【課題】従来の半導体装置では、層間絶縁層のＳＯＧ膜から発生する脱ガスにより接続用電極が酸化し、接続用電極上の抵抗値が低減され難いという問題があった。
【解決手段】本発明の半導体装置では、接続用電極２６上のＴＥＯＳ膜２７、ＳｉＮ膜２８に開口領域２９、３１が形成される。開口領域２９、３１では、接続用電極２６上にメッキ用金属層３２、Ｃｕメッキ層３４が積層される。そして、接続用電極２６が開口領域２９、３１から露出する際、ＳＯＧ膜１４、２２が露出することがなく、接続用電極２６がＳＯＧ膜１４、２２から発生する脱ガスにより酸化されず、接続用電極２６上の抵抗値が低減される。 （もっと読む）

【課題】オン抵抗及び素子内部抵抗を低く保ちつつ、信頼性が改善されたストラップ構造を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体層と、前記半導体層の上に設けられ第１の領域と第２の領域とを有する第１の金属主電極と、前記半導体層の上に設けられ前記第１の領域と前記第２の領域との間に絶縁されて介在する金属ゲート配線と、を含む半導体素子と、リードと、金属からなり、前記第１の金属主電極と前記リードとを接続する導電部と、
を備え、前記導電部材は、前記金属ゲート配線を覆うように前記第１の領域と前記第２の領域とにそれぞれ接合され、前記金属ゲート配線の上において前記導電部材の下面に凹部が設けられ前記金属ゲート配線から離間してなることを特徴とする半導体装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上に配置される光透過性保護部材にキズやクラック等が生じることを抑制することによって、半導体装置の受光特性や製造歩留り等を向上させる。
【解決手段】半導体装置１は、第１の主面２ａに受光部３と電極４とが設けられた半導体基板２を具備する。半導体基板２は第１の主面２ａと第２の主面２ｂとを繋ぐ貫通配線層６を有する。半導体基板２上には第１の主面２ａを覆うように光透過性保護部材９が配置されている。受光部３上には所定の間隙１１が形成される。光透過性保護部材９の表面９ａには保護膜１２が形成されている。保護膜１２は受光部３に対応する領域に設けられた開口１２ａを有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、配線のクラックを防止することを目的とする。
【解決手段】半導体装置は、電極１４上からパッシベーション膜１６上を通って樹脂突起１８上に至るように延びる配線２０を有する。配線２０は、積層された第１の層２２及び第２の層２４を含む。第１の層２２は、電極１４、パッシベーション膜１６及び樹脂突起１８に接触し、Ｔｉ及びＷを含む材料から形成され、３００Å以上１０００Å以下の膜厚を有する。第２の層２４は、Ａｕ、Ａｇ、鉛フリーはんだ及びＰｔからなるグループのうち少なくとも１つの材料から、第１の層２２の上に形成されている。第２の層２４の膜厚は、第１の層２２の膜厚の８倍以上２０倍以下である。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の表裏両面間を貫通配線層で接続した半導体装置において、グランド特性や放熱性を改善する。
【解決手段】半導体装置１は貫通孔３を有する半導体基板２を備える。半導体基板２の第１の主面２ａには活性層４が設けられている。貫通孔３の内壁面、活性層４で塞がれた貫通孔３の底面、および半導体基板２の第２の主面２ｂは絶縁層５で覆われている。貫通孔３の底面に存在する絶縁層５には第１の開口部６が設けられている。半導体基板２の第２の主面２ｂに存在する絶縁層５には第２の開口部７が設けられている。第１の配線層８は貫通孔３内から半導体基板２の第２の主面２ｂに亘って設けられている。第２の配線層９は第２の開口部７を介して第２の主面２ｂと接続するように設けられている。 （もっと読む）

【課題】微小ビアでの接続信頼性を確保した信頼性の高い半導体装置を提供すること。
【解決手段】半導体基板１１と、半導体基板１１上に配されるとともに、少なくとも１以上の第１配線層、少なくとも１以上の第１絶縁層、及び第１ビアを有する第１配線構造体１２と、第１配線構造体１２上に配されるとともに、少なくとも１以上の第２配線層１５、少なくとも１以上の第２絶縁層１４、第２ビア１６、及び第３ビア１９を有する第２配線構造体１７と、第２配線構造体１７上に設けられた外部端子１８と、を備える半導体装置において、第２配線構造体１７の第２配線層１５と外部端子１８に接合される第２ビア１６は、外部端子１８側の端部に接合界面１６ａが配されている。 （もっと読む）

