導電ビアを形成する方法について説明され、そして該方法は、シード層を半導体基板（１０３）の第１面（１２５）に形成する工程であって、該半導体基板が該第１面を第２面（１２７）の反対側に含む、前記シード層を形成する工程と、ビアホール（３２９）を、該半導体基板の該第２面側の半導体基板中に形成する工程であって、該ビアホールが該シード層を露出させる、前記ビアホールを形成する工程と、そして電気メッキ法で導電ビア材料（６０１，６０３）を該ビアホールに、該材料が該シード層上に堆積するように充填する工程と、を含む。一つの実施形態では、連続導電層（１１６）を該シード層の上に形成し、かつ該シード層に電気的に接続する。該連続導電層は、電気メッキ法で導電ビア材料を充填する際の電流供給源として機能することができる。
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【課題】多孔質低誘電率層を形成する方法が、記載されている。
【解決手段】ＣＶＤプロセスは、基板に導入され、ここで、枠体前駆体及びポロゲン前駆体は供給される。枠体前駆体の供給の終了期間において、ＣＶＤプロセスの生成物の密度と否定的に相関している少なくとも一つの堆積パラメータの値は、減少する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、微細化しても剥離が生じ難い金属層を導電膜上に形成することを図ることを目的とする。
【解決手段】集積回路１２が形成され、集積回路１２に電気的に接続された電極１４を有する半導体基板１０に、電極１４を覆うように第１の導電膜２０を形成する。第１の導電膜２０をエッチングして第１の導電膜パターン２４を形成する。第１の導電膜パターン２４を覆うように第２の導電膜２６を形成する。第２の導電膜２６に電流を流して行う電解メッキによって、第２の導電膜２６上に、全体が第１の導電膜パターン２４とオーバーラップするように金属層３０を形成する。金属層３０をマスクとして第２の導電膜２６をエッチングして、全体が第１の導電膜パターン２４とオーバーラップするように第２の導電膜パターン３２を形成する。 （もっと読む）

【課題】パワートランジスタを有する半導体装置の信頼性を向上させる技術を提供する。
【解決手段】素子を形成した半導体ウェハ１の主面に、素子と電気的に接続するように堆積した第１導体膜１４および第２導体膜１５に所望のパターンを形成する工程であり、まず、半導体ウェハ１を第１の回転速度で回転させた状態で、半導体ウェハ１の主面に対して薬液１７を供給することにより、第２導体膜１５に対してウェットエッチング処理を施す（工程１００）。エッチング終了後、薬液１７が半導体ウェハ１の主面に残るように、回転速度を第１の回転速度よりも遅い第２の回転速度に変更し、その状態で半導体ウェハに純水１９を撒水することにより、純水１９が半導体ウェハ１の主面に残されるようにした状態で薬液１７を洗浄する（工程１０１）。続いて、第１導体膜１４に対してドライエッチングを施す（工程１０２）。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い電子デバイス、及び、その製造方法を提供する。
【解決手段】電子デバイスは、ベース基板１２と配線パターン１４とを有する配線基板２と、電極２２が形成された半導体チップ２０と、半導体チップにおける電極が形成された面２５に形成された樹脂突起３０と、樹脂突起上に形成された電気的接続部４２を含む、電極に電気的に接続された配線４０と、を有し、電気的接続部が配線パターンに接触するように、配線基板に搭載された半導体装置３と、配線基板と半導体装置とを接着する接着剤４とを含む。配線４０は、第１の層４４と、第１の層上に形成された、第１の層よりも延性の高い材料で構成された第２の層４６とを含む。第１の層における樹脂突起と重複する領域には、ひび割れが形成されており、第２の層における樹脂突起と重複する領域には、ひび割れが形成されていない。 （もっと読む）

【課題】表面保護膜や層間膜などの配線被覆膜の剥がれやひび割れの進行を防止することができる半導体装置を提供すること。
【解決手段】この半導体装置は、半導体チップ１と、半導体チップ１上に積層された保護膜２と、保護膜２上に突出する凸型端子３と、凸型端子３に接着される半田ボール４とを備えている。半導体チップ１の基体をなす半導体基板７上には、第１配線層８、第１層間膜９、第２配線層１０、第２層間膜１１、第３配線層１２および最上層配線被覆膜１５が半導体基板７側からこの順に積層されている。そして、半導体基板７の周縁から所定幅だけ内側の位置においては、最上層配線被覆膜１５の表面から第２層間膜１１および第１層間膜９を貫通して半導体基板７の表層部に達する溝１８が半導体基板７の素子形成領域Ｂを取り囲んで形成されている。そして、この溝１８には、保護膜２が入り込んでいる。 （もっと読む）

