【課題】ダイシングブレードの寿命を延ばすことができるとともに、半導体装置のエッジ部へのダメージを低減できる半導体装置を提供する。
【解決手段】機能素子領域２においては、第３層間絶縁膜２７表面とパッシベーション膜３３との間には、下配線２５に接続される上配線２９およびキャップメタル層３２が形成されている。下配線２５はＣｕ以外の配線材料からなり、上配線２９はＣｕからなる。このキャップメタル層３２におけるパッシベーション膜３３のパッド開口３４から露出した部分が第１パッド６である。一方、スクライブ領域３においては、第３層間絶縁膜２７表面とパッシベーション膜３３との間には、下配線２５に接続されるキャップメタル層３２が形成されている。このキャップメタル層３２におけるパッシベーション膜３３のパッド開口４４から露出した部分が第２パッド１０である。 （もっと読む）

【課題】応力緩和機能を有するウェハレベルＣＳＰと称される半導体装置において、外部電極の配置自由度が高い半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁樹脂層を第１電極が形成された半導体ウェハ表面１０に形成する工程、前記絶縁樹脂層の一部を除去して、開口径（Ｄ１）の開口部３２を形成し、前記半導体ウェハ表面１０の第１電極を露出させる工程、外部電極と前記第１電極を接続するための再配線層を前記絶縁樹脂層表面に形成する工程、前記再配線層の表面に再配線保護層を形成する工程、前記再配線保護層の一部を除去して、Ｄ２＞Ｄ１となるような開口径（Ｄ２）の開口部３２を形成し、前記第１電極と、前記外部電極を形成するための第２電極を露出させる工程、前記第１電極及び前記第２電極の表面にめっき層を形成する工程、前記めっき層を溶融することによって前記外部電極を形成する工程を含む、半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】貫通電極を有する半導体装置において、貫通電極によって被覆された貫通孔の内部を充填する保護層にクラック等が発生する不具合を防止する。
【解決手段】
貫通電極９を被覆するとともに、貫通孔６内を充填する保護層１０を備える半導体装置１において、保護層１０が複数層１１、１２からなり、複数層の保護層のうち最も半導体基板２の一面２ａに近い層が、少なくとも貫通電極の底面９ａと側面９ｂの交差部を被覆し、かつ、ポジ型感光性樹脂を用いて形成されることを特徴とする半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】無機材料を用いてコストの低減を図りながら、応力集中によるクラックを回避しつつ、銅配線を覆うことができるパッシベーション膜を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１０は、層間絶縁膜２５と、層間絶縁膜２５上に突出して形成され、銅を主成分とする材料からなる配線２７と、配線２７を覆うように形成されたパッシベーション膜３０とを含む。パッシベーション膜３０は、配線２７側から順に第１窒化膜３１、中間膜３３および第２窒化膜３２を積層した積層膜からなる。中間膜３３は、第１および第２窒化膜３１，３２とは異なる絶縁材料（たとえば酸化物）からなる。 （もっと読む）

【課題】 タングステンを材料とする半導体集積回路、フラットパネルディスプレイの製造において有用なタングステンのエッチング液を提供する。
【解決手段】 硝酸、フッ化物、鉄塩及び水を含有するタングステンのエッチング液を用いて、タングステンをエッチングする。 （もっと読む）

【課題】放熱性が向上した半導体装置およびその製造方法の提供。
【解決手段】第１の辺を有する第１の面を有する半導体基板１０と、前記半導体基板上に設けられた電極１４と、前記電極の上に位置する第１の開口部２４を有する第１の絶縁層１６と、前記第１の絶縁層の上であって、前記電極の少なくとも一部を避けて設けられた樹脂層２０と、前記樹脂層の上に設けられた第１の部分３１と、前記第１の部分と前記電極とを電気的に接続する第２の部分３２と、前記第１の部分または前記第２の部分と電気的に接続する第３の部分３３と、を有する導電層と、前記導電層の前記第２の部分を覆うように設けられ、前記導電層の前記第１の部分の少なくとも一部の上に位置する第２の開口部４１を有し、かつ、前記導電層の前記第３の部分を避けて設けられた第２の絶縁層４０と、前記導電層の前記第３の部分は、前記第１の面の前記第１の辺と、前記第２の絶縁層との間に位置する。 （もっと読む）

