【課題】熱変化等により導電部にかかる応力を低減し、導電部の破壊や断線等の損傷を防止して、貫通電極における電気的な接続信頼性を向上した半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体装置１は、基板２の一方の面に配された第一の導電部３と、前記基板の他方の面から前記第一の導電部の少なくとも一部が露呈するように、前記基板内に設けられた貫通孔４と、前記貫通孔内の側面および露呈された前記第一の導電部を覆うとともに、前記基板の他方の面上を覆うように延びて配され、前記第一の導電部と電気的に接続される第二の導電部６と、前記基板の他方の面上において、前記第二の導電部上に配され電気的に接続される第三の導電部８と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

フローティングゲートトンネリング素子をシールドする方法とその構造体。標準的なＣＭＯＳプロセスを用いて、電界酸化物に囲まれた基板内に形成された第１および第２のドープウェル領域により定義される２つの活性領域内のゲート酸化物上にフローティングゲートを配置する工程と、前記フローティングゲートを囲むようにフローティングゲートシールド層を形成する工程を含む方法。前記フローティングゲートは、前記第１のドープウェル領域内の活性領域上の第１のフローティングゲート部および前記第２のドープウェル領域内の活性領域上の第２のフローティングゲート部を含む。前記第１のドープウェル領域と前記第１のフローティングゲート部との間にファウラーノルドハイムトンネリングのための適当な電圧カップリングが発生しうるよう、前記第１のフローティングゲート部は第２のフローティングゲート部より実質的に小さくなっている。トンネリングの方向は、前記ドープウェル領域の１つに高電圧を印加することにより決定される。
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【課題】腐食性ガス雰囲気中に置かれても電極パッドの腐食を防止可能であると共に機能を阻害せずコンパクトな配線基板を低コストに提供する。
【解決手段】第２配線層１６が層間絶縁膜１３のビアホール１３ａにて第１配線層１５と接続され、その第２配線層１６が第１配線層１５から離れた位置まで延出されて引き出され、その第２配線層１６の延出部分１６ａの一部が保護絶縁膜１４の開口部１４ａから露出して電極パッドPadが形成されている。そのため、半導体チップ１０が腐食性ガス雰囲気中に置かれると、電極パッドPadが腐食性ガスに直接晒される。しかし、電極パッドPadは腐食性ガスに耐性のある形成材料を用いた第２配線層１６の一部であるため、腐食性ガスにより電極パッドPadが腐食されることはなく、電極パッドPadの断線不良を防止できる。 （もっと読む）

【課題】コスト増を招くことなく高いインダクタンス値を得る。
【解決手段】半導体基板１０にインダクタ素子４０が形成される。粉末状の磁性体が分散された樹脂材で形成され、インダクタ素子４０を覆う磁性樹脂体３０、６６を備える。また、巻き線４１における配線間の隙間を埋めるように、透磁率の低い材料として非磁性の樹脂層４２が製膜されている。樹脂剤４２は磁性樹脂層３０を形成する材料の中、磁性体が添加されない樹脂で形成される。 （もっと読む）

【課題】生産効率が高く、信頼性及び歩留まりの高い半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１の裏面研削（バックグラインド）を行い、半導体基板１を薄くする。次に、裏面研削で生じたダメージ層７の除去をこの段階では行わずに、レジスト層８を半導体基板の裏面に選択的に形成する。次に、レジスト層８をマスクとして半導体基板１をエッチングし、ビアホール９を形成する。次に、当該エッチング工程で利用したエッチング装置内に半導体基板１を配置したまま、ビアホール９形成と連続的にレジスト層８を除去する。このように、エッチング工程とその後のアッシング工程とを一つの処理装置で連続的に行う。次に、半導体基板１の裏面のダメージ層７の除去及び、ビアホール９の内壁面の平坦化工程についても、上記アッシング工程と同一装置で連続的に行う。 （もっと読む）

【課題】小型化を実現しつつ所望の抵抗値を得ることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体チップ２と、半導体チップ２の一方の面側に合成樹脂によって形成された凸部材６，７と、少なくとも一部が凸部材上に形成された膜状の抵抗素子８とを備えている。上記構成により、膜状の抵抗素子８を半導体チップ２の第１面２Ａから離れる方向に引き延ばすことができ、少ない占有面積で所望の抵抗値を持った薄膜抵抗８を実現できる。 （もっと読む）

