【課題】チタン、チタン合金、アルミニウム、アルミニウム合金およびステンレスを溶液に浸漬させて、短時間に腐食量が少なく、あらゆる複雑な形状のチタン、チタン合金、アルミニウム、アルミニウム合金およびステンレスを表面粗さ２〜２０μｍに、歪みなく、粗面化する処理方法を提供することにある。
【解決手段】 チタン、チタン合金、アルミニウム、アルミニウム合金およびステンレスを、弗化水素の濃度０．５〜６０重量％の弗酸に増粘剤を加え、粘度１０００〜１５６００００ｍＰａ・ｓにした溶液（液温が０〜６０℃）中に浸漬することによって、チタン、チタン合金、アルミニウム、アルミニウム合金およびステンレス表面を粗面化する処理方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 改善された拡散障壁で覆われた相互接続構造体を提供すること。
【解決手段】 ダマシン配線及び該配線を形成する方法である。この方法は、誘電体層の上面にマスク層を形成するステップと、マスク層内に開口部を形成するステップと、誘電体層がマスク層によって保護されていない誘電体層内に、トレンチを形成するステップと、マスク層の下でトレンチの側壁を凹ませるステップと、トレンチ及びマスク層の全ての露出面上に、共形の導電性ライナを形成するステップと、トレンチをコア導電体で充填するステップと、誘電体層の上面の上に延びている導電性ライナの部分を除去し、マスク層を除去するステップと、コア導体の上面に導電性キャップを形成するステップとを含む。この構造体は、導電性ライナ内のコア導体クラッドと、導電性ライナで覆われていないコア導体の上面と接触している導電性キャップ層と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 銅配線のＥＭ耐性とＳＭ耐性を、ともに向上させる。
【解決手段】 不純物を含む銅めっき膜をシリコン基板１の上に成膜した後、銅めっき膜を結晶成長させて、複数の銅結晶粒とそれらの粒界に分布する不純物層とで構成された第一銅膜９ｃを形成する。次に、第一銅膜９ｃより不純物濃度が高い第二銅膜１０を第一銅膜９ｃの上に形成し、第二銅膜１０に含まれる不純物を第一銅膜９ｃに拡散させて、第一銅膜９ｃの結晶粒界に偏析する不純物濃度を高める。
このように形成することにより、第一銅膜９ｃの結晶粒の粒径は十分に大きくなる。これにより、結晶粒界における拡散パスを減少させ、ＥＭ耐性を向上させることができる。また、第一銅膜９ｃに発生するボイドの移動を抑え、ＳＭ耐性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 混載デバイスに対しても、前処理によって接合部位の自然酸化膜を確実に除去し、抵抗上昇を生じさせない成膜方法を提供する。
【解決手段】 被処理体に露出したＳｉ含有部表面に金属含有膜を成膜する成膜方法は、Ｓｉ含有部分の表面を、高周波を用いたプラズマにより物理的に処理する物理的表面処理工程と、プラズマによる処理が施されたＳｉ含有部分の表面を反応性ガスにより化学的に処理する化学的表面処理工程と、化学的表面処理が施されたＳｉ含有部分上に金属含有膜を成膜する成膜工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子のビアファーストを用いたデュアル・ダマシン構造のパターニングの方法において、レジスト汚染と低ｋ誘電体絶縁材料の損傷を避けるか、少なくとも最小にする方法を提供する。
【解決手段】低ｋ誘電体絶縁層５にエッチングによりホールを形成し、ホールにギャップ充填材料を堆積し部分的に除去する。この上に金属ハードマスク８と結像材料９を堆積し、トレンチパターンを金属ハードマスクに形成する。結像材料とギャップ充填材料を除去し、金属ハードマスクを用いて無酸素プラズマにより低ｋ誘電体絶縁層をエッチングすることによりトレンチを形成する。トレンチとホールにバリア層と銅を堆積し平坦化する。 （もっと読む）

【課題】超小型電子相互接続構造の多層キャップ障壁を提供すること。
【解決手段】本明細書には、少なくとも１つの低ｋサブレイヤと少なくとも１つの空気障壁サブレイヤとを有する低ｋ多層誘電拡散障壁層を有する構造が記載される。多層誘電拡散障壁層は金属の拡散に対する障壁であり、かつ空気の透過に対する障壁である。この構造の生成に関連した方法および組成物も記載される。これらの低ｋ多層誘電拡散障壁層を利用する利点は、導電性金属フィーチャ間のキャパシタンスの低下によるチップ性能の増大、および多層誘電拡散障壁層が空気を通さず金属拡散を防ぐことによる信頼性の増大である。
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【課題】 ポリイミド系樹脂などの熱硬化性樹脂からなる保護膜上に強誘電体膜を有する薄膜容量素子が設けられた半導体装置において、強誘電体膜を形成するとき、その下の絶縁膜が熱的ダメージを受けないようにする。
【解決手段】 ポリイミド系樹脂などの熱硬化性樹脂からなる保護膜５上に強誘電体膜９を水熱合成法により形成する。この場合、水熱合成法により強誘電体膜９を形成するときの処理温度は２００℃以下と比較的低温であるので、ポリイミド系樹脂などの熱硬化性樹脂からなる保護膜５が熱的ダメージを受けないようにすることができる。 （もっと読む）

