【課題】除電構造と素子分離構造とを有するＳＯＩウエハを、従来より少ない工程で製造することができるＳＯＩウエハの製造方法の提供。
【解決手段】ＳＯＩウエハの周縁部分に活性層用半導体層および絶縁酸化膜を貫通する除電用トレンチをエッチングで形成すると同時に、当該周縁部分より内側の内側部分に上記活性層用半導体層を貫通し上記絶縁酸化膜に到達する素子分離用トレンチをエッチングで形成するトレンチ形成ステップを備え、上記トレンチ形成ステップは、上記周縁部分におけるエッチングレートが、上記内側部分におけるエッチングレートよりも高いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低収縮かつ低応力である絶縁膜を製造することができる方法の提供。
【解決手段】基板表面にポリシラザン組成物を塗布して塗膜を形成させ、引き続き前記塗膜を過酸化水素雰囲気下、５０〜２００℃で加熱することを含んでなることを特徴とする、二酸化ケイ素膜の製造方法。この二酸化ケイ素膜の製造方法によって各種絶縁膜などのアイソレーション構造を形成させることができる。 （もっと読む）

【課題】 トレンチの内部に酸化障壁となる膜を形成しなくても、トレンチの内部に埋め込まれた埋め込み材料に空隙が発生することを抑制することが可能なトレンチの埋め込み方法を提供すること。
【解決手段】 少なくともトレンチ６の側壁に酸化膜７が形成されている半導体基板１を加熱し、半導体基板１の表面にアミノシラン系ガスを供給して半導体基板１上にシード層８を形成し、シード層８が形成された半導体基板１を加熱し、シード層８の表面にモノシランガスを供給してシード層８上にシリコン膜９を形成し、シリコン膜９が形成された半導体基板１のトレンチ６を、焼成することで収縮する埋め込み材料１０を用いて埋め込み、トレンチ６を埋め込む埋め込み材料１０を、水及び／又はヒドロキシ基を含む雰囲気中で焼成するとともに、シリコン膜９、及びシード層８をシリコン酸化物に変化させる。 （もっと読む）

【課題】 ＳＴＩによる素子間分離において、ボイドが無く完全にトレンチを埋め込むことができ、処理時間の短縮化を図ることができる素子間分離領域の形成方法を提供する。
【解決手段】 本発明の素子間分離領域の形成方法は、酸化雰囲気中で熱処理することにより酸化して膨張し且つ絶縁性をもつに至る物質からなる半導体基板１に対し、その表面の一部分を除去して、素子間分離用のトレンチ４を形成するトレンチ形成工程と、トレンチ４を形成した半導体基板１を酸化雰囲気中で熱処理して、半導体基板１の表面を酸化膨張させ、酸化膨張により生成された絶縁物６によりトレンチ４を埋め込む酸化膨張工程と、酸化膨張工程の後に、絶縁物６により埋め込まれた部分を残して、半導体基板１のうち素子形成領域となる部分の表面を露出させる露出工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体基板中に形成した素子分離溝の上部角部への電界集中によるトランジスタの電気的特性の劣化を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１に半導体基板１表面とは異なる結晶面方位有する素子分離溝２を形成する工程と、半導体基板１上に酸素ラジカル発生を促進する金属３又は酸素ラジカル発生を促進する金属３を含む膜を堆積する工程と、半導体基板１を酸化する工程と、金属または金属を含む膜を除去する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】応力の発生が緩和され、かつ、良質な埋め込み構造を有する半導体装置、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】第１の領域ＡＲ１、第２の領域ＡＲ２を有し、さらｗに、第１の領域ＡＲ１が第１の溝ＴＲ１を、第２の領域ＡＲ２が第２の溝ＴＲ２、を有する基板の溝に絶縁膜を埋設する。このとき、第１の溝ＴＲ１、第２の溝ＴＲ２のそれぞれを、その溝の幅の相違に応じて、径の異なる第１のナノ粒子ＣＳ１、第２のナノ粒子ＣＳ２で、埋め込んで絶縁膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】分離トレンチ部分に発生する熱応力を緩和することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決方法】ＳＯＩ層２０の表面に酸化膜３０を形成する工程を備える。酸化膜３０の表面に窒化膜４０を形成する工程を備える。分離トレンチ領域Ｒ２内のＳＯＩ層２０、酸化膜３０、窒化膜４０を除去し、第１トレンチ５２を形成する工程を備える。第１トレンチ５２の側壁に露出しているＳＯＩ層２０を熱酸化することで、第１トレンチ５２を幅狭第１トレンチ５２ａに変化させると共に、内部が熱酸化膜６０により充填されている分離トレンチ領域Ｒ２を形成する工程を備える。窒化膜４０を除去する工程を備える。アモルファスシリコン層７０を形成することで、幅狭第１トレンチ５２ａの開口部をアモルファスシリコン層により閉塞する工程を備える。アモルファスシリコン層７０を、熱酸化により熱酸化膜７１へ変質させる工程を備える。 （もっと読む）