本発明は、基板（１００）上にアクティブ層（１０１）を形成する段階および少なくとも基板（１００）が出現するまで、トレンチ（１０２）をアクティブ層（１０１）内に形成することでコンポーネントを個別化する段階を含む、電子コンポーネント（１１１）のマトリクスを製造する方法に関する。この方法は、アクティブ層（１０１）上に機能材料の層（１０２）を蒸着する段階と、前記トレンチ（１０２）を充填し、電子コンポーネント（１１１）の上側面に薄膜（１１５）を形成するように、材料の層（１０３）上に感光性樹脂（１０４）を蒸着する段階と、トレンチの樹脂の部分の露光を少なくしつつ樹脂（１０４）を放射線に少なくとも部分的に曝露する段階と、適切に露光された部分を除去するように樹脂（１０４）を現像する段階と、現像段階の後、外面に現われる機能材料の層（１０３）の部分を除去する段階と、樹脂の残り部分を除去する段階とを含む。
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【課題】酸化ハフニウム等の高誘電率絶縁膜を用いたＭＩＭキャパシタにおいて、高容量密度と高容量精度を両立し、ＭＩＭキャパシタの耐圧低下を防止し、リーク電流増大を低減する技術を提供する。
【解決手段】第一の金属配線７００、加工された容量膜４０５、加工された上部電極２１５、第三の金属配線７０２から構成されるＭＩＭキャパシタにおいて、第一の金属配線を被覆するように酸化シリコンからなる層間絶縁膜を形成した後、この第一の金属配線直上の層間絶縁膜の接続孔層に相当する領域に対し、第一の金属配線の上面が露出しないようにこの層間絶縁膜に第一の開口部を形成し、次に、第一の金属配線表面が露出するように第一の開口部の内部に第二の開口部を形成した後、容量膜、第三の金属配線を形成されることにより達成される。 （もっと読む）

【課題】高周波信号の伝送特性を向上させることができるとともに、高周波ノイズの放射を低減することができる回路基板、及び当該回路基板を備える電子機器を提供する。
【解決手段】本発明の回路基板は、電気回路の信号線Ｓ１〜Ｓ５と電気的に接続されており、回路基板の表面と裏面との間であって回路基板の表面に対して交差する方向に延びるスルーホールＴ１０〜Ｔ１２と、スルーホールＴ１０〜Ｔ１２に対して隣接して設けられており、電気回路の基準電位を定めるグランド線Ｇ１〜Ｇ６に接続され、回路基板の表面に対して交差する方向に延びるスルーホールＴ２０，Ｔ２２，Ｔ２３，Ｔ３０〜Ｔ３２を備え、スルーホールＴ１０〜Ｔ１２の各々は、少なくとも一つ以上のスルーホールＴ２０，Ｔ２２，Ｔ２３，Ｔ３０〜Ｔ３２と隣接して配置される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、配線の抵抗を減らして電気的な特性を向上させるための半導体素子の配線形成方法を提供する。
【解決手段】所定の構造物が形成された半導体基板上に非晶質シリサイド膜または非晶質ＴｉＳｉＮ膜を形成する段階と、上記非晶質シリサイド膜または非晶質ＴｉＳｉＮ膜の上に配線用導電膜を形成する段階を含む。 （もっと読む）

【課題】突出部が形成される前面及び凹部が形成される後面を有する半導体ユニットを含む半導体構造体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体構造体は、パッケージ単位体３００を含み、前記パッケージ単位体３００の前面には突出部である補助プラグパターン１７０が形成され、前記半導体ユニットの後面には凹部が形成される。また、本発明の半導体構造体の製造方法は、半導体ユニットの前面に突出部である補助プラグパターン１７０を形成するステップと、前記半導体ユニットの後面に凹部を形成するステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】配線及び外部端子が高密度に形成できる半導体装置及びその製造方法、この半導体装置を搭載した回路基板並びにこの半導体装置を有する電子機器を提供する。
【解決手段】複数の電極９を有する半導体素子２に、複数の樹脂層と、電極９に電気的に接続する複数の配線４と、該配線４に電気的に接続する複数の外部端子７が形成された半導体装置１であって、複数の配線４のうち、その一部の第１の配線４ａが、１つの樹脂層（第１の樹脂層３）又は積層された複数の樹脂層の底面に形成され、複数の配線４のうち、その一部を除いた第２の配線４ｂが、１つの樹脂層（第１の樹脂層３）又は積層された複数の樹脂層の表面に形成され、第１の配線４ａが、複数の外部端子７のうちの、少なくとも半導体素子２の最も外周部側に位置する外部端子７に接続されており、外部端子７が、鉛フリーはんだボールから形成されているものである。 （もっと読む）

【課題】ウエハレベルＣＳＰ等の半導体パッケージ構造を有する半導体装置において、微細化が可能であると共に、絶縁樹脂層との界面で剥離が発生しにくい導電部を備え、導電部における良好な導電性が確保される半導体パッケージ構造を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、一面に電極３を配してなる半導体基板２と、該半導体基板の一面を覆うように配され、かつ、前記電極が露呈するように開口部を有する絶縁樹脂層４と、前記絶縁樹脂層の一部を覆うように配され、前記開口部を介して前記電極と電気的に接続されるシード層５と、前記シード層上の外周域に配された無機薄膜層６と、前記シード層及び前記無機薄膜層上に配され、前記シードを介して前記電極と電気的に接続される導電部７と、を少なくとも備える。 （もっと読む）

