置２４Ａ〜２４Ｄが周辺部に連結された共通搬送装置において、真空雰囲気になされた搬送容器２８と、搬送容器内に設けられて被処理体を搬送するために屈伸及び旋回が可能になされた搬送機構４６と、搬送容器の天井部２８Ａ側と底部２８Ｂ側であって、少なくとも搬送機構に保持された被処理体が移動する軌跡の投影面に沿った領域に沿って設けられた熱反射抑制面６２、６４とを備える。これにより、被処理体を搬送する搬送機構の温度上昇を効率的に抑制する。 （もっと読む）

【課題】薄膜が支持片と接触して剥離したり、クラックが発生するのを抑制し、基板に設計通りの加工等を施すことができ、基板の汚染や製品の歩留まり低下を防止できる基板用支持体及び基板収納容器を提供する。
【解決手段】表面から裏面の周縁にかけて金属薄膜が積層された半導体ウェーハ１を挟んで対向する一対の支持枠４１と、各支持枠４１に形成されて半導体ウェーハ１の側部周縁に沿う複数の支持片４６とを備え、複数の支持片４６に半導体ウェーハ１を水平に支持させる。各支持片４６を、支持枠４１の前部に形成される前部支持片４７と、支持枠４１の後部に形成されて前部支持片４７の後方に位置する後部支持片５１に分割し、前部支持片４７と後部支持片５１に支持突部６０を形成する。各支持突部６０の表面の一部を湾曲させて半導体ウェーハ１の裏面に接触可能とし、表面の残部を半導体ウェーハ１の裏面に非接触の傾斜面とする。 （もっと読む）

【課題】パージ時間を短縮し、スループットを向上する。
【解決手段】基板９を出し入れする基板収納口及び基板収納口に着脱自在に装着されたドア１０ａを備えたキャリア１０を載置する基板授受ポートと、基板授受ポートに載置されたキャリア１０のドア１０ａを保持する可動部４０と、可動部４０に保持されたドア１０ａを可動部４０と共に移動させて基板収納口を開閉するキャリア開閉装置と、可動部４０及び基板収納口を少なくとも囲うチャンバ６０と、可動部４０に設けられ、基板収納口からキャリア１０内にガス６２を導入するガス導入部６３、６６と、を備える。 （もっと読む）

【課題】排気システムのコストを低減することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板に処理を施す処理室と、前記基板を前記処理室へ搬送する搬送装置を備えた搬送室１２と、前記搬送室に連結された減圧可能な複数の予備室１４ａ，１４ｂと、前記複数の予備室に接続された排気装置５０と、前記複数の予備室の排気をそれぞれ制御する複数の排気弁６１−６３と、前記複数の排気弁を制御する第二の制御手段８９と、前記複数の排気弁のうちの一が開状態で、他の前記排気弁を開待ちとさせるように制御する第一の制御手段８６と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】基板保持体もしくは基板保持体に保持された基板の清浄化に要する時間を短縮し、基板処理のスループットを向上させることができる基板処理装置、ガス導入装置、及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板を保持する基板保持体１０と、基板保持体にガスを導入するガス導入装置と、を備え、ガス導入装置は、ガスを清浄化しつつ放射状に放出するフィルタと、フィルタの外周に設けられフィルタから放射状に放出されたガスの流れを絞る絞り部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】基板表面を均一に処理することのできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】チャンバ１２内に設けられた基板２１が設置される下部電極２２と、前記下部電極２２の上部に形成される下部プレート３０と、前記下部プレート３０に前記基板２１を固定するためのチャッキング部２３と、前記下部プレート３０を貫通しガスを供給するためのガス供給手段２７と、を有し、前記下部プレート３０には、前記基板２１の直径よりも短い直径の凹部が形成されており、前記凹部の底部に凸状の曲面部２５が形成され、前記曲面部２５の頂点は、前記下部プレート３０の周囲の面と同じ高さまたは、前記下部プレート３０の周囲の面よりも低く形成され、前記基板２１は前記下部プレート３０の周囲の面と前記チャッキング部２３により挟み込まれて固定し、前記基板２１と前記下部プレート３０の凹部との間に前記ガス供給手段２７によりガスを供給する。 （もっと読む）

