【課題】基板を基板保持具に搭載して縦型熱処理炉に搬入し、熱処理を行う熱処理装置において、縦型熱処理炉からアンロードされた基板保持具に搭載された基板を速やかに降温させること。
【解決手段】前面から、当該前面に対向する後面の気流形成用の排気口６３ａに向って横方向の気流が形成されたローディングエリアＳ２内にて、熱処理炉２の下方側のアンロード位置におけるウエハボート３Ａと前記排気口６３ａとの間に、アンロードにより高温に加熱された雰囲気を吸引排気するための熱排気用の排気口７１が形成された排気ダクト７Ｂ，７Ｃを設ける。アンロードされた高温状態のウエハボート３Ａ近傍の雰囲気は排気ダクト７Ｂ，７Ｃから排気されるので、上方側への熱拡散が抑えられ、横方向の気流がウエハボート３Ａ及びウエハ群に供給されて、熱処理後のウエハを速やかに降温させることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体製造ラインにおいて、ＦＯＵＰ内へＮ２ガスを供給して、Ｎ２ガスパージを十分に行うことができ、且つパージ時間も短くすることができるノズルユニットを提供する。
【解決手段】上部にブリージングフィルターユニットの通気開口に密着するノズル先端部３６、下部に半球面シール部３７を備えると共に、上部と下部をガス通路３８が貫通した構造のノズル３５と、上部に前記ノズル３５の半球面シール部３７を受けて保持するための凹型半球面シール部４３を備え、且つ中心にガス通路４５を備えたノズル受け４２、更に、前記ノズル３５の可動性を維持したまま、該ノズル３５をノズル受け４２に保持すべく、ノズル３５とノズル受け４２にＯリング溝４６および保持用Ｏリング４７をそれぞれ設けてＮ２ガスパージ装置におけるノズルユニットを形成する。 （もっと読む）

【課題】加熱処理を伴う被処理基板と支持基板との剥離処理の際に、基板の接合面で急激に酸化が進行することを効率的に抑制する。
【解決手段】剥離装置３０は、被処理ウェハＷを保持する第１の保持部１１０と、
支持ウェハＳを保持する第２の保持部１１１と、第１の保持部１１０又は第２の保持部１１１を相対的に水平方向に移動させる移動機構１５０と、移動機構１５０により水平方向に移動させることで露出した被処理ウェハＷの接合面Ｗ_Ｊに不活性ガスを供給する不活性ガス供給機構１７０と、を有している。不活性ガス供給機構１７０は、複数の孔が形成された平板形状の多孔質部１７１と、多孔質部１７１に接続され、当該多孔質部１７１に不活性ガスを供給するガス供給管１７２を有し、多孔質部１７１は、被処理ウェハＷの接合面Ｗ_Ｊから鉛直方向に所定の距離離間して設けられている。 （もっと読む）

【課題】リングボートでウエハの飛び出しとリング状プレートの飛び出しとを検出することができる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板１２及び基板支持部７０の基板支持体の既定位置からの飛び出しをそれぞれ検出する飛び出し検出手段は、第１の飛び出し検出センサ９２と、第２の飛び出し検出センサ９４と、第１の飛び出し検出センサ９２及び第２の飛び出し検出センサ９４を支持する飛び出し検出センサ支持部と、前記飛び出し検出センサ支持部を基板１２又は基板支持部７０の載置方向に移動する移動手段とを有し、第２の飛び出し検出センサ９４は、第１の飛び出し検出センサ９２よりも前記基板支持体から離れ、かつ、第１の飛び出し検出センサ９２が設けられた位置における飛出し検出センサ支持部の移動方向の前面より前側の位置に設けられている。 （もっと読む）