【課題】表面保護膜や層間膜などの絶縁膜の剥がれの発生を防止することができる半導体装置を提供すること。
【解決手段】この半導体装置は、半導体チップ１と、半導体チップ１上に積層された応力緩和層２と、応力緩和層２上に突出する接続パッド３と、接続パッド３に接着される半田ボール４とを備えている。半導体チップ１は、多層配線構造を有しており、この半導体チップ１の基体をなす半導体基板７上には、第１配線層８、第１層間膜９、第２配線層１０、第２層間膜１１、第３配線層１２および表面保護膜１５が半導体基板７側からこの順に積層されている。そして、表面保護膜１５の周縁部２２および、表面保護膜１５の表面から半導体基板７の表面７Ａに達する各絶縁膜（第１層間膜９、第２層間膜１１および表面保護膜１５）の各側面（９Ａ、１１Ａ、１５Ａ）には、無機薄膜２１が形成されている。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高いＢＧＡを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】第１の主面上にパッド電極５３を形成された半導体基板の第２の主面から前記パッド電極５３に到達するビアホールＶＨを形成する工程と、前記ビアホールＶＨ内を含む前記半導体基板の第２の主面上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に緩衝層６０を形成する工程と、前記ビアホールＶＨの底部の絶縁膜をエッチング除去する工程と、前記ビアホールＶＨを通して、前記パッド電極５３と電気的に接続され、かつ前記ビアホールＶＨから前記緩衝層６０上に延びる配線層６４を形成する工程と、前記配線層６４上に導電端子６６を形成する工程と、前記半導体基板を複数の半導体チップ５１Ａに分割する工程と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】抵抗値を向上させつつ高集積化が可能な薄膜抵抗を備えた半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜抵抗９が樹脂層１０の表面の厚さＴ方向の凹部１６および凸部１７に沿って形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】配線溝への埋め込み特性が良好で、信頼性の高い半導体装置を作製することができる半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板１０１上に、配線溝１０３が設けられた絶縁膜１０２を形成する工程（ａ）と、絶縁膜１０２上に導電性バリア膜１０４およびシード膜１０５を順次形成する工程（ｂ）と、シード膜１０５上に電解めっき法により電解めっき膜１０６を形成する工程（ｃ）とを備えている。工程（ｃ）では、半導体基板１０１の基板面に対して７０度以上９０度以下の方向から光を照射しながら、電解めっきを行う。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体基板の能動面に形成された金属層に傷が付かないようにすることを目的とする。
【解決手段】集積回路が形成された半導体基板１０の集積回路に電気的に接続された電極１２を有する第１の面１６に応力緩和層２０を形成し、応力緩和層２０及び電極１２を覆うように導電膜２２を形成し、導電膜２２上に導電膜２２の一部が露出する開口２４を有するようにメッキレジスト層２６を形成し、導電膜２２に電流を流して行う電解メッキによって導電膜２２のメッキレジスト層２６からの露出部上に金属層２８を形成する。その後に、メッキレジスト層２６を除去する。その後に、金属層２８をマスクとして、導電膜２２の金属層２８からの露出部をエッチングして除去する。その後に、金属層２８上にソルダレジスト層３０を形成する。その後に、半導体基板１０の第１の面１６とは反対の第２の面３２に保護層３４を形成する。 （もっと読む）