【課題】大型基板インデックス型ロードロック群を有する装置に匹敵する基板スループットを達成可能で且つ相当に低コストの基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置５０において、複数の基板支持シェルフ有する第１の基板保持位置を有するロードロック５８に対して基板を搬入及び搬出する方法であって、非インデックス型ロードロックであるロードロック５８が有する前記第１の基板保持位置内の第１の基板支持シェルフから未処理基板を除去するステップと、前記未処理基板が、前記基板保持位置の前記基板支持シェルフの垂直方向運動無しに前記第１の基板支持シェルフから除去された後かつ他のいずれかの既処理または未処理基板が、ロードロック５８が有する前記第１の基板保持位置の他の基板支持シェルフに挿入もしくはそこから除去される前に既処理の基板を前記第１の基板支持シェルフに挿入する挿入ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】シール材および窒素ガスの使用の増加を防止しつつ、外気の侵入を防止することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】ウエハ１が待機する待機室１２を形成した筐体１１と、待機室１２内に形成されて窒素ガス３０が循環する循環路３１と、循環路３１の途中に設けられて窒素ガス３０を循環させる送風機４３を有するクリーンユニット４１とを備えた熱処理装置１０において、筐体１１内の送風機４３の吸込側空間５５に隔離室５１を形成する仕切板５０を設け、隔離室５１を排気する排気ダクト５２を設ける。窒素ガスが循環路を循環する際に、筐体の隙間から酸素を含む外気が送風機の吸込側空間に侵入する現象を防止する。 （もっと読む）

【課題】リードタイムを短縮しスループットを高める。
【解決手段】基板処理装置は、複数枚の基板を収納し開閉自在なキャップを有する基板収納容器に対して基板を出し入れする、垂直方向に複数設置された基板ローディングポートと、複数の基板ローディングポートに載置された基板収納容器のキャップを保持するクロージャ４０がそれぞれ設けられ、基板ローディングポートに載置された基板収納容器のキャップを開閉する際にクロージャによりキャップを保持しつつ、キャップを水平方向に個別に移動させる、基板ローディングポートそれぞれに設けられた開閉装置２０と、が構成されている。 （もっと読む）

【課題】光学素子の両面へ同時に膜厚分布の均一性に優れた薄膜を形成する。
【解決手段】対向する一対のターゲット間の成膜空間に、光学素子１２を保持する保持手段４が配置される。保持手段４は、光学素子１２を保持するパレット１１と、パレット１１を保持するキャリア５と、キャリア５の外周部５ａのみを保持して回転駆動力を伝達するベース６と、を有する。駆動ギア８によってキャリア５を回転させて各パレット１１を公転させると同時に、各パレット１１の外周部１１ａをベース６の内周部６ａに接触させることによって、パレット１１を自転させる。このようにしてパレット１１を自公転させながら、光学素子１２の両面に同時にスパッタリング成膜を行なう。 （もっと読む）

【課題】吸湿性や水分透過性を低減し、基板の有機汚染を抑制することのできる安価な基板収納容器を提供する。
【解決手段】複数枚の半導体ウェーハを整列収納するフロントオープンボックスタイプの容器本体１と、この容器本体１の開口した正面６にシール用のガスケットを介し着脱自在に嵌合される蓋体２０とを備え、これら容器本体１と蓋体２０とを、吸水率が０．１％以下、８０℃で２４時間加熱してダイナミックヘッドスペース法により測定した総アウトガス量が１５ｐｐｍ以下の合成樹脂を含有する成形材料でそれぞれ射出成形する。成形材料の合成樹脂を、シクロオレフィンポリマー、液晶ポリマー、ポリエーテルエーテルケトン、ポリブチレンテレフタレート、若しくはポリエチレンテレフタレートから選択された少なくとも一種、又はこれらのアロイ樹脂とする。 （もっと読む）

【課題】基板表面の不純物による汚染を防止するために基板の搬送環境を整える。
【解決手段】基板を予備室１から搬送室３を介して処理室２に搬送する工程と、処理室内で基板を処理する工程と、処理済基板を処理室２から搬送室３を介して予備室１に搬送する工程とを有し、基板を搬送する各工程では、基板の存在する室に連通する室の全てに対して、不活性ガスを供給しつつそれぞれの室に接続された排気系の全てより真空ポンプを用いて排気する。 （もっと読む）