【課題】配線部をスパッタリングにより形成するスパッタ配線工程において、基板の外周部を、スパッタ装置内のヒーターとクランプリングとにより挟み込み、基板を保持することによる、基板の欠けの発生を抑制する。
【解決手段】緩衝層形成工程において、基板１の表面１Ａに緩衝層３を形成するとともに、緩衝層３の材料と同じ材料を用いて、緩衝層形成工程の保護層形成工程を実施し、半導体装置１０の製造方法を複雑化させることなく、基板１の表面１Ａの外周部１Ｂ、および裏面１Ｄの外周部１Ｅに保護層４を形成するので、緩衝層形成工程の後に実施するスパッタ配線工程において、基板１の表面１Ａおよび裏面１Ｄを直接挟み込むことなく、保護層４を介在させて挟み込み、基板１を保持することができ、基板１、特に基板１の外周部１Ｂ、および外周部１Ｅに欠けが発生することを抑制して、スパッタ膜１１を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】貫通電極とパッド電極との接続信頼性を高める。
【解決手段】一方の面と、前記一方の面と対向する他方の面を有する半導体基板と、前記半導体基板の前記一方の面に設けられた絶縁膜と、前記半導体基板と前記絶縁膜とを貫通する貫通孔と、前記絶縁膜上に設けられ、平面視において前記貫通孔と重なる位置に凹部を有する配線層と、前記貫通孔と前記凹部とで構成される溝の内壁および前記溝の底面に設けられ、且つ、平面視において前記配線層の前記凹部と重なる接続孔を有する樹脂膜と、前記配線層に接続され、前記樹脂膜を介して前記溝内に設けられた貫通電極とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】従来の半導体装置では、パッケージ端部の樹脂層の一部が剥離し、耐湿性が悪化するという問題があった。
【解決手段】本発明の半導体装置では、シリコン基板２の一主面側に再配線層５、５Ａと剥離防止層６が配置され、それらを被覆するように樹脂層３が形成される。剥離防止層６は、再配線層５、５Ａの無配置領域であり、半導体装置１の外周端部近傍に配置されることで、樹脂層３の樹脂量が低減される。この構造により、樹脂層３の熱収縮力に起因する樹脂の反り上がりが防止し、樹脂層３が、シリコン基板２上から剥離することが防止され、半導体装置１の耐湿性が向上される。 （もっと読む）

【課題】ＴＥＧ上のパッド部の浸食を防止し、また、実デバイスのパッド部の半田のぬれ性や半田形成後のシェア強度の向上を図る。
【解決手段】半導体ウエハのチップ領域ＣＡの第３層配線Ｍ３およびスクライブ領域ＳＡの第３層配線Ｍ３を、それぞれ、ＴｉＮ膜Ｍ３ａ、Ａｌ合金膜Ｍ３ｂおよびＴｉＮ膜Ｍ３ｃで構成し、チップ領域ＣＡの再配線４９上の第２パッド部ＰＡＤ２を洗浄し、もしくはその上部に無電界メッキ法でＡｕ膜５３ａを形成する。さらに、Ａｕ膜５３ａ形成後、リテンション検査を行い、その後、さらに、Ａｕ膜５３ｂを形成した後、半田バンプ電極５５を形成する。その結果、ＴｉＮ膜Ｍ３ｃによってＴＥＧであるスクライブ領域ＳＡの第３層配線Ｍ３の第１パッド部ＰＡＤ１のメッキ液等による浸食を防止でき、また、Ａｕ膜５３ａ、５３ｂによって第２パッド部ＰＡＤ２の半田のぬれ性や半田形成後のシェア強度の向上を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】アスペクト比の高い開口部内に空隙を形成することなく銅層を埋め込むことの可能な電気めっき方法を提供すること。
【解決手段】ウェハ上に銅層を形成する方法は、制御システムを有する電気めっきチャンバ内にウェハを配置する段階と、第１期間３０２の間にウェハに対する第１電力を正にパルス化する段階と、第１期間３０２に続く第２期間３０４の間にウェハに対する第２電力を負にパルス化する段階と、第２期間３０４に続く第３期間３０６の間にウェハに対する第３電力を正にパルス化する段階とを備える。 （もっと読む）

【課題】めっき動作を動的に制御することの可能な電気めっき方法を提供すること。
【解決手段】ウェハ２０上に銅層を形成する方法は、ウェハ２０を電気めっきチャンバ１０内に配置する段階であって、電気めっきチャンバ１０が少なくとも一つの電気コンタクト１８を通じてウェハ２０に電気的に接続される制御システム３４を有し、制御システム３４がウェハ２０に電力を提供する、段階と、ウェハ２０に給電して、ウェハ２０上に銅を電気めっきする段階と、電気めっき中にウェハ２０の電気特性を監視して、電気めっきチャンバ１０内の条件を変更すべきときを判断する段階とを備える。 （もっと読む）

【課題】従来の半導体装置では、基板裏面側のプラズマ処理により、基板表面側の電極が変色し、ＳｉＮ膜がプラズマ処理されてしまう問題があった。
【解決手段】本発明の半導体装置では、シリコン基板２の裏面側に裏面電極１３を配置し、その裏面電極１３を構成するＡｌ層１４は、シリコン基板２上に直接配置される。そして、Ａｌ層１４は、シリコン基板２とＡｌスパイクを形成することで、シリコン基板２と裏面電極１３との接着性が向上される。この構造により、シリコン基板２へのプラズマ処理が不要となり、シリコン基板２の表面側のパッド電極１２が変色し、ジャケット膜１０がプラズマ処理されることを防止できる。 （もっと読む）

