ボンディング・パッド下方に各回路を有する集積回路。一実施例において、集積回路は基板と、最上部導電層と、１つ以上の中間導電層と、絶縁材料から成る各層と、各デバイスとを具備する。最上部導電層は少なくとも１個のボンディング・パッド及び比較的硬質の材料から成る副層を有する。１つ以上の中間導電層は最上部導電層及び基板の間に形成する。絶縁材料から成る各層は各導電層を分離する。更に、絶縁材料から成る各層のうちの１つの層は比較的硬質で、最上部導電層及びこの最上部導電層に最も近接した中間導電層の間に位置する。各デバイスは集積回路に形成する。また、最上部導電層に最も近接した少なくとも中間導電層は、ボンディング・パッド下方の各選択デバイスの機能的相互接続部に対して適合する。

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基板、基板上の導電パッド、および基板上の絶縁層を含む電子デバイスを形成する方法であって、上記絶縁層は導電パッドの一部を露出するバイアホールを有する。詳細には、絶縁層上であり導電パッドの露出部分上に導電構造体を形成できる。導電構造体は、チタン・タングステン（ＴｉＷ）のベース層と、アルミニウムおよび／または銅のうちの少なくとも１つの導電層とを含みうる。さらに、導電構造体のベース層を、導電層と絶縁層との間に形成できる。関連デバイスについても説明する。

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【課題】 アルミニウムを主成分とする導体膜パターンを有する半導体集積回路装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】 アルミニウムを主成分とする導体膜１６ｄを有する第１層配線Ｌ１をドライエッチング法によってパターニングした後、その加工側壁の側壁保護膜１８およびエッチングマスクとして使用したフォトレジストパターン１７ａをプラズマアッシング処理によって除去する。続いて、絶縁膜１５ｂおよび第１層配線Ｌ１の表面に付着した塩素成分を、酸素ガスとメタノールガスとの混合ガスを用いたプラズマアッシング処理によって除去する。この際、フォトレジストパターン１７ａ等のアッシング除去処理時は、ウエハの主面温度が相対的に低くなるようにし、塩素成分の除去処理時は、ウエハの主面温度が相対的に高くなるようにする。また、それらのプラズマアッシング処理を別々の処理室で行う。 （もっと読む）

【課題】複数の半導体チップを配線基板に積層しても、半導体チップを積層した半導体装置の厚みおよび基板面積の増大および半導体チップ間の配線長の増加を招かない半導体チップ、その製造方法および半導体装置等を提供する。
【解決手段】半導体基板１３と、半導体基板１３の第１の面１４に形成された第１の外部電極２１と、半導体基板１３の第２の面１７に形成された第２の外部電極２２と、半導体基板１３に形成された貫通孔１６とを有し、貫通孔１６は第２の面１７となす内角が鈍角をなして形成された斜面１５に設けられ、第１の外部電極２１と第２の外部電極２２とは、貫通孔１６の内壁および斜面１５を経由して形成された導電パターン１９により電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】 銅を配線材として用いても、微細な配線構造の形成が可能で、製造の工程数が少なく、低コスト化が可能な配線構造の製造方法を提供する。
【解決手段】 配線構造の製造方法が、半導体素子２０１の上にＷプラグ２０３（下層配線）が形成された基板上に、対電子線感光性を有する材料を含む第二層間絶縁膜２０４（絶縁膜）を形成する工程と、第二層間絶縁膜２０４に電子線を照射して、第二層間絶縁膜２０４を露光する工程と、第二層間絶縁膜２０４を現像して未露光部を除去し、配線溝および／またはビアホールおよび／またはコンタクトホールを形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】オーバーエッチングが十分に行えて、しかもアルミニウム配線層の片落ちを起こすことのない微細ピッチの金属配線構造及びその製造方法を提供する。
【解決手段】バリアメタル層１１、実質的なアルミニウム配線層１２、さらに破線で示すフォトレジスト層ＰＲと接触する、最上層がタングステン膜（Ｗ）で構成されるキャップ層１３が順に積層されている。このような配線パターンのエッチングに際し、オーバーエッチングによりフォトレジスト層ＰＲが目減りしてエッジ部分が型崩れすることがあっても、アルミニウム配線層１２の形状には影響ない。すなわち、最上層のタングステン膜（Ｗ）は、アルミニウム配線層１２をエッチングする際のエッチングマスク（ハードマスク）となり得るからである。 （もっと読む）