【課題】製造プロセスを容易にして、特性を向上させる。
【解決手段】導電部１４ａと、導電部１４ａと対向する導電部１４ｂと、導電部１４ａと導電部１４ｂとを接続するシート状炭素構造体１５ａと、を有する配線構造体１０により、シート状炭素構造体１５ａのカイラリティの制御が容易にできて、シート状炭素構造体１５ａの電子状態に従って、シート状炭素構造体１５ａにバリスティック伝導を発現させることができるようにした。これにより、理想的な抵抗を得ることができ、配線にＣＮＴを利用した場合と、同等もしくはそれ以上の特性を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の貫通接続部において、表面側配線層の貫通孔底部での剥離および破断が防止され、接続不良等が改善された半導体装置と、そのような半導体装置を製造する方法を提供する。
【解決手段】貫通孔３を有する半導体基板２の表面に、該貫通孔３と同径の開口４ａを有する第１の絶縁層４が被覆され、その上に第１の配線層５が開口４ａを覆い形成されている。また、貫通孔３内および半導体基板２の裏面に第２の絶縁層６が被覆されている。第２の絶縁層６は、第１の配線層５と内接するように形成され、内接部に第１の絶縁層４の開口４ａよりも小径の複数の開口６ａを有している。さらに、貫通孔３内に第２の配線層７が充填・形成され、この第２の配線層７は第２の絶縁層６の複数の開口６ａを介して第１の配線層５に内接している。 （もっと読む）

【課題】 このような事情のもとで本発明の目的は、パッケージとした時に信頼性に優れる半導体装置を提供することにある。
【解決手段】 本発明の半導体装置は、半導体素子と、前記半導体素子の一方の面側に設けられた積層体とを有する半導体装置であって、前記積層体は、カゴ型構造を有する化合物を含む樹脂組成物で構成される樹脂層と、前記樹脂層の半導体素子に近い側の面に接合される第１接合層と、前記樹脂層の他方の面側に接合される第２接合層と、を有し、前記樹脂層と前記第１接合層との密着力をＡとし、前記樹脂層と前記第２接合層との密着力をＢとしたとき、Ａ／Ｂ＝０．５〜３．０となる関係を満足することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 多層配線を有する半導体装置において配線層内の水分の有無を直接評価することができる配線構造及び多層配線を有する半導体装置の水分検出方法を実現する。
【解決手段】 半導体装置１の多層配線構造において、第３配線層３３より腐食されやすい材料により形成された薄膜抵抗体２０ａ、２０ｂが第３配線層３３に配置され、薄膜抵抗体２０ａ、２０ｂの抵抗値を測定可能に構成されているため、水分の侵入などにより第３配線層３３内に水分が存在する場合には、水分が第３配線層３３内を移動して薄膜抵抗体２０ａ、２０ｂに到達し、薄膜抵抗体２０ａ、２０ｂが腐食されて抵抗が急増するので、薄膜抵抗体２０ａ、２０ｂの抵抗値を測定することにより第３配線層３３内の水分の有無を直接検出することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板に貫通配線層を形成する際の貫通孔底部での壁状付着物や有機マスク残渣の発生を防ぐことにより、貫通接続部の接続不良や機械的信頼性が改善された半導体装置を提供する。
【解決手段】貫通孔３を有する半導体基板２の表面に、該貫通孔３よりも小径の開口４ａを有する第１の絶縁層４が被覆され、その上に第１の配線層５が開口４ａを覆い形成されている。また、貫通孔３内および半導体基板２の裏面に第２の絶縁層６が被覆され、その上には拡散防止機能を有する高抵抗金属からなる金属マスク層７が形成されている。第２の絶縁層６および金属マスク層７は、第１の絶縁層４の開口４ａと同径の開口６ａ、７ａを有している。さらに、貫通孔３内に第２の配線層８が充填・形成され、この第２の配線層８は第１の絶縁層４および第２の絶縁層６の開口４ａ、６ａを介して第１の配線層５に内接している。 （もっと読む）

【課題】本発明は、接着剤の特性に依存せずに電気的な絶縁信頼性を確保することを目的とする。
【解決手段】電子デバイスは、半導体装置と、複数の基板電極４０を有する配線パターン３６が形成されて半導体装置が搭載された配線基板３４と、を有する。複数の配線２４と複数の基板電極４０とが対向して電気的に接続する。樹脂突起１８は、半導体装置と配線基板３４の対向方向に圧縮されて、露出部２８が基板電極４０に密着する。樹脂突起１８の表面は、複数の第１の領域２０と、複数の第１の領域２０よりも低くなった複数の第２の領域２２と、を交互に有する。それぞれの第１の領域２０は、いずれかの配線２４が載る支持部２６と、支持部２６及び第２の領域２２の間で配線２４から露出する露出部２８と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 突起電極と電極パッドとの接着性が良好な半導体装置と、この半導体装置を短い処理工程で形成可能な製造方法を提供することである。
【解決手段】 半導体基板１に形成した絶縁膜３の開口から露出する電極パッド２と、電極パッド表面に形成されたプローブ痕５と電極パッド上とに設ける共通電極層８、９と、共通電極層８、９上に設ける突起電極１３を有する半導体装置において、プローブ痕５の庇５ａの下に感光性樹脂６を設ける半導体装置と、電極パッド２表面にプローブ針４を接触させてプローブテストを行なうプローブテスト工程と、このプローブテスト工程にて電極パッド２表面に生じるプローブ痕５の庇５ａの下に自己整合的に感光性樹脂６を形成する感光性樹脂形成工程と、共通電極層８、９を形成する工程と、共通電極層８、９の上に突起電極１３を形成する工程を有する半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】表面が平坦なバンプ電極を有する半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】表面に電極パッド１３が形成された半導体チップ１１、電極パッド１３の上に配置され、半導体チップ１１と対向する上面が平面をなす上部配線層１７、上部配線層１７の上面と同一面をなし、上部配線層１７の側面と接し、半導体チップ１１の表面を被うパシベーション膜１５、上部配線層１７及び上部配線層１７の周囲のパシベーション膜１５の上に配置され、上部配線層１７と接続されたバンプ下地金属２１、及び平面をなすバンプ下地金属２１の上に側面を共有して配置され、所定の膜厚の金バンプ２５とを備える。 （もっと読む）

