剥離装置、剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
【課題】加熱処理を伴う被処理基板と支持基板との剥離処理の際に、基板の接合面で急激に酸化が進行することを効率的に抑制する。
【解決手段】剥離装置３０は、被処理ウェハＷを保持する第１の保持部１１０と、
支持ウェハＳを保持する第２の保持部１１１と、第１の保持部１１０又は第２の保持部１１１を相対的に水平方向に移動させる移動機構１５０と、移動機構１５０により水平方向に移動させることで露出した被処理ウェハＷの接合面ＷＪに不活性ガスを供給する不活性ガス供給機構１７０と、を有している。不活性ガス供給機構１７０は、複数の孔が形成された平板形状の多孔質部１７１と、多孔質部１７１に接続され、当該多孔質部１７１に不活性ガスを供給するガス供給管１７２を有し、多孔質部１７１は、被処理ウェハＷの接合面ＷＪから鉛直方向に所定の距離離間して設けられている。
【解決手段】剥離装置３０は、被処理ウェハＷを保持する第１の保持部１１０と、
支持ウェハＳを保持する第２の保持部１１１と、第１の保持部１１０又は第２の保持部１１１を相対的に水平方向に移動させる移動機構１５０と、移動機構１５０により水平方向に移動させることで露出した被処理ウェハＷの接合面ＷＪに不活性ガスを供給する不活性ガス供給機構１７０と、を有している。不活性ガス供給機構１７０は、複数の孔が形成された平板形状の多孔質部１７１と、多孔質部１７１に接続され、当該多孔質部１７１に不活性ガスを供給するガス供給管１７２を有し、多孔質部１７１は、被処理ウェハＷの接合面ＷＪから鉛直方向に所定の距離離間して設けられている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、重合基板を被処理基板と支持基板に剥離する剥離装置、当該剥離装置を備えた剥離システム、当該剥離装置を用いた剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、例えば半導体デバイスの製造プロセスにおいて、半導体ウェハ（以下、「ウェハ」とする）の大口径化が進んでいる。また、実装などの特定の工程において、ウェハの薄型化が求められている。例えば大口径で薄いウェハを、そのまま搬送したり、研磨処理したりすると、ウェハに反りや割れが生じる恐れがある。このため、例えばウェハを補強するために、例えば支持基板であるウェハやガラス基板にウェハを貼り付けることが行われている。そして、このようにウェハと支持基板が接合された状態でウェハの研磨処理等の所定の処理が行われた後、ウェハと支持基板が剥離される。
【０００３】
かかるウェハと支持基板の剥離は、例えば剥離装置を用いて行われる。例えば特許文献１には、熱酸化膜を形成したウェハに、デバイスが形成されたウェハを直接貼り合わせ、その後ウェハの剥離を行う剥離装置が提案されている。この剥離装置は、例えばウェハを保持する第１ホルダーと、支持基板を保持する第２ホルダーと、ウェハと支持基板との間に液体を噴射するノズルとを有している。そして、この剥離装置では、ノズルから接合されたウェハと支持基板との間、即ちウェハと支持基板との接合面に、当該ウェハと支持基板との間の接合強度より大きい噴射圧、好ましくは接合強度より２倍以上大きい噴射圧で液体を噴射することにより、ウェハと支持基板の剥離が行われている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平９−１６７７２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、ウェハと支持基板の貼り合わせには、例えば特許文献１に開示されるような、熱酸化膜を形成した支持基板にウェハを直接貼り合わせる方法の他に、支持基板とウェハとの間に接着剤を介在させて貼り合わせる方法などがある。
【０００６】
接着剤を用いて貼り合わせを行った場合、ウェハと支持基板とを剥離するにあたり、ウェハと支持基板との間に介在する接着剤を軟化させる必要がある。このため、ウェハと支持基板の剥離を行う際には、接着剤の軟化を目的として、貼り合わせられた状態のウェハと支持基板との加熱処理が行われる。
【０００７】
しかしながら、ウェハが加熱処理されていると、剥離により露出したウェハの表面（接合面）では急激に酸化が進行してしまう。そして、この急激な酸化により、製品に深刻なダメージを与える恐れがある。
【０００８】
酸化による製品のダメージを抑制するためには、剥離を行う際のウェハ周囲の酸素濃度を低くする必要がある。しかしながら、急激な酸化を防ぐために要求される酸素濃度を達成するには、ウェハや剥離装置を気密容器などで覆う必要がある。その場合、装置が非常に大掛かりなものとなってしまい、設置スペースの増大、設置コストの増加及びスループットの低下といった問題が生じてしまう。
【０００９】
気密容器を用いずにウェハの急激な酸化を抑制する方法としては、例えばスリット状のノズルなどを用いて、剥離後のウェハに直接不活性ガス等を吹きつけることが考えられる。しかしながら、このようなスリット状のノズルによりウェハに不活性ガスを吹き付けると、ノズルから吹き付けられる不活性ガスの有する流速により周囲の空気が巻き込まれる。この場合、不活性ガスに随伴して空気もウェハ接合面に吹き付けられることとなるため、ウェハの接合面に不活性ガスだけを吹き付けることができない。
【００１０】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、加熱処理を伴う被処理基板と支持基板との剥離処理の際に、基板の接合面で急激に酸化が進行することを効率的に抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前記の目的を達成するため、本発明は、被処理基板と支持基板が接着剤で接合された重合基板を、被処理基板と支持基板とに剥離する剥離装置であって、被処理基板を加熱する加熱機構を備え、且つ当該被処理基板を保持する第１の保持部と、支持基板を加熱する加熱機構を備え、且つ当該支持基板を保持する第２の保持部と、少なくとも前記第１の保持部又は前記第２の保持部を相対的に水平方向に移動させる移動機構と、前記移動機構により前記第１の保持部と前記第２の保持部を相対的に水平方向に移動させることで露出した被処理基板の接合面に、不活性ガスを供給する不活性ガス供給機構と、を有し、前記不活性ガス供給機構は、複数の孔が形成された多孔質部と、前記多孔質部に接続され、当該多孔質部に不活性ガスを供給するガス供給管と、を有し、前記多孔質部は、前記被処理基板の接合面から鉛直方向に所定の距離離間して設けられていることを特徴としている。
【００１２】
本発明の剥離装置によれば、第１の保持部又は第２の保持部を相対的に水平方向に移動させる移動機構と、ガス供給管が接続された多孔質部を供えた不活性ガス供給機構を有し、この多孔質部が被処理基板と支持基板の接合面から鉛直方向に所定の距離離間して設けられているので、例えば第２の保持部を移動機構により水平方向に移動させることで第１の保持部に保持された被処理基板と第２の保持部に保持された支持基板とを剥離することができ、さらに、剥離することにより露出した、被処理基板の接合面に向けて多孔質部から不活性ガスを供給することができる。この際、複数の孔が形成された多孔質部を介して不活性ガスを供給するため、供給される不活性ガスの流速は抑えられたものとなる。これにより、不活性ガスを供給する際に周囲の空気を巻き込むことがなく、不活性ガスのみが被処理ウェハＷの接合面に供給されるため、露出した被処理基板の接合面を不活性ガスの雰囲気とすることができる。このため、例えば加熱された被処理基板の接合面が酸化することを抑制するために、当該被処理基板を気密容器などで覆うという大掛かりな対策を施す必要がない。したがって、本発明によれば、加熱処理された被処理基板と支持基板を剥離する際に生じる、基板の接合面での急激な酸化の進行を、効率的に抑制することができる。
【００１３】
前記多孔質部は、平面視において前記被処理基板を覆うことができる平板形状を有していてもよい。
【００１４】
前記多孔質部の進行方向の端部には、平面視において前記被処理基板の形状に沿って凹状に窪んだ窪み部が形成されていてもよい。
【００１５】
前記多孔質部は、当該多孔質部の窪み部が平面視において前記被処理基板と接するように配置されていてもよい。
【００１６】
前記移動機構は、前記第２の保持部と同期して前記多孔質部を水平方向に移動させてもよい。
【００１７】
前記ガス供給管は、前記多孔質部の片側の面を覆うように設けられた分散板を介して前記多孔質部と接続され、前記分散板の内部には、前記多孔質部と前記ガス供給管に連通するガス流路が形成されていてもよい。
【００１８】
前記多孔質部と、前記被処理基板との鉛直方向の距離は０．５ｍｍ〜４ｍｍであってもよい。
【００１９】
前記不活性ガス供給機構から供給される不活性ガスは、イオナイザによりイオン化されたものであってもよい。
【００２０】
前記不活性ガス供給機構から供給される不活性ガスは、加熱されていてもよい。
【００２１】
前記不活性ガス供給機構は、前記多孔質部の複数の孔の孔づまりを監視する監視手段を有していてもよい。
【００２２】
前記移動機構によって水平方向に移動される前記第１の保持部に保持された被処理基板又は前記第２の保持部に保持された支持基板の外周部に沿って環状に設けられ、当該被処理基板又は支持基板に対して不活性ガスを供給するガス供給部材を有していてもよい。
【００２３】
なお、前記不活性ガス供給機構は、前記被処理基板に代えて前記支持基板の接合面に不活性ガスを供給するものであり、前記多孔質部は、前記支持基板の接合面から鉛直方向に所定の距離離間して設けられていてもよい。
【００２４】
別な観点による本発明は、被処理基板と支持基板が接着剤で接合された重合基板を、被処理基板と支持基板に剥離する剥離システムであって、被処理基板、支持基板及び重合基板に所定の処理を行う剥離処理ステーションと、前記剥離処理ステーションに対して、被処理基板、支持基板又は重合基板を搬入出する搬入出ステーションと、前記剥離処理ステーションと前記搬入出ステーションとの間で、被処理基板、支持基板又は重合基板を搬送する搬送装置と、を有し、前記剥離処理ステーションは、重合基板を被処理基板と支持基板に剥離する剥離装置と、前記剥離装置で剥離された被処理基板を洗浄する第１の洗浄装置と、前記剥離装置で剥離された支持基板を洗浄する第２の洗浄装置と、を有し、前記剥離装置は、被処理基板を加熱する加熱機構を備え、且つ当該被処理基板を保持する第１の保持部と、支持基板を加熱する加熱機構を備え、且つ当該支持基板を保持する第２の保持部と、少なくとも前記第１の保持部又は前記第２の保持部を相対的に水平方向に移動させる移動機構と、前記移動機構により前記第１の保持部と前記第２の保持部を相対的に水平方向に移動させることで露出した被処理基板の接合面に、不活性ガスを供給する不活性ガス供給機構と、を有し、前記不活性ガス供給機構は、複数の孔が形成された多孔質部と、前記多孔質部に接続され、当該多孔質部に不活性ガスを供給するガス供給管と、を有し、前記多孔質部は、前記被処理基板の接合面から鉛直方向に所定の距離離間して設けられていることを特徴としている。
【００２５】
前記多孔質部は、平面視において前記被処理基板を覆うことができる平板形状を有していてもよい。
【００２６】
前記多孔質部の進行方向の端部には、平面視において前記被処理基板の形状に沿って凹状に窪んだ窪み部が形成されていてもよい。
【００２７】
前記多孔質部は、当該多孔質部の窪み部が平面視において前記被処理基板と接するように配置されていてもよい。
【００２８】
前記移動機構は、前記第２の保持部と同期して前記多孔質部を水平方向に移動させてもよい。
【００２９】
前記ガス供給管は、前記多孔質部の片側の面を覆うように設けられた分散板を介して前記多孔質部と接続され、前記分散板の内部には、前記多孔質部と前記ガス供給管に連通するガス流路が形成されていてもよい。
【００３０】
前記多孔質部と、前記被処理基板との鉛直方向の距離は０．５ｍｍ〜４ｍｍであってもよい。
【００３１】
前記不活性ガス供給機構から供給される不活性ガスは、イオナイザによりイオン化されたものであってもよい。
【００３２】
前記不活性ガス供給機構から供給される不活性ガスは、加熱されていてもよい。
【００３３】
前記不活性ガス供給機構は、前記多孔質部の複数の孔の孔づまりを監視する監視手段を有していてもよい。
【００３４】
前記剥離装置は、前記移動機構によって水平方向に移動される前記第１の保持部に保持された被処理基板又は前記第２の保持部に保持された支持基板の外周部に沿って環状に設けられ、当該被処理基板又は支持基板に対して不活性ガスを供給するガス供給部材を有していてもよい。
【００３５】
前記不活性ガス供給機構は、前記被処理基板に代えて前記支持基板の接合面に不活性ガスを供給するものであり、前記多孔質部は、前記支持基板の接合面から鉛直方向に所定の距離離間して設けられていてもよい。
【００３６】
また、別な観点による本発明は、離装置を用いて、被処理基板と支持基板が接着剤で接合された重合基板を、被処理基板と支持基板とに剥離する剥離方法であって、前記剥離装置は、被処理基板を加熱する加熱機構を備え、且つ当該被処理基板を保持する第１の保持部と、支持基板を加熱する加熱機構を備え、且つ当該支持基板を保持する第２の保持部と、少なくとも前記第１の保持部又は前記第２の保持部を相対的に水平方向に移動させる移動機構と、前記被処理基板に不活性ガスを供給する不活性ガス供給機構と、を有し、前記不活性ガス供給機構は、複数の孔が形成された多孔質部と、前記多孔質部に接続され、当該多孔質部に不活性ガスを供給するガス供給管と、を備え、前記剥離方法は、前記第１の保持部に保持された被処理基板と前記第２の保持部に保持された支持基板とを加熱しながら、前記第１の保持部と前記第２の保持部を相対的に水平方向に移動させて被処理基板と支持基板を剥離し、前記多孔質部を前記被処理基板の接合面から鉛直方向に所定の距離離間させて、当該多孔質部から剥離により露出した被処理基板の接合面に不活性ガスを供給することを特徴としている。
【００３７】
前記多孔質部は、平面視において前記被処理基板を覆うことができる平板形状であり、前記多孔質部の進行方向の端部には、平面視において前記被処理基板の形状に沿って凹状に窪んだ窪み部が形成され、さらに前記多孔質部は、当該多孔質部の窪み部が平面視において前記被処理基板と接するように配置されており、前記不活性ガスは、少なくとも剥離により前記被処理基板の接合面が露出する以前に供給が開始されてもよい。
【００３８】
前記不活性ガスの供給は、前記被処理基板が所定の温度以下となるまで継続されてもよい。
【００３９】
前記不活性ガス供給機構は、剥離により露出した前記被処理基板の接合面に代えて、剥離により露出した前記支持基板の接合面に不活性ガスを供給するものであり、前記不活性ガスの供給は、前記多孔質部を前記支持基板の接合面から鉛直方向に所定の距離離間させて行われてもよい。
【００４０】
また別な観点による本発明によれば、前記剥離方法を剥離装置によって実行させるために、当該剥離装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムが提供される。
【００４１】
さらに別な観点による本発明によれば、前記プログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体が提供される。
【発明の効果】
【００４２】
本発明によれば、加熱処理を伴う被処理基板と支持基板との剥離処理の際に、基板の接合面で急激に酸化が進行することを効率的に抑制することができる。
ことができる。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本実施の形態にかかる剥離システムの構成の概略を示す平面図である。
【図２】被処理ウェハと支持ウェハの側面図である。
【図３】剥離装置の構成の概略を示す縦断面図である。
【図４】多孔質部の構成の概略を示す平面図である。
【図５】不活性ガス供給機構の構成の概略を示す縦断面図である。
【図６】第１の洗浄装置の構成の概略を示す縦断面図である。
【図７】第１の洗浄装置の構成の概略を示す横断面図である。
【図８】第２の洗浄装置の構成の概略を示す縦断面図である。
【図９】第２の搬送装置の構成の概略を示す側面図である。
【図１０】剥離処理の主な工程を示すフローチャートである。
【図１１】第１の保持部と第２の保持部で重合ウェハを保持した様子を示す説明図である。
【図１２】第２の保持部を鉛直方向及び水平方向に移動させる様子を示す説明図である。
【図１３】被処理ウェハと支持ウェハを剥離した様子を示す説明図である。
【図１４】第１の保持部からベルヌーイチャックに被処理ウェハを受け渡す様子を示す説明図である。
【図１５】ベルヌーイチャックからポーラスチャックに被処理ウェハを受け渡す様子を示す説明図である。
【図１６】被処理ウェハと支持ウェハとが相対的に水平方向に移動した状態を示す平面図である。
【図１７】多孔質部の孔づまりの監視手段の構成の概略を示す平面図である。
【図１８】多孔質部の孔づまりの監視手段の構成の概略を示す縦断面図である。
【図１９】他の実施の形態にかかる多孔質部の孔づまりの監視手段の構成の概略を示す平面図である。
【図２０】ガス供給部材の構成の概略を示す平面図である。
【図２１】ガス供給部材の構成の概略を示す縦断面図である。
【図２２】他の実施の形態にかかるベルヌーイチャックの構成の概略を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００４４】
以下、本発明の実施の形態について説明する。図１は、本実施の形態にかかる剥離装置を有する剥離システム１の構成の概略を示す平面図である。
【００４５】
剥離システム１では、図２に示すように被処理基板としての被処理ウェハＷと支持基板としての支持ウェハＳとが接着剤Ｇで接合された重合基板としての重合ウェハＴを、被処理ウェハＷと支持ウェハＳに剥離する。以下、被処理ウェハＷにおいて、接着剤Ｇを介して支持ウェハＳと接合される面を「接合面ＷＪ」といい、当該接合面ＷＪと反対側の面を「非接合面ＷＮ」という。同様に、支持ウェハＳにおいて、接着剤Ｇを介して被処理ウェハＷと接合される面を「接合面ＳＪ」といい、当該接合面ＳＪと反対側の面を「非接合面ＳＮ」という。なお、被処理ウェハＷは、製品となるウェハであって、例えば接合面ＷＪに複数の電子回路が形成されている。また被処理ウェハＷは、例えば非接合面ＷＮが研磨処理され、薄型化（例えば厚みが５０μｍ）されている。支持ウェハＳは、被処理ウェハＷの径と同じ径を有し、当該被処理ウェハＷを支持するウェハである。なお、本実施の形態では、支持基板としてウェハを用いた場合について説明するが、例えばガラス基板等の他の基板を用いてもよい。
【００４６】
剥離システム１は、図１に示すように例えば外部との間で複数の被処理ウェハＷ、複数の支持ウェハＳ、複数の重合ウェハＴをそれぞれ収容可能なカセットＣＷ、ＣＳ、ＣＴが搬入出される搬入出ステーション２と、被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴに対して所定の処理を施す各種処理装置を備えた剥離処理ステーション３と、剥離処理ステーション３に隣接する後処理ステーション４との間で被処理ウェハＷの受け渡しを行うインターフェイスステーション５と、後処理ステーション４に受け渡す前の被処理ウェハＷを検査する検査装置６と、を一体に接続した構成を有している。
【００４７】