【課題】手短で、高速であり、経済的に微細回路配線を形成することができる基板の表面処理方法、配線形成方法、配線形成装置及び配線基板が提示される。
【解決手段】本発明による基板の配線形成方法は、アルカリ金属化合物を含む表面処理液を吐出方式にてベースフィルム上の配線パターンに応じて選択的に吐出させる基板の表面処理段階、表面処理された配線に応じて金属ナノ粒子を含む導電性インクを吐出させる導電性インクの吐出段階、及び導電性インクが吐出されたベースフィルムを還元性雰囲気中で焼成させる焼成段階を含むことができる。 （もっと読む）

【課題】貫通電極を有する半導体チップの薄化に好適な技術を提供する。
【解決手段】半導体チップは、多孔質半導体層１と、多孔質半導体層１に積層された非多孔質半導体層２と、多孔質半導体層１及び非多孔質半導体層２を貫通する電極３とを含む。多孔質半導体層１及び非多孔質半導体層２と電極３とが絶縁層５によって絶縁されている。 （もっと読む）

【課題】 塗布絶縁膜からの脱ガス反応を押さえ、塗布絶縁膜の変形やクラック等を回避して半導体装置としての信頼性向上をはかる。
【解決手段】 ヒューズ素子の側壁部もしくはそれを覆う絶縁談をテーパ形状に加工することにより、ヒューズ素子の近隣に存在する塗布絶縁膜との距離を大きくすることで塗布絶縁膜へ加わる熱ストレスを緩和し、塗布絶縁談からの脱ガス反応を押さえ塗布絶縁談の変形やクラック等を避ける。また、ヒューズ素子の側壁部もしくはそれを覆う絶縁膜にサイドスペーサを形成し、あるいはヒューズ素子の側壁部とさらにそれを覆う絶縁談にもサイドスペーサを形成することにより、一層、ヒューズ素子の近隣に存在する塗布絶縁膜との距離を大きくする。 （もっと読む）

ヒ化ガリウム基板のような化合物半導体基板は、共融して金属基板（４００）に接着されている。半導体基板は状況に応じて薄くされる、そして、ビアまたはトレンチ（６０１）が、整合した相互接続を容易にするために、前面から金属基板（４００）まで形成される。金属基板（４００）によって与えられる機械的支持により、ビアまたはトレンチ（６０１）がどんな形であることも可能になる。トレンチ（６０１）は、熱隔離または熱拡散を与える、または（金属エア・ブリッジと組み合わせて）電磁遮蔽を可能にするために、特定の回路素子を取り囲むことができる。トレンチ構造物（６０１）は、また、標準的なビア・ホールと比較して、超短波で低いインピーダンスの接地接続を可能にする。金属基板（６００）を、接地面として、またはヒート・シンクとして使用することができる。
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【課題】被処理基板に残留する酸化物およびフッ化物を良好に除去することが可能で、かつ絶縁窓からの不純物汚染を抑制することが可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】被処理基板が収納され、電磁波が透過される絶縁窓を有する真空チャンバと、この真空チャンバに水素を含むガスを供給するためのガス供給管と、真空チャンバ内に前記絶縁窓を通して電磁波を導入し、そのチャンバ内にプラズマを発生させるための電磁波導入手段とを具備し、前記絶縁窓は、前記真空チャンバ側の内面に電気伝導性材料膜が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＬＤＤ領域を有する微細ＴＦＴを、工程数の少ないプロセスで作製し、各回路に応じた構造のＴＦＴを作り分けることを課題とする。また、ＬＤＤ領域を有する微細ＴＦＴであってもオン電流を確保することを課題とする。
【解決手段】ゲート電極を２層とし、下層のゲート電極のゲート長を上層のゲート電極のゲート長よりも長くし、ハットシェイプ型のゲート電極を形成する。この際に、レジストの後退幅を利用して上層のゲート電極のみをエッチングし、ハットシェイプ型のゲート電極を形成する。また、配線と半導体膜のコンタクト部をシリサイド化し、コンタクト抵抗を下げる。 （もっと読む）