【課題】プラズマエッチング装置において、シリコンウエハに比べて厚いサファイア基板を下部電極などのウエハステージ上に、下部電極のウエハ載置面との間隙をサファイア基板の処理中の温度が均一になるようにして保持することを可能とする。
【解決手段】ウエハに対する処理を行うためのチャンバーのステージ上にウエハーを載置してウエハの処理を行うプラズマエッチング装置において、該ウエハーＷａを、該ウエハが該ステージとしての下部電極１２０ａ上に固定されるよう保持するウエハ保持部としてのクランプ部１１０と、該下部電極上に固定されたウエハーＷａの温度が均一に保持されるよう、該ウエハとの間で熱交換を行う熱交換部とを備え、該下部電極は、そのウエハ載置面の形状をサファイアウエハの反り特性に合わせた形状となるよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】真空処理室において高温で処理された後に搬送されるウェハを微小異物や汚染が問題にならない温度に効率良く冷却できる真空処理装置を提供する。
【解決手段】試料を収納するカセットが設置されるカセット台と、大気搬送室と、該大気搬送室から搬送された試料を収納し大気圧雰囲気もしくは真空に切り替え可能なロードロック室と、該ロードロック室に連結された真空搬送室と、真空搬送された試料を処理する真空処理室と、を備える真空処理装置において、前記大気搬送室内に配置され、前記真空処理室で処理された後の高温の試料８を冷却する冷却部を備え、該冷却部は、試料８を載置し冷却液１７の流路が設けられた試料台１５と、試料８の搬入口側に配置され試料台１５に向かって冷却用ガス１０を吹き付けるガス吹き付け管１１と、試料台１５を境に前記搬入口の反対側に配置され、吹き付けられた冷却用ガス１０を排気する排気口１２と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】スループットの向上及び低コスト化を図ることができるロードチャンバを提供する。
【解決手段】サブチャンバ４２を有するロードチャンバＬＬ１は、サブチャンバ４２内を上下方向に移動し、基板カセット５Ｌが載置される基板カセットベース４７が上昇位置にあるときには基板カセットベース４７を隔壁としてサブチャンバ４２内の上部に気密な空間を形成でき、基板カセットベース４７が下降位置にあるときには基板カセット５Ｌから搬送装置に基板を移載できる。サブチャンバ４２内に補充された基板を搬送装置側に排出するためのＧＶを必要としないため部品点数を削減できるとともに、基板カセット５Ｌへの基板１３の補充のときに排気とベントが必要な空間が限定されるためスループットを向上できる。 （もっと読む）

【課題】 紫外線の照射条件の安定化を実現する基板処理装置を提供する。
【解決手段】 本発明の基板処理装置１は、ステージ４上に基板１００を載せて紫外線照射装置２により基板表面に紫外線を照射することにより基板表面を改質するように構成される。この基板処理装置１は、吸着手段を備える。吸着手段は、基板裏面側からエアを吸引する機能を有する。 （もっと読む）

【課題】接着剤を用いることなく製造することができる静電吸着装置、露光装置、デバイスの製造方法及び静電吸着装置の製造方法を提供する。
【解決手段】静電吸着装置２２は、レチクルＲを吸着する吸着面６０を有する第１面５９と、第１面５９の裏面に形成された第２面５６とを有する誘電部材５１と、誘電部材５１の第２面５６に対して接合される接合面５４を有する基台５０と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】 ウェハを確実に吸着保持する静電チャックを提供すること。
【解決手段】 ウェハを静電的に吸着保持する静電チャック１４１０は、基板１４０５、電極１４１２板及び絶縁層１４０４を重ねて成り、ウェハの印加電圧が０ボルトから所定電圧まで時間とともに増大又は減少されるのに連動する電圧を静電チャックの電極板に印加することにより、ウェハとチャックの間に吸引力を発生する。 （もっと読む）

