【課題】本発明は、電気的接続について信頼性を向上させることを目的とする。
【解決手段】集積回路１２及び集積回路１２に電気的に接続された電極１４を有する半導体基板１０に、熱硬化性樹脂前駆体２４を設ける。電極１４上から、熱硬化性樹脂前駆体２４の表面に至るように、配線２０を形成する。熱硬化性樹脂前駆体２４を、熱によって硬化収縮させて表面積を小さくし、配線２０に凸部２２となるしわを形成する。 （もっと読む）

【課題】ウエハレベルＣＳＰにおいて、傾斜面を有する樹脂ポストが存在する場合であっても、樹脂ポスト近辺に微細な再配線を設計どおりに高密度に形成することができ、チップの小型化及び端子数の増加に対応することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、少なくとも一面に電極３を備えた基板２上の所定位置に、面状をなす第一頂部４ａを備えた突起状の第一樹脂ポスト４を形成する工程αと、前記第一樹脂ポストの第一頂部上に、該第一頂部の一部を少なくとも露出させるように、該第一頂部よりも小さい面状をなす第二頂部５ａを備えた突起状の第二樹脂ポスト５を形成する工程βと、を少なくとも備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体基板に貫通電極を形成する際に良好なストッパーとして働き、さらにダイソート等のテスト工程においても良好なテストを行うことができる電極パッドを備えた半導体パッケージを提供する。
【解決手段】半導体基板１０に、第１の主面の撮像素子１２と第２の主面のハンダボール２５とを電気的に接続する貫通電極が形成されている。半導体基板１０の第１の主面の貫通電極上に内部電極２６が形成され、内部電極２６上及び第１の主面上に層間絶縁膜１３が形成されている。層間絶縁膜１３上に素子面電極２７が形成され、素子面電極２７上及び層間絶縁膜１３上に、素子面電極２７の一部分が開口された開口部３０を有するパッシベーション膜１５が形成されている。さらに、半導体基板１０面に垂直な方向から見て開口部３０と重ならない領域において、素子面電極２７と内部電極２６との間にコンタクトプラグ２８が形成されている。 （もっと読む）

第１の半導体素子（１２，５２，７４）の外部コンタクト（１４，５４，７８）に達するマイクロパッド（３０，７０，４２）を形成する方法である。銅から成るスタッド（２０，２４，６６，８８，８２）を外部コンタクトの上に形成する。スタッドは、第１の半導体素子の表面上を延在する。銅から成るスタッドを錫溶液に浸漬する。錫（２８）で、スタッドの銅の少なくとも９５パーセントを、好ましくは９９パーセント超を置換する。結果として、５重量パーセント未満の銅を含む錫マイクロパッドが得られる。マイクロパッドがほぼ純粋な錫であるので、金属間化合物ボンドは、第１の半導体素子のマイクロパッドがボンディングされない状態が続いている間は形成されない。より小さいマイクロパッド寸法が、金属間化合物ボンドが形成されないので得られる。第１の半導体素子を、当該第１の半導体素子に覆い被さる第２の半導体素子にボンディングする場合、ボンド寸法によって、積層チップの高さが極めて高くなることはない。
（もっと読む）

【課題】Ｏリングをシール部材に用いた処理室で、半導体基板上の金属シリサイド形成を行う熱処理工程において、処理室に酸素等不純物ガスを引込まない半導体装置の製造方法及び半導体製造装置を提供する。
【解決手段】処理室２０に連通する第１の排気管３２と、第１の排気管３２の排気を遮断するためのバルブ３３と、第１の排気管３２より排気量の小さな第２の排気管３４と、を有し、第２の排気管３４をバルブ３３と処理室２０との間に前記第１の排気管３２から分岐して設け、バルブ３３を閉じることにより、処理室２０を大気圧より高い圧力の状態に維持する。 （もっと読む）

【課題】再配置配線および半田バンプを簡便なプロセスで作製することができる半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供すること。
【解決手段】半導体基板における半導体素子の電極端子が設けられた主面側に、電極端子を電気的に引き出す再配置配線およびバンプを形成する半導体装置の製造方法であって、半導体基板の主面側に、電極端子と電気的に接続された第１の導電層を形成する工程と、第１の導電層上の所定の位置に開口を有するマスク層を第１の導電層上に形成する工程と、マスク層の開口内に第２の導電層を形成する工程と、マスク層を除去する工程と、第２の導電層をマスクとして用いて第１の導電層を異方性エッチングすることにより第１の導電層からなる再配置配線を形成する工程と、第２の導電層をリフローして再配置配線上バンプを形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】余分な工程を削減し二重ダマシン構造を形成できる製造工程を提供する。
【解決手段】二重ダマシン構造を製造する工程である。この工程は、スタックの上方に２
個のマスクが形成される絶縁体層とストップ層を含むスタックを形成するものである。マスクのうちの１個は、絶縁体層にビアあるいはコンタクト開口を形成するのに用いられ、第２のマスクは絶縁体層の相互接続のための凹部を形成するのに用いられる。より好ましくは、凹部はビアあるいはコンタクト開口に先行して形成される。 （もっと読む）