【課題】高いアスペクト比で狭い幅の溝に、シリコン酸化膜を埋め込むことの可能な、スループットの高い半導体製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法において、基板を処理室内へ搬入する工程と、炭素及び水素を含むシリコン化合物ガスを処理室内へ供給して、処理室内を第１の圧力の状態にする工程と、処理室内を前記第１の圧力にした状態において、処理室内へ供給されたシリコン化合物ガスに紫外光を照射して、基板上にシリコン酸化膜を形成する工程と、処理室内を前記第１の圧力よりも低い第２の圧力の状態にする減圧処理工程とを行う。これにより、高アスペクト比で狭い幅の溝内に、緻密なシリコン酸化膜を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】分離トレンチ部分に発生する熱応力を緩和することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＳＯＩ層２０の表面に酸化膜３０を形成する工程を備える。酸化膜３０の表面に窒化膜４０を形成する工程を備える。分離トレンチ領域Ｒ２内のＳＯＩ層２０、酸化膜３０、窒化膜４０を除去し、第１トレンチ５２を形成する工程を備える。第１トレンチ５２の側壁に露出しているＳＯＩ層２０を熱酸化することで、内部が熱酸化膜６０により充填されている分離トレンチ領域Ｒ２を形成する工程を備える。窒化膜４０を除去する工程を備える。アモルファスシリコン層７０を形成する工程を備える。分離トレンチ領域Ｒ２の熱酸化膜６０およびアモルファスシリコン層７０を除去し、第２トレンチ８２を形成する工程を備える。アモルファスシリコン層７０を熱酸化により熱酸化膜７１へ変質することで、開口部７２を閉塞する工程を備える。 （もっと読む）

【課題】基体に形成された開口幅が狭く高アスペクトなトレンチ内に、埋め込み性が良好で、低いリーク電流を示す絶縁膜の形成方法を提供する。
【解決手段】第一の工程としてポリシロキサン化合物とシリカ粒子との縮合反応物をトレンチ構造を含む基板に塗布する塗布工程と、第二の工程として前記塗布された縮合反応物を焼成して絶縁膜を形成する焼成工程と、第三の工程として前記絶縁膜の表面を疎水化処理剤にさらす疎水化処理工程を順に行う。 （もっと読む）

【課題】基体に形成されたトレンチ内にシリコン酸化物を埋め込むために使用するのに好適な、トレンチへの埋め込み性が高く、硬化収縮率が小さく、かつ良好なクラック耐性を有するシリコン酸化物塗膜を与えるトレンチ埋め込み用組成物を提供すること。
【解決手段】水素化ポリシラン化合物と、シリカ粒子に由来する構造を有する反応物とを含むことを特徴とするトレンチ埋め込み用組成物を提供する。 （もっと読む）

【課題】基体に形成されたトレンチ内にシリコン酸化物を埋め込むために使用するのに好適な、トレンチへの埋め込み性が高く、硬化収縮率が小さく、かつ良好なクラック耐性を有するシリコン酸化物塗膜を与えるトレンチ埋め込み用組成物を提供すること。
【解決手段】水素化ポリシラザン化合物と、シリカ粒子に由来する構造を有する反応物とを含むことを特徴とするトレンチ埋め込み用組成物を提供する。 （もっと読む）

【課題】幅の狭い溝状領域への層間絶縁膜の形成にポリシラザンを用いた場合のシリコン酸化膜への改質が良好に行われる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】上面及び側面をキャップ絶縁膜１０７及びサイドウォール絶縁膜１０８で覆われた複数のビット線１０６間に形成された溝状領域１０９と、Ｎ（窒素）よりもＯ（酸素）を多く含み溝状領域１０９の内表面を連続的に覆うＳｉＯＮ膜１０と、ＳｉＯＮ膜１０を介して溝状領域１０９内に埋め込まれ、ポリシラザンを改質することによって形成されたシリコン酸化膜１１とを備える。 （もっと読む）