【課題】処理炉内温度補正方法の作業性を向上し、コストを低減する。
【解決手段】処理室内温度補正方法実施前に、温度計測器支持機構１０の位置を定義し記憶する（Ａ１）。温度補正方法実施時、温度計測器支持機構１０を格納状態から突出状態に移行させ、温度計測器支持機構１０をシールキャップ２１９の開口させた挿入口２０の真下に搬送する。温度計測器支持機構１０をウエハ移載装置エレベータ１２５ｂで上昇させて温度計測器１８を挿入口２０に挿入する。シールキャップ２１９をボートエレベータ１５１で上昇させて、処理炉２０２をシールキャップ２１９で閉塞する（Ａ２）。処理炉２０２内温度をヒータ２０６で上昇させる（Ａ３）。同時に、処理炉２０２内温度を温度計測器１８で計測する（Ａ４）。温度補正値を算出し記憶する（Ａ５）。均熱温度が規定値内に入るまで繰り返し（Ａ６−７）、規定値に入ると、温度補正方法を終了する。 （もっと読む）

【課題】 露光エリア内任意の位置で気体の濃度測定可能な露光装置を提供すること。
【解決手段】 基板上面と投影光学系１の間に所定の気体を供給する気体の供給手段を持つ露光装置において、前記領域の気体を取得する気体取得手段としての貫通孔１１と、前記気体取得手段で取得した気体の濃度を測定する雰囲気を測定する測定器５を有し、更に前記気体取得手段が移動ステージ４と共に移動可能であることを特徴とする露光装置。 （もっと読む）

【課題】メインコントローラの起動後に必要に応じて破損ファイルの発生を操作画面に表示し、警告を促すことで安全性を向上した基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１のメインコントローラ２４０は、立ち上げ時にレシピ実行時に使用されるパラメータファイルの破損を発見した場合、起動後に破損ファイル一覧ダイアログを操作端末２４１に表示するとともにレシピを実行させないように構成される。もし、レシピ開始ボタンが押されたとしても、アラームメッセージが表示されるだけであり、レシピ開始ボタンは無効となる。 （もっと読む）

【課題】圧力差によって基板保持具を支持する支持部が傾斜するのを抑制することができる基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、ロードロック室と、ロードロック室内の雰囲気を制御するガス供給部及びガス排気部と、ロードロック室内でウエハを保持するボートと、ボートを支持するシャフト及び固定台５６と、これらシャフト及び固定台５６を昇降する昇降装置と、固定台５６に固定され昇降装置と面で接続する接続部材６０と、を有し、ロードロック室は、大気圧雰囲気下でウエハを搬送するＥＦＥＭ、及びウエハを処理する処理室に隣接し大気圧より圧力の低い真空雰囲気下でウエハを搬送する搬送室これらに隣接する。 （もっと読む）

【課題】高速でのガス置換を行うことなく成膜処理を実行可能であり、又基板のサイズに柔軟に対応可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数の基板３を載置する載置部５を移動させることで基板を搬送する搬送手段６と、第１の空間１１に第１の処理ガスを供給する第１のガス供給手段７と、第２の空間１２に第２の処理ガスを供給する第２のガス供給手段８と、前記第１の空間又は前記第２の空間の後にそれぞれパージガス雰囲気の第３の空間１３ａ，１３ｂを形成する為にパージガスを供給するパージガス供給手段９ａ，９ｂと、少なくとも前記載置部を加熱する加熱手段１４と、前記第１の空間、前記第２の空間及び前記第３の空間がそれぞれ所定の温度となる様に前記加熱手段を制御する温度制御手段１７と、複数の基板を載置した状態で前記搬送手段が前記第１の空間、前記第２の空間及び前記第３の空間を通過する様に制御する搬送制御手段１６とを具備する。 （もっと読む）

