【課題】載置台に大きな熱応力が発生することを防止して、この載置台自体が破損することを防止することができると共に、腐食防止用のパージガスの供給量を抑制することができる載置台構造を提供する。
【解決手段】排気可能になされた処理容器２２内に設けられて処理すべき被処理体Ｗを載置するための載置台構造において、被処理体を載置するために少なくとも加熱手段６４が設けられた誘電体よりなる載置台５８と、処理容器の底部側より起立させて設けられると共に、上端部が載置台の下面に接合されて載置台を支持する誘電体よりなる複数の保護支柱管６０と、保護支柱管内に挿通されて上端が載置台に届くように設けられた機能棒体６２とを備える。 （もっと読む）

【課題】 基板載置台への基板の異常載置状態を早期に発見できる方法を提供する。
【解決手段】 基板処理装置においてヒーターを有する基板載置台に基板を載置して加熱しながら処理を行う際に、１枚の基板を処理する間の全体もしくは一部分の時間において、ヒーターへの供給電力、供給電流もしくは供給電圧または基板載置台の計測温度について、最大値および最小値もしくは積算値を算出し、検出された最大値および最小値もしくは積算値をもとに基板の異常載置状態を検知する。 （もっと読む）

【課題】高スループット化と省フットプリント化の相反する条件の両立を実現し、ウエハのレジスト剥離均一性を確保することができる。
【解決手段】基板を処理する処理室と、前記処理室に内包された基板載置台４１と、前記基板載置台４１上で基板を一時待機させることが可能な基板搬送部材４０と、前記基板載置台４１を囲むように設けられた排気孔４９aと、前記排気孔４９aと前記基板載置台４１の上端部を結んだ線と、前記基板載置台４１との間に、前記基板搬送部材４０を退避させる退避空間４２と、を有する。 （もっと読む）

【課題】移載領域側と搬入領域側の差圧に対する耐性を向上させ、隔壁の開口部における収納容器の位置ずれを抑制することである。
【解決手段】複数の被処理基板Ｗが収納され、上部にフランジ部１４が設けられ、前面の取出し口１１に蓋１２が着脱可能に取付けられた収納容器３を搬入する搬入領域Ｓ１と、該搬入領域Ｓ１とは異なる雰囲気に維持された移載領域Ｓ２と、搬入領域Ｓ１と移載領域Ｓ２を区画する隔壁５と、隔壁５に形成された開口部２５と、開口部２５を開閉する扉２７と、収納容器３を搬入領域Ｓ１側に配置する載置部７とを備え、収納容器３を載置部７に載置して保持した後開口部２５に当接させ、扉２７及び蓋１２を開いて収納容器３内の被処理基板Ｗを移載領域Ｓ２側に搬送して処理する処理装置１において、開口部２５に当接された収納容器３のフランジ部１４を開口部２５側に押圧する押圧機構３９を設ける。 （もっと読む）

【課題】複数枚の基板のうち最初の基板の処理を開始してから最後の基板の処理を完了する迄の残時間の把握を容易にする。
【解決手段】複数枚の基板のうち最初の基板について処理を開始してから、複数枚の基板のうち最後の基板について処理を完了する迄の残時間を算出する算出手段と、算出手段により算出された残時間を表示する表示手段と、を備え、基板の搬送完了、前室内の大気圧復帰完了、前室内の減圧完了、及び処理室内での基板の処理完了のうちいずれかを検知したら、残時間を前記算出手段により再算出させて表示手段に表示させる。 （もっと読む）

【課題】生産性を向上させた真空処理装置を提供する。
【解決手段】減圧された内部のプラズマを用いて試料が処理される複数の真空処理容器と、真空処理容器がその周囲に連結されその内部が減圧されて前記試料が搬送される搬送室と、該搬送室と連通され真空側と大気側とで前記試料がやりとりされる複数のロック室と、前記搬送室内に配置され前記ロック室と前記複数の真空処理容器内の処理室との間で前記試料を搬送する真空搬送手段と、前記ロック室の大気側で内部に大気圧下で前記試料を搬送する空間を有した大気搬送容器と、該大気搬送容器内の空間に配置されカセットから前記試料を搬送する大気搬送手段と、複数の前記試料を定められた滞留時間を含み前記カセットから搬出し前記処理室で処理された後該カセットに戻すまでの複数の動作の予定情報に基づいて前記動作を調節する制御装置とを備えた真空処理装置。 （もっと読む）