【課題】温度が上昇するほどキャリアの移動度を向上できる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、電子をキャリアとする第１絶縁ゲート型電界効果トランジスタｎＭＯＳ１と、ホールをキャリアとする第２絶縁ゲート型電界効果トランジスタｐＭＯ Ｓ２と、前記半導体基板における素子分離領域の溝内に埋め込まれ、負の膨張係数を有し、動作熱により前記第１絶縁ゲート型電界効果トランジスタに引張り応力を加える第１素子分離絶縁膜１１−１と、前記半導体基板における素子分離領域の溝内に埋め込まれ、正の膨張係数を有し、動作熱により前記第２絶縁ゲート型電界効果トランジスタに圧縮応力を加える第２素子分離絶縁膜１１−２とを具備する。 （もっと読む）

【課題】 シームを形成せず、トレンチ近傍に高い圧縮応力を生じさせることなく、トレンチ内に酸化シリコンを充填することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 トレンチ３０内に酸化シリコン２２が充填された構造を有する半導体装置の製造方法であって、半導体基板５０の表面にトレンチ３０を形成する工程と、トレンチ３０の中心部に隙間５８が形成されるようにトレンチ３０の内面に酸化シリコン層５６を形成する工程と、前記隙間５８にポリシリコン５９を充填する工程と、半導体基板５０を酸化雰囲気下で熱処理して、充填したポリシリコン５９の全体を酸化シリコンに変化させる工程、を有する。 （もっと読む）

【課題】高いアスペクト比で狭い幅の溝に、シリコン酸化膜を埋め込むことの可能な、スループットの高い半導体製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法において、基板を処理室内へ搬入する工程と、炭素及び水素を含むシリコン化合物ガスを処理室内へ供給して、処理室内を第１の圧力の状態にする工程と、処理室内を前記第１の圧力にした状態において、処理室内へ供給されたシリコン化合物ガスに紫外光を照射して、基板上にシリコン酸化膜を形成する工程と、処理室内を前記第１の圧力よりも低い第２の圧力の状態にする減圧処理工程とを行う。これにより、高アスペクト比で狭い幅の溝内に、緻密なシリコン酸化膜を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】 基板の表面に微小な溝を形成することなく、トレンチ構造を形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体装置の製造方法であって、シリコン層と、層間絶縁膜と、マスク層を有する基板に対して、マスク層の表面からシリコン層内部に達するトレンチを形成する工程と、層間絶縁膜をトレンチ内に露出している壁面からエッチングして後退させる工程と、エッチングによってシリコン層の角部を面取りする工程と、層間絶縁膜をエッチングして側方空間を形成する工程と、トレンチ内及び側方空間内に露出しているシリコン層を酸化させてその表面にトレンチ絶縁膜を形成する工程と、トレンチ及び側方空間内にポリシリコンを充填する工程と、エッチングによってポリシリコンとマスク層の間に隙間を形成する工程と、ポリシリコンの表面にキャップ絶縁膜を形成する工程を実施する。 （もっと読む）

【課題】性能劣化を招く金属元素の半導体基板への侵入及び拡散を防ぐことのできる半導体基板の製造方法および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る半導体基板の製造方法は、半導体基板１の両面および側面に窒化膜２を形成する工程と、前記窒化膜２上の全面に、シリコンを含む酸化膜３および所定の金属を含む前駆体膜４Ａを積層する工程と、前記酸化膜３と前記前駆体膜４Ａとを反応させることにより、前記シリコンおよび前記所定の金属を含む自己形成バリア膜４を自己整合的に形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】膜中窒素濃度が低いシリカ質膜の形成方法の提供。
【解決手段】凹凸を有する基板表面にポリシラザン組成物を塗布して塗膜を形成させ、
前記塗膜のうち、基板表面に隣接した部分のみを硬化させて、前記凹凸を有する基板の形状に沿った被覆薄膜を形成させ、
前記塗膜のうち、前記被覆薄膜形成工程において未硬化のまま残ったポリシラザン組成物を除去する
ことを含んでなるシリカ質膜の形成方法。この方法により形成されたシリカ質膜は、複数堆積することもできる。 （もっと読む）

【課題】微細であり、かつ欠陥の少ない素子分離絶縁膜を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置ＡＰは、シリコン基板ＳＢと、熱酸化膜ＳＩと、エピタキシャル膜ＥＦとを有している。シリコン基板ＳＢは第２の主面Ｐ２を有している。第２の主面Ｐ２に底面ＲＣおよび側面ＳＷを有する凹部が設けられている。熱酸化膜ＳＩは凹部の側面ＳＷを覆っている。エピタキシャル膜ＥＦは、側面ＳＷが熱酸化膜ＳＩで覆われた凹部を第２の主面Ｐ２の高さまで埋めるように、底面ＲＣからエピタキシャル成長している。 （もっと読む）