【課題】キャパシタの信頼性や品質を確保しつつ、ウェハ工程完了後にキャパシタの容量を調整できる半導体装置を提供する。
【解決手段】容量調整用キャパシタを、同一の半導体基板に対して複数備え、容量調整用キャパシタがパッシベーション膜によって被覆された半導体装置であって、複数の容量調整用キャパシタは、同一層の電極間がそれぞれ層内繋ぎ配線によって連結されて１つのキャパシタブロックを構成しており、層内繋ぎ配線によって連結された各層の電極のうち、少なくとも１層の電極と当該電極間を繋ぐ層内繋ぎ配線とが、同一の導電材料からなる薄膜抵抗体として構成され、薄膜抵抗体のうち、層内繋ぎ配線に相当する部位の少なくとも１箇所に光を選択的に照射して部位を断線させることにより、キャパシタブロックの容量が調整可能である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体基板の能動面に形成された金属層に付いた傷を除去することを目的とする。
【解決手段】集積回路が形成された半導体基板１０の集積回路に電気的に接続された電極１２を有する第１の面１８に電極１２を覆うように導電膜１８を形成し、導電膜１８上に導電膜１８の一部が露出する開口２０を有するようにメッキレジスト層２２を形成し、導電膜１８に電流を流して行う電解メッキによって導電膜１８のメッキレジスト層２２からの露出部上に金属層２４を形成する。その後に、メッキレジスト層２２を除去する。その後に、半導体基板１０の第１の面１６とは反対の第２の面２６に樹脂層２８を形成する。その後に、金属層２４をマスクとして、導電膜１８の金属層２４からの露出部をエッチングして除去するとともにエッチングによって金属層２４の表面をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】表面にパッド電極を有する半導体装置の製造歩留まりを向上させる。
【解決手段】半導体基板上にトレンチ型ゲート構造の縦型ＭＩＳＦＥＴを形成し、ゲート配線及びソース配線を形成してから、最上層の表面保護膜をスピンコート法で形成する。それから、ゲートパッド電極形成予定位置に開口部２８ａを有するレジストパターンＲＰ１を表面保護膜上に形成し、レジストパターンＲＰ１をエッチングマスクとして表面保護膜をエッチングすることで表面保護膜に開口部２９ａを形成する。開口部２９ａから露出されるゲート配線により、ゲートパッド電極が形成される。レジストパターンＲＰ１の開口部２８ａの平面形状は、四角形状をベースとするが、後で半導体チップとなる半導体装置領域１０Ａの角部４４ａに最も近い部分を、丸みを持たせて、その角部４４ａから離れる方向に後退させた形状とする。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ配線のＣｕ拡散防止性能を向上する。
【解決手段】酸化シリコン膜３９の上面、配線溝４２の側壁部の酸化シリコン膜３９の表面、配線溝４２の底部の酸化シリコン膜３１ｂの上面およびスルーホール３４の側壁部の酸化シリコン膜３１ｂの表面に、アンモニアプラズマ処理を施す。これにより、例えば厚さ１０ｎｍ未満の薄い窒化シリコン膜が形成される。この結果、酸化シリコン膜３９の上面、配線溝４２の側壁部の酸化シリコン膜３９の表面、配線溝４２の底部の酸化シリコン膜３１ｂの上面およびスルーホール３４の側壁部の酸化シリコン膜３１ｂの表面部分の膜質、清浄度、電気的な安定性を向上でき、Ｃｕの拡散防止性能を向上させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】絶縁層と絶縁層との密着性を高め、半田バンプシア強度、半田バンププル強度を高め、半導体装置の基板実装後の信頼性を向上し得る半導体装置とその製造方法及び半導体装置を使用した電子装置の提供。
【解決手段】本発明は、半導体基板２１の表面に絶縁層２３が設けられ、該絶縁層上に導電層２４，２５が設けられ、該導電層上に半田バンプ２６が設けられた半導体装置において、前記導電層に、前記絶縁層側に突出する楔部２８Ａを少なくとも１箇所有することを特徴とする半導体装置２０Ａを提供する。 （もっと読む）

【課題】チップサイズの拡大を抑制しつつ、層間接続の信頼性を向上させる。
【解決手段】半導体基板１ａ〜１ｃのスクライブラインＳＬの位置に溝４ａ〜４ｃを設け、半導体基板１ａ〜１ｃを積層した後、半導体基板１ａ〜１ｃの切断面に設けられた溝４ａ〜４ｃ内に導電材料１１を充填する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、微細化しても剥離が生じ難い配線を形成することを図ることを目的とする。
【解決手段】集積回路が形成された半導体基板１０の、集積回路に電気的に接続された電極１２を有する面に、凹部２４を有するように樹脂層２０を形成する。樹脂層２０及び電極１２を覆うように導電膜３０を形成する。樹脂層２０の凹部２４の内側面及び底面上方で導電膜３０の一部が露出する開口４２を有するようにメッキレジスト層４０を導電膜３０上に形成する。導電膜３０に電流を流して行う電解メッキによって導電膜３０のメッキレジスト層４０からの露出部上に金属層５０を形成する。メッキレジスト層４０を除去する。金属層５０をマスクとして、導電膜３０の金属層５０からの露出部をエッチングして除去する。 （もっと読む）

【課題】バリアメタル膜上に形成される金属めっき膜から、その金属成分が層間絶縁膜に拡散することを防止すること。
【解決手段】層間絶縁膜６、バリアメタル膜９、Ｃｕシード膜１０及びＣｕめっき膜１１の成膜領域に関して、バリアメタル膜９、Ｃｕシード膜１０、Ｃｕめっき膜１１を成膜する時のウェハ外周領域での各端部位置が、上層になるほど、層間絶縁膜６の端部位置よりも段階的にウェハ内側にくるように形成する。これにより、Ｃｕシード膜１０及びＣｕめっき膜１１の下には、必ずバリアメタル膜９が存在することになる。その結果、Ｃｕシード膜１０やＣｕめっき膜１１を形成した後の工程における熱処理中に、Ｃｕシード膜１０やＣｕめっき膜１１からＣｕが層間絶縁膜６中に異常拡散して、デバイス特性を変動させることを防止できる。 （もっと読む）

【課題】ウエハレベルＣＳＰ化された半導体装置において、所定の入光面以外の面から光が入射することを抑制し、搭載された集積回路やデバイスなどが赤外〜紫外域の電磁波によって誤作動を生じないパッケージを実現するための構造を有する、半導体装置及び製造方法、並びにこの半導体装置を用いた電子部品を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置１０は、一方の面に電極３を備える半導体からなる基板２、前記基板の一方の面に配された絶縁部４、前記基板の他方の面に配された第一保護部６、を少なくとも備えた構造体１１を有する。また、半導体装置１０は、前記構造体の側面部の一部又は全部を被覆する第二保護部７を有することにより構成され、前記第一保護部及び前記第二保護部は何れも、遮光性を有することを特徴とする。 （もっと読む）