【課題】 本発明は半導体装置における信頼性向上を図るものである。
【解決手段】 本発明の半導体装置は、半導体チップの第１の主面上に形成されたパッド電極５３と、前記半導体チップの第１の主面に接着されたガラス基板５６と、前記半導体チップの第２の主面から前記パッド電極５３の表面に貫通するビアホール８１と、前記ビアホール８１の側壁及び前記半導体チップの側端部に形成されたＣＶＤ膜から成る側壁絶縁膜５９Ａと、前記ビアホール８１を通して、前記パッド電極５３と電気的に接続された配線層６３とを具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】実効的な低配線間容量を維持しつつ、高密着性かつ高い配線間絶縁信頼性を有する多層配線の形成方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る多層配線の形成方法は、シロキサン構造を含むビア層間絶縁膜４３及び配線層間絶縁膜４４を金属配線４１ａ上に形成する第一の工程（図１［１］）と、ビア層間絶縁膜４３及び配線層間絶縁膜４４の一部に金属配線４１ａに達する凹部としてのデュアルダマシン溝４８を形成する第二の工程（図１［２］〜図２［２］）と、ビア層間絶縁膜４３及び配線層間絶縁膜４４とデュアルダマシン溝４８内で露出した金属配線４１ａとに水素プラズマ処理を施すことにより、ビア層間絶縁膜４３及び配線層間絶縁膜４４の表面に改質層４９を形成するとともに金属配線金属配線４１ａの表面を還元する第三の工程（図３［１］）と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高精度の抵抗部を容易に形成する。
【解決手段】基板Ｐ上に電極パッド及び配線パターン２０、２１が設けられる。配線パターンは、電極パッドの表面から樹脂突起の表面を越えて、電極パッドと逆側の方向に延び、且つ逆側において一部の配線諸元を、他の部分と異ならせて抵抗素子Ｒを形成する。 （もっと読む）

【課題】二重ダマシン構造を有する集積回路および余分な工程を削減し二重ダマシン構造を形成できる製造方法を提供する。
【解決手段】
二重ダマシン構造を製造する工程である。この工程は、スタックの上方に２個のマスクが形成される絶縁体層とストップ層を含むスタックを形成するものである。マスクのうちの１個は、絶縁体層のビアあるいはコンタクト開口を形成するのに用いられ、第ニのマスクは集積回路に相互接続のための凹部を形成するのに用いられる。 （もっと読む）

【課題】アンテナが半導体チップの回路に及ぼす悪影響を最小限に抑えることができる半導体装置、電子機器の提供。
【解決手段】半導体装置は、集積回路１２が形成される半導体チップ１０と、少なくとも１つのスロット５２を有し、半導体チップ１０の主面１３に直交する方向を第１の方向Ｄ１とした場合に半導体チップ１０の第１の方向Ｄ１に少なくとも絶縁層３０を介して設けられ、半導体チップ１０の集積回路１２に電気的に接続されるスロットアンテナ５０と、を含む。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム膜のウェットエッチングは、等方性のエッチング特性が知られているが、ウエハを高速回転させているため、回転に伴う異方性が現れるため、ウエハ外周部の配線形状を管理することが困難であった。
【解決手段】アルミニウム膜のウエット・エッチングにおいて、フルコーンノズルを２本搭載し、１本のノズルをウエハ全面へ薬液が塗布可能な位置に設置し、もう１本のノズルを薬液濃度が薄くなるウエハ中心部（ウエハ直近の位置）に設置し同時に薬液を塗布することにより、回転数依存が少なくエッチングレート均一性を向上することが可能とするものである。 （もっと読む）

【課題】貫通電極の導通確認をウェハ単位で簡便に行なうことができる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】シリコンウェハ２５０の能動面１０ａに形成された複数の集積回路を個片化して複数の半導体装置１を製造する方法であって、複数の集積回路を個片化する前に、集積回路のそれぞれに形成された能動面電極１２０ａ，１２０ｂ，外部接続用電極１２２，及びダミー電極を覆って導電膜１９０を形成する工程と、能動面１０ａと反対の裏面１０ｂからシリコンウェハ２５０を貫通して能動面電極１２０ａ，１２０ｂに達する貫通電極１１２ａ，１１２ｂを形成する工程と、裏面１０ｂから一対の貫通電極１１２ａ，１１２ｂをプロービングして貫通電極１１２ａ，１１２ｂと能動面電極１２０ａ，１２０ｂとの導通を検査する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法とした。 （もっと読む）