【課題】紫外線硬化型接着シートが貼付された半導体ウエハを処理対象とし、これを複数単位で紫外線照射を可能とした光照射装置を提供すること。
【解決手段】カセットケース２１内に、複数の半導体ウエハＷが所定間隔を隔てて収容されている。紫外線照射ユニット１２は、光源３１の光を導入して面発光可能な複数の導光部材３３を備えている。紫外線照射ユニット１２は、移動手段１３を介してカセットケース２１と離間接近可能であり、カセットケース２１側に接近したときに、複数の導光部材３３が半導体ウエハＷの被照射面にそれぞれ対向するように配置され、各半導体ウエハＷに対して同時に紫外線照射を行うようになっている。 （もっと読む）

【課題】処理ユニットの設置スペースを小さくして、装置の小型化を図ると共に、基板の処理時間の短縮化及び搬送時間の短縮化によりスループットの向上を図れるようにすること。
【解決手段】ウエハＷを加熱するための加熱部５０を形成する熱板５１と、熱板５１の下方に配設され、ウエハを冷却するための冷却部４０を形成する冷却プレート４１と、上下に配設された加熱部５０及び冷却部４０と対向する位置に配設され、ウエハＷに対して処理液の液膜を形成する複数の現像処理部６０と、冷却部４０及び現像処理部６０に対してウエハＷを搬入又は搬出するためのメインアームＡ１と、メインアームＡ１から受け取ったウエハＷを冷却部４０に受け渡すと共に、加熱部５０に近接する位置に移動する昇降可能な支持ピン８０とを具備する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、密閉型容器内部の雰囲気に起因する反応物の生成を抑制することを目的とする。
【解決手段】半導体製造装置１は、被処理物であるウエーハ１０、ウエーハ１０を収納する密閉型容器のＦＯＵＰ２０、半導体処理装置であるエッチング装置３０及びＦＯＵＰ２０とエッチング装置３０との間を密閉状態でウエーハ１０の搬送を行うＥＦＥＭ４０を有する。ＦＯＵＰ２０は、前面扉２０ａ、内側に温度と湿度とガス濃度との少なくとも一つを検知するセンサ部２１及びこのセンサ部が検知した情報を送信する送信装置２５を有する。受信装置３１は、送信装置２５からの情報を受信し、その情報をパージ部４３に供給する。パージ部４３は、ＦＯＵＰ２０内の温度などが予め定めた基準値を満足するまでパージを行う。 （もっと読む）

【課題】高温ウエハを急速冷却し、ウエハズレ起因の異物発生を防止及び抑制できる真空処理装置及び処理方法を提供する。
【解決手段】本発明は被処理体を処理する処理室と、前記処理室で処理された高温の前記被処理体を冷却する冷却室と、真空搬送ロボットを内部に設置し前記処理室と前記冷却室とを接続した真空搬送室とを備える真空処理装置において、前記冷却室は、前記冷却室内を減圧にする排気手段と、前記冷却室にガスを供給するガス供給手段と、前記冷却室内の圧力を制御する圧力制御手段と、前記高温の被処理体を支持する支持手段と、前記支持手段に支持された被処理体を近接保持する載置台とを具備し、前記載置台は、前記載置台表面の温度を前記高温の被処理体を冷却できる温度に温調する温調手段を有し、前記支持手段は昇降速度可変手段を有することを特徴とする真空処理装置である。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハに対する加工特性に影響することなく異物を好適に除去し得る半導体製造装置および半導体製造方法を提供する。
【解決手段】処理室１１内の圧力を調整可能な圧力調整手段１９と、処理室１１内に流量が調整された不活性ガスを流入させるガス供給源１５ｂおよびマスフローコントローラ１７ｂとが設けられている。そして、ドライエッチング後に、圧力調整手段１９により処理室１１内の排気圧力Ｐをドライエッチング時における処理室１１内の圧力よりも高くし、かつ、マスフローコントローラ１７ｂによりガス供給源１５ｂからの不活性ガスの流入ガス流量Ｑｂをドライエッチング時におけるエッチングガスの流入ガス流量Ｑａよりも高くすることで、処理室１１内の排気が促進される。 （もっと読む）