搬入出ステーション２と剥離処理ステーション３は、Ｘ方向（図１中の上下方向）に並べて配置されている。これら搬入出ステーション２と剥離処理ステーション３との間には、ウェハ搬送領域７が形成されている。インターフェイスステーション５は、剥離処理ステーション３のＹ方向負方向側（図１中の左方向側）に配置されている。また、検査装置６は、インターフェイスステーション５のＸ方向正方向側（図１中の上方向側）に配置されており、インターフェイスステーション５を挟んで検査装置６の反対側、即ちインターフェイスステーション５のＸ方向負方向側には、検査後の被処理ウェハＷを洗浄する検査後洗浄装置８が配置されている。
【００４８】
搬入出ステーション２には、カセット載置台１０が設けられている。カセット載置台１０には、複数、例えば３つのカセット載置板１１が設けられている。カセット載置板１１は、Ｙ方向（図１中の左右方向）に一列に並べて配置されている。これらのカセット載置板１１には、剥離システム１の外部に対してカセットＣＷ、ＣＳ、ＣＴを搬入出する際に、カセットＣＷ、ＣＳ、ＣＴを載置することができる。このように搬入出ステーション２は、複数の被処理ウェハＷ、複数の支持ウェハＳ、複数の重合ウェハＴを保有可能に構成されている。なお、カセット載置板１１の個数は、本実施の形態に限定されず、任意に決定することができる。また、搬入出ステーション２に搬入された複数の重合ウェハＴには予め検査が行われており、正常な被処理ウェハＷを含む重合ウェハＴと欠陥のある被処理ウェハＷを含む重合ウェハＴとに判別されている。
【００４９】
ウェハ搬送領域７には、第１の搬送装置２０が配置されている。第１の搬送装置２０は、例えば鉛直方向、水平方向（Ｙ方向、Ｘ方向）及び鉛直軸周りに移動自在な搬送アームを有している。第１の搬送装置２０は、ウェハ搬送領域７内を移動し、搬入出ステーション２と剥離処理ステーション３との間で被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴを搬送できる。
【００５０】
剥離処理ステーション３は、重合ウェハＴを被処理ウェハＷと支持ウェハＳに剥離する剥離装置３０を有している。剥離装置３０のＹ方向負方向側（図１中の左方向側）には、剥離された被処理ウェハＷを洗浄する第１の洗浄装置３１が配置されている。剥離装置３０と第１の洗浄装置３１との間には、他の搬送装置としての第２の搬送装置３２が設けられている。また、剥離装置３０のＹ方向正方向側（図１中の右方向側）には、剥離された支持ウェハＳを洗浄する第２の洗浄装置３３が配置されている。このように剥離処理ステーション３には、第１の洗浄装置３１、第２の搬送装置３２、剥離装置３０、第２の洗浄装置３３が、インターフェイスステーション５側からこの順で並べて配置されている。
【００５１】
検査装置６では、剥離装置３０により剥離された被処理ウェハＷ上の接着剤Ｇの残渣の有無が検査される。また、検査後洗浄装置８では、検査装置６で接着剤Ｇの残渣が確認された被処理ウェハＷの洗浄が行われる。この検査後洗浄装置８は、被処理ウェハＷの接合面ＷＪを洗浄する接合面洗浄部８ａ、被処理ウェハＷの非接合面ＷＮを洗浄する非接合面洗浄部８ｂ、被処理ウェハＷを上下反転させる反転部８ｃを有している。
【００５２】
インターフェイスステーション５には、Ｙ方向に延伸する搬送路４０上を移動自在な他の搬送装置としての第３の搬送装置４１が設けられている。第３の搬送装置４１は、鉛直方向及び鉛直軸周り（θ方向）にも移動自在であり、剥離処理ステーション３、後処理ステーション４、検査装置６及び検査後洗浄装置８との間で被処理ウェハＷを搬送できる。
【００５３】
なお、後処理ステーション４では、剥離処理ステーション３で剥離された被処理ウェハＷに所定の後処理を行う。所定の後処理として、例えば被処理ウェハＷをマウントする処理や、被処理ウェハＷ上の電子回路の電気的特性の検査を行う処理、被処理ウェハＷをチップ毎にダイシングする処理などが行われる。
【００５４】
次に、上述した剥離装置３０の構成について説明する。剥離装置３０は、図３に示すように、その内部に複数の機器を収容する筐体１００を有している。筐体１００の側面には、被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴの搬入出口（図示せず）が形成され、当該搬入出口には開閉シャッタ（図示せず）が設けられている。なお、筐体１００はその内部を密閉するものではなく、例えばステンレススチールの薄板等で構成されている。
【００５５】
筐体１００の底面には、当該筐体１００の内部を排気する排気口１０１が形成されている。排気口１０１には、例えば真空ポンプなどの排気装置１０２に連通する排気管１０３が接続されている。
【００５６】
筐体１００の内部には、被処理ウェハＷを下面で吸着保持する第１の保持部１１０と、支持ウェハＳを上面で載置して保持する第２の保持部１１１とが設けられている。第１の保持部１１０は、第２の保持部１１１の上方に設けられ、第２の保持部１１１と対向するように配置されている。すなわち、筐体１００の内部では、被処理ウェハＷを上側に配置し、且つ支持ウェハＳを下側に配置した状態で、重合ウェハＴの剥離処理が行われる。
【００５７】
第１の保持部１１０には、例えばポーラスチャックが用いられている。第１の保持部１１０は、平板状の本体部１２０を有している。本体部１２０の下面側には、多孔質体であるポーラス１２１が設けられている。ポーラス１２１は、例えば被処理ウェハＷとほぼ同じ径を有し、当該被処理ウェハＷの非接合面ＷＮと当接している。なお、ポーラス１２１としては例えば炭化ケイ素が用いられる。
【００５８】
また、本体部１２０の内部であってポーラス１２１の上方には吸引空間１２２が形成されている。吸引空間１２２は、例えばポーラス１２１を覆うように形成されている。吸引空間１２２には、吸引管１２３が接続されている。吸引管１２３は、例えば真空ポンプなどの負圧発生装置（図示せず）に接続されている。そして、吸引管１２３から吸引空間１２２とポーラス１２１を介して被処理ウェハの非接合面ＷＮが吸引され、当該被処理ウェハＷが第１の保持部１１０に吸着保持される。
【００５９】
また、本体部１２０の内部であって吸引空間１２２の上方には、被処理ウェハＷを加熱する加熱機構１２４が設けられている。加熱機構１２４には、例えばヒータが用いられる。
【００６０】
第１の保持部１１０の上面には、当該第１の保持部１１０を支持する支持板１３０が設けられている。支持板１３０は、筐体１００の天井面に支持されている。なお、本実施の形態の支持板１３０を省略し、第１の保持部１１０は筐体１００の天井面に当接して支持されてもよい。
【００６１】
第２の保持部１１１の内部には、支持ウェハＳを吸着保持するための吸引管１４０が設けられている。吸引管１４０は、例えば真空ポンプなどの排気装置（図示せず）に接続されている。
【００６２】
また、第２の保持部１１１の内部には、支持ウェハＳを加熱する加熱機構１４１が設けられている。加熱機構１４１には、例えばヒータが用いられる。
【００６３】
第２の保持部１１１の下方には、第２の保持部１１１及び支持ウェハＳを鉛直方向及び水平方向に移動させる移動機構１５０が設けられている。移動機構１５０は、第２の保持部１１１を鉛直方向に移動させる鉛直移動部１５１と、第２の保持部１１１を水平方向に移動させる水平移動部１５２とを有している。
【００６４】
鉛直移動部１５１は、第２の保持部１１１の下面を支持する支持板１５３と、支持板１５３を昇降させる駆動部１５４と、支持板１５３を支持する支持部材１５５とを有している。駆動部１５４は、例えばボールネジ（図示せず）と当該ボールネジを回動させるモータ（図示せず）とを有している。また、支持部材１５５は、鉛直方向に伸縮自在に構成され、支持板１５３と後述する支持体１６１との間に例えば３箇所に設けられている。
【００６５】
水平移動部１５２は、Ｘ方向（図３中の左右方向）に沿って延伸するレール１６０と、レール１６０に取り付けられる支持体１６１と、支持体１６１をレール１６０に沿って移動させる駆動部１６２とを有している。駆動部１６２は、例えばボールネジ（図示せず）と当該ボールネジを回動させるモータ（図示せず）とを有している。
【００６６】
なお、第２の保持部１１１の下方には、重合ウェハＴ又は支持ウェハＳを下方から支持し昇降させるための昇降ピン（図示せず）が設けられている。昇降ピンは第２の保持部１１１に形成された貫通孔（図示せず）を挿通し、第２の保持部１１１の上面から突出可能になっている。
【００６７】
第２の保持部１１１の、例えばＸ方向正方向側には、被処理ウェハＷの接合面ＷＪに不活性ガスを供給する不活性ガス供給機構１７０が設けられている。不活性ガス供給機構１７０は、複数の微細な孔が形成された平板形状の多孔質部１７１と、多孔質部１７１に不活性ガスを供給するガス供給管１７２を備えている。また、不活性ガス供給機構１７０は、支持部材１７３を介して水平移動部１５２の支持体１６１に支持されており、水平移動部１５２を移動させることにより、当該不活性ガス供給機構１７０を水平方向に移動させることができる。なお、多孔質部１７１としては、例えば炭化ケイ素が用いられる。
【００６８】
多孔質部１７１は、図４に示すように、平面視において被処理ウェハＷを覆うことのできる平板形状を有している。また、水平移動部１５２により多孔質部１７１を移動させた場合の当該多孔質部１７１の進行方向の端部には、平面視において被処理ウェハＷの形状に沿って凹状に窪んだ窪み部１７１ａが形成されている。具体的には、図４に示すように、多孔質部１７１の進行方向端部が、被処理ウェハＷとほぼ同じ直径の半円弧状に窪んでおり、且つ、多孔質部１７１における窪み部１７１ａ以外の箇所が被処理ウェハＷを覆うことのできる大きさとなっている。また、多孔質部１７１における、窪み部１７１ａが形成された端部と反対側の端部は、被処理ウェハＷより大きな直径の半円弧状に突出した形状を有している。したがって、被処理ウェハＷを覆うにあたり、多孔質部１７１は最小限の大きさとなっている。なお、多孔質板１７１の大きさは本実施の形態に限定されるものではなく、任意に設定が可能である。
【００６９】
多孔質部１７１は、図３に示すように被処理ウェハＷの接合面ＷＪと平行に設けられている。また、多孔質部１７１は、第１の保持部１１０と第２の保持部１１１が対向した状態、即ち被処理ウェハＷと支持ウェハＳが接合された状態において、図４に示すように、多孔質部１７１の窪み部１７１ａが平面視において被処理ウェハＷの外周部と接するように配置されている。
【００７０】
多孔質部１７１の鉛直方向の配置は、被処理ウェハＷの接合面ＷＪより下方に位置するように調整されている。換言すれば、多孔質部１７１と被処理ウェハＷの接合面ＷＪとの間は鉛直方向に所定の距離だけ離間している。なお、本実施の形態においては、距離は２ｍｍに設定されている。
【００７１】
多孔質部１７１の下側の面には、図５に示すように、平板形状の分散板１７４が多孔質部１７１を覆うように設けられている。分散板１７４としては、例えばアルミニウムやステンレスといった金属製の板が用いられる。分散板１７４の内部には、ガス流路１７５が形成されている。ガス供給管１７２は、この分散板１７４のガス流路１７５に接続されている。
【００７２】
ガス供給管１７２の分散板１７４側と反対側の端部は、不活性ガスとして例えば窒素ガスを供給する不活性ガス供給源１７６に接続されている。また、分散版１７４のガス流路１７５は、ガス供給管１７２が接続された側から多孔質部１７１に向かって複数に分岐して設けられ、多孔質部１７１の面内に均一に不活性ガスを供給できるように形成されている。このため、当該不活性ガス供給源１７６から供給された不活性ガスは、分散板１７４を介して多孔質部１７１に面内均一に供給される。なお、不活性ガスとしては、酸素原子を含まないガスであればよく、本実施の形態の窒素ガスに限定されるものではない。
【００７３】
次に、上述した第１の洗浄装置３１の構成について説明する。第１の洗浄装置３１は、図６に示すように筐体１８０を有している。筐体１８０の側面には、被処理ウェハＷの搬入出口（図示せず）が形成され、当該搬入出口には開閉シャッタ（図示せず）が設けられている。
【００７４】
筐体１８０内の中央部には、被処理ウェハＷを保持して回転させるポーラスチャック１９０が設けられている。ポーラスチャック１９０は、平板状の本体部１９１と、本体部１９１の上面側に設けられたポーラス１９２とを有している。ポーラス１９２は、例えば被処理ウェハＷとほぼ同じ径を有し、当該被処理ウェハＷの非接合面ＷＮと当接している。なお、ポーラス１９２としては例えば炭化ケイ素が用いられる。ポーラス１９２には吸引管（図示せず）が接続され、当該吸引管からポーラス１９２を介して被処理ウェハＷの非接合面ＷＮを吸引することにより、当該被処理ウェハＷをポーラスチャック１９０上に吸着保持できる。
【００７５】
ポーラスチャック１９０の下方には、例えばモータなどを備えたチャック駆動部１９３が設けられている。ポーラスチャック１９０は、チャック駆動部１９３により所定の速度で回転できる。また、チャック駆動部１９３には、例えばシリンダなどの昇降駆動源が設けられており、ポーラスチャック１９０は昇降自在になっている。
【００７６】
ポーラスチャック１９０の周囲には、被処理ウェハＷから飛散又は落下する液体を受け止め、回収するカップ１９４が設けられている。カップ１９４の下面には、回収した液体を排出する排出管１９５と、カップ１９４内の雰囲気を真空引きして排気する排気管１９６が接続されている。
【００７７】
図７に示すようにカップ１９４のＸ方向負方向（図５中の下方向）側には、Ｙ方向（図５中の左右方向）に沿って延伸するレール２００が形成されている。レール２００は、例えばカップ１９４のＹ方向負方向（図５中の左方向）側の外方からＹ方向正方向（図５中の右方向）側の外方まで形成されている。レール２００には、アーム２０１が取り付けられている。
【００７８】
アーム２０１には、図６及び図７に示すように被処理ウェハＷに洗浄液、例えば有機溶剤を供給する洗浄液ノズル２０３が支持されている。アーム２０１は、図７に示すノズル駆動部２０４により、レール２００上を移動自在である。これにより、洗浄液ノズル２０３は、カップ１９４のＹ方向正方向側の外方に設置された待機部２０５からカップ１９４内の被処理ウェハＷの中心部上方まで移動でき、さらに当該被処理ウェハＷ上を被処理ウェハＷの径方向に移動できる。また、アーム２０１は、ノズル駆動部２０４によって昇降自在であり、洗浄液ノズル２０３の高さを調節できる。
【００７９】
洗浄液ノズル２０３には、例えば２流体ノズルが用いられる。洗浄液ノズル２０３には、図６に示すように当該洗浄液ノズル２０３に洗浄液を供給する供給管２１０が接続されている。供給管２１０は、内部に洗浄液を貯留する洗浄液供給源２１１に連通している。供給管２１０には、洗浄液の流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群２１２が設けられている。また、洗浄液ノズル２０３には、当該洗浄液ノズル２０３に不活性ガス、例えば窒素ガスを供給する供給管２１３が接続されている。供給管２１３は、内部に不活性ガスを貯留するガス供給源２１４に連通している。供給管２１３には、不活性ガスの流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群２１５が設けられている。そして、洗浄液と不活性ガスは洗浄液ノズル２０３内で混合され、当該洗浄液ノズル２０３から被処理ウェハＷに供給される。なお、以下においては、洗浄液と不活性ガスを混合したものを単に「洗浄液」という場合がある。
【００８０】
なお、ポーラスチャック１９０の下方には、被処理ウェハＷを下方から支持し昇降させるための昇降ピン（図示せず）が設けられていてもよい。かかる場合、昇降ピンはポーラスチャック１９０に形成された貫通孔（図示せず）を挿通し、ポーラスチャック１９０の上面から突出可能になっている。そして、ポーラスチャック１９０を昇降させる代わりに昇降ピンを昇降させて、ポーラスチャック１９０との間で被処理ウェハＷの受け渡しが行われる。なお、上述した検査後洗浄装置８の接合面洗浄部８ａと非接合面洗浄部８ｂの構成は、この第１の洗浄装置３１と同様であるので、接合面洗浄部８ａと非接合面洗浄部８ｂについては説明を省略する。
【００８１】
また、第２の洗浄装置３３の構成は、上述した第１の洗浄装置３１の構成とほぼ同様である。第２の洗浄装置３３には、図８に示すように第１の洗浄装置３１のポーラスチャック１９０に代えて、スピンチャック２２０が設けられる。スピンチャック２２０は、水平な上面を有し、当該上面には、例えば支持ウェハＳを吸引する吸引口（図示せず）が設けられている。この吸引口からの吸引により、支持ウェハＳをスピンチャック２２０上に吸着保持できる。第２の洗浄装置３３のその他の構成は、上述した第１の洗浄装置３１の構成と同様であるので説明を省略する。
【００８２】
なお、第２の洗浄装置３３において、スピンチャック２２０の下方には、支持ウェハＳの裏面、すなわち非接合面ＳＮに向けて洗浄液を噴射するバックリンスノズル（図示せず）が設けられていてもよい。このバックリンスノズルから噴射される洗浄液によって、支持ウェハＳの非接合面ＳＮと支持ウェハＳの外周部が洗浄される。
【００８３】
次に、上述した第２の搬送装置３２の構成について説明する。第２の搬送装置３２は、図９に示すように被処理ウェハＷを保持するベルヌーイチャック２３０を有している。ベルヌーイチャック２３０は、空気を噴出することにより被処理ウェハＷを浮遊させ、非接触の状態で被処理ウェハＷを吸引懸垂し保持することができる。ベルヌーイチャック２３０は、支持アーム２３１に支持されている。支持アーム２３１は、第１の駆動部２３２に支持されている。この第１の駆動部２３２により、支持アーム２３１は水平軸周りに回動自在であり、且つ水平方向に伸縮できる。第１の駆動部２３２の下方には、第２の駆動部２３３が設けられている。この第２の駆動部２３３により、第１の駆動部２３２は鉛直軸周りに回転自在であり、且つ鉛直方向に昇降できる。
【００８４】
なお、第３の搬送装置４１は、上述した第２の搬送装置３２と同様の構成を有しているので説明を省略する。但し、第３の搬送装置４１の第２の駆動部２３３は、図１に示した搬送路４０に取り付けられ、第３の搬送装置４１は搬送路４０上を移動可能になっている。
【００８５】
以上の剥離システム１には、図１に示すように制御部３００が設けられている。制御部３００は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、剥離システム１における被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴの処理を制御するプログラムが格納されている。また、プログラム格納部には、上述の各種処理装置や搬送装置などの駆動系の動作を制御して、剥離システム１における後述の剥離処理を実現させるためのプログラムも格納されている。なお、前記プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルデスク（ＭＯ）、メモリーカードなどのコンピュータに読み取り可能な記憶媒体Ｈに記録されていたものであって、その記憶媒体Ｈから制御部３００にインストールされたものであってもよい。
【００８６】
次に、以上のように構成された剥離システム１を用いて行われる被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離処理方法について説明する。図１０は、かかる剥離処理の主な工程の例を示すフローチャートである。
【００８７】
先ず、複数枚の重合ウェハＴを収容したカセットＣＴ、空のカセットＣＷ、及び空のカセットＣＳが、搬入出ステーション２の所定のカセット載置板１１に載置される。第１の搬送装置２０によりカセットＣＴ内の重合ウェハＴが取り出され、剥離処理ステーション３の剥離装置３０に搬送される。このとき、重合ウェハＴは、被処理ウェハＷを上側に配置し、且つ支持ウェハＳを下側に配置した状態で搬送される。