【課題】メタル層の抵抗率を小さくすることなくメタル層におけるヒロックを阻止することができる薄膜構造を提供する。
【解決手段】薄膜構造５０は、基板５２と、ベースメタル層５４及びバリアメタル層５６の複数の交互層とを備え、複数の層は、ベースメタルの各層が最大温度に対する臨界厚みよりも薄くかつバリアメタル層５６がベースメタル層５４の二つの層の間に挿入されるように、基板５２上に支持され、メタル層の抵抗率を小さくすることなくメタル層におけるヒロックを阻止する。 （もっと読む）

半導体集積回路用の半導体デバイス上に回路を製作及び／又は電極を形成するのに有用な、低減された金属エッチレート、特に低減された銅エッチレートを有するレジスト剥離剤を、それらの使用法とともに提供する。好適な剥離剤は、低濃度の銅塩又はコバルト塩を、銅塩又はコバルト塩の溶解度を改良するためのアミンと共に又はアミンなしで含有する。さらに、これらの方法に従って製造された集積回路デバイス及び電子相互接続構造も提供する。 （もっと読む）

【課題】基板の上にシード層を介して電気めっきにより形成された再配線を有する電子装置としてのＣＳＰ（チップサイズパッケージ）において、シード層のアンダーカットを適切に防止する。
【解決手段】基板と、基板の上に電気めっきにより形成された再配線３０と、基板上の層間膜２０と再配線３０との間に形成され、層間膜２０側から第１のシード層４１、第２のシード層４２の２層からなる導電性のシード層４０とを備え、第１のシード層４１は基板側の層間膜２０と第２のシード層４２との密着性を確保するものであり、第２のシード層４２は導電性を確保するものである。ここにおいて、第１のシード層４１は島状構造をなしている。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、パッケージサイズがチップサイズに近く、応力吸収層とは別に、熱ストレスを効果的に吸収することができる半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器を提供することにある。
【解決手段】パッケージサイズがチップサイズに近く、応力吸収層とは別に、熱ストレスを効果的に吸収することができる半導体装置である。半導体装置１５０は、電極１５８を有する半導体チップと、半導体チップの上に設けられる応力緩和層としての樹脂層１５２と、電極１５８から樹脂層１５２の上にかけて形成される配線１５４と、樹脂層１５２の上方で配線１５４に形成されるハンダボール１５７と、を有し、樹脂層１５２は表面に窪み部１５２ａを有するように形成され、配線１５４は窪み部１５２ａの上を通って形成される。 （もっと読む）

【課題】 十分な接合強度が得られるように超音波振動の出力レベルを設定して超音波接
合を実施した場合であっても、半導体チップに形成された多層配線部の導体部分の断線を
防止することができ、また、製造工程における部品の管理コストの削減や製造部品の歩留
まりを改善することができる高周波回路装置を提供すること。
【解決手段】 高周波回路が形成されたＭＭＩＣチップ２と、ＭＭＩＣチップ２の一方の
面に有機材料を用いて形成された多層配線部１３と、多層配線部１３の最表層面のバンプ
形成部４に形成されたバンプ６とを備え、超音波振動を与えて基板２０と接合する場合に
、バンプ６とバンプ形成部４との接合部分の変形を抑える補強手段（補強用導体層５ｄ）
が、多層配線部１３に形成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体基板に貫通配線層を形成する際の貫通孔底部での配線層の薄膜化が防止され、貫通接続部の接続不良が改善された半導体装置を提供する。
【解決手段】貫通孔３を有する半導体基板２の表面に、該貫通孔３と同径の開口４ａを有する第１の絶縁層４が被覆され、その上に第１の配線層５が形成されている。また第１の配線層５の近傍に、貫通孔３とその内壁面等に形成された第３の絶縁層８および貫通孔３内に充填・形成された第３の配線層９から成る貫通接続部が形成されている。そして、この貫通接続部に内接された第２の配線層７と第１の配線層５とが電気的に接続され、貫通孔３の内壁面と第１の配線層５との間に第２の絶縁層６が介在し、第１の配線層５と貫通孔３内に充填・形成された第３の配線層９とが離間されるように構成されている。 （もっと読む）