半導体装置（１０）は、ボンディングパッド（２８）と最終相互接続層（１６）との間にコンタクトを有し、そのコンタクトは、最終相互接続層（１６）とボンディングパッドとの間にバリアメタル（２６）を含む。パッシベーション層（１８）及びポリイミド層（２２）の両方により、最終相互接続層（１６）とボンディングパッド（２８）とが分離される。パッシベーション層（１８）は、最終相互接続層（１６）と接するように第一の開口（２０）を形成すべくパターン化される。また、ポリイミド層（２２）も、パッシベーション（１８）を貫通する第一の開口（２０）よりも内側にあって、それゆえにより小さな第二の開口（２４）を残存させるようにパターン化される。次に、バリア層（２２）が最終相互接続層（１６）と接して堆積されて、ポリイミド層（２２）により境界を形成する。次に、バリア（２６）と接してボンディングパッド（２８）が形成されると、その後、ボンディングパッド（２８）に対してワイヤボンド（３０）が形成される。
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【課題】本発明の目的は、パッケージサイズがチップサイズに近く、応力吸収層とは別に、熱ストレスを効果的に吸収することができる半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器を提供することにある。
【解決手段】パッケージサイズがチップサイズに近く、応力吸収層とは別に、熱ストレスを効果的に吸収することができる半導体装置である。半導体装置１５０は、電極１５８を有する半導体チップと、半導体チップの上に設けられる応力緩和層としての樹脂層１５２と、電極１５８から樹脂層１５２の上にかけて形成される配線１５４と、樹脂層１５２の上方で配線１５４に形成されるハンダボール１５７と、を有し、樹脂層１５２は表面に窪み部１５２ａを有するように形成され、配線１５４は窪み部１５２ａの上を通って形成される。 （もっと読む）

【課題】ボッシュプロセスを利用して形成されたビアホールを有する半導体装置の製造方法において、ビアホール内での均一な成膜を達成することを目的とする。
【解決手段】マスク層２をマスクとし、ボッシュプロセスを利用して半導体基板１の一方の面から他方の面方向へエッチングし、当該半導体基板１の所定領域を貫通するビアホール３を形成する。次に、マスク層２を除去する。次に、ドライエッチング法によりスキャロップ形状４を除去し、ビアホール３の内壁面を平坦化させる。続いて、ビアホール３内に絶縁膜やバリア層などを均一に成膜する。 （もっと読む）

【課題】ビアホールを有する半導体装置及びその製造方法において、ビアホール内におけるバリア層の被覆不足防止とビア抵抗を制御することの両者を同時に達成することを目的とする。
【解決手段】その表面上にパッド電極３を有する半導体基板１を準備する。次に、半導体基板１の裏面から表面方向にエッチングし、パッド電極３を露出させるビアホール８を形成する。次に、スパッタリング法またはＰＶＤ法、及び逆スパッタリング（エッチング）によりビアホール８内に第１のバリア層１１を形成する。この逆スパッタリングによりビアホール８底部のバリア層が除去され、パッド電極３が露出される。次に、ビアホール内で露出したパッド電極３上に第２のバリア層１２を形成する。第２のバリア層１２の膜厚のみを調節することでビア抵抗を制御する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、配線の、幅の異なる部分の連結部分に生じる応力を減らすことにある。
【解決手段】半導体装置は、半導体チップ１０と、幅の異なる第１、第２の配線の連結部分３４と、連結部分３４とオーバーラップする位置に形成されたパッド４０と、パッド４０上に形成されてなるバンプ４４と、連結部分３４とパッド４０との間に位置して連結部分３４の全体を覆うように形成されてなる緩衝層５０と、連結部分３４と緩衝層５０との間及び緩衝層５０とパッド４０との間に、それぞれ形成されてなる無機絶縁層６０，６２と、を含む。緩衝層５０は、樹脂を除く材料であって、無機絶縁層６０，６２よりも柔らかい材料から形成されてなる。 （もっと読む）

【課題】配線が高密度化しても導電層が絶縁層から剥離することのない配線基板および半導体装置を提供する。
【解決手段】絶縁層１２の一面１２ａに形成された凹部１３によって導電層１４の下面側が絶縁層１２の内側に食い込むので、導電層１４の形成時に、導電層１４と絶縁層１２との間に配された密着層１５や給電層１６が、導電層１４の配線幅Ｗ１よりも内側まで抉られてしまっても、導電層１４が絶縁層１２から剥離してしまうことが防止される。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、パッドとバンプの接合部分の強度を上げることにある。
【解決手段】半導体装置は、集積回路１２が作り込まれた半導体チップ１０と、集積回路１２に電気的に接続されるように半導体チップ１０上に形成されておりパッド２２を一部に有する配線２０と、パッド２２の上面に形成されてなるバンプ４０と、を含む。配線２０は、パッド２２を除いて、上面がＡｌから形成されている。パッド２２の上面は、ＴｉＮ又はＴｉＷから形成されている。バンプ４０の少なくとも下面はＡｕから形成されている。 （もっと読む）