【００８８】
剥離装置３０に搬入された重合ウェハＴは、第２の保持部１１１に吸着保持される。その後、移動機構１５０により第２の保持部１１１を上昇させて、図１１に示すように第１の保持部１１０と第２の保持部１１１で重合ウェハＴを挟み込んで保持する。このとき、第１の保持部１１０に被処理ウェハＷの非接合面ＷＮが吸着保持され、第２の保持部１１１に支持ウェハＳの非接合面ＳＮが吸着保持される。
【００８９】
その後、加熱機構１２４、１４１によって重合ウェハＴが所定の温度、例えば２００℃に加熱される。これにより、重合ウェハＴ中の接着剤Ｇが軟化する。また、重合ウェハＴの加熱と並行して、不活性ガス供給源１７６から不活性ガス供給機構１７０に不活性ガスが供給される。これにより、ガス供給管１７２、分散板１７４を介して、多孔質部１７１の分散板１７４に覆われた面と反対側の面、本実施の形態においては多孔質部１７１の上面から不活性ガスが供給される。この際、複数の微細な孔が形成された多孔質部１７１を介して不活性ガスを供給することにより、当該多孔質部１７１から供給される不活性ガスの流速を抑えたものとすることができる。このため、不活性ガスを供給する際に周囲の空気を巻き込むことがない。したがって、多孔質部１７１の上面側に、空気を含まない不活性ガスの雰囲気を形成することができる（図１０の工程Ａ１）。また、分散板１７４の内部には多孔質部１７１に向かって複数に分岐して設けられたガス流路１７５が形成されているので、多孔質部１７１の上面側の全面から不活性ガスが均等に供給される。
【００９０】
続いて、加熱機構１２４、１４１によって重合ウェハＴを加熱して接着剤Ｇの軟化状態を維持しながら、移動機構１５０の水平移動部１５２によって図１２に示すように第２の保持部１１１と支持ウェハＳを水平方向に移動させる。また、不活性ガス供給機構１７０は、支持体１６１により水平移動部１５２に支持されているため、当該水平移動部１５２の動作に伴い、第２の保持部１１１と同期して水平方向に移動する。
【００９１】
この際、多孔質部１７１と被処理ウェハＷの接合面ＷＪとの間は、例えば図１２に示すように鉛直方向に所定の距離Ｌだけ離間しているので、多孔質部１７１は被処理ウェハＷの接合面ＷＪに干渉することなく水平方向に移動する。このため、この移動により露出した被処理ウェハＷの接合面ＷＪは、多孔質部１７１と距離Ｌだけ離れて対向した状態となる。そしてこの間、被処理ウェハＷの接合面ＷＪには多孔質部１７１から不活性ガスが供給される。
【００９２】
その後、引き続き多孔質部１７１からの不活性ガスの供給を継続した状態で第２の保持部１１１を水平方向に移動させ、図１３に示すように第１の保持部１１０に保持された被処理ウェハＷと、第２の保持部１１１に保持された支持ウェハＳとを剥離する（図１０の工程Ａ２）。この際、多孔質部１７１は平面視において被処理ウェハＷを覆うことのできる大きさに形成されているため、剥離が完了した被処理ウェハＷの接合面ＷＪにも引続き多孔質部１７１からの不活性ガスが供給される。
【００９３】
そして、被処理ウェハＷが所定の温度、例えば約１００℃以下まで低下し、被処理ウェハＷの接合面ＷＪで酸化が進行しない状態となった後に、多孔質部１７１からの不活性ガスの供給が停止される。
【００９４】
その後、剥離装置３０で剥離された被処理ウェハＷは、第２の搬送装置３２によって第１の洗浄装置３１に搬送される。第２の搬送装置３２による被処理ウェハＷの搬送においては、図１４に示すように支持アーム２３１を伸長させて、ベルヌーイチャック２３０を第１の保持部１１０に保持された被処理ウェハＷの下方に配置される。その後、ベルヌーイチャック２３０を上昇させ、第１の保持部１１０における吸引管１２３からの被処理ウェハＷの吸引を停止する。そして、第１の保持部１１０からベルヌーイチャック２３０に被処理ウェハＷが受け渡される。このとき、被処理ウェハＷの接合面ＷＪがベルヌーイチャック２３０に保持されるが、ベルヌーイチャック２３０は非接触の状態で被処理ウェハＷが保持される。このため、被処理ウェハＷの接合面ＷＪ上の電子回路が損傷を被ることなく被処理ウェハＷの搬送を行うことができる。
【００９５】
次に図１５に示すように、支持アーム２３１を回動させてベルヌーイチャック２３０を第１の洗浄装置３１のポーラスチャック１９０の上方に移動させると共に、ベルヌーイチャック２３０を反転させて被処理ウェハＷを下方に向ける。このとき、ポーラスチャック１９０をカップ１９４よりも上方まで上昇させて待機させておく。その後、ベルヌーイチャック２３０からポーラスチャック１９０に被処理ウェハＷが受け渡され吸着保持される。
【００９６】
このようにポーラスチャック１９０に被処理ウェハＷが吸着保持されると、ポーラスチャック１９０を所定の位置まで下降させる。続いて、アーム２０１によって待機部２０５の洗浄液ノズル２０３を被処理ウェハＷの中心部の上方まで移動させる。その後、ポーラスチャック１９０によって被処理ウェハＷを回転させながら、洗浄液ノズル２０３から被処理ウェハＷの接合面ＷＪに洗浄液を供給する。供給された洗浄液は遠心力により被処理ウェハＷの接合面ＷＪの全面に拡散されて、当該被処理ウェハＷの接合面ＷＪが洗浄される（図１０の工程Ａ３）。
【００９７】
ここで、上述したように搬入出ステーション２に搬入された複数の重合ウェハＴには予め検査が行われており、正常な被処理ウェハＷを含む重合ウェハＴと欠陥のある被処理ウェハＷを含む重合ウェハＴとに判別されている。
【００９８】
正常な重合ウェハＴから剥離された正常な被処理ウェハＷは、工程Ａ３で接合面ＷＪが洗浄された後、第３の搬送装置４１によって検査装置６に搬送される。なお、この第３の搬送装置４１による被処理ウェハＷの搬送は、上述した第２の搬送装置３２による被処理ウェハＷの搬送とほぼ同様であるので説明を省略する。
【００９９】
検査装置６においては、被処理ウェハＷの接合面ＷＪにおける接着剤Ｇの残渣の有無が検査される（図１０の工程Ａ４）。検査装置６において接着剤Ｇの残渣が確認された場合、被処理ウェハＷは第３の搬送装置４１により検査後洗浄装置８の接合面洗浄部８ａに搬送され、接合面洗浄部８ａで接合面ＷＪが洗浄される（図１０の工程Ａ５）。接合面ＷＪが洗浄されると、被処理ウェハＷは第３の搬送装置４１によって反転部８ｃに搬送され、反転部８ｃにおいて上下方向に反転される。なお、接着剤Ｇの残渣が確認されなかった場合には、被処理ウェハＷは接合面洗浄部８ａに搬送されることなく反転部８ｃにて反転される（図１０の工程Ａ６）。
【０１００】
その後、反転された被処理ウェハＷは、第３の搬送装置４１により再び検査装置６に搬送され、非接合面ＷＮの検査が行われる（図１０の工程Ａ７）。そして、非接合面ＷＮにおいて接着剤Ｇの残渣が確認された場合、被処理ウェハＷは第３の搬送装置４１によって非接合面洗浄部８ｃに搬送され、非接合面ＷＮの洗浄が行われる（図１０の工程Ａ８）。次いで、洗浄された被処理ウェハＷは、第３の搬送装置４１によって後処理ステーション４に搬送される。なお、検査装置６で接着剤Ｇの残渣が確認されなかった場合には、被処理ウェハＷは非接合面洗浄部８ｂに搬送されることなくそのまま後処理ステーション４に搬送される。
【０１０１】
その後、後処理ステーション４において被処理ウェハＷに所定の後処理が行われる（図１０の工程Ａ９）。こうして、被処理ウェハＷが製品化される。
【０１０２】
一方、欠陥のある重合ウェハＴから剥離された欠陥のある被処理ウェハＷは、工程Ａ３で接合面ＷＪが洗浄された後、第１の搬送装置２０によって搬入出ステーション２に搬送される。その後、欠陥のある被処理ウェハＷは、搬入出ステーション２から外部に搬出され回収される（図１０の工程Ａ１０）。
【０１０３】
被処理ウェハＷに上述した工程Ａ３〜Ａ１０が行われている間、剥離装置３０で剥離された支持ウェハＳは、第１の搬送装置２０によって第２の洗浄装置３３に搬送される。そして、第２の洗浄装置３３において、支持ウェハＳの接合面ＳＪが洗浄される（図１０の工程Ａ１１）。なお、第２の洗浄装置３３における支持ウェハＳの洗浄は、上述した第１の洗浄装置３１における被処理ウェハＷの洗浄と同様であるので説明を省略する。
【０１０４】
その後、接合面ＳＪが洗浄された支持ウェハＳは、第１の搬送装置２０によって搬入出ステーション２に搬送される。その後、支持ウェハＳは、搬入出ステーション２から外部に搬出され回収される（図１０の工程Ａ１２）。こうして、一連の被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離処理が終了する。
【０１０５】
以上の実施の形態によれば、移動機構１５０により第１の保持部１１０と第２の保持部１１１を水平方向に相対的に移動させることで露出した被処理ウェハＷの接合面ＷＪに、不活性ガス供給機構１７０の多孔質部１７１から不活性ガスを供給するので、剥離により露出した被処理ウェハＷの接合面ＷＪを不活性ガスの雰囲気とすることができる。これにより、加熱された被処理ウェハＷの接合面ＷＪにおいて急激な酸化が進行することを抑制することができる。このため、加熱された被処理ウェハＷの接合面ＷＪで急激に進行する酸化を抑制するにあたり、被処理ウェハＷを気密容器などで覆うという大掛かりな対策を施す必要がない。したがって、本発明によれば、重合ウェハＴの剥離の際に、加熱された被処理ウェハＷの接合面ＷＪが酸化することを効率的に抑制することができる。
【０１０６】
また、不活性ガス供給機構１７０の多孔質部１７１は被処理ウェハＷを覆うことができる大きさであるため、剥離した被処理ウェハＷの接合面ＷＪの全面に対して不活性ガスを供給することができる。このため、被処理ウェハＷの全面にわたって酸化を抑制することができる。
【０１０７】
また、多孔質部１７１の進行方向の端部には、平面視において被処理ウェハＷの形状に沿って凹状に窪んだ窪み部１７１ａが形成されているため、当該多孔質部１７１を、平面視において被処理ウェハＷに接する位置に配置することができる。このため、移動機構１５０を移動させることにより露出した被処理ウェハＷの接合面ＷＪに、直ちに不活性ガスを供給することができる。具体的には、移動機構１５０により第１の保持部１１０と第２の保持部１１１を水平方向に相対的に移動させると、被処理ウェハＷの接合面ＷＪは図１６に示すように三日月状（図１６において斜線で示す範囲）に露出する。この場合、多孔質部１７１に窪み部１７１ａを形成し、平面視において当該窪み部１７１ａが被処理ウェハＷと接するように多孔質部１７１を配置することで、三日月状の露出部分の全面を多孔質部１７１で覆うことができる。したがって、露出した接合面ＷＪの全面に直ちに不活性ガスを供給できる。なお、窪み部１７１ａが平面視において被処理ウェハＷの外周部と接するとは、窪み部１７１ａの円弧の直径と被処理ウェハＷの直径とが一致することで窪み部１７１ａの全周にわたって接触しているということを意味するのではなく、剥離により被処理ウェハＷの接合面ＷＪが露出した際に、当該接合面ＷＪが筐体１００内の雰囲気に曝されることなく、多孔質部１７１の上方の不活性ガス雰囲気に覆われる程度に多孔質部１７１の窪み部１７１ａと被処理ウェハＷの外周部とが平面視において近接していることを意味している。
【０１０８】
また、多孔質部１７１を覆うように分散板１７４を設け、分散板１７４を介して多孔質部１７１に不活性ガスを供給するので、多孔質部１７１における分散板１７４と反対側の全面から不活性ガスを均等に供給することができる。このため、被処理ウェハＷの接合面ＷＪの全面に均等に不活性ガスを供給することができ、より確実に接合面ＷＪの酸化を抑制することができる。
【０１０９】
また、多孔質部１７１における、窪み部１７１ａが形成された端部と反対側の端部が、被処理ウェハＷより大きな直径の半円弧状に突出した形状になっているので、被処理ウェハＷを覆うにあたり、多孔質部１７１を最小限の大きさとすることができる。これにより、多孔質部１７１の表面積を小さくすることができ、多孔質部１７１から供給される不活性ガスの供給量を低減することができる。
【０１１０】
以上の実施の形態では、多孔質部１７１として炭化ケイ素を用いていたが、多孔質部１７１の材質は本実施の形態に限定されるものではなく、多孔質部１７１から不活性ガスを供給する際に周囲の空気を巻き込むことがない微細な複数の孔が形成されていれば、例えばテフロン（登録商標）などを用いてもよい。
【０１１１】
また、以上の実施の形態では、多孔質部１７１と被処理ウェハＷの接合面ＷＪとの距離Ｌは２ｍｍとしていたが、距離Ｌは０．５ｍｍ〜４ｍｍの範囲であれば、被処理ウェハＷの接合面ＷＪに適切に不活性ガスを供給し、急激な酸化の進行を好適に抑制することができる。
【０１１２】
なお、以上の実施の形態では、多孔質部１７１を被処理ウェハＷの接合面ＷＪに対して平行に配置していたが、多孔質部１７１は必ずしも被処理ウェハＷの接合面ＷＪと平行である必要はなく、多孔質部１７１と接合面ＷＪとの間の距離Ｌが０．５ｍｍ〜４ｍｍの間に保たれていれば、多孔質部１７１が接合面ＷＪに対して傾いて設けられていてもよい。
【０１１３】
以上の実施の形態では、第２の保持部１１１を第１の保持部１１０に対して相対的に水平方向に移動させたが、水平方向への移動に加えて、例えば第２の保持部を鉛直方向に１００μｍ移動させてもよい。例えば本実施の形態では、第２の保持部の水平方向へ移動距離は３００ｍｍであり、重合ウェハＴ中の接着剤Ｇの厚みは例えば３０μｍ〜４０μｍであって、被処理ウェハＷの接合面ＷＪに形成された電子回路（バンプ）の高さは例えば２０μｍである。この場合、被処理ウェハＷ上の電子回路と支持ウェハＳとの間の距離は微小である。そのため、例えば第２の保持部１１１を水平方向にのみ移動させた場合、電子回路と支持ウェハＳが接触し、電子回路が損傷を被るおそれがある。したがって、第２の保持部１１１を水平方向に移動させると共に鉛直方向にも移動させることによって、電子回路と支持ウェハＳとの接触を回避し、電子回路の損傷を抑制することができる。なお、この第２の保持部１１１の鉛直方向の移動距離と水平方向の移動距離の比率は、被処理ウェハＷ上の電子回路（バンプ）の高さに基づいて適宜設定されるものであり、本実施の形態に限定されるものではない。
【０１１４】
なお、第２の保持部に代えて、第１の保持部１１０を移動させてもよい。かかる場合も、第１の保持部１１０を鉛直方向及び水平方向に移動させてもよい。あるいは、第１の保持部１１０と第２の保持部１１１の両方を鉛直方向及び水平方向に移動させてもよい。なお、不活性ガス供給機構１７０は、いずれの保持部を移動させる場合においても、第１の保持部１１０に保持された被処理ウェハＷ、即ち不活性ガスの供給の対象物に対して水平方向に相対的に移動するように構成されていればよく、移動の方法や、支持の方法については任意に設定が可能である。例えば、第１の保持部１１０を水平方向に移動させる場合、不活性ガス供給機構１７０は筐体１００の天井面に支持されていてもよいし、筐体１００の底面に支持されていてもよい。いずれの場合においても、被処理ウェハＷが、不活性ガス供給機構１７０の上方を当該不活性ガス供給機構１７０と所定の距離Ｌ離間した状態で水平方向に移動すれば、露出した被処理ウェハＷの接合面ＷＪを不活性ガスの雰囲気とすることができる。
【０１１５】
また、第２の保持部１１１を鉛直方向及び水平方向に移動させることに代えて、第２の保持部１１１を水平方向のみに移動させ、当該第２の保持部１１１の移動速度を変化させてもよい。具体的には、第２の保持部１１１を移動させ始める際の移動速度を低速にし、その後徐々に移動速度を加速してもよい。すなわち、第２の保持部１１１を移動させ始める際には、被処理ウェハＷと支持ウェハＳとの接着面積が大きく、被処理ウェハＷ上の電子回路が接着剤Ｇの影響を受け易いため、第２の保持部１１１の移動速度を低速にする。その後、被処理ウェハＷと支持ウェハＳとの接着面積が小さくなるにつれ、被処理ウェハＷ上の電子回路が接着剤Ｇの影響を受け難くなるため、第２の保持部１１１の移動速度を徐々に加速する。かかる場合でも、電子回路と支持ウェハＳとの接触を回避し、電子回路の損傷を抑制することができる。
【０１１６】
なお、被処理ウェハＷと支持ウェハＳとを剥離する際に、剥離帯電による静電気が発生する場合がある。そして、剥離帯電が発生すると、被処理ウェハＷが静電気により損傷するおそれがある。したがって、剥離帯電の発生を防止するために、不活性ガス供給機構１７１から供給する不活性ガスとして、イオナイザによりイオン化した不活性ガスを用いてもよい。イオン化した不活性ガスを用いることで、静電気による被処理ウェハＷの損傷を防止することができる。
【０１１７】
また、以上の実施の形態によれば、剥離装置３０において重合ウェハＴを被処理ウェハＷと支持ウェハＳに剥離した後、第１の洗浄装置３１において、剥離された被処理ウェハＷを洗浄すると共に、第２の洗浄装置３３において、剥離された支持ウェハＳを洗浄することができる。このように本実施の形態によれば、一の剥離システム１内で、被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離から被処理ウェハＷの洗浄と支持ウェハＳの洗浄までの一連の剥離処理を効率よく行うことができる。また、第１の洗浄装置３１と第２の洗浄装置３３において、被処理ウェハＷの洗浄と支持ウェハＳの洗浄をそれぞれ並行して行うことができる。さらに、剥離装置３０において被処理ウェハＷと支持ウェハＳを剥離する間に、第１の洗浄装置３１と第２の洗浄装置３３において別の被処理ウェハＷと支持ウェハＳを処理することもできる。したがって、被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離を効率よく行うことができ、剥離処理のスループットを向上させることができる。
【０１１８】
また、剥離処理ステーション３で剥離された被処理ウェハＷが正常な被処理ウェハＷである場合、後処理ステーション５において当該被処理ウェハＷに所定の後処理が行われ、製品化される。一方、剥離処理ステーション３で剥離された被処理ウェハＷが欠陥のある被処理ウェハＷである場合、当該被処理ウェハＷは搬入出ステーション２から回収される。このように正常な被処理ウェハＷのみが製品化されるので、製品の歩留まりを向上させることができる。また、欠陥のある被処理ウェハＷを回収し、欠陥の程度によってはこの被処理ウェハＷを再利用することもでき、資源を有効活用できると共に製造コストを低廉化することもできる。
【０１１９】
また、このように一連のプロセスにおいて、被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離から被処理ウェハＷの後処理まで行うことができるので、ウェハ処理のスループットをさらに向上させることができる。
【０１２０】
また、剥離装置３０で剥離された支持ウェハＳは、洗浄後、搬入出ステーション２から回収されるので、当該支持ウェハＳを再利用することができる。したがって、資源を有効活用できると共に製造コストを低廉化することもできる。
【０１２１】
また、第２の搬送装置３２と第３の搬送装置４１は被処理ウェハＷを保持するベルヌーイチャック２３０を有しているので、被処理ウェハＷが薄型化していても当該被処理ウェハＷを適切に保持することができる。さらに、第２の搬送装置３２においては、被処理ウェハＷの接合面ＷＪがベルヌーイチャック２３０に保持されるが、ベルヌーイチャック２３０は非接触の状態で被処理ウェハＷが保持されるため、被処理ウェハＷの接合面ＷＪ上の電子回路が損傷を被ることはない。
【０１２２】
また、第１の洗浄装置３１は被処理ウェハＷを保持するポーラスチャック１９０を有しているので、被処理ウェハＷが薄型化していても当該被処理ウェハを適切に保持することができる。
【０１２３】
また、以上の実施の形態によれば、検査装置６において被処理ウェハＷを検査することができるので、検査結果に基づいて剥離システム１における処理条件を補正することができる。したがって、被処理ウェハＷと支持ウェハＳをさらに適切に剥離することができる。