【課題】従来の半導体装置では、半導体基板が樹脂層により被覆されない構造のため、半導体基板端部が欠け易い問題があった。
【解決手段】本発明の半導体装置１では、シリコン基板２上面に配線層１３が形成され、配線層１３を被覆するように樹脂層１４が形成される。配線層１３上には樹脂層１４の開口領域１５を介してバンプ電極１８が形成される。また、保護シート１９は、シリコン基板２の裏面及びシリコン基板２の側面２０の一部を被覆する。この構造により、シリコン基板２の裏面側では、保護シート１９が緩衝材として機能し、シリコン基板２のチッピングが防止される。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の再配線層において配線を狭ピッチ化して隣接する配線間距離が著しく近接しても、配線間でイオンマイグレーションを効果的に抑制する。
【解決手段】一方の主面１１ａに半導体デバイスおよび電極１１ｃが設けられた半導体基板１１と、一方の主面１１ａの上に形成された層間絶縁層１２と、層間絶縁層１２上において個々の配線パターンに沿って複数形成されたポリイミドからなる樹脂パターン部１３と、樹脂パターン部１３の上にそれぞれ形成された再配線層１４と、再配線層１４の上を封止する封止絶縁層１５とを有し、樹脂パターン部１３の側面１３ａが、配線パターンの長手方向に垂直な断面において凹凸状とされている。 （もっと読む）

【課題】ランド部が微細化された場合であっても、ランド部における封止絶縁層の剥離による再配線層の剥がれを抑制することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】一方の主面１０ａに半導体デバイスおよび電極が設けられた半導体基板１０と、一方の主面１０ａの上に形成された層間絶縁層１１と、層間絶縁層１１上に形成された再配線層１２と、再配線層１２の上を封止する封止絶縁層１７とを有し、再配線層１２は、配線部１３の端部に形成されたランド部１４と、ランド部１４から離れてランド部１４の周囲に形成された外郭部１５とを含み、封止絶縁層１７は、ランド部１４の少なくとも一部が露出する開口部１７ａを有し、ランド部１４と外郭部１５との間隙部１６において封止絶縁層１７と層間絶縁層１１とが接合されている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置において、配線間距離が近接してもイオンマイグレーションを防止し、大幅に遅延化させる。
【解決手段】一端１２ａが半導体基板１１の電極１１ｃと導通され、他端にランド部１３が設けられた再配線層１２と、ランド部１３の下面１３ｂにおいて半導体基板１１の一方の主面１１ａとの間に形成された絶縁樹脂ポスト部１４と、一方の主面１１ａを覆い、かつランド部１３の少なくとも一部が露呈されるように設けられた封止絶縁膜１５とを有する半導体装置１０において、再配線層１２は、一方の主面１１ａから所定の距離をおいて一方の主面１１ａに平行に延在される配線部１２ｂを有し、ランド部１３の径が配線部１２ｂの幅ｗよりも大きく、配線部１２ｂは、その長手方向に垂直な断面において周囲が全周にわたって、連続体からなる同一の前記封止絶縁膜によって覆われている。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ配線層上にＣｕバンプを形成可能とする半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、シリコン基板１上に形成される保護層６と、前記保護層６に形成され、前記シリコン基板１に形成される半導体素子と電気的に接続するＣｕ配線層９と、前記Ｃｕ配線層９を被覆し、前記保護層６上に形成される樹脂膜１０と、前記樹脂膜１０に形成される開口領域を介して前記Ｃｕ配線層９と接続するパッド電極１２と、前記パッド電極１２上に形成されるＣｕから成るスタッドバンプ２６とを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップのサイズを縮小化することのできる技術を提供する。
【解決手段】まず、絶縁膜９上にパッド１０およびパッド以外の配線１１ａ、１１ｂを設ける。このパッド１０および配線１１ａ、１１ｂ上を含む絶縁膜９上に表面保護膜１２を形成し、表面保護膜１２に開口部１３を設ける。開口部１３はパッド１０上に形成されており、パッド１０の表面を露出する。この開口部１３を含む表面保護膜１２上にバンプ電極８を形成する。ここで、バンプ電極８の大きさに比べてパッド１０の大きさを充分小さくなるように構成する。これにより、バンプ電極８の直下であって、パッド１０と同層に配線１１ａ、１１ｂが配置されるようにする。すなわち、パッド１０を小さくすることにより形成されたバンプ電極８下のスペースに配線１１ａ、１１ｂを配置する。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ配線層上にＣｕワイヤを実装可能とする半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体装置は、シリコン基板１上に形成される保護層６と、前記保護層６に形成され、前記シリコン基板１に形成される半導体素子と電気的に接続するＣｕ配線層９と、前記Ｃｕ配線層９を被覆し、前記保護層６上に形成される樹脂膜１０と、前記樹脂膜１０に形成される開口領域１１を介して前記Ｃｕ配線層９と接続するパッド電極１２と、前記パッド電極１２上にワイヤボンディングされるＣｕワイヤ１４とを有し、前記Ｃｕワイヤ１４と前記Ｃｕ配線層９との間には合金層１３が配置されることを特徴とする。 （もっと読む）