【課題】基板へのパーティクルの付着を効果的に防止した、優れた性能の絶縁膜エッチング装置を提供する。
【解決手段】プロセスチャンバー１内の基板ホルダー２上に基板９が保持され、エッチング用ガスがガス導入系３により導入される。プラズマ形成手段４に手段によりプラズマが形成され、プラズマ中の活性種やイオンの作用により基板９の表面の絶縁膜のエッチングが行われる。制御部８は、エッチング終了後、クリーニング用ガスをガス導入系３により導入し、プラズマ形成用手段４によりプラズマを形成して、プロセスチャンバー１内の露出面に堆積した膜をプラズマの作用により除去する。基板保持面より下方に設けられた冷却トラップ１２は、強制冷却され、堆積作用のあるガス分子を捕集して多くの膜を堆積させる。冷却トラップ１２は交換可能である。 （もっと読む）

【課題】急激な圧力変動に伴うガス流量制御器の制御異常を解決し、大流量のＮ2ガス等によりウェーハを冷却することでスループットの向上を図る。
【解決手段】基板を処理する処理室５４と、該処理室に隣設された予備室３６と、該予備室にガスを供給するガス供給ライン４１と、該ガス供給ラインに設けられ、設定圧力値に基づき前記予備室に流すガスの圧力を調整する減圧弁７９と、前記ガス供給ラインに於ける前記減圧弁と前記予備室との間に設けられ、前記予備室に流すガスの流量を調整するガス流量調整弁５８と、前記ガス供給ラインからガスを前記予備室に供給する際に、前記減圧弁の設定圧力を可変させる制御部８２とを有する。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で、不活性ガスの消費量を少なくして短時間にガス置換ができ、小型化を実現した連続低酸素雰囲気処理室を提供する。
【解決手段】ガス置換室３は、被処理物１１を搬入及び搬出するためのドア４と、処理室２に連通する開口部１０とを備え、大気に開放されたベントライン５０と、不活性ガスを供給するガス供給管２０と、ガスを排気する排気管３０とを接続し、処理室２は、ガス置換室３と処理室２との間で被処理物１１を移送する移送手段６とを備え、ガス供給管２５と、排気管４０とを接続し、さらに、処理室２とガス置換室３とを連通させる開口部１０を開閉するシャッター５とを備えたことを特徴とする。. （もっと読む）

【課題】フラッシュ加熱終了後に基板を割ることなくチャンバーから搬出することができる熱処理装置を提供する。
【解決手段】フラッシュ加熱後の半導体ウェハーをチャンバーから受け取る搬送アーム１５１ｂは石英にて形成されている。搬送アーム１５１ｂの先端には、円弧状の切り欠き部分の内側から内方に突き出るように３箇所の支持部１５５が設けられている。３箇所の支持部１５５のそれぞれは半導体ウェハーの端縁部を点接触にて支持するため、その接触面積は非常に小さい。従って、常温の搬送アーム１５１ｂによって処理後の高温の半導体ウェハーを受け取るときにも、半導体ウェハーの周縁部全体が急激に温度低下することは防がれ、半導体ウェハーに与える熱的衝撃を緩和することができる。その結果、フラッシュ加熱終了後に半導体ウェハーを割ることなくチャンバーから搬出することができる。 （もっと読む）