【０１２４】
また、以上の実施の形態によれば、検査装置６において異常が検出された場合に検査後洗浄装置８で被処理ウェハＷの洗浄を行うことができる。したがって、被処理ウェハＷが異常な状態のまま後処理ステーション４に搬送されることがない。このため、製品の歩留まりの低下を抑制することができる。
【０１２５】
また、例えば不活性ガスの供給の対象物が被処理ウェハＷではなく支持ウェハＳであってもよい。かかる場合、不活性ガス供給機構１７０は、支持ウェハＳに対して水平方向に相対的に移動するように設けられる。かかる場合においても、多孔質部１７１の好ましい形状や配置は、不活性ガスの供給の対象物が被処理ウェハＷである場合と同様である。
【０１２６】
なお、以上の実施の形態では、被処理ウェハＷを上側に配置し、且つ支持ウェハＳを下側に配置した状態で、これら被処理ウェハＷと支持ウェハＳを剥離していたが、被処理ウェハＷと支持ウェハＳの上下配置を反対にしてもよい。
【０１２７】
以上の実施の形態の第２の搬送装置３２において、ベルヌーイチャック２３０の表面には、洗浄液を供給するための複数の供給口（図示せず）が形成されていてもよい。かかる場合、ベルヌーイチャック２３０から第１の洗浄装置３１のポーラスチャック１９０に被処理ウェハＷを受け渡す際、ベルヌーイチャック２３０から被処理ウェハＷの接合面ＷＪに洗浄液を供給して当該接合面ＷＪを洗浄すると共に、ベルヌーイチャック２３０自体も洗浄することができる。そうすると、その後の第１の洗浄装置３１における被処理ウェハＷの洗浄時間を短縮することができ、剥離処理のスループットをさらに向上させることができる。しかも、ベルヌーイチャック２３０も洗浄できるので、次の被処理ウェハＷを適切に搬送することができる。
【０１２８】
以上の実施の形態では、第３の搬送装置４１はベルヌーイチャック２３０を有していたが、このベルヌーイチャック２３０に代えて、ポーラスチャック（図示せず）を有していてもよい。かかる場合でも、ポーラスチャックによって薄型化した被処理ウェハＷを適切に吸着保持することができる。
【０１２９】
以上の実施の形態では、第１の洗浄装置３１と第２の洗浄装置３３の洗浄液ノズル２０３には２流体ノズルが用いられていたが、洗浄液ノズル２０３の形態は本実施の形態に限定されず種々のノズルを用いることができる。例えば洗浄液ノズル２０３として、洗浄液を供給するノズルと不活性ガスを供給するノズルとを一体化したノズル体や、スプレーノズル、ジェットノズル、メガソニックノズルなどを用いてもよい。また、洗浄処理のスループットを向上させるため、例えば８０℃に加熱された洗浄液を供給してもよい。
【０１３０】
また、第１の洗浄装置３１と第２の洗浄装置３３において、洗浄液ノズル２０３に加えて、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）を供給するノズルを設けてもよい。かかる場合、洗浄液ノズル２０３からの洗浄液によって被処理ウェハＷ又は支持ウェハＳを洗浄した後、被処理ウェハＷ又は支持ウェハＳ上の洗浄液をＩＰＡに置換する。そうすると、被処理ウェハＷ又は支持ウェハＳの接合面ＷＪ、ＳＪがより確実に洗浄される。
【０１３１】
以上の実施の形態の剥離システム１において、剥離装置３０で加熱された被処理ウェハＷを所定の温度に冷却する温度調節装置（図示せず）が設けられていてもよい。かかる場合、被処理ウェハＷの温度が適切な温度に調節されるので、後続の処理をより円滑に行うことができる。
【０１３２】
また、剥離装置３０の不活性ガス供給機構１７０は、不活性ガスを加熱するための加熱手段（図示せず）、例えばヒータを内蔵してもよい。あるいは、不活性ガス供給機構１７０に供給される不活性ガスが予め加熱されていてもよい。そして、第１の保持部１１１および第２の保持部１１２とほぼ同じ温度（例えば２００℃）の不活性ガスが、不活性ガス供給機構１７０から被処理ウェハＷに向けて噴射されるようにすればよい。このような構成にすれば、重合ウェハＴが不活性ガスにより冷却されることもなく、接着剤Ｇの軟化状態を維持できる。また、重合ウェハＴが不活性ガスにより冷却されて収縮することを防止できるので、被処理ウェハＷ上の電子回路が損傷することもない。
【０１３３】
また、図１７と図１８に示すように、多孔質部１７１における複数の孔の孔づまりを監視するための監視手段４００を設けてもよい。監視手段４００は、多孔質部１７１に設けられた複数の貫通孔４０１と、一端が貫通孔４０１に接続された配管４０２と、配管４０２の途中に配置された圧力計４０３とで構成される。なお、配管４０２の他端は開放されている。貫通孔４０１の直径は、小さいほうが好ましく、例えば１ｍｍとする。そして、貫通孔４０１は、窪み部１７１ａの端部と相似な線上に所定の間隔で設けられ、かつ複数列配置される。なお、貫通孔４０１の内面４０４は、コーティング処理などにより封止されている。
【０１３４】
そして、複数の貫通孔４０１毎に、圧力計４０３を設けて圧力を検知し、所定の値より圧力が小さくなったら、その貫通孔４０１の周辺の多孔質部１７１においても孔づまりが発生したとみなし、警告を行う。そして、剥離処理を停止して多孔質部１７１の清掃作業を行う。このようにすれば、多孔質部１７１の孔づまりを防止でき、常に多孔質部１７１から均一に不活性ガスを噴射することができる。
【０１３５】
なお、上述した形態では、圧力計４０３により室内との差圧を監視したが、配管４０２の他端に吸引ポンプ（図示せず）を接続し、圧力計４０３により絶対圧力を監視してもよい。
【０１３６】
次に、監視手段４００の他の実施形態を説明する。図１９に示すように、監視手段４００は、ブロック４１０と、ブロック４１０と多孔質部１７１との隙間を検知する検知手段、例えばセンサ４１１とを有する。そして、この剥離システム１のメンテナンス時に、多孔質部１７１上にブロック４１０を載せ、多孔質部１７１とブロック４１０との隙間をセンサ４１１で測定する。センサ４１１の測定結果は制御部３００に出力される。そして、この測定結果が所定の値より小さいときに、孔づまりが発生したとみなし、その場合、多孔質部１７１の清掃を行なう。
【０１３７】
また、不活性ガスの供給手段として、多孔質部１７１に加えて、図２０及び図２１に示すガス供給部材４１２をさらに設けてもよい。ガス供給部材４１２は、重合ウェハＴ（支持ウェハＳ）の周縁と対面する位置に配置される。この実施の形態では、ガス供給部材４１２は、円環（リング）状に形成される。そして、重合ウェハＴ（支持ウェハＳ）と対向する面４１３が多孔質状であり、この面から重合ウェハＴ（支持ウェハＳ）に向けて不活性ガスを供給する。なお、ガス供給部材４１２は、移動機構１５０によって移動される第２の保持部１１１上であって、支持ウェハＳの外周部に沿って設けられる。また、第１の保持部１１０が機構１５０によって移動される場合には、ガス供給部材４１２は、第１の保持部１１０上であって、被処理ウェハＷの外周部に沿って設けられる。
【０１３８】
また、ベルヌーイチャック２３０の他の実施の形態として、図２２に示すように、ベルヌーイチャック２３０の周縁に、被処理ウェハＷの周縁を保持する複数の保持ガイド４１４を設けてもよい。このようにすれば、ベルヌーイチャック２３０に保持された被処理ウェハＷの位置ずれを防止できる。また、保持ガイド４１４を被処理ウェハＷに対して近接、離間させるガイド移動手段４１５をさらに設けてもよい。
【０１３９】
なお、上述した実施形態の一部分を組み合わせて実施してもよく、同様の作用、効果を得ることが可能である。
【０１４０】
また、以上の実施の形態では、後処理ステーション４において被処理ウェハＷに後処理を行い製品化する場合について説明したが、本発明は、例えば３次元集積技術で用いられる被処理ウェハを支持ウェハから剥離する場合にも適用することができる。なお、３次元集積技術とは、近年の半導体デバイスの高集積化の要求に応えた技術であって、高集積化した複数の半導体デバイスを水平面内で配置する代わりに、当該複数の半導体デバイスを３次元に積層する技術である。この３次元集積技術においても、積層される被処理ウェハの薄型化が求められており、当該被処理ウェハを支持ウェハに接合して所定の処理が行われる。
【０１４１】
なお、以上の実施の形態では、不活性ガス供給機構１７０は、重合ウェハＴの剥離に際して露出した被処理ウェハＷの接合面ＷＪに不活性ガスを供給したが、不活性ガス供給機構１７０の用途は本実施の形態の内容に限定されるものではない。例えば、熱処理板においてウェハの加熱処理を行う際に、加熱されるウェハの表面に多孔質部１７１が対向するように不活性ガス供給機構１７０を配置することで、気密な密閉容器を設けることなく、ウェハの加熱処理の際に酸化が進行することを抑制することができる。
【０１４２】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。本発明は、基板がウェハ以外のＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）、フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板である場合にも適用できる。
【符号の説明】
【０１４３】
１ 剥離システム
２ 搬入出ステーション
３ 剥離処理ステーション
４ 後処理ステーション
５ インターフェイスステーション
６ 検査装置
７ ウェハ搬送領域
８ 検査後洗浄装置
２０ 第１の搬送装置
３０ 剥離装置
３１ 第１の洗浄装置
３２ 第２の搬送装置
３３ 第２の洗浄装置
４１ 第３の搬送装置
１００ 筐体
１０１ 排気口
１０２ 排気装置
１０３ 排気管
１１０ 第１の保持部
１１１ 第２の保持部
１２４ 加熱機構
１４１ 加熱機構
１５０ 移動機構
１５１ 鉛直移動部
１５２ 水平移動部
１５３ 支持板
１５４ 駆動部
１５５ 支持部材
１６０ レール
１６１ 支持体
１６２ 駆動部
１７０ 不活性ガス供給機構
１７１ 多孔質部
１７１ａ 窪み部
１７２ ガス供給管
１７３ 支持部材
１７４ 分散板
１７５ ガス流路
１７６ 不活性ガス供給源
１９０ ポーラスチャック
２３０ ベルヌーイチャック
３００ 制御部
４００ 監視手段
４１２ ガス供給部材
Ｇ 接着剤
Ｓ 支持ウェハ
Ｔ 重合ウェハ
Ｗ 被処理ウェハ
Ｌ 距離
【技術分野】
【０００１】
本発明は、重合基板を被処理基板と支持基板に剥離する剥離装置、当該剥離装置を備えた剥離システム、当該剥離装置を用いた剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、例えば半導体デバイスの製造プロセスにおいて、半導体ウェハ（以下、「ウェハ」とする）の大口径化が進んでいる。また、実装などの特定の工程において、ウェハの薄型化が求められている。例えば大口径で薄いウェハを、そのまま搬送したり、研磨処理したりすると、ウェハに反りや割れが生じる恐れがある。このため、例えばウェハを補強するために、例えば支持基板であるウェハやガラス基板にウェハを貼り付けることが行われている。そして、このようにウェハと支持基板が接合された状態でウェハの研磨処理等の所定の処理が行われた後、ウェハと支持基板が剥離される。
【０００３】
かかるウェハと支持基板の剥離は、例えば剥離装置を用いて行われる。例えば特許文献１には、熱酸化膜を形成したウェハに、デバイスが形成されたウェハを直接貼り合わせ、その後ウェハの剥離を行う剥離装置が提案されている。この剥離装置は、例えばウェハを保持する第１ホルダーと、支持基板を保持する第２ホルダーと、ウェハと支持基板との間に液体を噴射するノズルとを有している。そして、この剥離装置では、ノズルから接合されたウェハと支持基板との間、即ちウェハと支持基板との接合面に、当該ウェハと支持基板との間の接合強度より大きい噴射圧、好ましくは接合強度より２倍以上大きい噴射圧で液体を噴射することにより、ウェハと支持基板の剥離が行われている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平９−１６７７２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、ウェハと支持基板の貼り合わせには、例えば特許文献１に開示されるような、熱酸化膜を形成した支持基板にウェハを直接貼り合わせる方法の他に、支持基板とウェハとの間に接着剤を介在させて貼り合わせる方法などがある。
【０００６】
接着剤を用いて貼り合わせを行った場合、ウェハと支持基板とを剥離するにあたり、ウェハと支持基板との間に介在する接着剤を軟化させる必要がある。このため、ウェハと支持基板の剥離を行う際には、接着剤の軟化を目的として、貼り合わせられた状態のウェハと支持基板との加熱処理が行われる。
【０００７】
しかしながら、ウェハが加熱処理されていると、剥離により露出したウェハの表面（接合面）では急激に酸化が進行してしまう。そして、この急激な酸化により、製品に深刻なダメージを与える恐れがある。
【０００８】
酸化による製品のダメージを抑制するためには、剥離を行う際のウェハ周囲の酸素濃度を低くする必要がある。しかしながら、急激な酸化を防ぐために要求される酸素濃度を達成するには、ウェハや剥離装置を気密容器などで覆う必要がある。その場合、装置が非常に大掛かりなものとなってしまい、設置スペースの増大、設置コストの増加及びスループットの低下といった問題が生じてしまう。
【０００９】
気密容器を用いずにウェハの急激な酸化を抑制する方法としては、例えばスリット状のノズルなどを用いて、剥離後のウェハに直接不活性ガス等を吹きつけることが考えられる。しかしながら、このようなスリット状のノズルによりウェハに不活性ガスを吹き付けると、ノズルから吹き付けられる不活性ガスの有する流速により周囲の空気が巻き込まれる。この場合、不活性ガスに随伴して空気もウェハ接合面に吹き付けられることとなるため、ウェハの接合面に不活性ガスだけを吹き付けることができない。
【００１０】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、加熱処理を伴う被処理基板と支持基板との剥離処理の際に、基板の接合面で急激に酸化が進行することを効率的に抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前記の目的を達成するため、本発明は、被処理基板と支持基板が接着剤で接合された重合基板を、被処理基板と支持基板とに剥離する剥離装置であって、被処理基板を加熱する加熱機構を備え、且つ当該被処理基板を保持する第１の保持部と、支持基板を加熱する加熱機構を備え、且つ当該支持基板を保持する第２の保持部と、少なくとも前記第１の保持部又は前記第２の保持部を相対的に水平方向に移動させる移動機構と、前記移動機構により前記第１の保持部と前記第２の保持部を相対的に水平方向に移動させることで露出した被処理基板の接合面に、不活性ガスを供給する不活性ガス供給機構と、を有し、前記不活性ガス供給機構は、複数の孔が形成された多孔質部と、前記多孔質部に接続され、当該多孔質部に不活性ガスを供給するガス供給管と、を有し、前記多孔質部は、前記被処理基板の接合面から鉛直方向に所定の距離離間して設けられていることを特徴としている。
【００１２】
本発明の剥離装置によれば、第１の保持部又は第２の保持部を相対的に水平方向に移動させる移動機構と、ガス供給管が接続された多孔質部を供えた不活性ガス供給機構を有し、この多孔質部が被処理基板と支持基板の接合面から鉛直方向に所定の距離離間して設けられているので、例えば第２の保持部を移動機構により水平方向に移動させることで第１の保持部に保持された被処理基板と第２の保持部に保持された支持基板とを剥離することができ、さらに、剥離することにより露出した、被処理基板の接合面に向けて多孔質部から不活性ガスを供給することができる。この際、複数の孔が形成された多孔質部を介して不活性ガスを供給するため、供給される不活性ガスの流速は抑えられたものとなる。これにより、不活性ガスを供給する際に周囲の空気を巻き込むことがなく、不活性ガスのみが被処理ウェハＷの接合面に供給されるため、露出した被処理基板の接合面を不活性ガスの雰囲気とすることができる。このため、例えば加熱された被処理基板の接合面が酸化することを抑制するために、当該被処理基板を気密容器などで覆うという大掛かりな対策を施す必要がない。したがって、本発明によれば、加熱処理された被処理基板と支持基板を剥離する際に生じる、基板の接合面での急激な酸化の進行を、効率的に抑制することができる。
【００１３】
前記多孔質部は、平面視において前記被処理基板を覆うことができる平板形状を有していてもよい。
【００１４】
前記多孔質部の進行方向の端部には、平面視において前記被処理基板の形状に沿って凹状に窪んだ窪み部が形成されていてもよい。
【００１５】
前記多孔質部は、当該多孔質部の窪み部が平面視において前記被処理基板と接するように配置されていてもよい。
【００１６】
前記移動機構は、前記第２の保持部と同期して前記多孔質部を水平方向に移動させてもよい。
【００１７】
前記ガス供給管は、前記多孔質部の片側の面を覆うように設けられた分散板を介して前記多孔質部と接続され、前記分散板の内部には、前記多孔質部と前記ガス供給管に連通するガス流路が形成されていてもよい。
【００１８】
前記多孔質部と、前記被処理基板との鉛直方向の距離は０．５ｍｍ〜４ｍｍであってもよい。
【００１９】
前記不活性ガス供給機構から供給される不活性ガスは、イオナイザによりイオン化されたものであってもよい。
【００２０】
前記不活性ガス供給機構から供給される不活性ガスは、加熱されていてもよい。
【００２１】
前記不活性ガス供給機構は、前記多孔質部の複数の孔の孔づまりを監視する監視手段を有していてもよい。
【００２２】
前記移動機構によって水平方向に移動される前記第１の保持部に保持された被処理基板又は前記第２の保持部に保持された支持基板の外周部に沿って環状に設けられ、当該被処理基板又は支持基板に対して不活性ガスを供給するガス供給部材を有していてもよい。
【００２３】
なお、前記不活性ガス供給機構は、前記被処理基板に代えて前記支持基板の接合面に不活性ガスを供給するものであり、前記多孔質部は、前記支持基板の接合面から鉛直方向に所定の距離離間して設けられていてもよい。
【００２４】
別な観点による本発明は、被処理基板と支持基板が接着剤で接合された重合基板を、被処理基板と支持基板に剥離する剥離システムであって、被処理基板、支持基板及び重合基板に所定の処理を行う剥離処理ステーションと、前記剥離処理ステーションに対して、被処理基板、支持基板又は重合基板を搬入出する搬入出ステーションと、前記剥離処理ステーションと前記搬入出ステーションとの間で、被処理基板、支持基板又は重合基板を搬送する搬送装置と、を有し、前記剥離処理ステーションは、重合基板を被処理基板と支持基板に剥離する剥離装置と、前記剥離装置で剥離された被処理基板を洗浄する第１の洗浄装置と、前記剥離装置で剥離された支持基板を洗浄する第２の洗浄装置と、を有し、前記剥離装置は、被処理基板を加熱する加熱機構を備え、且つ当該被処理基板を保持する第１の保持部と、支持基板を加熱する加熱機構を備え、且つ当該支持基板を保持する第２の保持部と、少なくとも前記第１の保持部又は前記第２の保持部を相対的に水平方向に移動させる移動機構と、前記移動機構により前記第１の保持部と前記第２の保持部を相対的に水平方向に移動させることで露出した被処理基板の接合面に、不活性ガスを供給する不活性ガス供給機構と、を有し、前記不活性ガス供給機構は、複数の孔が形成された多孔質部と、前記多孔質部に接続され、当該多孔質部に不活性ガスを供給するガス供給管と、を有し、前記多孔質部は、前記被処理基板の接合面から鉛直方向に所定の距離離間して設けられていることを特徴としている。
【００２５】