【課題】電界集中及び物理的なストレスにより配線及びビアプラグが損傷することを防止して、寿命が長く且つ信頼性が高い半導体装置を実現できるようにする。
【解決手段】半導体基板の上に、下層配線１３が形成され、下層配線１３の上には、絶縁膜１０が形成されている。絶縁膜１０の上部に設けられた配線溝の底面には絶縁膜１０を貫通し下層配線１３を露出するビアホールが設けられている。配線溝の底面及び側面並びにビアホール１７ａの底面及び側面にはタンタルからなるバリア膜１５が形成されている。ビアホールの底面は下層配線１３と絶縁膜１０との界面よりも下側に設けられており、バリア膜１５は、ビアホールの側面の下層配線１３と絶縁膜１０との界面における膜厚Ｔ₅が、ビアホールの底面における膜厚Ｔ₄よりも厚い。 （もっと読む）

【課題】 配線に対する膜剥がれや腐食等の不具合が発生せず、高密度で高速動作が可能な半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】 第１の配線パターン３の表面にＳＲＯ膜９Ａを形成し、この配線パターン３を埋めるようにＳＲＯ膜９Ａの表面全体に比誘電率が低いＦＳＧ膜５Ａを形成する。ＦＳＧ膜５Ａの表面全体にＳＲＯ膜９Ｂを形成し、更にこのＳＲＯ膜９Ｂの表面全体にＦＳＧ膜５Ｂを形成し、このＦＳＧ膜５Ｂの表面を平坦化する。ＦＳＧ膜５Ｂの表面にほぼ一定の膜厚でＳＲＯ膜９Ｃを形成し、このＳＲＯ膜９Ｃ上に配線パターン７を形成する。配線パターン３，７間は、必要に応じて金属製のヴィアプラグ８で接続される。ＳＲＯ膜は弗化水素を捕獲する性質があるので、ヴィアプラグ等の形成時の熱処理でＦＳＧ膜から発生する弗化水素をトラップし、配線パターンへの影響を無くすことができる。 （もっと読む）

【課題】レジストパターンのパターニング時に既存の露光装置におけるＡｒＦエキシマレーザー光等の光源をそのまま使用可能であり量産性に優れ、レジストパターンの材料や大きさに対する依存性がなく、レジスト抜けパターンを前記光源の露光限界を超えて微細にかつ均一に、表面のラフネスを低減した状態で、安定に製造可能なレジストパターンの製造方法、半導体装置の製造方法等の提供。
【解決手段】本発明のレジストパターンの製造方法は、レジストパターンを形成後、該レジストパターンの表面を覆うように、樹脂と、架橋剤と、含窒素化合物とを含有するレジストパターン厚肉化材料を塗布することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】目的とする方向に沿って正確に形成された細幅の導電膜を備える半導体装置を製造し得る半導体装置の製造方法、これにより製造された半導体装置、かかる半導体装置を備える表示装置および電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、基板２上に半導体層５と、ソース電極３と、ドレイン電極４と、を形成する工程と、半導体層５上にゲート絶縁層６を形成する工程と、ゲート絶縁層６上に一定方向へ延びる溝６１を複数形成する工程と、複数の溝６１上に液状材料を吐出しゲート電極７を形成する工程とを有し、ゲート電極７は、複数の溝６１に重なるように、この溝６１と同一方向へ延在する。 （もっと読む）

【課題】 導電膜の修正において、修正箇所周辺における導電膜の連続性を確保する。
【解決手段】 下地層５の表面に形成された第１の導電膜６の端部を緩斜面状に整形する工程と、この緩斜面と下地層５の露出部とに渡って第２の導電膜１０を形成する工程とによって修正を行う。 （もっと読む）

【課題】スピン注入磁化反転機構を用いた磁気抵抗効果素子を有する磁気メモリ装置において、ワード線やビット線などの磁気抵抗効果素子の近傍に設けられた配線からの漏洩磁界による誤動作を防止しうる磁気メモリ装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】強磁性層５０と、強磁性層５０上に形成された非磁性層５２と、非磁性層５２上に形成された強磁性層５４とを有し、スピンの注入により強磁性層５４を磁化反転する磁気抵抗効果素子と、磁気抵抗効果素子の近傍に設けられ、非磁性導体材料７４が磁性導体材料７２，７６よりなるシールド層により被覆されてなる第１の配線７８とを有する。 （もっと読む）

【課題】熱膨張差に起因する応力歪みを樹脂ポストにおいて効果的に吸収・緩和させることができるとともに、高密度な配線設計が可能な半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】電極９を有する半導体基板１上の所定位置に形成された突起状の樹脂ポスト３と、前記樹脂ポスト３上に形成され一端部が前記電極９に電気的に接続された金属配線層４と、前記金属配線層４上に形成され前記樹脂ポスト３の頂部に整合する領域に前記金属配線層４を露出する開口部５ｂを備えた絶縁性の封止層６と、前記開口部の金属配線層上に形成された金属パッド７と、前記金属パッド７上に載置されたはんだバンプ８とを備えてなる半導体装置。 （もっと読む）