【課題】被処理基板の搬送枚数が多い場合でも生産性を高めることが可能な構造を提供する。
【解決手段】所定の移動経路５５に沿って移動し複数の被処理基板１２を収容可能な第１カセット５４を搬送する搬送チャンバ５０と、搬送チャンバ５０の移動経路５５の周囲に配置され被処理基板１２に処理を行う複数の処理チャンバ１６と、処理チャンバ１６と搬送チャンバ５０との間に配置され複数の被処理基板１２を収容可能な第２カセット４３を有するバッファチャンバ４２と、バッファチャンバ４２と搬送チャンバ５０との間に第１カセット５４を仮置き可能なカセット載置部４７と、を備え、搬送チャンバ５０からカセット載置部４７に仮置きされた第１カセット５４とバッファチャンバ４２に配置された第２カセット４３との間に設けられた基板送受ロボット４４により１枚ずつ被処理基板１２が受け渡される場合に、内部雰囲気が不活性ガスまたは真空雰囲気とされる。 （もっと読む）

【課題】真空チャンバ間のゲートバルブを開放するときの衝撃波を抑えると共に真空チャンバ内にガスが供給されるときの粘性力によるパーティクルの剥がれを抑え、これにより基板に対するパーティクル汚染を抑えること。
【解決手段】例えば一方の真空チャンバが基板に対して真空処理を行うための基板処理室、他方が基板搬送装置を備えた搬送室であるとするとゲートバルブを開く前に両方のチャンバ内の圧力が６６．５Ｐａよりも低くかつ圧力検出値の高い方が低い方の２倍よりも小さいことを条件にゲート弁を開くようにする。この場合、基板処理室内に圧力調整用のパージガスを供給する前に圧力調整用のパージガスの流量よりも大きな流量でパーティクル剥離用のパージガスを供給することが好ましい。また両方のチャンバ内のいずれもが９．９８Ｐａよりも低いことを条件にゲートを開くことも有効である。 （もっと読む）

【課題】真空プラズマ・プロセッサ中で、工作物を静電的にチャッキングおよびデチャッキングするための確実な方法、および装置を提供する。
【解決手段】真空プラズマ加工チャンバ１０中で加工されるガラス工作物３２が、工作物を締め付けるために十分に高い電圧を維持しながら加工中にチャッキング電圧を徐々に下げることによってモノポーラ静電チャック３０からデチャッキングされる。加工中のチャッキング電圧は、チャッキング力および流量をほぼ一定に維持するために、チャックに流れる伝熱流体の流量に応答して制御される。又加工の終了時にチャックに印加される逆極性電圧が、デチャッキングを援助する。 （もっと読む）

【課題】静電チャックによりステージに吸着されたウエハとステージとの擦れによる発塵を抑制して、半導体装置の製造歩留まりを向上させることのできる技術を提供する。
【解決手段】静電チャック機能を有するステージの上面にウエハを載せて、５０℃以上のウエハを５０℃よりも低い温度に冷却する際、ステージに備わる内部電極に印加する電圧を段階的に上げていき、ウエハの裏面とステージの上面との接触面積を徐々に増やし、最後に内部電極にチャック電圧を印加してステージの上面にウエハの裏全面を均一に吸着させることにより、ウエハの裏面とステージの上面との擦れによるステージの上面に生じる傷を減少させる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造歩留まりを向上させる。
【解決手段】
半導体基板１の主面にゲート絶縁膜用の絶縁膜を形成する。それから、プラズマ処理装置５１の処理室５１ａ内で、半導体基板１の主面のゲート絶縁膜用の絶縁膜をプラズマ窒化する。その後、プラズマ処理装置５１から半導体基板１をフープ３１内に移送し、フープ３１をベイステーションＢＳに移動させてそこで待機させて半導体基板１を保管する。ベイステーションＢＳに待機している間、半導体基板１を保管しているフープ３１内に、フープ３１に設けられた第１の呼吸口から窒素ガスを供給し、フープ３１に設けられた第２の呼吸口からフープ３１内の窒素ガスを排出する。その後、フープ３１を熱処理装置５２に移動させて、半導体基板１を熱処理装置５２の処理室内に搬入して熱処理する。 （もっと読む）