前記多孔質部は、平面視において前記被処理基板を覆うことができる平板形状を有していてもよい。
【００２６】
前記多孔質部の進行方向の端部には、平面視において前記被処理基板の形状に沿って凹状に窪んだ窪み部が形成されていてもよい。
【００２７】
前記多孔質部は、当該多孔質部の窪み部が平面視において前記被処理基板と接するように配置されていてもよい。
【００２８】
前記移動機構は、前記第２の保持部と同期して前記多孔質部を水平方向に移動させてもよい。
【００２９】
前記ガス供給管は、前記多孔質部の片側の面を覆うように設けられた分散板を介して前記多孔質部と接続され、前記分散板の内部には、前記多孔質部と前記ガス供給管に連通するガス流路が形成されていてもよい。
【００３０】
前記多孔質部と、前記被処理基板との鉛直方向の距離は０．５ｍｍ〜４ｍｍであってもよい。
【００３１】
前記不活性ガス供給機構から供給される不活性ガスは、イオナイザによりイオン化されたものであってもよい。
【００３２】
前記不活性ガス供給機構から供給される不活性ガスは、加熱されていてもよい。
【００３３】
前記不活性ガス供給機構は、前記多孔質部の複数の孔の孔づまりを監視する監視手段を有していてもよい。
【００３４】
前記剥離装置は、前記移動機構によって水平方向に移動される前記第１の保持部に保持された被処理基板又は前記第２の保持部に保持された支持基板の外周部に沿って環状に設けられ、当該被処理基板又は支持基板に対して不活性ガスを供給するガス供給部材を有していてもよい。
【００３５】
前記不活性ガス供給機構は、前記被処理基板に代えて前記支持基板の接合面に不活性ガスを供給するものであり、前記多孔質部は、前記支持基板の接合面から鉛直方向に所定の距離離間して設けられていてもよい。
【００３６】
また、別な観点による本発明は、離装置を用いて、被処理基板と支持基板が接着剤で接合された重合基板を、被処理基板と支持基板とに剥離する剥離方法であって、前記剥離装置は、被処理基板を加熱する加熱機構を備え、且つ当該被処理基板を保持する第１の保持部と、支持基板を加熱する加熱機構を備え、且つ当該支持基板を保持する第２の保持部と、少なくとも前記第１の保持部又は前記第２の保持部を相対的に水平方向に移動させる移動機構と、前記被処理基板に不活性ガスを供給する不活性ガス供給機構と、を有し、前記不活性ガス供給機構は、複数の孔が形成された多孔質部と、前記多孔質部に接続され、当該多孔質部に不活性ガスを供給するガス供給管と、を備え、前記剥離方法は、前記第１の保持部に保持された被処理基板と前記第２の保持部に保持された支持基板とを加熱しながら、前記第１の保持部と前記第２の保持部を相対的に水平方向に移動させて被処理基板と支持基板を剥離し、前記多孔質部を前記被処理基板の接合面から鉛直方向に所定の距離離間させて、当該多孔質部から剥離により露出した被処理基板の接合面に不活性ガスを供給することを特徴としている。
【００３７】
前記多孔質部は、平面視において前記被処理基板を覆うことができる平板形状であり、前記多孔質部の進行方向の端部には、平面視において前記被処理基板の形状に沿って凹状に窪んだ窪み部が形成され、さらに前記多孔質部は、当該多孔質部の窪み部が平面視において前記被処理基板と接するように配置されており、前記不活性ガスは、少なくとも剥離により前記被処理基板の接合面が露出する以前に供給が開始されてもよい。
【００３８】
前記不活性ガスの供給は、前記被処理基板が所定の温度以下となるまで継続されてもよい。
【００３９】
前記不活性ガス供給機構は、剥離により露出した前記被処理基板の接合面に代えて、剥離により露出した前記支持基板の接合面に不活性ガスを供給するものであり、前記不活性ガスの供給は、前記多孔質部を前記支持基板の接合面から鉛直方向に所定の距離離間させて行われてもよい。
【００４０】
また別な観点による本発明によれば、前記剥離方法を剥離装置によって実行させるために、当該剥離装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムが提供される。
【００４１】
さらに別な観点による本発明によれば、前記プログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体が提供される。
【発明の効果】
【００４２】
本発明によれば、加熱処理を伴う被処理基板と支持基板との剥離処理の際に、基板の接合面で急激に酸化が進行することを効率的に抑制することができる。
ことができる。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本実施の形態にかかる剥離システムの構成の概略を示す平面図である。
【図２】被処理ウェハと支持ウェハの側面図である。
【図３】剥離装置の構成の概略を示す縦断面図である。
【図４】多孔質部の構成の概略を示す平面図である。
【図５】不活性ガス供給機構の構成の概略を示す縦断面図である。
【図６】第１の洗浄装置の構成の概略を示す縦断面図である。
【図７】第１の洗浄装置の構成の概略を示す横断面図である。
【図８】第２の洗浄装置の構成の概略を示す縦断面図である。
【図９】第２の搬送装置の構成の概略を示す側面図である。
【図１０】剥離処理の主な工程を示すフローチャートである。
【図１１】第１の保持部と第２の保持部で重合ウェハを保持した様子を示す説明図である。
【図１２】第２の保持部を鉛直方向及び水平方向に移動させる様子を示す説明図である。
【図１３】被処理ウェハと支持ウェハを剥離した様子を示す説明図である。
【図１４】第１の保持部からベルヌーイチャックに被処理ウェハを受け渡す様子を示す説明図である。
【図１５】ベルヌーイチャックからポーラスチャックに被処理ウェハを受け渡す様子を示す説明図である。
【図１６】被処理ウェハと支持ウェハとが相対的に水平方向に移動した状態を示す平面図である。
【図１７】多孔質部の孔づまりの監視手段の構成の概略を示す平面図である。
【図１８】多孔質部の孔づまりの監視手段の構成の概略を示す縦断面図である。
【図１９】他の実施の形態にかかる多孔質部の孔づまりの監視手段の構成の概略を示す平面図である。
【図２０】ガス供給部材の構成の概略を示す平面図である。
【図２１】ガス供給部材の構成の概略を示す縦断面図である。
【図２２】他の実施の形態にかかるベルヌーイチャックの構成の概略を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００４４】
以下、本発明の実施の形態について説明する。図１は、本実施の形態にかかる剥離装置を有する剥離システム１の構成の概略を示す平面図である。
【００４５】
剥離システム１では、図２に示すように被処理基板としての被処理ウェハＷと支持基板としての支持ウェハＳとが接着剤Ｇで接合された重合基板としての重合ウェハＴを、被処理ウェハＷと支持ウェハＳに剥離する。以下、被処理ウェハＷにおいて、接着剤Ｇを介して支持ウェハＳと接合される面を「接合面ＷＪ」といい、当該接合面ＷＪと反対側の面を「非接合面ＷＮ」という。同様に、支持ウェハＳにおいて、接着剤Ｇを介して被処理ウェハＷと接合される面を「接合面ＳＪ」といい、当該接合面ＳＪと反対側の面を「非接合面ＳＮ」という。なお、被処理ウェハＷは、製品となるウェハであって、例えば接合面ＷＪに複数の電子回路が形成されている。また被処理ウェハＷは、例えば非接合面ＷＮが研磨処理され、薄型化（例えば厚みが５０μｍ）されている。支持ウェハＳは、被処理ウェハＷの径と同じ径を有し、当該被処理ウェハＷを支持するウェハである。なお、本実施の形態では、支持基板としてウェハを用いた場合について説明するが、例えばガラス基板等の他の基板を用いてもよい。
【００４６】
剥離システム１は、図１に示すように例えば外部との間で複数の被処理ウェハＷ、複数の支持ウェハＳ、複数の重合ウェハＴをそれぞれ収容可能なカセットＣＷ、ＣＳ、ＣＴが搬入出される搬入出ステーション２と、被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴに対して所定の処理を施す各種処理装置を備えた剥離処理ステーション３と、剥離処理ステーション３に隣接する後処理ステーション４との間で被処理ウェハＷの受け渡しを行うインターフェイスステーション５と、後処理ステーション４に受け渡す前の被処理ウェハＷを検査する検査装置６と、を一体に接続した構成を有している。
【００４７】
搬入出ステーション２と剥離処理ステーション３は、Ｘ方向（図１中の上下方向）に並べて配置されている。これら搬入出ステーション２と剥離処理ステーション３との間には、ウェハ搬送領域７が形成されている。インターフェイスステーション５は、剥離処理ステーション３のＹ方向負方向側（図１中の左方向側）に配置されている。また、検査装置６は、インターフェイスステーション５のＸ方向正方向側（図１中の上方向側）に配置されており、インターフェイスステーション５を挟んで検査装置６の反対側、即ちインターフェイスステーション５のＸ方向負方向側には、検査後の被処理ウェハＷを洗浄する検査後洗浄装置８が配置されている。
【００４８】
搬入出ステーション２には、カセット載置台１０が設けられている。カセット載置台１０には、複数、例えば３つのカセット載置板１１が設けられている。カセット載置板１１は、Ｙ方向（図１中の左右方向）に一列に並べて配置されている。これらのカセット載置板１１には、剥離システム１の外部に対してカセットＣＷ、ＣＳ、ＣＴを搬入出する際に、カセットＣＷ、ＣＳ、ＣＴを載置することができる。このように搬入出ステーション２は、複数の被処理ウェハＷ、複数の支持ウェハＳ、複数の重合ウェハＴを保有可能に構成されている。なお、カセット載置板１１の個数は、本実施の形態に限定されず、任意に決定することができる。また、搬入出ステーション２に搬入された複数の重合ウェハＴには予め検査が行われており、正常な被処理ウェハＷを含む重合ウェハＴと欠陥のある被処理ウェハＷを含む重合ウェハＴとに判別されている。
【００４９】
ウェハ搬送領域７には、第１の搬送装置２０が配置されている。第１の搬送装置２０は、例えば鉛直方向、水平方向（Ｙ方向、Ｘ方向）及び鉛直軸周りに移動自在な搬送アームを有している。第１の搬送装置２０は、ウェハ搬送領域７内を移動し、搬入出ステーション２と剥離処理ステーション３との間で被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴを搬送できる。
【００５０】
剥離処理ステーション３は、重合ウェハＴを被処理ウェハＷと支持ウェハＳに剥離する剥離装置３０を有している。剥離装置３０のＹ方向負方向側（図１中の左方向側）には、剥離された被処理ウェハＷを洗浄する第１の洗浄装置３１が配置されている。剥離装置３０と第１の洗浄装置３１との間には、他の搬送装置としての第２の搬送装置３２が設けられている。また、剥離装置３０のＹ方向正方向側（図１中の右方向側）には、剥離された支持ウェハＳを洗浄する第２の洗浄装置３３が配置されている。このように剥離処理ステーション３には、第１の洗浄装置３１、第２の搬送装置３２、剥離装置３０、第２の洗浄装置３３が、インターフェイスステーション５側からこの順で並べて配置されている。
【００５１】
検査装置６では、剥離装置３０により剥離された被処理ウェハＷ上の接着剤Ｇの残渣の有無が検査される。また、検査後洗浄装置８では、検査装置６で接着剤Ｇの残渣が確認された被処理ウェハＷの洗浄が行われる。この検査後洗浄装置８は、被処理ウェハＷの接合面ＷＪを洗浄する接合面洗浄部８ａ、被処理ウェハＷの非接合面ＷＮを洗浄する非接合面洗浄部８ｂ、被処理ウェハＷを上下反転させる反転部８ｃを有している。
【００５２】
インターフェイスステーション５には、Ｙ方向に延伸する搬送路４０上を移動自在な他の搬送装置としての第３の搬送装置４１が設けられている。第３の搬送装置４１は、鉛直方向及び鉛直軸周り（θ方向）にも移動自在であり、剥離処理ステーション３、後処理ステーション４、検査装置６及び検査後洗浄装置８との間で被処理ウェハＷを搬送できる。
【００５３】
なお、後処理ステーション４では、剥離処理ステーション３で剥離された被処理ウェハＷに所定の後処理を行う。所定の後処理として、例えば被処理ウェハＷをマウントする処理や、被処理ウェハＷ上の電子回路の電気的特性の検査を行う処理、被処理ウェハＷをチップ毎にダイシングする処理などが行われる。
【００５４】
次に、上述した剥離装置３０の構成について説明する。剥離装置３０は、図３に示すように、その内部に複数の機器を収容する筐体１００を有している。筐体１００の側面には、被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴの搬入出口（図示せず）が形成され、当該搬入出口には開閉シャッタ（図示せず）が設けられている。なお、筐体１００はその内部を密閉するものではなく、例えばステンレススチールの薄板等で構成されている。
【００５５】
筐体１００の底面には、当該筐体１００の内部を排気する排気口１０１が形成されている。排気口１０１には、例えば真空ポンプなどの排気装置１０２に連通する排気管１０３が接続されている。
【００５６】
筐体１００の内部には、被処理ウェハＷを下面で吸着保持する第１の保持部１１０と、支持ウェハＳを上面で載置して保持する第２の保持部１１１とが設けられている。第１の保持部１１０は、第２の保持部１１１の上方に設けられ、第２の保持部１１１と対向するように配置されている。すなわち、筐体１００の内部では、被処理ウェハＷを上側に配置し、且つ支持ウェハＳを下側に配置した状態で、重合ウェハＴの剥離処理が行われる。
【００５７】
第１の保持部１１０には、例えばポーラスチャックが用いられている。第１の保持部１１０は、平板状の本体部１２０を有している。本体部１２０の下面側には、多孔質体であるポーラス１２１が設けられている。ポーラス１２１は、例えば被処理ウェハＷとほぼ同じ径を有し、当該被処理ウェハＷの非接合面ＷＮと当接している。なお、ポーラス１２１としては例えば炭化ケイ素が用いられる。
【００５８】
また、本体部１２０の内部であってポーラス１２１の上方には吸引空間１２２が形成されている。吸引空間１２２は、例えばポーラス１２１を覆うように形成されている。吸引空間１２２には、吸引管１２３が接続されている。吸引管１２３は、例えば真空ポンプなどの負圧発生装置（図示せず）に接続されている。そして、吸引管１２３から吸引空間１２２とポーラス１２１を介して被処理ウェハの非接合面ＷＮが吸引され、当該被処理ウェハＷが第１の保持部１１０に吸着保持される。
【００５９】
また、本体部１２０の内部であって吸引空間１２２の上方には、被処理ウェハＷを加熱する加熱機構１２４が設けられている。加熱機構１２４には、例えばヒータが用いられる。
【００６０】
第１の保持部１１０の上面には、当該第１の保持部１１０を支持する支持板１３０が設けられている。支持板１３０は、筐体１００の天井面に支持されている。なお、本実施の形態の支持板１３０を省略し、第１の保持部１１０は筐体１００の天井面に当接して支持されてもよい。
【００６１】
第２の保持部１１１の内部には、支持ウェハＳを吸着保持するための吸引管１４０が設けられている。吸引管１４０は、例えば真空ポンプなどの排気装置（図示せず）に接続されている。
【００６２】
また、第２の保持部１１１の内部には、支持ウェハＳを加熱する加熱機構１４１が設けられている。加熱機構１４１には、例えばヒータが用いられる。
【００６３】
第２の保持部１１１の下方には、第２の保持部１１１及び支持ウェハＳを鉛直方向及び水平方向に移動させる移動機構１５０が設けられている。移動機構１５０は、第２の保持部１１１を鉛直方向に移動させる鉛直移動部１５１と、第２の保持部１１１を水平方向に移動させる水平移動部１５２とを有している。
【００６４】
鉛直移動部１５１は、第２の保持部１１１の下面を支持する支持板１５３と、支持板１５３を昇降させる駆動部１５４と、支持板１５３を支持する支持部材１５５とを有している。駆動部１５４は、例えばボールネジ（図示せず）と当該ボールネジを回動させるモータ（図示せず）とを有している。また、支持部材１５５は、鉛直方向に伸縮自在に構成され、支持板１５３と後述する支持体１６１との間に例えば３箇所に設けられている。
【００６５】
水平移動部１５２は、Ｘ方向（図３中の左右方向）に沿って延伸するレール１６０と、レール１６０に取り付けられる支持体１６１と、支持体１６１をレール１６０に沿って移動させる駆動部１６２とを有している。駆動部１６２は、例えばボールネジ（図示せず）と当該ボールネジを回動させるモータ（図示せず）とを有している。
【００６６】
なお、第２の保持部１１１の下方には、重合ウェハＴ又は支持ウェハＳを下方から支持し昇降させるための昇降ピン（図示せず）が設けられている。昇降ピンは第２の保持部１１１に形成された貫通孔（図示せず）を挿通し、第２の保持部１１１の上面から突出可能になっている。
【００６７】
第２の保持部１１１の、例えばＸ方向正方向側には、被処理ウェハＷの接合面ＷＪに不活性ガスを供給する不活性ガス供給機構１７０が設けられている。不活性ガス供給機構１７０は、複数の微細な孔が形成された平板形状の多孔質部１７１と、多孔質部１７１に不活性ガスを供給するガス供給管１７２を備えている。また、不活性ガス供給機構１７０は、支持部材１７３を介して水平移動部１５２の支持体１６１に支持されており、水平移動部１５２を移動させることにより、当該不活性ガス供給機構１７０を水平方向に移動させることができる。なお、多孔質部１７１としては、例えば炭化ケイ素が用いられる。
【００６８】
多孔質部１７１は、図４に示すように、平面視において被処理ウェハＷを覆うことのできる平板形状を有している。また、水平移動部１５２により多孔質部１７１を移動させた場合の当該多孔質部１７１の進行方向の端部には、平面視において被処理ウェハＷの形状に沿って凹状に窪んだ窪み部１７１ａが形成されている。具体的には、図４に示すように、多孔質部１７１の進行方向端部が、被処理ウェハＷとほぼ同じ直径の半円弧状に窪んでおり、且つ、多孔質部１７１における窪み部１７１ａ以外の箇所が被処理ウェハＷを覆うことのできる大きさとなっている。また、多孔質部１７１における、窪み部１７１ａが形成された端部と反対側の端部は、被処理ウェハＷより大きな直径の半円弧状に突出した形状を有している。したがって、被処理ウェハＷを覆うにあたり、多孔質部１７１は最小限の大きさとなっている。なお、多孔質板１７１の大きさは本実施の形態に限定されるものではなく、任意に設定が可能である。
【００６９】
多孔質部１７１は、図３に示すように被処理ウェハＷの接合面ＷＪと平行に設けられている。また、多孔質部１７１は、第１の保持部１１０と第２の保持部１１１が対向した状態、即ち被処理ウェハＷと支持ウェハＳが接合された状態において、図４に示すように、多孔質部１７１の窪み部１７１ａが平面視において被処理ウェハＷの外周部と接するように配置されている。
【００７０】
多孔質部１７１の鉛直方向の配置は、被処理ウェハＷの接合面ＷＪより下方に位置するように調整されている。換言すれば、多孔質部１７１と被処理ウェハＷの接合面ＷＪとの間は鉛直方向に所定の距離だけ離間している。なお、本実施の形態においては、距離は２ｍｍに設定されている。
【００７１】
多孔質部１７１の下側の面には、図５に示すように、平板形状の分散板１７４が多孔質部１７１を覆うように設けられている。分散板１７４としては、例えばアルミニウムやステンレスといった金属製の板が用いられる。分散板１７４の内部には、ガス流路１７５が形成されている。ガス供給管１７２は、この分散板１７４のガス流路１７５に接続されている。
【００７２】