【課題】 製造プロセスへの付加を抑えコスト・ＴＡＴを増大させることなくタイミング最適化が可能となる半導体集積回路装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 タイミング制約違反の有無を判定し、タイミング制約違反が検出された場合にこれを解消する為に信号やクロックの更なる遅延が必要な最適化対象配線３３３とこれに所定間隔以下で近接する隣接配線３６１の間（隣接配線間）の一部又は全部にボイド形成抑止領域３８１を設定し、ボイド形成抑止領域内の最適化対象配線と隣接配線の間（隣接配線間）に絶縁膜を形成し、ボイド形成抑止領域外の最適化対象配線と隣接配線の間（隣接配線間）にボイド３７１ａ，ｂを形成する。 （もっと読む）

【課題】貫通孔内に配した保護部に起因する応力が小さく、接続信頼性の向上した半導体装置を提供する。
【解決手段】機能素子１１を一面に配した半導体基板１２、半導体基板１２の一面にあって、機能素子１１と電気的に接続して配した電極１４、半導体基板１２の他面から電極１４に向けて設けた貫通孔１２ａ、機能素子１１の配した領域を除く半導体基板１２の一面、及び他面と、貫通孔１２ａを覆うように配した絶縁層１３、並びに半導体基板１２の他面側に絶縁層１３を介して配し、かつ貫通孔１２ａを覆うように配した導電部１５、から少なくともなる半導体装置であって、導電部１５に沿って貫通孔１２ａ内に配した第一保護部１６と、半導体基板１２の他面側にあって、絶縁層１３、導電部１５、及び第一保護部１６を覆うように配した第二保護部１７とで囲まれる間隙１６ａを、貫通孔１２ａ内の少なくとも電極近傍に有することを特徴とする半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】平行平板型プラズマ処理装置を用いた基板の処理に際し、上部電極を構成する部材間の熱膨張係数差に起因する異物の発生を抑制する。
【解決手段】プラズマエッチング装置５０の真空チャンバ５１に設けられた上部電極ユニット６０は、シリコン層とグラファイト層とを貼り合わせた円盤状の電極板６１と、電極板６１を支持するアルミニウム製の電極支持部材６２とからなり、この上部電極ユニット６０の上部にはチーリングユニット８０が設けられている。チーリングユニット８０は、その底部に冷媒を循環させるための冷媒室８１が設けられており、上部電極ユニット６０が冷媒によって強制冷却される構造になっている。 （もっと読む）

【課題】従来の半導体装置では、層間絶縁層のＳＯＧ膜から発生する脱ガスにより接続用電極が酸化し、接続用電極上の抵抗値が低減され難いという問題があった。
【解決手段】本発明の半導体装置では、接続用電極２６上のＴＥＯＳ膜２７、ＳｉＮ膜２８に開口領域２９、３１が形成される。開口領域２９、３１では、接続用電極２６上にメッキ用金属層３２、Ｃｕメッキ層３４が積層される。そして、接続用電極２６が開口領域２９、３１から露出する際、ＳＯＧ膜１４、２２が露出することがなく、接続用電極２６がＳＯＧ膜１４、２２から発生する脱ガスにより酸化されず、接続用電極２６上の抵抗値が低減される。 （もっと読む）

【課題】従来の半導体装置では、層間絶縁層のＳＯＧ膜から発生する脱ガスにより接続用電極が酸化し、接続用電極上の抵抗値が低減され難いという問題があった。
【解決手段】本発明の半導体装置では、接続用電極２６上のＴＥＯＳ膜２７、ＳｉＮ膜２８に開口領域２９が形成される。開口領域２９では、接続用電極２６上にメッキ用金属層３４、Ｃｕメッキ層３６が積層される。そして、接続用電極２６が開口領域２９から露出する際、ＳＯＧ膜１４、２２が露出することがなく、接続用電極２６がＳＯＧ膜１４、２２から発生する脱ガスにより酸化されず、接続用電極２６上の抵抗値が低減される。 （もっと読む）

【課題】支持基板を貼り合せた半導体基板の位置検出を容易化することによって、半導体装置の製造効率の向上や製造コストの低減等を図る。
【解決手段】第１の切り欠き部７を有する半導体基板１と第２の切り欠き部８を有する支持基板とを、第１の切り欠き部７と第２の切り欠き部８とが重なるように貼り合せる。支持基板２が貼り合わされた半導体基板１の支持基板２と対向する面１ａとは反対側の面１ｂを加工し、半導体基板１の厚さを所定の厚さまで薄厚化する。さらに、必要に応じて半導体基板１の加工面１ｂに対して成膜工程を実施する。 （もっと読む）