【課題】基板表面の高湿酸素雰囲気の曝露時間を短縮化することができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】インデクサ部内には、Ｎ_２ガスチャンバ１２が複数個配置されている。Ｎ_２ガスチャンバ１２は、天板１３に固定された対向部材１６と、対向部材１６に対して基板Ｗを昇降させるための複数本のリフトピン１７とを備えている。対向部材１６の基板対向面２０には、１つの中央部吐出口２１および複数個の周縁部吐出口２２が設けられている。各吐出口２１，２２から吐出されるＮ_２ガスが、基板Ｗの表面と基板対向面２０との間に供給される。
【効果】基板Ｗの表面と基板対向面２０との間がＮ_２ガスで充満される。インデクサ部内の高湿酸素雰囲気から基板Ｗの表面を遮断することができる。 （もっと読む）

【課題】２つの部屋を連通する際に一方の部屋の雰囲気を他方の部屋へ流入させることなく両部屋の差圧をゼロにすることが可能な圧力調整装置を提供する。
【解決手段】開閉可能になされた開閉ドアＧ１〜Ｇ８を介して連通された、圧力差が生ずることのある第１の部屋と第２の部屋の圧力調整装置において、第１の部屋と第２の部屋とを連通する連通路６６と、連通路の途中に介設された第１及び第２の開閉弁６８，７０と、連通路の第１及び第２の開閉弁との間に接続されて、連通路に所定の圧力の清浄ガスを供給するガス供給通路７２と、ガス供給通路の途中に介設されたガス開閉弁７４と、開閉ドアを開く直前に、第１及び第２の開閉弁を閉じた状態で連通路内に清浄ガスを貯め込み、次に、貯め込んだ清浄ガスを第１及び第２の部屋へ供給するために第１及び第２の開閉弁を開くように制御する弁制御部７６とを備えるように構成する。 （もっと読む）

【課題】 ローディングされたポッドを固定する際に、固定力によるポッドの変形を防止可能なFIMSシステムを提供する。
【解決手段】 FIMSシステムにポッドを固定するポッド固定システムよりポッドに作用する固定力に対し、当該固定力に起因するポッドの変形に対してFIMSシステムに埋設される位置決めピンが当該変形を抑制する抗力を発生可能となるように固定力の作用線を配置する。 （もっと読む）

【課題】搬送トラブルのおそれを防止することのできる基板搬送装置を提供すること。
【解決手段】基板搬送装置Ｄのガイドプレート７には、複数の浮上用ガス噴出孔８，……，８が形成されている。すなわち、ガイドプレート７の上面には、搬送方向に直交する方向へ１列に８個、搬送方向に平行な方向へ１６列に配置された合計１２８個の円形ガス噴出孔８，……，８が形成されている。被処理物搬出室２におけるガイドプレート７には１枚の板状トレー５が載置されている。トレー５は、搬送方向に対して平行にされる両側縁がある長方形本体部５ａと、この本体部５ａにおける両側縁のそれぞれから部分的に外側へ張り出すように設けられて、トレー５が搬送用アーム２４によって搬送される際に搬送用アーム２４が当接状に係合／係合解除する合計６つの張出部５ｂ，５ｂ，５ｃ，５ｃ，５ｄ，５ｄとを有している。 （もっと読む）

【課題】半導体製造ラインにおいて、ウエハ加工後にウエハ表面にケミカルガスまたは水分が付着し、ウエハ面上のパターンが破壊されるのを防ぐために、ウエハを収納したＦＯＵＰ内にＮ２ガスを充填し、ＦＯＵＰ保管棚に保管している間、ＦＯＵＰのブレスフィルターからのＮ２ガスの漏洩を防ぎ、内部のウエハの品質を守る半導体ウエハ収納容器用保管棚を提供する。
【解決手段】ＦＯＵＰ保管棚内のＦＯＵＰ設置棚２の上面に、ＦＯＵＰの吸排気口６と合致する位置に突起状栓を設け、ＦＯＵＰ設置棚２にＦＯＵＰが設置・保管されると、ＦＯＵＰの吸排気口６とＦＯＵＰ設置棚２の上面の突起状栓が嵌合し、ＦＯＵＰの吸排気口６がシールされ、ＦＯＵＰの自重によりシール性が強められる構造の、ＦＯＵＰ設置棚２の上面に突起状栓を備えたＦＯＵＰ用保管棚である。前記突起状栓を、円錐形栓３４、バネ付き円錐形栓にすると、シール性をさらに強めることができる。 （もっと読む）