ガス供給管１７２の分散板１７４側と反対側の端部は、不活性ガスとして例えば窒素ガスを供給する不活性ガス供給源１７６に接続されている。また、分散版１７４のガス流路１７５は、ガス供給管１７２が接続された側から多孔質部１７１に向かって複数に分岐して設けられ、多孔質部１７１の面内に均一に不活性ガスを供給できるように形成されている。このため、当該不活性ガス供給源１７６から供給された不活性ガスは、分散板１７４を介して多孔質部１７１に面内均一に供給される。なお、不活性ガスとしては、酸素原子を含まないガスであればよく、本実施の形態の窒素ガスに限定されるものではない。
【００７３】
次に、上述した第１の洗浄装置３１の構成について説明する。第１の洗浄装置３１は、図６に示すように筐体１８０を有している。筐体１８０の側面には、被処理ウェハＷの搬入出口（図示せず）が形成され、当該搬入出口には開閉シャッタ（図示せず）が設けられている。
【００７４】
筐体１８０内の中央部には、被処理ウェハＷを保持して回転させるポーラスチャック１９０が設けられている。ポーラスチャック１９０は、平板状の本体部１９１と、本体部１９１の上面側に設けられたポーラス１９２とを有している。ポーラス１９２は、例えば被処理ウェハＷとほぼ同じ径を有し、当該被処理ウェハＷの非接合面ＷＮと当接している。なお、ポーラス１９２としては例えば炭化ケイ素が用いられる。ポーラス１９２には吸引管（図示せず）が接続され、当該吸引管からポーラス１９２を介して被処理ウェハＷの非接合面ＷＮを吸引することにより、当該被処理ウェハＷをポーラスチャック１９０上に吸着保持できる。
【００７５】
ポーラスチャック１９０の下方には、例えばモータなどを備えたチャック駆動部１９３が設けられている。ポーラスチャック１９０は、チャック駆動部１９３により所定の速度で回転できる。また、チャック駆動部１９３には、例えばシリンダなどの昇降駆動源が設けられており、ポーラスチャック１９０は昇降自在になっている。
【００７６】
ポーラスチャック１９０の周囲には、被処理ウェハＷから飛散又は落下する液体を受け止め、回収するカップ１９４が設けられている。カップ１９４の下面には、回収した液体を排出する排出管１９５と、カップ１９４内の雰囲気を真空引きして排気する排気管１９６が接続されている。
【００７７】
図７に示すようにカップ１９４のＸ方向負方向（図５中の下方向）側には、Ｙ方向（図５中の左右方向）に沿って延伸するレール２００が形成されている。レール２００は、例えばカップ１９４のＹ方向負方向（図５中の左方向）側の外方からＹ方向正方向（図５中の右方向）側の外方まで形成されている。レール２００には、アーム２０１が取り付けられている。
【００７８】
アーム２０１には、図６及び図７に示すように被処理ウェハＷに洗浄液、例えば有機溶剤を供給する洗浄液ノズル２０３が支持されている。アーム２０１は、図７に示すノズル駆動部２０４により、レール２００上を移動自在である。これにより、洗浄液ノズル２０３は、カップ１９４のＹ方向正方向側の外方に設置された待機部２０５からカップ１９４内の被処理ウェハＷの中心部上方まで移動でき、さらに当該被処理ウェハＷ上を被処理ウェハＷの径方向に移動できる。また、アーム２０１は、ノズル駆動部２０４によって昇降自在であり、洗浄液ノズル２０３の高さを調節できる。
【００７９】
洗浄液ノズル２０３には、例えば２流体ノズルが用いられる。洗浄液ノズル２０３には、図６に示すように当該洗浄液ノズル２０３に洗浄液を供給する供給管２１０が接続されている。供給管２１０は、内部に洗浄液を貯留する洗浄液供給源２１１に連通している。供給管２１０には、洗浄液の流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群２１２が設けられている。また、洗浄液ノズル２０３には、当該洗浄液ノズル２０３に不活性ガス、例えば窒素ガスを供給する供給管２１３が接続されている。供給管２１３は、内部に不活性ガスを貯留するガス供給源２１４に連通している。供給管２１３には、不活性ガスの流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群２１５が設けられている。そして、洗浄液と不活性ガスは洗浄液ノズル２０３内で混合され、当該洗浄液ノズル２０３から被処理ウェハＷに供給される。なお、以下においては、洗浄液と不活性ガスを混合したものを単に「洗浄液」という場合がある。
【００８０】
なお、ポーラスチャック１９０の下方には、被処理ウェハＷを下方から支持し昇降させるための昇降ピン（図示せず）が設けられていてもよい。かかる場合、昇降ピンはポーラスチャック１９０に形成された貫通孔（図示せず）を挿通し、ポーラスチャック１９０の上面から突出可能になっている。そして、ポーラスチャック１９０を昇降させる代わりに昇降ピンを昇降させて、ポーラスチャック１９０との間で被処理ウェハＷの受け渡しが行われる。なお、上述した検査後洗浄装置８の接合面洗浄部８ａと非接合面洗浄部８ｂの構成は、この第１の洗浄装置３１と同様であるので、接合面洗浄部８ａと非接合面洗浄部８ｂについては説明を省略する。
【００８１】
また、第２の洗浄装置３３の構成は、上述した第１の洗浄装置３１の構成とほぼ同様である。第２の洗浄装置３３には、図８に示すように第１の洗浄装置３１のポーラスチャック１９０に代えて、スピンチャック２２０が設けられる。スピンチャック２２０は、水平な上面を有し、当該上面には、例えば支持ウェハＳを吸引する吸引口（図示せず）が設けられている。この吸引口からの吸引により、支持ウェハＳをスピンチャック２２０上に吸着保持できる。第２の洗浄装置３３のその他の構成は、上述した第１の洗浄装置３１の構成と同様であるので説明を省略する。
【００８２】
なお、第２の洗浄装置３３において、スピンチャック２２０の下方には、支持ウェハＳの裏面、すなわち非接合面ＳＮに向けて洗浄液を噴射するバックリンスノズル（図示せず）が設けられていてもよい。このバックリンスノズルから噴射される洗浄液によって、支持ウェハＳの非接合面ＳＮと支持ウェハＳの外周部が洗浄される。
【００８３】
次に、上述した第２の搬送装置３２の構成について説明する。第２の搬送装置３２は、図９に示すように被処理ウェハＷを保持するベルヌーイチャック２３０を有している。ベルヌーイチャック２３０は、空気を噴出することにより被処理ウェハＷを浮遊させ、非接触の状態で被処理ウェハＷを吸引懸垂し保持することができる。ベルヌーイチャック２３０は、支持アーム２３１に支持されている。支持アーム２３１は、第１の駆動部２３２に支持されている。この第１の駆動部２３２により、支持アーム２３１は水平軸周りに回動自在であり、且つ水平方向に伸縮できる。第１の駆動部２３２の下方には、第２の駆動部２３３が設けられている。この第２の駆動部２３３により、第１の駆動部２３２は鉛直軸周りに回転自在であり、且つ鉛直方向に昇降できる。
【００８４】
なお、第３の搬送装置４１は、上述した第２の搬送装置３２と同様の構成を有しているので説明を省略する。但し、第３の搬送装置４１の第２の駆動部２３３は、図１に示した搬送路４０に取り付けられ、第３の搬送装置４１は搬送路４０上を移動可能になっている。
【００８５】
以上の剥離システム１には、図１に示すように制御部３００が設けられている。制御部３００は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、剥離システム１における被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴの処理を制御するプログラムが格納されている。また、プログラム格納部には、上述の各種処理装置や搬送装置などの駆動系の動作を制御して、剥離システム１における後述の剥離処理を実現させるためのプログラムも格納されている。なお、前記プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルデスク（ＭＯ）、メモリーカードなどのコンピュータに読み取り可能な記憶媒体Ｈに記録されていたものであって、その記憶媒体Ｈから制御部３００にインストールされたものであってもよい。
【００８６】
次に、以上のように構成された剥離システム１を用いて行われる被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離処理方法について説明する。図１０は、かかる剥離処理の主な工程の例を示すフローチャートである。
【００８７】
先ず、複数枚の重合ウェハＴを収容したカセットＣＴ、空のカセットＣＷ、及び空のカセットＣＳが、搬入出ステーション２の所定のカセット載置板１１に載置される。第１の搬送装置２０によりカセットＣＴ内の重合ウェハＴが取り出され、剥離処理ステーション３の剥離装置３０に搬送される。このとき、重合ウェハＴは、被処理ウェハＷを上側に配置し、且つ支持ウェハＳを下側に配置した状態で搬送される。
【００８８】
剥離装置３０に搬入された重合ウェハＴは、第２の保持部１１１に吸着保持される。その後、移動機構１５０により第２の保持部１１１を上昇させて、図１１に示すように第１の保持部１１０と第２の保持部１１１で重合ウェハＴを挟み込んで保持する。このとき、第１の保持部１１０に被処理ウェハＷの非接合面ＷＮが吸着保持され、第２の保持部１１１に支持ウェハＳの非接合面ＳＮが吸着保持される。
【００８９】
その後、加熱機構１２４、１４１によって重合ウェハＴが所定の温度、例えば２００℃に加熱される。これにより、重合ウェハＴ中の接着剤Ｇが軟化する。また、重合ウェハＴの加熱と並行して、不活性ガス供給源１７６から不活性ガス供給機構１７０に不活性ガスが供給される。これにより、ガス供給管１７２、分散板１７４を介して、多孔質部１７１の分散板１７４に覆われた面と反対側の面、本実施の形態においては多孔質部１７１の上面から不活性ガスが供給される。この際、複数の微細な孔が形成された多孔質部１７１を介して不活性ガスを供給することにより、当該多孔質部１７１から供給される不活性ガスの流速を抑えたものとすることができる。このため、不活性ガスを供給する際に周囲の空気を巻き込むことがない。したがって、多孔質部１７１の上面側に、空気を含まない不活性ガスの雰囲気を形成することができる（図１０の工程Ａ１）。また、分散板１７４の内部には多孔質部１７１に向かって複数に分岐して設けられたガス流路１７５が形成されているので、多孔質部１７１の上面側の全面から不活性ガスが均等に供給される。
【００９０】
続いて、加熱機構１２４、１４１によって重合ウェハＴを加熱して接着剤Ｇの軟化状態を維持しながら、移動機構１５０の水平移動部１５２によって図１２に示すように第２の保持部１１１と支持ウェハＳを水平方向に移動させる。また、不活性ガス供給機構１７０は、支持体１６１により水平移動部１５２に支持されているため、当該水平移動部１５２の動作に伴い、第２の保持部１１１と同期して水平方向に移動する。
【００９１】
この際、多孔質部１７１と被処理ウェハＷの接合面ＷＪとの間は、例えば図１２に示すように鉛直方向に所定の距離Ｌだけ離間しているので、多孔質部１７１は被処理ウェハＷの接合面ＷＪに干渉することなく水平方向に移動する。このため、この移動により露出した被処理ウェハＷの接合面ＷＪは、多孔質部１７１と距離Ｌだけ離れて対向した状態となる。そしてこの間、被処理ウェハＷの接合面ＷＪには多孔質部１７１から不活性ガスが供給される。
【００９２】
その後、引き続き多孔質部１７１からの不活性ガスの供給を継続した状態で第２の保持部１１１を水平方向に移動させ、図１３に示すように第１の保持部１１０に保持された被処理ウェハＷと、第２の保持部１１１に保持された支持ウェハＳとを剥離する（図１０の工程Ａ２）。この際、多孔質部１７１は平面視において被処理ウェハＷを覆うことのできる大きさに形成されているため、剥離が完了した被処理ウェハＷの接合面ＷＪにも引続き多孔質部１７１からの不活性ガスが供給される。
【００９３】
そして、被処理ウェハＷが所定の温度、例えば約１００℃以下まで低下し、被処理ウェハＷの接合面ＷＪで酸化が進行しない状態となった後に、多孔質部１７１からの不活性ガスの供給が停止される。
【００９４】
その後、剥離装置３０で剥離された被処理ウェハＷは、第２の搬送装置３２によって第１の洗浄装置３１に搬送される。第２の搬送装置３２による被処理ウェハＷの搬送においては、図１４に示すように支持アーム２３１を伸長させて、ベルヌーイチャック２３０を第１の保持部１１０に保持された被処理ウェハＷの下方に配置される。その後、ベルヌーイチャック２３０を上昇させ、第１の保持部１１０における吸引管１２３からの被処理ウェハＷの吸引を停止する。そして、第１の保持部１１０からベルヌーイチャック２３０に被処理ウェハＷが受け渡される。このとき、被処理ウェハＷの接合面ＷＪがベルヌーイチャック２３０に保持されるが、ベルヌーイチャック２３０は非接触の状態で被処理ウェハＷが保持される。このため、被処理ウェハＷの接合面ＷＪ上の電子回路が損傷を被ることなく被処理ウェハＷの搬送を行うことができる。
【００９５】
次に図１５に示すように、支持アーム２３１を回動させてベルヌーイチャック２３０を第１の洗浄装置３１のポーラスチャック１９０の上方に移動させると共に、ベルヌーイチャック２３０を反転させて被処理ウェハＷを下方に向ける。このとき、ポーラスチャック１９０をカップ１９４よりも上方まで上昇させて待機させておく。その後、ベルヌーイチャック２３０からポーラスチャック１９０に被処理ウェハＷが受け渡され吸着保持される。
【００９６】
このようにポーラスチャック１９０に被処理ウェハＷが吸着保持されると、ポーラスチャック１９０を所定の位置まで下降させる。続いて、アーム２０１によって待機部２０５の洗浄液ノズル２０３を被処理ウェハＷの中心部の上方まで移動させる。その後、ポーラスチャック１９０によって被処理ウェハＷを回転させながら、洗浄液ノズル２０３から被処理ウェハＷの接合面ＷＪに洗浄液を供給する。供給された洗浄液は遠心力により被処理ウェハＷの接合面ＷＪの全面に拡散されて、当該被処理ウェハＷの接合面ＷＪが洗浄される（図１０の工程Ａ３）。
【００９７】
ここで、上述したように搬入出ステーション２に搬入された複数の重合ウェハＴには予め検査が行われており、正常な被処理ウェハＷを含む重合ウェハＴと欠陥のある被処理ウェハＷを含む重合ウェハＴとに判別されている。
【００９８】
正常な重合ウェハＴから剥離された正常な被処理ウェハＷは、工程Ａ３で接合面ＷＪが洗浄された後、第３の搬送装置４１によって検査装置６に搬送される。なお、この第３の搬送装置４１による被処理ウェハＷの搬送は、上述した第２の搬送装置３２による被処理ウェハＷの搬送とほぼ同様であるので説明を省略する。
【００９９】
検査装置６においては、被処理ウェハＷの接合面ＷＪにおける接着剤Ｇの残渣の有無が検査される（図１０の工程Ａ４）。検査装置６において接着剤Ｇの残渣が確認された場合、被処理ウェハＷは第３の搬送装置４１により検査後洗浄装置８の接合面洗浄部８ａに搬送され、接合面洗浄部８ａで接合面ＷＪが洗浄される（図１０の工程Ａ５）。接合面ＷＪが洗浄されると、被処理ウェハＷは第３の搬送装置４１によって反転部８ｃに搬送され、反転部８ｃにおいて上下方向に反転される。なお、接着剤Ｇの残渣が確認されなかった場合には、被処理ウェハＷは接合面洗浄部８ａに搬送されることなく反転部８ｃにて反転される（図１０の工程Ａ６）。
【０１００】
その後、反転された被処理ウェハＷは、第３の搬送装置４１により再び検査装置６に搬送され、非接合面ＷＮの検査が行われる（図１０の工程Ａ７）。そして、非接合面ＷＮにおいて接着剤Ｇの残渣が確認された場合、被処理ウェハＷは第３の搬送装置４１によって非接合面洗浄部８ｃに搬送され、非接合面ＷＮの洗浄が行われる（図１０の工程Ａ８）。次いで、洗浄された被処理ウェハＷは、第３の搬送装置４１によって後処理ステーション４に搬送される。なお、検査装置６で接着剤Ｇの残渣が確認されなかった場合には、被処理ウェハＷは非接合面洗浄部８ｂに搬送されることなくそのまま後処理ステーション４に搬送される。
【０１０１】
その後、後処理ステーション４において被処理ウェハＷに所定の後処理が行われる（図１０の工程Ａ９）。こうして、被処理ウェハＷが製品化される。
【０１０２】
一方、欠陥のある重合ウェハＴから剥離された欠陥のある被処理ウェハＷは、工程Ａ３で接合面ＷＪが洗浄された後、第１の搬送装置２０によって搬入出ステーション２に搬送される。その後、欠陥のある被処理ウェハＷは、搬入出ステーション２から外部に搬出され回収される（図１０の工程Ａ１０）。
【０１０３】
被処理ウェハＷに上述した工程Ａ３〜Ａ１０が行われている間、剥離装置３０で剥離された支持ウェハＳは、第１の搬送装置２０によって第２の洗浄装置３３に搬送される。そして、第２の洗浄装置３３において、支持ウェハＳの接合面ＳＪが洗浄される（図１０の工程Ａ１１）。なお、第２の洗浄装置３３における支持ウェハＳの洗浄は、上述した第１の洗浄装置３１における被処理ウェハＷの洗浄と同様であるので説明を省略する。
【０１０４】
その後、接合面ＳＪが洗浄された支持ウェハＳは、第１の搬送装置２０によって搬入出ステーション２に搬送される。その後、支持ウェハＳは、搬入出ステーション２から外部に搬出され回収される（図１０の工程Ａ１２）。こうして、一連の被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離処理が終了する。
【０１０５】
以上の実施の形態によれば、移動機構１５０により第１の保持部１１０と第２の保持部１１１を水平方向に相対的に移動させることで露出した被処理ウェハＷの接合面ＷＪに、不活性ガス供給機構１７０の多孔質部１７１から不活性ガスを供給するので、剥離により露出した被処理ウェハＷの接合面ＷＪを不活性ガスの雰囲気とすることができる。これにより、加熱された被処理ウェハＷの接合面ＷＪにおいて急激な酸化が進行することを抑制することができる。このため、加熱された被処理ウェハＷの接合面ＷＪで急激に進行する酸化を抑制するにあたり、被処理ウェハＷを気密容器などで覆うという大掛かりな対策を施す必要がない。したがって、本発明によれば、重合ウェハＴの剥離の際に、加熱された被処理ウェハＷの接合面ＷＪが酸化することを効率的に抑制することができる。
【０１０６】
また、不活性ガス供給機構１７０の多孔質部１７１は被処理ウェハＷを覆うことができる大きさであるため、剥離した被処理ウェハＷの接合面ＷＪの全面に対して不活性ガスを供給することができる。このため、被処理ウェハＷの全面にわたって酸化を抑制することができる。
【０１０７】
また、多孔質部１７１の進行方向の端部には、平面視において被処理ウェハＷの形状に沿って凹状に窪んだ窪み部１７１ａが形成されているため、当該多孔質部１７１を、平面視において被処理ウェハＷに接する位置に配置することができる。このため、移動機構１５０を移動させることにより露出した被処理ウェハＷの接合面ＷＪに、直ちに不活性ガスを供給することができる。具体的には、移動機構１５０により第１の保持部１１０と第２の保持部１１１を水平方向に相対的に移動させると、被処理ウェハＷの接合面ＷＪは図１６に示すように三日月状（図１６において斜線で示す範囲）に露出する。この場合、多孔質部１７１に窪み部１７１ａを形成し、平面視において当該窪み部１７１ａが被処理ウェハＷと接するように多孔質部１７１を配置することで、三日月状の露出部分の全面を多孔質部１７１で覆うことができる。したがって、露出した接合面ＷＪの全面に直ちに不活性ガスを供給できる。なお、窪み部１７１ａが平面視において被処理ウェハＷの外周部と接するとは、窪み部１７１ａの円弧の直径と被処理ウェハＷの直径とが一致することで窪み部１７１ａの全周にわたって接触しているということを意味するのではなく、剥離により被処理ウェハＷの接合面ＷＪが露出した際に、当該接合面ＷＪが筐体１００内の雰囲気に曝されることなく、多孔質部１７１の上方の不活性ガス雰囲気に覆われる程度に多孔質部１７１の窪み部１７１ａと被処理ウェハＷの外周部とが平面視において近接していることを意味している。
【０１０８】
また、多孔質部１７１を覆うように分散板１７４を設け、分散板１７４を介して多孔質部１７１に不活性ガスを供給するので、多孔質部１７１における分散板１７４と反対側の全面から不活性ガスを均等に供給することができる。このため、被処理ウェハＷの接合面ＷＪの全面に均等に不活性ガスを供給することができ、より確実に接合面ＷＪの酸化を抑制することができる。
【０１０９】
また、多孔質部１７１における、窪み部１７１ａが形成された端部と反対側の端部が、被処理ウェハＷより大きな直径の半円弧状に突出した形状になっているので、被処理ウェハＷを覆うにあたり、多孔質部１７１を最小限の大きさとすることができる。これにより、多孔質部１７１の表面積を小さくすることができ、多孔質部１７１から供給される不活性ガスの供給量を低減することができる。
【０１１０】
以上の実施の形態では、多孔質部１７１として炭化ケイ素を用いていたが、多孔質部１７１の材質は本実施の形態に限定されるものではなく、多孔質部１７１から不活性ガスを供給する際に周囲の空気を巻き込むことがない微細な複数の孔が形成されていれば、例えばテフロン（登録商標）などを用いてもよい。
【０１１１】
また、以上の実施の形態では、多孔質部１７１と被処理ウェハＷの接合面ＷＪとの距離Ｌは２ｍｍとしていたが、距離Ｌは０．５ｍｍ〜４ｍｍの範囲であれば、被処理ウェハＷの接合面ＷＪに適切に不活性ガスを供給し、急激な酸化の進行を好適に抑制することができる。
【０１１２】
なお、以上の実施の形態では、多孔質部１７１を被処理ウェハＷの接合面ＷＪに対して平行に配置していたが、多孔質部１７１は必ずしも被処理ウェハＷの接合面ＷＪと平行である必要はなく、多孔質部１７１と接合面ＷＪとの間の距離Ｌが０．５ｍｍ〜４ｍｍの間に保たれていれば、多孔質部１７１が接合面ＷＪに対して傾いて設けられていてもよい。
【０１１３】
以上の実施の形態では、第２の保持部１１１を第１の保持部１１０に対して相対的に水平方向に移動させたが、水平方向への移動に加えて、例えば第２の保持部を鉛直方向に１００μｍ移動させてもよい。例えば本実施の形態では、第２の保持部の水平方向へ移動距離は３００ｍｍであり、重合ウェハＴ中の接着剤Ｇの厚みは例えば３０μｍ〜４０μｍであって、被処理ウェハＷの接合面ＷＪに形成された電子回路（バンプ）の高さは例えば２０μｍである。この場合、被処理ウェハＷ上の電子回路と支持ウェハＳとの間の距離は微小である。そのため、例えば第２の保持部１１１を水平方向にのみ移動させた場合、電子回路と支持ウェハＳが接触し、電子回路が損傷を被るおそれがある。したがって、第２の保持部１１１を水平方向に移動させると共に鉛直方向にも移動させることによって、電子回路と支持ウェハＳとの接触を回避し、電子回路の損傷を抑制することができる。なお、この第２の保持部１１１の鉛直方向の移動距離と水平方向の移動距離の比率は、被処理ウェハＷ上の電子回路（バンプ）の高さに基づいて適宜設定されるものであり、本実施の形態に限定されるものではない。
【０１１４】
なお、第２の保持部に代えて、第１の保持部１１０を移動させてもよい。かかる場合も、第１の保持部１１０を鉛直方向及び水平方向に移動させてもよい。あるいは、第１の保持部１１０と第２の保持部１１１の両方を鉛直方向及び水平方向に移動させてもよい。なお、不活性ガス供給機構１７０は、いずれの保持部を移動させる場合においても、第１の保持部１１０に保持された被処理ウェハＷ、即ち不活性ガスの供給の対象物に対して水平方向に相対的に移動するように構成されていればよく、移動の方法や、支持の方法については任意に設定が可能である。例えば、第１の保持部１１０を水平方向に移動させる場合、不活性ガス供給機構１７０は筐体１００の天井面に支持されていてもよいし、筐体１００の底面に支持されていてもよい。いずれの場合においても、被処理ウェハＷが、不活性ガス供給機構１７０の上方を当該不活性ガス供給機構１７０と所定の距離Ｌ離間した状態で水平方向に移動すれば、露出した被処理ウェハＷの接合面ＷＪを不活性ガスの雰囲気とすることができる。
【０１１５】
また、第２の保持部１１１を鉛直方向及び水平方向に移動させることに代えて、第２の保持部１１１を水平方向のみに移動させ、当該第２の保持部１１１の移動速度を変化させてもよい。具体的には、第２の保持部１１１を移動させ始める際の移動速度を低速にし、その後徐々に移動速度を加速してもよい。すなわち、第２の保持部１１１を移動させ始める際には、被処理ウェハＷと支持ウェハＳとの接着面積が大きく、被処理ウェハＷ上の電子回路が接着剤Ｇの影響を受け易いため、第２の保持部１１１の移動速度を低速にする。その後、被処理ウェハＷと支持ウェハＳとの接着面積が小さくなるにつれ、被処理ウェハＷ上の電子回路が接着剤Ｇの影響を受け難くなるため、第２の保持部１１１の移動速度を徐々に加速する。かかる場合でも、電子回路と支持ウェハＳとの接触を回避し、電子回路の損傷を抑制することができる。
【０１１６】
なお、被処理ウェハＷと支持ウェハＳとを剥離する際に、剥離帯電による静電気が発生する場合がある。そして、剥離帯電が発生すると、被処理ウェハＷが静電気により損傷するおそれがある。したがって、剥離帯電の発生を防止するために、不活性ガス供給機構１７１から供給する不活性ガスとして、イオナイザによりイオン化した不活性ガスを用いてもよい。イオン化した不活性ガスを用いることで、静電気による被処理ウェハＷの損傷を防止することができる。
【０１１７】
また、以上の実施の形態によれば、剥離装置３０において重合ウェハＴを被処理ウェハＷと支持ウェハＳに剥離した後、第１の洗浄装置３１において、剥離された被処理ウェハＷを洗浄すると共に、第２の洗浄装置３３において、剥離された支持ウェハＳを洗浄することができる。このように本実施の形態によれば、一の剥離システム１内で、被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離から被処理ウェハＷの洗浄と支持ウェハＳの洗浄までの一連の剥離処理を効率よく行うことができる。また、第１の洗浄装置３１と第２の洗浄装置３３において、被処理ウェハＷの洗浄と支持ウェハＳの洗浄をそれぞれ並行して行うことができる。さらに、剥離装置３０において被処理ウェハＷと支持ウェハＳを剥離する間に、第１の洗浄装置３１と第２の洗浄装置３３において別の被処理ウェハＷと支持ウェハＳを処理することもできる。したがって、被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離を効率よく行うことができ、剥離処理のスループットを向上させることができる。
【０１１８】
また、剥離処理ステーション３で剥離された被処理ウェハＷが正常な被処理ウェハＷである場合、後処理ステーション５において当該被処理ウェハＷに所定の後処理が行われ、製品化される。一方、剥離処理ステーション３で剥離された被処理ウェハＷが欠陥のある被処理ウェハＷである場合、当該被処理ウェハＷは搬入出ステーション２から回収される。このように正常な被処理ウェハＷのみが製品化されるので、製品の歩留まりを向上させることができる。また、欠陥のある被処理ウェハＷを回収し、欠陥の程度によってはこの被処理ウェハＷを再利用することもでき、資源を有効活用できると共に製造コストを低廉化することもできる。
【０１１９】
また、このように一連のプロセスにおいて、被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離から被処理ウェハＷの後処理まで行うことができるので、ウェハ処理のスループットをさらに向上させることができる。
【０１２０】
また、剥離装置３０で剥離された支持ウェハＳは、洗浄後、搬入出ステーション２から回収されるので、当該支持ウェハＳを再利用することができる。したがって、資源を有効活用できると共に製造コストを低廉化することもできる。
【０１２１】
また、第２の搬送装置３２と第３の搬送装置４１は被処理ウェハＷを保持するベルヌーイチャック２３０を有しているので、被処理ウェハＷが薄型化していても当該被処理ウェハＷを適切に保持することができる。さらに、第２の搬送装置３２においては、被処理ウェハＷの接合面ＷＪがベルヌーイチャック２３０に保持されるが、ベルヌーイチャック２３０は非接触の状態で被処理ウェハＷが保持されるため、被処理ウェハＷの接合面ＷＪ上の電子回路が損傷を被ることはない。
【０１２２】
また、第１の洗浄装置３１は被処理ウェハＷを保持するポーラスチャック１９０を有しているので、被処理ウェハＷが薄型化していても当該被処理ウェハを適切に保持することができる。
【０１２３】
また、以上の実施の形態によれば、検査装置６において被処理ウェハＷを検査することができるので、検査結果に基づいて剥離システム１における処理条件を補正することができる。したがって、被処理ウェハＷと支持ウェハＳをさらに適切に剥離することができる。
【０１２４】
また、以上の実施の形態によれば、検査装置６において異常が検出された場合に検査後洗浄装置８で被処理ウェハＷの洗浄を行うことができる。したがって、被処理ウェハＷが異常な状態のまま後処理ステーション４に搬送されることがない。このため、製品の歩留まりの低下を抑制することができる。
【０１２５】
また、例えば不活性ガスの供給の対象物が被処理ウェハＷではなく支持ウェハＳであってもよい。かかる場合、不活性ガス供給機構１７０は、支持ウェハＳに対して水平方向に相対的に移動するように設けられる。かかる場合においても、多孔質部１７１の好ましい形状や配置は、不活性ガスの供給の対象物が被処理ウェハＷである場合と同様である。
【０１２６】
なお、以上の実施の形態では、被処理ウェハＷを上側に配置し、且つ支持ウェハＳを下側に配置した状態で、これら被処理ウェハＷと支持ウェハＳを剥離していたが、被処理ウェハＷと支持ウェハＳの上下配置を反対にしてもよい。
【０１２７】
以上の実施の形態の第２の搬送装置３２において、ベルヌーイチャック２３０の表面には、洗浄液を供給するための複数の供給口（図示せず）が形成されていてもよい。かかる場合、ベルヌーイチャック２３０から第１の洗浄装置３１のポーラスチャック１９０に被処理ウェハＷを受け渡す際、ベルヌーイチャック２３０から被処理ウェハＷの接合面ＷＪに洗浄液を供給して当該接合面ＷＪを洗浄すると共に、ベルヌーイチャック２３０自体も洗浄することができる。そうすると、その後の第１の洗浄装置３１における被処理ウェハＷの洗浄時間を短縮することができ、剥離処理のスループットをさらに向上させることができる。しかも、ベルヌーイチャック２３０も洗浄できるので、次の被処理ウェハＷを適切に搬送することができる。
【０１２８】
以上の実施の形態では、第３の搬送装置４１はベルヌーイチャック２３０を有していたが、このベルヌーイチャック２３０に代えて、ポーラスチャック（図示せず）を有していてもよい。かかる場合でも、ポーラスチャックによって薄型化した被処理ウェハＷを適切に吸着保持することができる。
【０１２９】
以上の実施の形態では、第１の洗浄装置３１と第２の洗浄装置３３の洗浄液ノズル２０３には２流体ノズルが用いられていたが、洗浄液ノズル２０３の形態は本実施の形態に限定されず種々のノズルを用いることができる。例えば洗浄液ノズル２０３として、洗浄液を供給するノズルと不活性ガスを供給するノズルとを一体化したノズル体や、スプレーノズル、ジェットノズル、メガソニックノズルなどを用いてもよい。また、洗浄処理のスループットを向上させるため、例えば８０℃に加熱された洗浄液を供給してもよい。
【０１３０】
また、第１の洗浄装置３１と第２の洗浄装置３３において、洗浄液ノズル２０３に加えて、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）を供給するノズルを設けてもよい。かかる場合、洗浄液ノズル２０３からの洗浄液によって被処理ウェハＷ又は支持ウェハＳを洗浄した後、被処理ウェハＷ又は支持ウェハＳ上の洗浄液をＩＰＡに置換する。そうすると、被処理ウェハＷ又は支持ウェハＳの接合面ＷＪ、ＳＪがより確実に洗浄される。
【０１３１】
以上の実施の形態の剥離システム１において、剥離装置３０で加熱された被処理ウェハＷを所定の温度に冷却する温度調節装置（図示せず）が設けられていてもよい。かかる場合、被処理ウェハＷの温度が適切な温度に調節されるので、後続の処理をより円滑に行うことができる。
【０１３２】
また、剥離装置３０の不活性ガス供給機構１７０は、不活性ガスを加熱するための加熱手段（図示せず）、例えばヒータを内蔵してもよい。あるいは、不活性ガス供給機構１７０に供給される不活性ガスが予め加熱されていてもよい。そして、第１の保持部１１１および第２の保持部１１２とほぼ同じ温度（例えば２００℃）の不活性ガスが、不活性ガス供給機構１７０から被処理ウェハＷに向けて噴射されるようにすればよい。このような構成にすれば、重合ウェハＴが不活性ガスにより冷却されることもなく、接着剤Ｇの軟化状態を維持できる。また、重合ウェハＴが不活性ガスにより冷却されて収縮することを防止できるので、被処理ウェハＷ上の電子回路が損傷することもない。
【０１３３】
また、図１７と図１８に示すように、多孔質部１７１における複数の孔の孔づまりを監視するための監視手段４００を設けてもよい。監視手段４００は、多孔質部１７１に設けられた複数の貫通孔４０１と、一端が貫通孔４０１に接続された配管４０２と、配管４０２の途中に配置された圧力計４０３とで構成される。なお、配管４０２の他端は開放されている。貫通孔４０１の直径は、小さいほうが好ましく、例えば１ｍｍとする。そして、貫通孔４０１は、窪み部１７１ａの端部と相似な線上に所定の間隔で設けられ、かつ複数列配置される。なお、貫通孔４０１の内面４０４は、コーティング処理などにより封止されている。
【０１３４】
そして、複数の貫通孔４０１毎に、圧力計４０３を設けて圧力を検知し、所定の値より圧力が小さくなったら、その貫通孔４０１の周辺の多孔質部１７１においても孔づまりが発生したとみなし、警告を行う。そして、剥離処理を停止して多孔質部１７１の清掃作業を行う。このようにすれば、多孔質部１７１の孔づまりを防止でき、常に多孔質部１７１から均一に不活性ガスを噴射することができる。
【０１３５】
なお、上述した形態では、圧力計４０３により室内との差圧を監視したが、配管４０２の他端に吸引ポンプ（図示せず）を接続し、圧力計４０３により絶対圧力を監視してもよい。
【０１３６】
次に、監視手段４００の他の実施形態を説明する。図１９に示すように、監視手段４００は、ブロック４１０と、ブロック４１０と多孔質部１７１との隙間を検知する検知手段、例えばセンサ４１１とを有する。そして、この剥離システム１のメンテナンス時に、多孔質部１７１上にブロック４１０を載せ、多孔質部１７１とブロック４１０との隙間をセンサ４１１で測定する。センサ４１１の測定結果は制御部３００に出力される。そして、この測定結果が所定の値より小さいときに、孔づまりが発生したとみなし、その場合、多孔質部１７１の清掃を行なう。
【０１３７】
また、不活性ガスの供給手段として、多孔質部１７１に加えて、図２０及び図２１に示すガス供給部材４１２をさらに設けてもよい。ガス供給部材４１２は、重合ウェハＴ（支持ウェハＳ）の周縁と対面する位置に配置される。この実施の形態では、ガス供給部材４１２は、円環（リング）状に形成される。そして、重合ウェハＴ（支持ウェハＳ）と対向する面４１３が多孔質状であり、この面から重合ウェハＴ（支持ウェハＳ）に向けて不活性ガスを供給する。なお、ガス供給部材４１２は、移動機構１５０によって移動される第２の保持部１１１上であって、支持ウェハＳの外周部に沿って設けられる。また、第１の保持部１１０が機構１５０によって移動される場合には、ガス供給部材４１２は、第１の保持部１１０上であって、被処理ウェハＷの外周部に沿って設けられる。
【０１３８】
また、ベルヌーイチャック２３０の他の実施の形態として、図２２に示すように、ベルヌーイチャック２３０の周縁に、被処理ウェハＷの周縁を保持する複数の保持ガイド４１４を設けてもよい。このようにすれば、ベルヌーイチャック２３０に保持された被処理ウェハＷの位置ずれを防止できる。また、保持ガイド４１４を被処理ウェハＷに対して近接、離間させるガイド移動手段４１５をさらに設けてもよい。
【０１３９】
なお、上述した実施形態の一部分を組み合わせて実施してもよく、同様の作用、効果を得ることが可能である。
【０１４０】
また、以上の実施の形態では、後処理ステーション４において被処理ウェハＷに後処理を行い製品化する場合について説明したが、本発明は、例えば３次元集積技術で用いられる被処理ウェハを支持ウェハから剥離する場合にも適用することができる。なお、３次元集積技術とは、近年の半導体デバイスの高集積化の要求に応えた技術であって、高集積化した複数の半導体デバイスを水平面内で配置する代わりに、当該複数の半導体デバイスを３次元に積層する技術である。この３次元集積技術においても、積層される被処理ウェハの薄型化が求められており、当該被処理ウェハを支持ウェハに接合して所定の処理が行われる。
【０１４１】
なお、以上の実施の形態では、不活性ガス供給機構１７０は、重合ウェハＴの剥離に際して露出した被処理ウェハＷの接合面ＷＪに不活性ガスを供給したが、不活性ガス供給機構１７０の用途は本実施の形態の内容に限定されるものではない。例えば、熱処理板においてウェハの加熱処理を行う際に、加熱されるウェハの表面に多孔質部１７１が対向するように不活性ガス供給機構１７０を配置することで、気密な密閉容器を設けることなく、ウェハの加熱処理の際に酸化が進行することを抑制することができる。
【０１４２】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。本発明は、基板がウェハ以外のＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）、フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板である場合にも適用できる。
【符号の説明】
【０１４３】
１ 剥離システム
２ 搬入出ステーション
３ 剥離処理ステーション
４ 後処理ステーション
５ インターフェイスステーション
６ 検査装置
７ ウェハ搬送領域
８ 検査後洗浄装置
２０ 第１の搬送装置
３０ 剥離装置
３１ 第１の洗浄装置
３２ 第２の搬送装置
３３ 第２の洗浄装置
４１ 第３の搬送装置
１００ 筐体
１０１ 排気口
１０２ 排気装置
１０３ 排気管
１１０ 第１の保持部
１１１ 第２の保持部
１２４ 加熱機構
１４１ 加熱機構
１５０ 移動機構
１５１ 鉛直移動部
１５２ 水平移動部
１５３ 支持板
１５４ 駆動部
１５５ 支持部材
１６０ レール
１６１ 支持体
１６２ 駆動部
１７０ 不活性ガス供給機構
１７１ 多孔質部
１７１ａ 窪み部
１７２ ガス供給管
１７３ 支持部材
１７４ 分散板
１７５ ガス流路
１７６ 不活性ガス供給源
１９０ ポーラスチャック
２３０ ベルヌーイチャック
３００ 制御部
４００ 監視手段
４１２ ガス供給部材
Ｇ 接着剤
Ｓ 支持ウェハ
Ｔ 重合ウェハ
Ｗ 被処理ウェハ
Ｌ 距離
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板と支持基板が接着剤で接合された重合基板を、被処理基板と支持基板とに剥離する剥離装置であって、
被処理基板を加熱する加熱機構を備え、且つ当該被処理基板を保持する第１の保持部と、
支持基板を加熱する加熱機構を備え、且つ当該支持基板を保持する第２の保持部と、
少なくとも前記第１の保持部又は前記第２の保持部を相対的に水平方向に移動させる移動機構と、
前記移動機構により前記第１の保持部と前記第２の保持部を相対的に水平方向に移動させることで露出した被処理基板の接合面に、不活性ガスを供給する不活性ガス供給機構と、を有し、
前記不活性ガス供給機構は、複数の孔が形成された多孔質部と、前記多孔質部に接続され、当該多孔質部に不活性ガスを供給するガス供給管と、を有し、
前記多孔質部は、前記被処理基板の接合面から鉛直方向に所定の距離離間して設けられていることを特徴とする、剥離装置。
【請求項２】
前記多孔質部は、平面視において前記被処理基板を覆うことができる平板形状を有することを特徴とする、請求項１に記載の剥離装置。
【請求項３】
前記多孔質部の進行方向の端部には、平面視において前記被処理基板の形状に沿って凹状に窪んだ窪み部が形成されていることを特徴とする、請求項１または２のいずれかに記載の剥離装置。
【請求項４】
前記多孔質部は、当該多孔質部の窪み部が平面視において前記被処理基板と接するように配置されていることを特徴とする、請求項３に記載の剥離装置。
【請求項５】
前記移動機構は、前記第２の保持部と同期して前記多孔質部を水平方向に移動させることを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の剥離装置。
【請求項６】
前記ガス供給管は、前記多孔質部の片側の面を覆うように設けられた分散板を介して前記多孔質部と接続され、
前記分散板の内部には、前記多孔質部と前記ガス供給管に連通するガス流路が形成されていることを特徴とする、請求項１〜５のいずれかに記載の剥離装置。
【請求項７】
前記多孔質部と、前記被処理基板との鉛直方向の距離は０．５ｍｍ〜４ｍｍであることを特徴とする、請求項１〜６のいずれかに記載の剥離装置。
【請求項８】
前記不活性ガス供給機構から供給される不活性ガスは、イオナイザによりイオン化されたものであることを特徴とする、請求項１〜７のいずれかに記載の剥離装置。
【請求項９】
前記不活性ガス供給機構から供給される不活性ガスは、加熱されていることを特徴とする、請求項１〜８のいずれかに記載の剥離装置。
【請求項１０】
前記不活性ガス供給機構は、前記多孔質部の複数の孔の孔づまりを監視する監視手段を有することを特徴とする、請求項１〜９のいずれかに記載の剥離装置。
【請求項１１】
前記移動機構によって水平方向に移動される前記第１の保持部に保持された被処理基板又は前記第２の保持部に保持された支持基板の外周部に沿って環状に設けられ、当該被処理基板又は支持基板に対して不活性ガスを供給するガス供給部材を有することを特徴とする、請求項１〜１０のいずれかに記載の剥離装置。
【請求項１２】
前記不活性ガス供給機構は、前記被処理基板に代えて前記支持基板の接合面に不活性ガスを供給するものであり、
前記多孔質部は、前記支持基板の接合面から鉛直方向に所定の距離離間して設けられていることを特徴とする、請求項１に記載の剥離装置。
【請求項１３】
被処理基板と支持基板が接着剤で接合された重合基板を、被処理基板と支持基板に剥離する剥離システムであって、
被処理基板、支持基板及び重合基板に所定の処理を行う剥離処理ステーションと、
前記剥離処理ステーションに対して、被処理基板、支持基板又は重合基板を搬入出する搬入出ステーションと、
前記剥離処理ステーションと前記搬入出ステーションとの間で、被処理基板、支持基板又は重合基板を搬送する搬送装置と、を有し、
前記剥離処理ステーションは、
重合基板を被処理基板と支持基板に剥離する剥離装置と、
前記剥離装置で剥離された被処理基板を洗浄する第１の洗浄装置と、
前記剥離装置で剥離された支持基板を洗浄する第２の洗浄装置と、を有し、
前記剥離装置は、
被処理基板を加熱する加熱機構を備え、且つ当該被処理基板を保持する第１の保持部と、
支持基板を加熱する加熱機構を備え、且つ当該支持基板を保持する第２の保持部と、
少なくとも前記第１の保持部又は前記第２の保持部を相対的に水平方向に移動させる移動機構と、
前記移動機構により前記第１の保持部と前記第２の保持部を相対的に水平方向に移動させることで露出した被処理基板の接合面に、不活性ガスを供給する不活性ガス供給機構と、を有し、
前記不活性ガス供給機構は、複数の孔が形成された多孔質部と、前記多孔質部に接続され、当該多孔質部に不活性ガスを供給するガス供給管と、を有し、
前記多孔質部は、前記被処理基板の接合面から鉛直方向に所定の距離離間して設けられていることを特徴とする、剥離システム。
【請求項１４】
前記多孔質部は、平面視において前記被処理基板を覆うことができる平板形状を有することを特徴とする、請求項１３に記載の剥離システム。
【請求項１５】
前記多孔質部の進行方向の端部には、平面視において前記被処理基板の形状に沿って凹状に窪んだ窪み部が形成されていることを特徴とする、請求項１３または１４のいずれかに記載の剥離システム。
【請求項１６】
前記多孔質部は、当該多孔質部の窪み部が平面視において前記被処理基板と接するように配置されていることを特徴とする、請求項１５に記載の剥離システム。
【請求項１７】
前記移動機構は、前記第２の保持部と同期して前記多孔質部を水平方向に移動させることを特徴とする、請求項１３〜１６のいずれかに記載の剥離システム。
【請求項１８】
前記ガス供給管は、前記多孔質部の片側の面を覆うように設けられた分散板を介して前記多孔質部と接続され、
前記分散板の内部には、前記多孔質部と前記ガス供給管に連通するガス流路が形成されていることを特徴とする、請求項１３〜１７のいずれかに記載の剥離システム。
【請求項１９】
前記多孔質部と、前記被処理基板との鉛直方向の距離は０．５〜４ｍｍであることを特徴とする、請求項１３〜１８のいずれかに記載の剥離システム。
【請求項２０】
前記不活性ガス供給機構から供給される不活性ガスは、イオナイザによりイオン化されたものであることを特徴とする、請求項１３〜１９のいずれかに記載の剥離システム。
【請求項２１】
前記不活性ガス供給機構から供給される不活性ガスは、加熱されていることを特徴とする、請求項１３〜２０のいずれかに記載の剥離システム。
【請求項２２】
前記不活性ガス供給機構は、前記多孔質部の複数の孔の孔づまりを監視する監視手段を有することを特徴とする、請求項１３〜２１のいずれかに記載の剥離システム。
【請求項２３】
前記剥離装置は、前記移動機構によって水平方向に移動される前記第１の保持部に保持された被処理基板又は前記第２の保持部に保持された支持基板の外周部に沿って環状に設けられ、当該被処理基板又は支持基板に対して不活性ガスを供給するガス供給部材を有することを特徴とする、請求項１３〜２２のいずれかに記載の剥離システム。
【請求項２４】
前記不活性ガス供給機構は、前記被処理基板に代えて前記支持基板の接合面に不活性ガスを供給するものであり、
前記多孔質部は、前記支持基板の接合面から鉛直方向に所定の距離離間して設けられていることを特徴とする、請求項１３に記載の剥離システム。
【請求項２５】
剥離装置を用いて、被処理基板と支持基板が接着剤で接合された重合基板を、被処理基板と支持基板とに剥離する剥離方法であって、
前記剥離装置は、被処理基板を加熱する加熱機構を備え、且つ当該被処理基板を保持する第１の保持部と、支持基板を加熱する加熱機構を備え、且つ当該支持基板を保持する第２の保持部と、少なくとも前記第１の保持部又は前記第２の保持部を相対的に水平方向に移動させる移動機構と、前記被処理基板に不活性ガスを供給する不活性ガス供給機構と、を有し、
前記不活性ガス供給機構は、複数の孔が形成された多孔質部と、前記多孔質部に接続され、当該多孔質部に不活性ガスを供給するガス供給管と、を備え、
前記剥離方法は、
前記第１の保持部に保持された被処理基板と前記第２の保持部に保持された支持基板とを加熱しながら、前記第１の保持部と前記第２の保持部を相対的に水平方向に移動させて被処理基板と支持基板を剥離し、
前記多孔質部を前記被処理基板の接合面から鉛直方向に所定の距離離間させて、当該多孔質部から剥離により露出した被処理基板の接合面に不活性ガスを供給することを特徴とする、剥離方法。
【請求項２６】
前記多孔質部は、平面視において前記被処理基板を覆うことができる平板形状であり、
前記多孔質部の進行方向の端部には、平面視において前記被処理基板の形状に沿って凹状に窪んだ窪み部が形成され、
さらに前記多孔質部は、当該多孔質部の窪み部が平面視において前記被処理基板と接するように配置されており、
前記不活性ガスは、少なくとも剥離により前記被処理基板の接合面が露出する以前に供給が開始されることを特徴とする、請求項２５に記載の剥離方法。
【請求項２７】
前記不活性ガスの供給は、前記被処理基板が所定の温度以下となるまで継続されることを特徴とする、請求項２６に記載の剥離方法。
【請求項２８】
前記不活性ガス供給機構は、剥離により露出した前記被処理基板の接合面に代えて、剥離により露出した前記支持基板の接合面に不活性ガスを供給するものであり、
前記不活性ガスの供給は、前記多孔質部を前記支持基板の接合面から鉛直方向に所定の距離離間させて行われることを特徴とする、請求項２５に記載の剥離方法。
【請求項２９】
請求項２５〜２８に記載の剥離方法を剥離装置によって実行させるために、当該剥離装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラム。
【請求項３０】
請求項２９に記載のプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体。
【請求項１】
被処理基板と支持基板が接着剤で接合された重合基板を、被処理基板と支持基板とに剥離する剥離装置であって、
被処理基板を加熱する加熱機構を備え、且つ当該被処理基板を保持する第１の保持部と、
支持基板を加熱する加熱機構を備え、且つ当該支持基板を保持する第２の保持部と、
少なくとも前記第１の保持部又は前記第２の保持部を相対的に水平方向に移動させる移動機構と、
前記移動機構により前記第１の保持部と前記第２の保持部を相対的に水平方向に移動させることで露出した被処理基板の接合面に、不活性ガスを供給する不活性ガス供給機構と、を有し、
前記不活性ガス供給機構は、複数の孔が形成された多孔質部と、前記多孔質部に接続され、当該多孔質部に不活性ガスを供給するガス供給管と、を有し、
前記多孔質部は、前記被処理基板の接合面から鉛直方向に所定の距離離間して設けられていることを特徴とする、剥離装置。
【請求項２】
前記多孔質部は、平面視において前記被処理基板を覆うことができる平板形状を有することを特徴とする、請求項１に記載の剥離装置。
【請求項３】
前記多孔質部の進行方向の端部には、平面視において前記被処理基板の形状に沿って凹状に窪んだ窪み部が形成されていることを特徴とする、請求項１または２のいずれかに記載の剥離装置。
【請求項４】
前記多孔質部は、当該多孔質部の窪み部が平面視において前記被処理基板と接するように配置されていることを特徴とする、請求項３に記載の剥離装置。
【請求項５】
前記移動機構は、前記第２の保持部と同期して前記多孔質部を水平方向に移動させることを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の剥離装置。
【請求項６】
前記ガス供給管は、前記多孔質部の片側の面を覆うように設けられた分散板を介して前記多孔質部と接続され、
前記分散板の内部には、前記多孔質部と前記ガス供給管に連通するガス流路が形成されていることを特徴とする、請求項１〜５のいずれかに記載の剥離装置。
【請求項７】
前記多孔質部と、前記被処理基板との鉛直方向の距離は０．５ｍｍ〜４ｍｍであることを特徴とする、請求項１〜６のいずれかに記載の剥離装置。
【請求項８】
前記不活性ガス供給機構から供給される不活性ガスは、イオナイザによりイオン化されたものであることを特徴とする、請求項１〜７のいずれかに記載の剥離装置。
【請求項９】
前記不活性ガス供給機構から供給される不活性ガスは、加熱されていることを特徴とする、請求項１〜８のいずれかに記載の剥離装置。
【請求項１０】
前記不活性ガス供給機構は、前記多孔質部の複数の孔の孔づまりを監視する監視手段を有することを特徴とする、請求項１〜９のいずれかに記載の剥離装置。
【請求項１１】
前記移動機構によって水平方向に移動される前記第１の保持部に保持された被処理基板又は前記第２の保持部に保持された支持基板の外周部に沿って環状に設けられ、当該被処理基板又は支持基板に対して不活性ガスを供給するガス供給部材を有することを特徴とする、請求項１〜１０のいずれかに記載の剥離装置。
【請求項１２】
前記不活性ガス供給機構は、前記被処理基板に代えて前記支持基板の接合面に不活性ガスを供給するものであり、
前記多孔質部は、前記支持基板の接合面から鉛直方向に所定の距離離間して設けられていることを特徴とする、請求項１に記載の剥離装置。
【請求項１３】
被処理基板と支持基板が接着剤で接合された重合基板を、被処理基板と支持基板に剥離する剥離システムであって、
被処理基板、支持基板及び重合基板に所定の処理を行う剥離処理ステーションと、
前記剥離処理ステーションに対して、被処理基板、支持基板又は重合基板を搬入出する搬入出ステーションと、
前記剥離処理ステーションと前記搬入出ステーションとの間で、被処理基板、支持基板又は重合基板を搬送する搬送装置と、を有し、
前記剥離処理ステーションは、
重合基板を被処理基板と支持基板に剥離する剥離装置と、
前記剥離装置で剥離された被処理基板を洗浄する第１の洗浄装置と、
前記剥離装置で剥離された支持基板を洗浄する第２の洗浄装置と、を有し、
前記剥離装置は、
被処理基板を加熱する加熱機構を備え、且つ当該被処理基板を保持する第１の保持部と、
支持基板を加熱する加熱機構を備え、且つ当該支持基板を保持する第２の保持部と、
少なくとも前記第１の保持部又は前記第２の保持部を相対的に水平方向に移動させる移動機構と、
前記移動機構により前記第１の保持部と前記第２の保持部を相対的に水平方向に移動させることで露出した被処理基板の接合面に、不活性ガスを供給する不活性ガス供給機構と、を有し、
前記不活性ガス供給機構は、複数の孔が形成された多孔質部と、前記多孔質部に接続され、当該多孔質部に不活性ガスを供給するガス供給管と、を有し、
前記多孔質部は、前記被処理基板の接合面から鉛直方向に所定の距離離間して設けられていることを特徴とする、剥離システム。
【請求項１４】
前記多孔質部は、平面視において前記被処理基板を覆うことができる平板形状を有することを特徴とする、請求項１３に記載の剥離システム。
【請求項１５】
前記多孔質部の進行方向の端部には、平面視において前記被処理基板の形状に沿って凹状に窪んだ窪み部が形成されていることを特徴とする、請求項１３または１４のいずれかに記載の剥離システム。
【請求項１６】
前記多孔質部は、当該多孔質部の窪み部が平面視において前記被処理基板と接するように配置されていることを特徴とする、請求項１５に記載の剥離システム。
【請求項１７】
前記移動機構は、前記第２の保持部と同期して前記多孔質部を水平方向に移動させることを特徴とする、請求項１３〜１６のいずれかに記載の剥離システム。
【請求項１８】
前記ガス供給管は、前記多孔質部の片側の面を覆うように設けられた分散板を介して前記多孔質部と接続され、
前記分散板の内部には、前記多孔質部と前記ガス供給管に連通するガス流路が形成されていることを特徴とする、請求項１３〜１７のいずれかに記載の剥離システム。
【請求項１９】
前記多孔質部と、前記被処理基板との鉛直方向の距離は０．５〜４ｍｍであることを特徴とする、請求項１３〜１８のいずれかに記載の剥離システム。
【請求項２０】
前記不活性ガス供給機構から供給される不活性ガスは、イオナイザによりイオン化されたものであることを特徴とする、請求項１３〜１９のいずれかに記載の剥離システム。
【請求項２１】
前記不活性ガス供給機構から供給される不活性ガスは、加熱されていることを特徴とする、請求項１３〜２０のいずれかに記載の剥離システム。
【請求項２２】
前記不活性ガス供給機構は、前記多孔質部の複数の孔の孔づまりを監視する監視手段を有することを特徴とする、請求項１３〜２１のいずれかに記載の剥離システム。
【請求項２３】
前記剥離装置は、前記移動機構によって水平方向に移動される前記第１の保持部に保持された被処理基板又は前記第２の保持部に保持された支持基板の外周部に沿って環状に設けられ、当該被処理基板又は支持基板に対して不活性ガスを供給するガス供給部材を有することを特徴とする、請求項１３〜２２のいずれかに記載の剥離システム。
【請求項２４】
前記不活性ガス供給機構は、前記被処理基板に代えて前記支持基板の接合面に不活性ガスを供給するものであり、
前記多孔質部は、前記支持基板の接合面から鉛直方向に所定の距離離間して設けられていることを特徴とする、請求項１３に記載の剥離システム。
【請求項２５】
剥離装置を用いて、被処理基板と支持基板が接着剤で接合された重合基板を、被処理基板と支持基板とに剥離する剥離方法であって、
前記剥離装置は、被処理基板を加熱する加熱機構を備え、且つ当該被処理基板を保持する第１の保持部と、支持基板を加熱する加熱機構を備え、且つ当該支持基板を保持する第２の保持部と、少なくとも前記第１の保持部又は前記第２の保持部を相対的に水平方向に移動させる移動機構と、前記被処理基板に不活性ガスを供給する不活性ガス供給機構と、を有し、
前記不活性ガス供給機構は、複数の孔が形成された多孔質部と、前記多孔質部に接続され、当該多孔質部に不活性ガスを供給するガス供給管と、を備え、
前記剥離方法は、
前記第１の保持部に保持された被処理基板と前記第２の保持部に保持された支持基板とを加熱しながら、前記第１の保持部と前記第２の保持部を相対的に水平方向に移動させて被処理基板と支持基板を剥離し、
前記多孔質部を前記被処理基板の接合面から鉛直方向に所定の距離離間させて、当該多孔質部から剥離により露出した被処理基板の接合面に不活性ガスを供給することを特徴とする、剥離方法。
【請求項２６】
前記多孔質部は、平面視において前記被処理基板を覆うことができる平板形状であり、
前記多孔質部の進行方向の端部には、平面視において前記被処理基板の形状に沿って凹状に窪んだ窪み部が形成され、
さらに前記多孔質部は、当該多孔質部の窪み部が平面視において前記被処理基板と接するように配置されており、
前記不活性ガスは、少なくとも剥離により前記被処理基板の接合面が露出する以前に供給が開始されることを特徴とする、請求項２５に記載の剥離方法。
【請求項２７】
前記不活性ガスの供給は、前記被処理基板が所定の温度以下となるまで継続されることを特徴とする、請求項２６に記載の剥離方法。
【請求項２８】
前記不活性ガス供給機構は、剥離により露出した前記被処理基板の接合面に代えて、剥離により露出した前記支持基板の接合面に不活性ガスを供給するものであり、
前記不活性ガスの供給は、前記多孔質部を前記支持基板の接合面から鉛直方向に所定の距離離間させて行われることを特徴とする、請求項２５に記載の剥離方法。
【請求項２９】
請求項２５〜２８に記載の剥離方法を剥離装置によって実行させるために、当該剥離装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラム。
【請求項３０】
請求項２９に記載のプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【公開番号】特開２０１２−１５６４９４（Ｐ２０１２−１５６４９４Ａ）
【公開日】平成２４年８月１６日（２０１２．８．１６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２７５５０２（Ｐ２０１１−２７５５０２）
【出願日】平成２３年１２月１６日（２０１１．１２．１６）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年８月１６日（２０１２．８．１６）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年１２月１６日（２０１１．１２．１６）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
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